mbar ;鍍覆的速度為 2. 3-2. 9m/min，優(yōu)選為 2. 5m/min ; 溫度為80-KKTC。
[0039] 其中，步驟3)中所述第一硅鋁合金膜層分兩次鍍覆處理而成。
[0040] 特別是，所述第一硅鋁合金膜層的鍍膜過(guò)程中第一次鍍覆處理的真空磁控濺射電 壓為 470. 0-490. 0V，優(yōu)選為 475. 0-485. OV ;電流為 74. 0-79. 0A，優(yōu)選為 75. 0-77. 0A，功率為 25. 0-35. OKw，優(yōu)選為28. 0-31. OKw ;所述第一硅鋁合金膜層的鍍膜過(guò)程中第二次鍍覆處理 的真空磁控濺射電壓為475. 0-485. 0V，優(yōu)選為478. 0-483. 0V，電流為73. 0-78. 0A，優(yōu)選為 75. 0-77. 0A，功率為 27. 0-32. OKw，優(yōu)選為 28. 0-31. OKw。
[0041] 其中，所述第一硅鋁合金膜層的第一、第二鍍覆處理過(guò)程中真空磁控濺射室內(nèi)的 氣氛為氮?dú)夂秃獾幕旌蠚怏w。
[0042] 特別是，所述氣氛中氮?dú)馀c氬氣的體積之比為18 優(yōu)選為18 :11。
[0043] 尤其是，所述第一硅鋁合金膜層的鍍膜過(guò)程中第一次、第二次鍍覆處理過(guò)程中真 空磁控濺射室內(nèi)氮?dú)馀c氬氣的體積之比為18 :11。
[0044] 特別是，所述氮?dú)獾牧髁繛?00sc/cm，氦氣的流量為550sc/cm。
[0045] 特別是，所述第一硅鋁合金膜層的鍍膜厚度為56. 0-59. Onm，優(yōu)選為57. 8-58. 3nm。
[0046] 特別是，所述第一硅鋁合金膜的第一次鍍覆處理的厚度為28. 0-30.0 nm，優(yōu)選 為28. 9-29. 5nm ;所述第一硅鋁合金膜的第二次鍍覆處理的厚度為28. 0-30.0 nm，優(yōu)選為 28. 9-29. 7nm。
[0047] 其中，步驟3)中所述第二鎳鉻合金膜層的鍍膜處理過(guò)程中真空磁控濺射電壓為 341. 0-345V，優(yōu)選為 343. 0-344. OV ;電流為 7. 0-8A，優(yōu)選為 7. 4-7. 8A ;功率為 2. 0-3. OKw， 優(yōu)選為 2. 5-2. 8Kw。
[0048] 其中，所述第二鎳鉻合金膜層的鍍覆處理過(guò)程中真空磁控濺射室內(nèi)的氣氛為氬 氣。
[0049] 特別是，所述氦氣的流量為1200sc/cm。
[0050] 特別是，所述第二鎳鉻合金膜的鍍覆處理的厚度為7.0-8.0nm，優(yōu)選為 7. 3_7· 6nm〇
[0051] 其中，步驟3)中所述第三銀膜層的鍍膜處理過(guò)程中，真空磁控濺射電壓為 380. 0-390. 0V，優(yōu)選為 382. 0-389. OV ;電流為 12. 0-13. 0A，優(yōu)選為 12. 1-12. 9A ;功率為 4. 0-5. OKw，優(yōu)選為 4. 7-5. OKw。
[0052] 特別是，所述第三銀膜層的鍍膜處理過(guò)程中真空磁控濺射室內(nèi)的氣氛為氬氣。
[0053] 尤其是，所述氦氣的流量為1000sc/cm。
[0054] 特別是，所述第三銀膜層的鍍膜厚度為12. 0-13. Onm，優(yōu)選為12. 4-12. 6nm。
