阻氣性層壓體、電子器件用部件及電子器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及阻氣性層壓體、由該阻氣性層壓體構(gòu)成的電子器件用部件和具備該電 子器件用部件的電子器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，在圖像顯示裝置中，嘗試使用合成樹脂片材代替玻璃基板以制備柔性顯 示器。但是，合成樹脂片材與玻璃相比容易透過水蒸氣等氣體，另外有表面平滑性低等問 題，在實用化方面有大量問題。
[0003] 為了解決這樣的問題，提出了一些在合成樹脂薄膜上層壓有阻氣性無機化合物薄 膜的阻氣性薄膜。
[0004] 例如，在專利文獻1中，記載了透明阻氣層壓薄膜，所述薄膜通過干式涂布法在由 塑料薄膜構(gòu)成的基材的一面或兩面設(shè)置SiOx的X值為1. 8以上的高氧化度氧化硅層，并在 該高氧化度氧化硅層上設(shè)置SiOx的X值為I. 0~1. 6的低氧化度氧化硅層，進而對該低氧化 度氧化硅層面實施使用由氧、氮、氬或氦的一種或2種以上構(gòu)成的氣體的等離子體處理后， 在該低氧化度氧化硅層的等離子體處理面上層壓聚合物層。
[0005] 在專利文獻2中，記載了透明阻氣基板，所述基板在透明樹脂基板的一面或兩面 將氮氧化硅層和氮化硅層按此順序?qū)訅骸?br>[0006] 在專利文獻3中，記載了阻氣薄膜，所述薄膜至少具有基材薄膜和在基材薄膜上 設(shè)置的含有硅、氧和氮的阻氣膜，其中，阻氣膜在厚度方向具有氧含量比氮含量多的區(qū)域A、 氮含量比氧含量多的區(qū)域B和區(qū)域C，所述區(qū)域C位于區(qū)域A與區(qū)域B之間，并且在區(qū)域A 的氧含量逐漸減少的同時，接近區(qū)域B氮含量逐漸增加。
[0007] 在專利文獻4中，記載了阻氣性薄膜，所述薄膜具有由SiN/SiOxNy/SiN這3層構(gòu) 成的單元。
[0008] 在專利文獻5中，記載了阻氣薄膜，所述薄膜具有透明的柔性支持基板2和至少1 層由水蒸氣透過率為〇. 〇9g/m2/天以下的氮氧化娃薄膜A構(gòu)成的阻氣層3a，構(gòu)成薄膜A的 元素組成以N/Si(系數(shù)Xa)為 0? 1~0. 9、0/Si(系數(shù)Ya)為 0? 65~1. 85、4-(3Xa+2Ya)為 1 以下的方式構(gòu)成。
[0009] 在專利文獻6中，記載了阻隔性薄膜，所述薄膜含有在樹脂基材上至少將有機層、 第一無機層、第二無機層按此順序?qū)訅憾玫降膶訕?gòu)成，其特征在于，該第一無機層至少含 有氧化硅或氮氧化硅，該第二無機層至少含有氮氧化硅，并且與該第二無機層的硅鍵合的 元素濃度比（0+N)/0比該第一無機層的元素濃度比（0+N)/0大。
[0010] 在專利文獻7中，記載了阻氣性薄膜，其特征在于，在樹脂基板的至少一面上具有 由阻氣層A、阻氣層B和阻氣層C構(gòu)成的阻氣單元，所述阻氣層A、阻氣層B和阻氣層C分別 由氧化硅和/或氮氧化硅構(gòu)成，對于該阻氣單元，從基板側(cè)起按照所述層A、層B、層C的順 序放置，各層的氧化硅和/或氮氧化硅中的氮原子數(shù)與氧原子數(shù)的比例（N原子數(shù)/0原子 數(shù)）為層六<層8>層(：。
[0011] 現(xiàn)有技術(shù)文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2004-351832號公報 專利文獻2 :日本特許第4279816號 專利文獻3 :日本特開2009-196155號公報（US2006226517A1) 專利文獻4 :日本特許第4425167號 專利文獻5 :日本特許第4717669號 專利文獻6 :日本特開2011-146226號公報 專利文獻7 :日本特開2011-156752號公報。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 發(fā)明所要解決的課題 如上所述，到目前為止，提出了大量在合成樹脂片材上層壓有阻氣性無機化合物薄膜 的阻氣性片材。
[0013] 但是，這些文獻中記載的阻氣薄膜在性能上不足以作為如有機EL元件的封裝材 料等那樣要求高的阻氣性和高的耐彎曲性的阻氣薄膜。
