一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃，包括從上至下依次設(shè)置的第一銅導(dǎo)電漆層、第一玻璃基層、隔音膠片層、中空鋁條層、第二玻璃基層、防潮層、Low-E低輻射節(jié)能玻璃層、第二銅導(dǎo)電漆層；所述Low-E低輻射節(jié)能玻璃層包括從下到上依次設(shè)置的第三玻璃基層、第二Si3N4膜層、第三AZO膜層、第四Cu膜層、第五NiCr膜層、第六AZO膜層、第七Si3N4膜層、第八AZO膜層、第九Ag膜層、第十NiCr膜層、第十一TiO2膜層、第十二SiNx膜層和第十三Sic膜層。本實(shí)用新型的有益效果是：通過(guò)設(shè)置第一銅導(dǎo)電漆層和第二銅導(dǎo)電漆層，能有效防止電磁波穿透玻璃，從而有效降低電磁輻射污染；設(shè)置防潮層，使本產(chǎn)品具有防潮的效果。
【專利說(shuō)明】
一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及玻璃領(lǐng)域，具體是涉及一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃。
【背景技術(shù)】
[0002]玻璃在當(dāng)代的生產(chǎn)和生活中扮演著重要角色，其應(yīng)用十分的廣泛，如玻璃窗、玻璃制裝飾品、玻璃制器皿、車(chē)載玻璃、玻璃幕墻等。隨著玻璃應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，市場(chǎng)需求量也在不斷增大，關(guān)于新型玻璃材料的開(kāi)發(fā)已成為業(yè)內(nèi)的發(fā)展趨勢(shì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃。
[0004]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃，包括從上至下依次設(shè)置的第一銅導(dǎo)電漆層、第一玻璃基層、隔音膠片層、中空鋁條層、第二玻璃基層、防潮層、Low-E低輻射節(jié)能玻璃層、第二銅導(dǎo)電漆層;所述Low-E低輻射節(jié)能玻璃層包括從下到上依次設(shè)置的第三玻璃基層、第二 Si3N4膜層、第三AZO膜層、第四Cu膜層、第五NiCr膜層、第六AZO膜層、第七Si3N4膜層、第八AZO膜層、第九Ag膜層、第十NiCr膜層、第^^一T12膜層、第十二 SiNJ莫層和第十三Sic膜層。
[0005]進(jìn)一步，所述第一銅導(dǎo)電漆層的厚度為20-25mm;所述第二銅導(dǎo)電漆層的厚度為20_25mmo
[0006]進(jìn)一步，所述隔音膠片層為透明隔音膠片，其厚度為0.5-2mm。
[0007]進(jìn)一步，所述中空鋁條層的厚度為5_30mm。
[0008]進(jìn)一步，所述第二 Si3N4膜層和第七Si3N4膜層的厚度均為10-30nm;所述第三AZO膜層、第六AZO膜層和第八AZO膜層的厚度均為10-20nm;所述第四Cu膜層的厚度為2-10nm;所述第五NiCr膜層和第十NiCr膜層的厚度均為0.5-20nm;所述第九Ag膜層的厚度為2-15nm;所述第十三Sic膜層的厚度為25-50nm;所述第^ Ti02膜層的厚度為10_25nm;所述第十二 SiNJ莫層的厚度為15-25nm。
[0009]進(jìn)一步，所述防潮層的厚度為0.5-2nmo
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:通過(guò)設(shè)置第一銅導(dǎo)電漆層和第二銅導(dǎo)電漆層，能有效防止電磁波穿透玻璃，從而有效降低電磁輻射污染;設(shè)置防潮層，使本產(chǎn)品具有防潮的效果O
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2是Low-E低福射節(jié)能玻璃層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖中:第一銅導(dǎo)電漆層1、第一玻璃基層2、隔音膠片層3、中空鋁條層4、第二玻璃基層5、防潮層6、Low-E低輻射節(jié)能玻璃層7、第二銅導(dǎo)電漆層8、第三玻璃基層10、第二 Si3N4膜層11、第三AZO膜層12、第四Cu膜層13、第五Ni Cr膜層14、第六AZO膜層15、第七S i 3N4膜層16、第八AZO膜層17、第九Ag膜層18、第十NiCr膜層19、第^^一T12膜層20、第十二 SiNx膜層21和第十三Sic膜層22。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行說(shuō)明。
