專利名稱：：本占地菇的菌床栽培方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及本占地燕(hon-shimejimushroom,Lyophyllumshimeji)的菌床栽培方法。
背景技術(shù)：
：本占地菇為10月中旬左右生長在白櫟林或者白櫟和日本赤松的混合林的地上的蘑菇。在日本，本占地菇被認(rèn)為是可食用的蘑菇中的質(zhì)量最高的蘑菇。具體而言，日本有句諺語同時提到本占地菇和松茸(Tricholomamatsutake):"松茸香，占地美"。近年來，人們設(shè)想使用培養(yǎng)基來人工栽培可食用的蘑菇(例如金針菇(Flammulinavelutipes)、平菇(Pleurotusostreatus)、滑燕(Pholiotanameko)、真姬燕(Hypsizygusmarmoreus)、灰樹花(Grifolafrondosa)等)的菌床栽培方法，其中所述培養(yǎng)基是通過將鋸末與米糠、麥糠等營養(yǎng)源混合而制得的。因此能夠在一年中穩(wěn)定地收獲蘑菇，而無需考慮季節(jié)的因素。由于本占地菇為極為美味的蘑菇，因此人們希望確立其獨(dú)屬的人工栽培方法。然而，本占地菇為菌根真菌，而上述金針菇等為木材腐朽真菌。因此，人們認(rèn)為難以對本占地菇實(shí)施人工菌床栽培方法。然而，日本滋賀縣森林研究中心(ForestResearchCenterofShigaPrefecture)的太田博士首次成功地進(jìn)行了本占地菇的人工菌床栽培。專利文獻(xiàn)1(JP-A-07-l15844)披露了使用麥類的本占地菇的菌床栽培方法，并且在非專利文獻(xiàn)l(JournalofTheMycologicalSocietyofJapan,第39巻，第1320頁，1998)中披露了在使用麥類的培養(yǎng)基上形成本占地菇子實(shí)體的試驗(yàn)。此外，專利文獻(xiàn)2(JP-A-06-153695)披露了一種使用下列培養(yǎng)基來進(jìn)行菌根真菌的菌絲栽培方法，其中該培養(yǎng)基以泥炭(peat-moss)作為基材并添加有淀粉等。該發(fā)明人在非專利文獻(xiàn)2(JournalofTheMycologicalSocietyofJ即an，第35巻，第192195頁，1994)中報道了通過下列培養(yǎng)基來形成本占地菇子實(shí)體的試驗(yàn)，其中該培養(yǎng)基以泥炭作為基材并添加有淀粉等。然而，由于專利文獻(xiàn)l(JP-A-07-115844)的方法中使用的培養(yǎng)基中所用的麥類的價格較高，因而該培養(yǎng)基的成本較高。此外，專利文獻(xiàn)2(JP-A-06-153695)的發(fā)明人的方法中所形成的子實(shí)體的收率較低，因此至今尚未達(dá)到工業(yè)生產(chǎn)的水平。近年來，披露了多種以本占地菇的工業(yè)栽培為目的的本占地菇的栽培方法。專利文獻(xiàn)3(JP-A-2000-106752)披露了一種在本占地菇的菌床上進(jìn)行栽培的培養(yǎng)基(其含有黍亞科(Panicumsubfamily)植物)以及使用該培養(yǎng)基的本占地菇栽培方法。此外，專利文獻(xiàn)4(JP-A-2002-247917)披露了一種本占地菇的菌床栽培方法，其中通過下列步驟來形成3子實(shí)體制備至少含有玉米粉和闊葉樹鋸屑的混合培養(yǎng)基，然后在該混合培養(yǎng)基上、在水濕潤狀態(tài)下接種本占地菇的菌絲，并將它們在30°C以下培養(yǎng)。專利文獻(xiàn)5(JP-A-2005-27585)披露了一種本占地菇的菌床栽培方法，其中將粉碎的牡蠣殼與培養(yǎng)基混合，當(dāng)本占地菇的菌絲被接種在所述培養(yǎng)基上并在水濕潤狀態(tài)下培養(yǎng)時能夠產(chǎn)生子實(shí)體。另外，將該培養(yǎng)基的pH值調(diào)節(jié)在不超過7的范圍內(nèi)。專利文獻(xiàn)6(JP-A-2007-54044)中披露了一種本占地菇的菌床栽培方法，其中混合培養(yǎng)基是通過將少量的麥類和/或米類與含有玉米粉及鋸屑的培養(yǎng)基進(jìn)行混合而制得的。