[0014] 本發(fā)明鑒于上述目前技術(shù)而完成，其目的在于，提供具有極高的阻氣性和耐彎曲 性的阻氣性層壓體、由該阻氣性層壓體構(gòu)成的電子器件用部件和具備所述電子器件用部件 的電子器件。
[0015] 解決課題的手段 本發(fā)明人為解決上述課題而深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)以下阻氣性層壓體具有極高的阻氣性 和耐彎曲性，從而完成本發(fā)明：所述層壓體具有基材和阻氣性單元，其中，所述阻氣性單元 含有至少2層無機層，在所述至少2層無機層中，至少1層為氮氧化硅層；所述氮氧化硅層 為由特定值以上的厚度的氮氧化硅構(gòu)成的層，具有：隨著相對于層中的厚度方向向基材側(cè) 接近，氧元素的存在率減少，氮元素的存在率增加的傾斜組成區(qū)域；所述傾斜組成區(qū)域的厚 度相對于氮氧化硅層整體的厚度的比例為特定值以上。
[0016] 這樣根據(jù)本發(fā)明，提供下列（1)~(7)的阻氣性層壓體、（8)的電子器件用部件和 (9)的電子器件。
[0017] (1)阻氣性層壓體，所述層壓體具有基材和阻氣性單元，其特征在于，所述阻氣性 單元含有至少2層無機層，在所述至少2層無機層中，至少1層為氮氧化硅層；所述氮氧化 硅層具有：厚度為25nm以上，隨著相對于層中的厚度方向向基材側(cè)接近，氧元素的存在率 減少，氮元素的存在率增加的傾斜組成區(qū)域；所述傾斜組成區(qū)域的厚度相對于氮氧化硅層 整體的厚度的比例為0.15以上。
[0018] (2) (1)中記載的阻氣性層壓體，其特征在于，在所述氮氧化硅層的傾斜組成區(qū) 域中，相對于氧原子、氮原子和硅原子的總量，氧原子存在率的最高值與最低值的差值為 10%~60%，氮原子存在率的最高值與最低值的差值為5%~30%。
[0019] (3) (1)中記載的阻氣性層壓體，其特征在于，所述氮氧化硅層通過對含有聚硅氮 烷類化合物的層進行離子注入處理來形成。
[0020] (4) (3)中記載的阻氣性層壓體，其中，所述離子注入處理通過等離子體離子注入 法進行選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙和氪的至少一種氣體的離子注入。
[0021] (5) (1)中記載的阻氣性層壓體，其特征在于，所述阻氣性單元為下列⑴~(v)中 的任一種層構(gòu)成： (i) 無機層/氮氧化硅層， (ii) 氮氧化硅層/無機層， (iii) 無機層/氮氧化硅層/氮氧化硅層， (iv) 無機層/無機層/氮氧化硅層， (V)無機層/氮氧化硅層/無機層/氮氧化硅層。
[0022] (6) (1)中記載的阻氣性層壓體，其特征在于，在所述阻氣單元中，距基材遠端的 一側(cè)為氮氧化娃層。
[0023] (7) (1)中記載的阻氣性層壓體，其特征在于，所述氮氧化硅層在距基材遠端的位 置具有傾斜組成區(qū)域。
[0024] (8)電子器件用部件，所述部件由所述（1)~(7)中任一項中記載的阻氣性層壓體 構(gòu)成。
[0025] (9)電子器件，所述器件具備所述（8)中記載的電子器件用部件。
[0026] 發(fā)明的效果 本發(fā)明的阻氣性層壓體具有水蒸氣透過率為104g?m2 ?天1級的極高的水蒸氣阻隔 性和優(yōu)異的層間粘附性，而且耐彎曲性優(yōu)異。
【附圖說明】
[0027] 圖1為構(gòu)成本發(fā)明的阻氣性層壓體的氮氧化硅層4的層結(jié)構(gòu)截面圖。
[0028] 圖2為實施例和比較例的阻氣性層壓體的層結(jié)構(gòu)截面圖。
