所示，曲線(-)為設(shè)置量子點(diǎn)層的發(fā)光器件 的I-V曲線，曲線仁)為未設(shè)置量子點(diǎn)層的發(fā)光器件的I-V曲線，在負(fù)載電壓為-5V至0V的區(qū)間 內(nèi)曲線(-)和曲線(-)幾乎完全重合，在負(fù)載電壓為0V至5V的區(qū)間內(nèi)曲線(-)和曲線(-)也非常相 近。因此與未設(shè)置量子點(diǎn)層的發(fā)光器件相比，設(shè)置量子點(diǎn)層的發(fā)光器件的漏電流處于正常 水平，特別是負(fù)載電壓為-5V時(shí)（即圖中虛線圈中所示位置）。圖7中所示為初始厚度d2為 24nm時(shí)發(fā)光器件的I-V曲線。
[0052] 根據(jù)上述四項(xiàng)測試結(jié)果可知，隨著初始空穴傳輸層45的初始厚度d2逐漸增加，發(fā) 光器件的漏電流降低，發(fā)光器件的穩(wěn)定性增加，發(fā)光器件的壽命也明顯增加。表1示出了初 始空穴傳輸層的初始厚度與發(fā)光器件的壽命的對比關(guān)系，如下表1所示：
[0化3] 表1 「0化41
[0055] 如上表1所示，當(dāng)初始空穴傳輸層45的初始厚度d2大于24nm且厚度損失d3大于 6.4nm時(shí)，Τ95> 10化。T95為發(fā)光器件的亮度衰減到初始亮度95 %的時(shí)間，該時(shí)間為發(fā)光器 件的壽命，其中，在測試過程中可采用10mA/cm2的恒定的負(fù)載電流驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光。
[0056] 為發(fā)光器件選定合適的初始厚度d2需要綜合考慮發(fā)光器件的電流效率和壽命。圖 8為實(shí)施例一中厚度損失和第一厚度與初始厚度的對應(yīng)關(guān)系圖，圖8中示出了兩條曲線，一 條為厚度損失d3與初始厚度d2的對應(yīng)曲線，另一條為第一厚度dl與初始厚度d2的對應(yīng)關(guān)系 (圖中虛線框中的曲線）。如圖8所示，厚度損失d3和第一厚度dl均隨初始厚度d2的增加而增 加。初始厚度d2越小，則厚度損失d3和第一厚度dl越小;反之，初始厚度d2越大，則厚度損失 d3和第一厚度dl越大。而根據(jù)上述測試結(jié)果可知，厚度損失d3越小則發(fā)光器件的電流效率 越大，而初始厚度d2越大則發(fā)光器件的壽命越長。為了使得發(fā)光器件同時(shí)具備較大的電流 效率和較長的壽命，經(jīng)過綜合考慮初始空穴傳輸層45的初始厚度d2選擇24nm為最優(yōu)，當(dāng)初 始空穴傳輸層45的初始厚度d2為24nm時(shí)對應(yīng)的初始空穴傳輸層45的旋涂速度為2000rpm且 旋涂時(shí)間為30s。選擇出的初始厚度d2使得發(fā)光器件具有較大的電流效率和較長的壽命，保 證了發(fā)光器件具備良好的性能，從而避免了發(fā)光器件的性能退化。
[0057]需要說明的是:本實(shí)施例的圖1中，各層結(jié)構(gòu)的橫向長度僅為一種示例，并非是實(shí) 際的結(jié)構(gòu)，其不能構(gòu)成對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。
[005引本實(shí)施例提供的發(fā)光器件的技術(shù)方案中，襯底基板之上形成有第一電極層、第二 電極層和發(fā)光層，發(fā)光層位于第一電極層和第二電極層之間，發(fā)光層包括空穴傳輸層，空穴 傳輸層具備第一厚度，從而避免了發(fā)光器件的性能退化。
[0059] 本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括發(fā)光器件。其中，發(fā)光器件 可采用上述實(shí)施例一提供的發(fā)光器件，此處不再寶述。
[0060] 優(yōu)選地，發(fā)光器件為量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。
[0061] 本實(shí)施例提供的顯示裝置的技術(shù)方案中，襯底基板之上形成有第一電極層、第二 電極層和發(fā)光層，發(fā)光層位于第一電極層和第二電極層之間，發(fā)光層包括空穴傳輸層，空穴 傳輸層具備第一厚度，從而避免了發(fā)光器件的性能退化。
[0062] 圖9為本發(fā)明實(shí)施例Ξ提供的一種發(fā)光器件的制造方法的流程圖，如圖9所示，該 方法包括：
[0063] 步驟101、在襯底基板之上形成第一電極層。
[0064] 步驟102、在第一電極層之上形成發(fā)光層，發(fā)光層包括空穴傳輸層，空穴傳輸層具 備第一厚度，W避免發(fā)光器件的性能退化。