將本占地菇接種在該混合培養(yǎng)基上、并在水濕潤狀態(tài)下進(jìn)行培養(yǎng)后，形成子實(shí)體。在專利文獻(xiàn)1(JP-A-07-l15844)中，通過將本占地菇菌株在23。C下培養(yǎng)70天、然后將溫度降至15t:來檢查是否形成子實(shí)體原基。另外，通過用泥炭覆蓋培養(yǎng)基表面，子實(shí)體的形成率增加。此夕卜，在非專利文獻(xiàn)1(JournalofTheMycologicalSocietyofJ即an，第39巻，第1320頁，1998)中，在22。C下進(jìn)行培養(yǎng)步驟過程中當(dāng)本占地菇的菌絲在整個培養(yǎng)基上鋪展時，通過在培養(yǎng)基上添加厚度為1cm的泥炭來形成子實(shí)體。此后將該培養(yǎng)基培養(yǎng)2周，然后在培養(yǎng)結(jié)束后將其轉(zhuǎn)移至15°C的形成室中。在非專利文獻(xiàn)2(JournalofTheMycologicalSocietyofJ即an，第35巻，第192195頁，1994)中，將本占地菇菌株接種在培養(yǎng)基上，然后在23。C下培養(yǎng)并老化后，在16t:的形成室中進(jìn)行形成操作，從而在此后的第1315天觀察子實(shí)體原基的形成。在專利文獻(xiàn)3(JP-A-2000-106752)中披露了這樣的瓶栽培方法，該方法包括制備培養(yǎng)基、填充在瓶中、滅菌、接種、培養(yǎng)、發(fā)芽、生長和收獲的各個步驟，其中在培養(yǎng)后的發(fā)芽步驟中形成子實(shí)體原基。此外，在實(shí)施例中，通過覆蓋紅泥(Akadamasoil)來進(jìn)行發(fā)芽步驟。在專利文獻(xiàn)4(JP-A-2002-247917)的實(shí)施例中，將本占地菇菌株在23。C下培養(yǎng)60天后，通過用鹿沼土(Ka皿masoil)覆蓋培養(yǎng)基的上面來進(jìn)一步培養(yǎng)7天。然后，將其轉(zhuǎn)移至15t:的形成室中來促進(jìn)子實(shí)體的形成。在專利文獻(xiàn)5(JP-A-2005-27585)的實(shí)施例中，將本占地菇菌株在23。C下培養(yǎng)70天，然后轉(zhuǎn)移至設(shè)定為15t:的形成室中。另外，在小的子實(shí)體發(fā)育時去除菌蓋，并且在其生長至子實(shí)體的菌傘(pileus)張開的階段時收獲子實(shí)體。在專利文獻(xiàn)6(JP-A-2007-54044)的實(shí)施例中，將本占地菇菌株在23。C下培養(yǎng)55天，然后以鹿沼土覆蓋培養(yǎng)基的上面以進(jìn)一步培養(yǎng)10天。然后，將其轉(zhuǎn)移至設(shè)定為15t:的形成室中以促進(jìn)子實(shí)體的形成。[專利文獻(xiàn)1]JP-A-07-l15844[專利文獻(xiàn)2]JP-A-06-153695[專利文獻(xiàn)3]JP-A-2000-106752[專利文獻(xiàn)4]JP-A-2002-247917[專利文獻(xiàn)5]JP-A-2005-27585[專利文獻(xiàn)6]JP-A-2007-54044[非專利文獻(xiàn)1]JournalofTheMycologicalSocietyofJ即an，第39巻，第1320頁，1998[非專利文獻(xiàn)2]JournalofTheMycologicalSocietyofJ即an，第35巻，第192195頁，1994