[0055] 其中，步驟3)中所述第四鎳鉻合金膜層的鍍膜處理過(guò)程中真空磁控濺射電壓 為 338. 0-342. 0V，優(yōu)選為 339. 1-341. OV ;電流為 7. 5-8. 2A，優(yōu)選為 7. 7-8. IA ;功率為 2. 2-3. OKw，優(yōu)選為 2. 6-2. 9Kw。
[0056] 其中，所述第二鎳鉻合金膜層的鍍覆處理過(guò)程中真空磁控濺射室內(nèi)的氣氛為氬 氣。
[0057] 特別是，所述氦氣的流量為1200sc/cm。
[0058] 特別是，所述第二鎳鉻合金膜的鍍覆處理的厚度為7.0-8.0nm，優(yōu)選為 7. 6_7· 8nm〇
[0059] 其中，步驟3)中所述第五硅鋁合金膜層分五次鍍覆處理而成。
[0060] 特別是，所述第五硅鋁合金膜層的鍍覆過(guò)程中第一次鍍覆處理過(guò)程中真空磁控濺 射電壓為 490. 0-495. 0V，優(yōu)選為 490. 0-494. OV ;電流為 67. 0-70. 0A，優(yōu)選為 68. 0-68. 9A， 功率為26. 5-27. 5Kw，優(yōu)選為26. 8-27. 3Kw ;第五硅鋁合金膜層的鍍覆過(guò)程中第二次鍍 覆處理過(guò)程中的真空磁控濺射電壓為475. 0-480. 0V，優(yōu)選為475. 0-476. OV ;電流為 68. 0-70. 0A，優(yōu)選為 68. 2-68. 8A ;功率為 26. 5-27. 5Kw，優(yōu)選為 27. 1-27. 3Kw ;第五硅鋁合 金膜層的鍍覆過(guò)程中第三次鍍覆處理過(guò)程中的真空磁控濺射電壓為435. 0-440. 0V，優(yōu)選 為 435. 0-439. OV ;電流為 75. 0-76. 0A，優(yōu)選為 75. 1-75. 3A ;功率為 26. 5-27. 5Kw，優(yōu)選為 27. 1-27. 2Kw ;第五硅鋁合金膜層的鍍覆過(guò)程中第四次鍍覆處理過(guò)程中的真空磁控濺射電 壓為 440. 0-450.0 V，優(yōu)選為 435. 0-455. OV ;電流為 73. 0-76. 0A，優(yōu)選為 73. 0-75. OA ;功率 為26. 0-28. 5Kw，優(yōu)選為26. 5-28. OKw ;第五硅鋁合金膜層的鍍覆過(guò)程中第五次鍍覆處理過(guò) 程中的真空磁控濺射電壓為460. 0-470. 0V，優(yōu)選為460. 0-464. OV ;電流為71. 0-73. 5A，優(yōu) 選為 72. 0-72. 6A ;功率為 27. 0-28. 5Kw，優(yōu)選為 27. 0-28. OKw。
[0061] 其中，所述第五硅鋁合金膜層的第一、第二、第三、第四、第五次鍍覆處理過(guò)程中真 空磁控濺射室內(nèi)的氣氛為氮?dú)夂蜌鍤獾幕旌蠚怏w。
[0062] 特別是，所述第五硅鋁合金膜層的鍍膜過(guò)程中第一、二次鍍覆處理過(guò)程中真空磁 控濺射室內(nèi)氮?dú)馀c氬氣的體積之比為18 :11。
[0063] 尤其是,所述氮?dú)獾牧髁繛?00sc/cm,氦氣的流量為550sc/cm。
[0064] 特別是，所述第五硅鋁合金膜層的第一、二次鍍覆鍍膜厚度為27. 0-29. 5nm，優(yōu)選 為 27. 0-29. Onm。