[00化]步驟103、在發(fā)光層之上形成第二電極層。
[0066] 本實(shí)施例提供的發(fā)光器件的制造方法可用于制造上述實(shí)施例一提供的發(fā)光器件， 對發(fā)光器件的具體描述可參見上述實(shí)施例一。
[0067] 本實(shí)施例提供的發(fā)光器件的制造方法的技術(shù)方案中，襯底基板之上形成有第一電 極層、第二電極層和發(fā)光層，發(fā)光層位于第一電極層和第二電極層之間，發(fā)光層包括空穴傳 輸層，空穴傳輸層具備第一厚度，從而避免了發(fā)光器件的性能退化。
[0068] 下面通過一個(gè)具體的實(shí)施例對實(shí)施例一的制造方法進(jìn)行具體描述。圖10為本發(fā)明 實(shí)施例四提供的一種發(fā)光器件的制造方法的流程圖，如圖10所示，該方法包括：
[0069] 步驟201、在襯底基板之上形成第一電極層。
[0070] 圖11a為實(shí)施例四中形成第一電極層的示意圖，如圖11a所示，通過瓣射工藝在襯 底基板1之上形成第一電極材料層，對第一電極材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成第一電極層2。第 二電極層2的材料可W為IT0。
[0071] 步驟202、在第一電極層之上形成空穴注入層。
[0072] 圖Ub為實(shí)施例四中形成空穴注入層的示意圖，如圖Ub所示，在第一電極層2之上 旋涂空穴注入材料層，對空穴注入材料層進(jìn)行干燥處理形成空穴注入層44。具體地，可在空 氣環(huán)境中采用150°C的干燥溫度對空穴注入材料層進(jìn)行15min干燥處理?？昭ㄗ⑷雽?4的材 料為陽D0T-PSS。其中，P抓0T為聚乙撐二氧嚷吩化17(3,4-6地716116扣〇巧1山〇地6116)的簡 稱，PSS為聚苯乙締橫酸鋼化ly(sodium-p-styrenesulfonate)的簡稱。
[0073] 步驟203、在空穴注入層之上形成空穴傳輸層和量子點(diǎn)層，量子點(diǎn)層位于空穴傳輸 層之上，空穴傳輸層具備第一厚度。
[0074] 圖11c為實(shí)施例四中形成空穴傳輸層和量子點(diǎn)層的示意圖，如圖11c所示，通過旋 涂工藝在空穴注入層44之上旋涂空穴傳輸材料層，對空穴傳輸材料層進(jìn)行干燥處理形成初 始空穴傳輸層，初始空穴傳輸層具備初始厚度，具體地，可在氮?dú)猸h(huán)境中，采用180°C的干燥 溫度對空穴傳輸材料層進(jìn)行30min干燥處理;其中，旋涂工藝的旋涂速度為2000rpm，旋涂工 藝的旋涂時(shí)間為30s。而后，通過旋涂工藝在初始空穴傳輸層之上形成量子點(diǎn)層，量子點(diǎn)層 42對初始空穴傳輸層造成損傷W形成空穴傳輸層41。其中，空穴傳輸層41的材料可W為 TFB，量子點(diǎn)層42的材料為甲苯。其中，所述第一厚度的范圍為6nm至lOnm，優(yōu)選地，第一厚度 為6.4nm。其中，初始厚度的范圍為20nm至30nm，優(yōu)選地，初始厚度為24nm。
[0075] 步驟204、在量子點(diǎn)層之上形成電子注入傳輸層。
[0076] 圖lid為實(shí)施例四中形成電子注入傳輸層的示意圖，如圖lid所示，在量子點(diǎn)層42 之上旋涂電子注入傳輸材料層，對電子注入傳輸材料層進(jìn)行干燥處理形成電子注入傳輸層 43。具體地，可在氮?dú)猸h(huán)境中，采用80°C的干燥溫度對空穴傳輸材料層進(jìn)行30min干燥處理。 其中，電子注入傳輸材料層的材料可W為氧化鋒。
[0077] 步驟205、在電子注入傳輸層之上形成第二電極層。
[0078] 如圖1所示，采用蒸鍛工藝在電子注入傳輸層之上形成第二電極層3。第二電極層3 的材料可W為A1。
[0079] 步驟206、在第二電極層之上形成封裝蓋板。
[0080] 封裝蓋板可用于保護(hù)發(fā)光器件中的各結(jié)構(gòu)。封裝蓋板在圖中未具體畫出。
[0081] 本實(shí)施例提供的發(fā)光器件的制造方法可用于制造上述實(shí)施例一提供的發(fā)光器件， 對發(fā)光器件的具體描述可參見上述實(shí)施例一。
[0082] 本實(shí)施例提供的發(fā)光器件的制造方法的技術(shù)方案中，襯底基板之上形成有第一電 極層、第二電極層和發(fā)光層，發(fā)光層位于第一電極層和第二電極層之間，發(fā)光層包括空穴傳 輸層，空穴傳輸層具備第一厚度，從而避免了發(fā)光器件的性能退化。