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明人基于類似于上述專利文獻(xiàn)3所披露的技術(shù)開始進(jìn)行本占地菇的商業(yè)栽培。然而，由于進(jìn)行大規(guī)模商業(yè)栽培時需要穩(wěn)定地生產(chǎn)，因此要對這些技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步的改善。因此，鑒于上述情況，本發(fā)明的目的之一是提供一種允許穩(wěn)定地、大規(guī)模商業(yè)栽培本占地菇的菌床栽培方法。通常認(rèn)為在本占地菇的菌床栽培方法中，在從菌絲培養(yǎng)到子實(shí)體形成的過程中需要保持良好的透氣性(非專利文獻(xiàn)l)。本發(fā)明人進(jìn)行了栽培研究以考察影響本占地菇的菌床栽培的若干因素，并深入考察了這些因素對大規(guī)模商業(yè)栽培的影響。結(jié)果，本發(fā)明人驚訝地發(fā)現(xiàn)，與常規(guī)情況相比，在本占地菇的菌床栽培方法的發(fā)芽步驟中，當(dāng)透氣性未得以改善、而是(A的濃度增加時，幼芽(小芽)的形成率變高。此外，還發(fā)現(xiàn)在子實(shí)體的生長步驟中，當(dāng)C02濃度增加時，子實(shí)體的收率提高。另外，即使在生長成為本占地菇特征性的大型子實(shí)體時，菌柄部分的孔隙也會減少甚至消失，而這在過去是難以控制的。另外，能夠抑制菌傘的張開，從而獲得了適于栽培高質(zhì)量的大型子實(shí)體的方法。因此，本發(fā)明的實(shí)施方案涉及本占地菇的菌床栽培方法，該方法包括如下步驟中的至少一個步驟在高C02濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行部分或全部的發(fā)芽步驟；以及在高C02濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行部分或全部的子實(shí)體生長步驟。因此，本發(fā)明的實(shí)施方集涉及本占地菇的菌床栽培方法，其中在發(fā)芽步驟中高0)2濃度為2，500ppm或更高、優(yōu)選為5，OOOppm或更高、更優(yōu)選為5，OOOppm至35，000卯m、進(jìn)一步更優(yōu)選為10，OOOppm至20，OOO卯m。本發(fā)明的實(shí)施方案涉及本占地菇的菌床栽培方法，其中在子實(shí)體生長步驟中高C02濃度為5，OOOppm或更高、優(yōu)選為5，OOOppm至35，000卯m、更優(yōu)選為10，OOOppm至20，OOO卯m。此外，所述本占地菇的菌床栽培方法中的發(fā)芽步驟可在上述環(huán)境條件下進(jìn)行至少一天、優(yōu)選進(jìn)行1天至10天、更優(yōu)選進(jìn)行3天至6天。另外，子實(shí)體生長步驟可在上述環(huán)境條件下進(jìn)行至少2天、優(yōu)選進(jìn)行2天至5天。另外，只有發(fā)芽步驟和子實(shí)體生長步驟中的一個步驟可在所述環(huán)境條件下進(jìn)行，或者發(fā)芽步驟以及子實(shí)體生長步驟均可在上述環(huán)境條件下進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，提供這樣的本占地菇的菌床栽培方法，其中通過大規(guī)模商業(yè)栽培來穩(wěn)定地生產(chǎn)本占地菇。通過利用本發(fā)明，可穩(wěn)定地獲得具有優(yōu)異形狀的本占地菇的大型子實(shí)體。具體實(shí)施例方式下面對本發(fā)明的示例性實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)說明。本說明書中所用的術(shù)語"本占地菇"為在分類學(xué)上被分類為LyophyllumShimeji的蘑菇。對于本發(fā)明中所使用的本占地菇的菌株沒有特別限定，其可以是可用于人工菌床栽培方法的任何市售菌株或者經(jīng)培育而由野生型子實(shí)體獲得的任何菌株，其中所述培育方法為(例如)組織分離法、篩選法、雜交法、細(xì)胞融合法、基因重組法等。例如，可以列舉如下適于栽培的菌株LyophyllumshimejiLa01-27(FERMBP-10960)、LyophyllumshimejiLa01-20(FERMBP-10959)、Lyophyll咖shimejiLa01-37(FERMP-17456)、Lyophyll咖shimejiLa01-45(FERMP-17457)、LyophyllumshimejiLa01-46(FERMP-17458)、及其突變菌株。對上述菌株沒有限定，其可以是可用于菌床栽培中的任何菌株。