[0065] 尤其是，所述第五硅鋁合金膜層的鍍膜過(guò)程中第三次鍍覆處理過(guò)程中真空磁控濺 射室內(nèi)氮?dú)馀c氬氣的體積之比為8. 5 :4. 4。
[0066] 特別是,所述氮?dú)獾牧髁繛?50sc/cm,氦氣的流量為440sc/cm。
[0067] 特別是，所述第五硅鋁合金膜層的第三次鍍覆鍍膜厚度為22. 0-25. Onm，優(yōu)選為 22. 0-24. Onm。
[0068] 尤其是，所述第五硅鋁合金膜層的鍍膜過(guò)程中第四次鍍覆處理過(guò)程中真空磁控濺 射室內(nèi)氮?dú)馀c氦氣的體積之比為8. 5 :5。
[0069] 特別是,所述氮?dú)獾牧髁繛?50sc/cm,氦氣的流量為500sc/cm。
[0070] 尤其是，所述第五硅鋁合金膜層的鍍膜過(guò)程中第五次鍍覆處理過(guò)程中真空磁控濺 射室內(nèi)氮?dú)馀c氬氣的體積之比為3 :2。
[0071] 特別是，所述氮?dú)獾牧髁繛?00sc/cm，氦氣的流量為600sc/cm。
[0072] 特別是，所述第五硅鋁合金膜層的第四次鍍覆鍍膜厚度為27. 0-29. Onm，優(yōu)選 為28. 0-29. Onm ;所述第五硅鋁合金膜層的第五次鍍覆鍍膜厚度為27. 0-29. Onm，優(yōu)選為 28.0-28. 2nm〇
[0073] 特別是，所述第一硅鋁合金膜層的鍍膜厚度為130.0-142.0nm，優(yōu)選為 132. 0-139. 2nm。
[0074] 特別是，還包括步驟4)緩沖處理，將經(jīng)過(guò)鍍膜處理的玻璃從真空磁控濺射室輸送 至壓力緩沖室內(nèi)，逐漸提高緩沖室內(nèi)的壓力，直至達(dá)到常壓；降低緩沖室內(nèi)的溫度，使室內(nèi) 溫度達(dá)20-35 °C。
[0075] 本發(fā)明另一方面提供一種按照上述方法制備而成的綠色遮陽(yáng)型鍍膜玻璃（SUN-E 玻璃）。
[0076] 本發(fā)明的綠色遮陽(yáng)型鍍膜玻璃（SUN-E玻璃）具有如下優(yōu)點(diǎn)：
[0077] 1、本發(fā)明制備的綠色遮陽(yáng)型鍍膜玻璃采用在真空狀態(tài)下通過(guò)磁控濺射在綠色浮 法玻璃的表面依次鍍覆第一硅鋁合金膜、第二鎳鉻合金膜、第三銀膜、第四鎳鉻合金膜、第 五硅鋁合金膜，玻璃表面的復(fù)合膜在室外陽(yáng)光下顯示為綠色，采用價(jià)格低廉的硅鋁合金、鎳 鉻合金、銀為靶材和普通法國(guó)綠本體著色浮法玻璃基片制備的綠色遮陽(yáng)型鍍膜玻璃（SUN-E 玻璃）的生產(chǎn)成本低廉，利于低輻射玻璃的推廣使用。
[0078] 2、本發(fā)明方法制備的綠色遮陽(yáng)型鍍膜玻璃反射顏色呈綠色，是目前建筑等行業(yè)內(nèi) 設(shè)計(jì)師或業(yè)主欣賞的外觀顏色，其主要視覺(jué)物理參數(shù)在I/ = 58~70, f = -12~0, f = 1. 5~4之內(nèi)，其在室外呈綠色，炫彩、亮麗、美觀，可廣泛應(yīng)用于各種建筑中，具有良好的裝 飾效果。
[0079] 3、本發(fā)明制備的綠色遮陽(yáng)型鍍膜玻璃（SUN-E玻璃），其光學(xué)性能技術(shù)參數(shù)值符合 GB/T18915