[0015]參照?qǐng)D1和圖2所示，一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃，包括從上至下依次設(shè)置的第一銅導(dǎo)電漆層1、第一玻璃基層2、隔音膠片層3、中空鋁條層4、第二玻璃基層5、防潮層6、Low-E低輻射節(jié)能玻璃層7、第二銅導(dǎo)電漆層8。通過(guò)設(shè)置第一銅導(dǎo)電漆層I和第二銅導(dǎo)電漆層8，能有效防止電磁波穿透玻璃，從而有效降低電磁輻射污染。
[0016]所述第一銅導(dǎo)電漆層I的厚度為20-25mm;所述第二銅導(dǎo)電漆層8的厚度為20-25mm。所述隔音膠片層3為透明隔音膠片，其厚度為0.5-2_。所述中空鋁條層4的厚度為5-30mm。所述防潮層的厚度為0.5-2nm ο
[0017]所述Low-E低輻射節(jié)能玻璃層包括從下到上依次設(shè)置的第三玻璃基層10、第二S i 3N4膜層11、第三AZO膜層12、第四Cu膜層13、第五Ni Cr膜層14、第六AZO膜層15、第七S i 3N4膜層16、第八AZO膜層17、第九Ag膜層18、第十NiCr膜層19、第^^一T12膜層20、第十二 SiNx膜層21和第十三Sic膜層22。所述第二 Si3N4膜層11和第七Si3N4膜層16的厚度均為10-30nm;所述第三AZO膜12層、第六AZO膜層15和第八AZO膜層17的厚度均為10_20nm;所述第四Cu膜層13的厚度為2-10nm;所述第五NiCr膜層14和第十NiCr膜層19的厚度均為0.5-20nm;所述第九Ag膜層18的厚度為2-15nm;所述第十三Sic膜層22的厚度為25-50nm;所述第^^一T12膜層20的厚度為10-25nm;所述第十二 SiNx膜層21的厚度為15-25nm0
[0018]上述實(shí)施例僅是顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃，其特征在于:包括從上至下依次設(shè)置的第一銅導(dǎo)電漆層、第一玻璃基層、隔音膠片層、中空鋁條層、第二玻璃基層、防潮層、Low-E低輻射節(jié)能玻璃層、第二銅導(dǎo)電漆層;所述Low-E低輻射節(jié)能玻璃層包括從下到上依次設(shè)置的第三玻璃基層、第二Si 3N4膜層、第三AZO膜層、第四Cu膜層、第五Ni Cr膜層、第六AZO膜層、第七Si3N4膜層、第八AZO膜層、第九Ag膜層、第十NiCr膜層、第^^一T12膜層、第十二 SiNx膜層和第十三Sic膜層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃，其特征在于:所述第一銅導(dǎo)電漆層的厚度為20-25mm;所述第二銅導(dǎo)電漆層的厚度為20-25mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃，其特征在于:所述隔音膠片層為透明隔音膠片，其厚度為0.5-2mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃，其特征在于:所述中空招條層的厚度為5-30_。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃，其特征在于:所述第二 Si3N4膜層和第七Si3N4膜層的厚度均為10-30nm;所述第三AZO膜層、第六AZO膜層和第八AZO膜層的厚度均為10-20nm;所述第四Cu膜層的厚度為2-10nm;所述第五NiCr膜層和第十NiCr膜層的厚度均為0.5-20nm;所述第九Ag膜層的厚度為2-15nm;所述第十三Sic膜層的厚度為25-50nm;所述第^^一T12膜層的厚度為10_25nm;所述第十二 SiNx膜層的厚度為15_25nm06.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能有效降低電磁輻射污染的Low-E玻璃，其特征在于:所述防潮層的厚度為0.5-2nmo
【文檔編號(hào)】B32B9/00GK205439438SQ201620237865
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年3月24日
【發(fā)明人】曹耀明
【申請(qǐng)人】東莞市銀建玻璃工程有限公司