[0029] 圖3為表示層壓體1的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0030] 圖4為表示層壓體2的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0031] 圖5為表示層壓體3的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0032] 圖6為表示層壓體4的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0033] 圖7為表示層壓體5的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0034] 圖8為表示層壓體6的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0035] 圖9為表示層壓體7的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0036] 圖10為表示層壓體8的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0037] 圖11為表示層壓體9的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0038] 圖12為表示層壓體10的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0039] 圖13為表示層壓體11的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0040] 圖14為表示層壓體12的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
[0041] 圖15為表示層壓體13的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率（原子比） (%)的圖。
【具體實施方式】
[0042] 以下將本發(fā)明分為1)阻氣性層壓體以及2)電子器件用部件和電子器件并詳細 地進行說明。
[0043] 1)阻氣性層壓體 本發(fā)明的阻氣性層壓體為具有基材和阻氣性單元的阻氣性層壓體，其特征在于，所述 阻氣性單元含有至少2層無機層，在所述至少2層無機層中，至少1層為氮氧化硅層；所述 氮氧化硅層具有：厚度為25nm以上，隨著相對于層中的厚度方向向基材側(cè)接近，氧元素的 存在率減少，氮元素的存在率增加的傾斜組成區(qū)域；所述傾斜組成區(qū)域的厚度相對于氮氧 化硅層整體的厚度的比例為0. 15以上。
[0044] (1)基材 若構(gòu)成本發(fā)明的阻氣性層壓體的基材可保持阻氣性單元，則無特殊限定。作為基材，通 常使用薄膜狀或片材狀的基材。
[0045] 基材的厚度無特殊限定，只要根據(jù)阻氣性層壓體的目的確定即可?；牡暮穸韧?常為 0? 5~500ym，優(yōu)選為 1~100ym。
[0046] 若基材的原料符合本發(fā)明的阻氣性層壓體的目的，則無特殊限制。
[0047] 作為基材的原料，可列舉出聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚 醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、丙烯酸類樹脂、環(huán)烯烴類聚合物、 芳族類聚合物等樹脂基材，玻璃紙、涂料紙、高級紙（上質(zhì)紙）等紙基材，在這些紙基材上層 壓有上述樹脂的層壓紙等。
[0048] 其中，由于透明性優(yōu)異且具有通用性，所以優(yōu)選樹脂基材，更優(yōu)選聚酯、聚酰胺、聚 砜、聚醚砜、聚苯硫醚或環(huán)烯烴類聚合物，進一步優(yōu)選聚酯或環(huán)烯烴類聚合物。
[0049] 作為聚酯，可列舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸 乙二醇酯、聚丙烯酸酯等。
[0050] 作為聚酰胺，可列舉出全芳族聚酰胺、尼龍6、尼龍66、尼龍共聚物等。
[0051] 作為環(huán)烯烴類聚合物，可列舉出降冰片烯類聚合物、單環(huán)的環(huán)狀烯烴類聚合物、環(huán) 狀共輒二烯類聚合物、乙烯基脂環(huán)式烴聚合物和它們的氫化物。作為其具體例，可列舉出 Apel(三井化學社制的乙烯-環(huán)烯烴共聚物）、Arton(JSR公司制的降冰片烯類聚合物）、 Zeonor(ZeonCorporation制的降冰片稀類聚合物