對本發(fā)明示例性實(shí)施方案的本占地菇的菌床栽培方法沒有特別限定，其可以是能夠在高C02濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行的任何菌床栽培方法，因此可采用瓶栽培法、袋栽培法、箱栽培法等。以下，通過以瓶栽培法為例子來對本發(fā)明示例性實(shí)施方案的本占地菇的菌床栽培方法進(jìn)行描述，其中該方法包括下列步驟制備培養(yǎng)基、填充到瓶中、滅菌、接種、培養(yǎng)、(根據(jù)需要進(jìn)行真菌刮擦(fungalscr即ing)，該步驟為通過刮擦培養(yǎng)基的菌種培養(yǎng)部分和培養(yǎng)基的表面來加速子實(shí)體原基的形成)、形成原基、發(fā)芽(小芽的形成和生長)、根據(jù)需要進(jìn)行插條(小芽)的分離和嫁接、由小芽生長為成熟的子實(shí)體、以及收獲成熟的子實(shí)體等。以下對這些示例性步驟進(jìn)行示意性描述，但本發(fā)明的示例性實(shí)施方案不局限于所述示意性描述的內(nèi)容。"制備培養(yǎng)基"是指這樣的步驟將菌床栽培中所用的各種基材進(jìn)行稱量并混合，然后加水以將水分調(diào)整為適于本占地菇的菌床栽培的水分潤濕狀態(tài)。對本占地菇的菌床栽培用培養(yǎng)基(也稱為培養(yǎng)基質(zhì))沒有特別限定，其可以是可用于栽培的任何材料，但玉米與鋸屑的組合是合適的。關(guān)于鋸屑，可使用得自于闊葉樹或針葉樹的任何鋸屑，優(yōu)選使用得自針葉樹的鋸屑，例如可列舉得自雪松(Sugioga)的鋸屑。對本說明書中所使用的術(shù)語玉米沒有特別限定，其可以是含有玉米種子的任何種類的玉米，例如可以列舉玉米的新鮮種子、以及種子的干燥、粉碎、壓碎或者加熱壓碎的產(chǎn)品。以加熱壓碎的玉米和得自于雪松(Sugioga)的鋸屑為例，對玉米與得自于針葉樹的鋸屑的混合比例進(jìn)行說明。玉米與得自于針葉樹的鋸屑可以按照任何比例進(jìn)行混合，只要在該比例下能夠進(jìn)行本占地菇的栽培即可。從實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量的角度考慮，以干燥重量計，加熱壓碎的玉米在菌床栽培用培養(yǎng)基中的含量下限為40%或更高、優(yōu)選為50%或更高、更優(yōu)選為60%或更高。當(dāng)加熱壓碎的玉米的含量下限低于40%時，所獲得的本占地菇的產(chǎn)量會大幅下降，這是不利的。此外，由于加熱壓碎的玉米的吸水性低，因此在菌床栽培用培養(yǎng)基中玉米的含量過高時，菌床栽培用培養(yǎng)基的水分保持能力降低，水滯留在培養(yǎng)瓶的下部，這有時會造成較差的菌絲繁殖。因此，以干燥重量計，加熱壓碎的玉米在菌床栽培用培養(yǎng)基中的含量上限為80%或更低、優(yōu)選為75%或更低、更優(yōu)選為70%或更低。此外，還是在加熱壓碎的玉米和Sugioga(雪松)的情況下，對菌床栽培用培養(yǎng)基的含水量進(jìn)行說明。有利的是，根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的常識，將菌床栽培用培養(yǎng)基的含水量調(diào)節(jié)至水不滯留在培養(yǎng)瓶下部的程度。對含水量沒有特別限定，例如為68重量％或更低、優(yōu)選為66重量％或更低。然而，當(dāng)含水量超過64重量％時，培養(yǎng)基中的氣隙減少，因此有時會造成較差的菌絲繁殖，從而使得在一些情況下所獲得的子實(shí)體的產(chǎn)量和質(zhì)量降低。因此，更為有利的是，將含水量調(diào)節(jié)為64重量％或更低。就此而言，當(dāng)含水量過低時，由于培養(yǎng)基干燥等因素的影響，會出現(xiàn)較差的菌絲繁殖和畸形、或者較難產(chǎn)生子實(shí)體的情況。艮卩，將含水量優(yōu)選調(diào)節(jié)為50重量％或更高、更優(yōu)選為55重量％或更高。通過考慮水分調(diào)節(jié)后6的培養(yǎng)基的性狀，可任選地設(shè)定含水量。"填充在瓶中"是將菌床栽培用培養(yǎng)基填充到瓶中的步驟。