[0083] 可W理解的是，W上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施 方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實(shí)質(zhì)的情況下，可W做出各種變型和改進(jìn)，運(yùn)些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種發(fā)光器件，其特征在于，包括:襯底基板和位于所述襯底基板之上的第一電極 層、第二電極層和發(fā)光層，所述發(fā)光層位于所述第一電極層和第二電極層之間;所述發(fā)光層 包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層具備第一厚度，以避免所述發(fā)光器件的性能退化。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一厚度的范圍為6nm至10nm。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一厚度為6.4nm。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層還包括量子點(diǎn)層，所述量 子點(diǎn)層位于所述空穴傳輸層之上； 所述量子點(diǎn)層用于在所述空穴傳輸層形成的過程中對形成所述空穴傳輸層的初始空 穴傳輸層造成損傷。5. -種顯示裝置，其特征在于，包括:權(quán)利要求1至4任一所述的發(fā)光器件。6. -種發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，包括： 在襯底基板之上形成第一電極層； 在所述第一電極層之上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層具 備第一厚度，以避免所述發(fā)光器件的性能退化； 在所述發(fā)光層之上形成第二電極層。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光層還包括量子點(diǎn) 層，所述在所述第一電極層之上形成發(fā)光層包括： 通過旋涂工藝在所述第一電極層的上方旋涂空穴傳輸材料層； 對所述空穴傳輸材料層進(jìn)行干燥處理，形成初始空穴傳輸層，所述初始空穴傳輸層具 備初始厚度； 通過旋涂工藝在所述初始空穴傳輸層之上形成量子點(diǎn)層，所述量子點(diǎn)層對所述初始空 穴傳輸層造成損傷以形成所述空穴傳輸層。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述初始厚度的范圍為 20nm至30nm。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述初始厚度為24nm。10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述第一厚度的范圍為 6nm至10nm〇11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述旋涂工藝的旋涂速 度為2000rpm，所述旋涂工藝的旋涂時(shí)間為30s。12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述對所述空穴傳輸材 料層進(jìn)行干燥處理包括： 在氮?dú)猸h(huán)境中，采用180°C的干燥溫度對所述空穴傳輸材料層進(jìn)行30min干燥處理。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件及其制造方法和顯示裝置。該發(fā)光器件包括：襯底基板和位于所述襯底基板之上的第一電極層、第二電極層和發(fā)光層，所述發(fā)光層位于所述第一電極層和第二電極層之間；所述發(fā)光層包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層具備第一厚度，以避免所述發(fā)光器件的性能退化。本發(fā)明中，襯底基板之上形成有第一電極層、第二電極層和發(fā)光層，發(fā)光層位于第一電極層和第二電極層之間，發(fā)光層包括空穴傳輸層，空穴傳輸層具備第一厚度，從而避免了發(fā)光器件的性能退化。
【IPC分類】H01L51/50, H01L51/56
【公開號】CN105489781
【申請?zhí)枴緾N201610012381
【發(fā)明人】何曉龍, 舒適, 徐威, 曹占鋒, 姚繼開
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2016年1月8日