量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]量子點(diǎn)發(fā)光器件，比如，量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum dot Light EmittingD1de，QLED)因具有色域廣、色純度高、穩(wěn)定性好、低功耗、低成本等優(yōu)點(diǎn)被譽(yù)為新一代照明器件。由于量子點(diǎn)發(fā)光器件的量子點(diǎn)膜厚較薄和量子點(diǎn)材料的團(tuán)聚效應(yīng)，量子點(diǎn)發(fā)光層中的量子點(diǎn)發(fā)光材料之間存在較大的空隙，從而導(dǎo)致量子點(diǎn)發(fā)光器件的漏電流較大，進(jìn)而導(dǎo)致量子點(diǎn)發(fā)光器件的性能較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括基板、陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述陽(yáng)極、所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層、所述電子傳輸層及所述陰極設(shè)置在所述基板的同側(cè)，所述陽(yáng)極與所述陰極相對(duì)且間隔設(shè)置，所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層及所述電子傳輸層夾設(shè)在所述陽(yáng)極與所述陰極之間，且所述空穴傳輸層的一面與所述陽(yáng)極相連，所述發(fā)光層及所述電子傳輸層依次層疊設(shè)置在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的一面，且所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述發(fā)光層的一面與所述陰極相連，所述陽(yáng)極用于提供空穴，所述空穴傳輸層用于將所述空穴傳輸至所述發(fā)光層，所述陰極用于提供電子，所述電子傳輸層用于將所述電子傳輸至所述發(fā)光層，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層中復(fù)合以發(fā)光，其中，所述發(fā)光層包括量子點(diǎn)發(fā)光材料及有機(jī)小分子發(fā)光材料，所述有機(jī)小分子發(fā)光材料填充所述量子點(diǎn)發(fā)光材料之間的間隙。
[0004]其中，所述陽(yáng)極遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一面設(shè)置在所述基板上，所述陽(yáng)極為透明電極，所述陰極為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層中復(fù)合發(fā)出的光線自所述基板遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的表面出射。
[0005]其中，所述陽(yáng)極包括ITO，所述陰極包括Al。
[0006]其中，所述陰極的厚度為100?150nm。
[0007]其中，所述陰極遠(yuǎn)離所述電子傳輸層的一面設(shè)置在所述基板上，所述陰極為透明電極，所述陽(yáng)極為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層中復(fù)合發(fā)出的光線自所述基板遠(yuǎn)離所述陰極的表面出射。
[0008]其中，所述發(fā)光層包括層疊設(shè)置的第一子發(fā)光層及第二子發(fā)光層，所述第一子發(fā)光層的一面與在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的一面接觸，所述第二子發(fā)光層的一面與所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述陰極的一面接觸，所述第一子發(fā)光層包括量子點(diǎn)發(fā)光材料及有機(jī)小分子發(fā)光材料，所述第二子發(fā)光層包括有機(jī)小分子發(fā)光材料。
[0009]其中，所述空穴傳輸層包括PED0T:PSS或者P型金屬氧化物納米粒子，其中，所述P型金屬氧化物納米粒子包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一種或者多種。[00?0]其中，所述空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0011]本發(fā)明還提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法包括:
[0012]提供基板，在所述基板的表面形成陽(yáng)極；
[0013]在所述陽(yáng)極遠(yuǎn)離所述基板的表面涂布空穴傳輸材料以形成空穴傳輸層；
[0014]在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的表面沉積量子點(diǎn)發(fā)光材料；
[0015]在所述量子點(diǎn)發(fā)光材料遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的表面沉積有機(jī)小分子發(fā)光材料，所述有機(jī)小分子發(fā)光材料填充所述量子點(diǎn)發(fā)光材料的間隙，以形成發(fā)光層；
[0016]在所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的表面涂布電子傳輸材料以形成電子傳輸層；
[0017]在所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述發(fā)光層的表面形成陰極。
[0018]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括如權(quán)利要求1?8任意一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件。
[0019]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的量子點(diǎn)發(fā)光器件的發(fā)光層包括量子點(diǎn)發(fā)光材料及有機(jī)小分子發(fā)光材料，且有機(jī)小分子發(fā)光材料填充量子點(diǎn)發(fā)光材料之間的間隙。因此，減小了量子點(diǎn)發(fā)光材料之間的間隙，減低了所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的漏電流，提高了量子點(diǎn)發(fā)光器件的性能。進(jìn)一步地，有機(jī)小分子發(fā)光材料可以自主發(fā)光來(lái)提高所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的發(fā)光亮度，且可以通過(guò)能量轉(zhuǎn)移的方式提高量子點(diǎn)的發(fā)光效率。
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法的流程圖。
[0023]圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0025]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。所述量子點(diǎn)發(fā)光器件100包括基板110、陽(yáng)極120、空穴傳輸層130、發(fā)光層140、電子傳輸層150及陰極160。所述陽(yáng)極120、所述空穴傳輸層130、所述發(fā)光層140、所述電子傳輸層150及所述陰極160設(shè)置在所述基板110的同側(cè)。所述陽(yáng)極110與所述陰極160相對(duì)且間隔設(shè)置，所述空穴傳輸層130、所述發(fā)光層140及所述電子傳輸層150夾設(shè)在所述陽(yáng)極120與所述陰極160之間，且所述空穴傳輸層130的一面與所述陽(yáng)極120相連，所述發(fā)光層140及所述電子傳輸層150設(shè)置在所述空穴傳輸層130遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極110的一面，且所述電子傳輸層150遠(yuǎn)離所述發(fā)光層140的一面與所述陰極160相連。所述陽(yáng)極120用于提供空穴，所述空穴傳輸層130用于將所述空穴傳輸至所述發(fā)光層140。所述陰極160用于提供電子，所述電子傳輸層150用于將所述電子傳輸至所述發(fā)光層140。所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層140中復(fù)合以發(fā)光，其中，所述發(fā)光層140包括量子點(diǎn)發(fā)光材料及有機(jī)小分子發(fā)光材料，所述有機(jī)小分子發(fā)光材料填充所述量子點(diǎn)發(fā)光材料之間的間隙。
[0026]所述基板110為透明基板，所述基板110可以為但不僅限于為玻璃、塑料基板等。
[0027]本發(fā)明所提到的有機(jī)小分子發(fā)光材料通常指的是分子量為500?2000的有機(jī)發(fā)光材料。
[0028]在本實(shí)施方式中，所述陽(yáng)極120遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層130的一面設(shè)置在所述基板110上，所述陽(yáng)極120為透明電極，所述陰極160為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層140中復(fù)合發(fā)出的光線自所述基板110遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極120的表面出射。在一實(shí)施方式中，所述陽(yáng)極120包括氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)所述陰極160包括但不僅限于招(Al)，所述緊急160的厚度為額00?150nmo
[0029]可以理解地，在其他實(shí)施方式中，所述陰極160遠(yuǎn)離所述電子傳輸層150的一面設(shè)置在所述基板110上，所述陰極160為透明電極，所述陽(yáng)極120為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層140中復(fù)合發(fā)出的光線自所述基板110遠(yuǎn)離所述陰極160的表面出射。
[0030]所述發(fā)光層140包括層疊設(shè)置的第一子發(fā)光層141及第二子發(fā)光層142。所述第一子發(fā)光層141的一面與所述空穴傳輸層130遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極120的一面接觸，所述第二發(fā)光層142的一面與所述電子傳輸層150遠(yuǎn)