示意性地，該步驟為在壓力下用制得的菌床栽培用培養(yǎng)基對通常用于瓶栽培法的容量為400ml至2，300ml的耐熱性廣口培養(yǎng)瓶進(jìn)行填充。例如，當(dāng)使用容量為1，100ml的瓶子時，向其中加入550g至900g、優(yōu)選600g至850g、更優(yōu)選650g至750g的制得的菌床栽培用培養(yǎng)基。此外，在經(jīng)壓填的菌床栽培用培養(yǎng)基中，鉆出一個或多個孔徑為約1cm至3cm的孔(也稱為洞)，并將瓶子塞住?？筛鶕?jù)瓶口的尺寸來可任選地設(shè)定每個瓶子的孔數(shù)，但本占地菇的栽培可以更合適地通過(例如)在經(jīng)壓填的菌床栽培用培養(yǎng)基的表面區(qū)域的中部鉆出孔徑為1.5cm至2.Ocm的孔、并在該中間孔的周圍鉆出四個孔徑為1cm的孔來進(jìn)行。"滅菌"可以是將培養(yǎng)基中的所有微生物殺滅的步驟。在利用蒸汽的常壓滅菌法的情況下，通常在98t:至IO(TC下進(jìn)行4小時至12小時，或者在高壓滅菌的情況下，在lore至125t:下、優(yōu)選在118t:下進(jìn)行30分鐘至90分鐘。在本發(fā)明中，有時將通過這種方式制得的培養(yǎng)基稱作栽培用培養(yǎng)基。"接種"為在滅菌后放冷的培養(yǎng)基中種植菌種培養(yǎng)物的步驟。通常，通過將本占地菇菌絲在液體培養(yǎng)基中進(jìn)行培養(yǎng)而制得的液體菌種培養(yǎng)物用作菌種培養(yǎng)物。盡管對用于制備液體菌種培養(yǎng)物的培養(yǎng)基沒有特別限定，然而可以列舉含有葡萄糖、蛋白胨和酵母提取物為主要成分、并且補(bǔ)充有KH^(VMgS(V7HW等的PGY液體培養(yǎng)基；或1/2PGY液體培養(yǎng)基；含有葡萄糖和酵母提取物為主要成分的GY培養(yǎng)基；1/2GY培養(yǎng)基等?？蓪⒈菊嫉毓骄z接種于所述液體培養(yǎng)基中、并在(例如)25t:下培養(yǎng)10至15天，由此獲得的制備物用作液體菌種培養(yǎng)物?？墒褂脽炕蛘甙l(fā)酵罐進(jìn)行液體菌種培養(yǎng)物的培養(yǎng)。當(dāng)對液體菌種培養(yǎng)物進(jìn)行培養(yǎng)以進(jìn)行大規(guī)模栽培時，從培養(yǎng)天數(shù)可以縮短、而體積更大的角度來看，使用發(fā)酵罐是合適的。盡管對在栽培培養(yǎng)基上接種菌種培養(yǎng)物時使用的液體菌種培養(yǎng)物的菌種培養(yǎng)物含量沒有特別限定，但是干燥的菌種培養(yǎng)物含量例如為0.lg/1至10g/l，優(yōu)選為lg/1至7g/l，尤其優(yōu)選為2g/1至5g/1。此外，可以列舉每個容量為1，100ml的廣口瓶中，菌種培養(yǎng)物的接種體積可為約5ml至30ml。另外，還可使用常規(guī)已知的固體菌種培養(yǎng)物。例如，可以將通過將接種有液體菌種培養(yǎng)物(其通過上述步驟獲得)的菌床栽培用培養(yǎng)基在25t:下培養(yǎng)60至150天來進(jìn)行菌絲繁殖，由此獲得的制備物可用作固體菌種培養(yǎng)物。例如，在每個容量為1，100ml的廣口瓶中，可無菌地接種大約15g這種固體菌種培養(yǎng)物。"培養(yǎng)"為對接種有菌種培養(yǎng)物的培養(yǎng)基進(jìn)行培養(yǎng)的步驟，該步驟要進(jìn)行菌絲的伸長、在整個培養(yǎng)基上的鋪展、以及老化。一般而言，菌絲在溫度為2(TC至25t:、濕度為50%至80%的條件下在菌床栽培用的接種后的整個培養(yǎng)基上進(jìn)行鋪展，然后進(jìn)一步老化。另外，可省略老化?？筛鶕?jù)培養(yǎng)基的體積來任選地設(shè)定培養(yǎng)步驟，當(dāng)使用容量為1，100ml的瓶子時，培養(yǎng)步驟通常進(jìn)行80天至120天，優(yōu)選進(jìn)行約100天。培養(yǎng)步驟可分為預(yù)培養(yǎng)步驟和后培養(yǎng)步驟，可在稍低的溫度下進(jìn)行使菌絲旺盛地伸長的后培養(yǎng)步驟。在這種情況中，預(yù)培養(yǎng)步驟在75天到85天內(nèi)完成，而后培養(yǎng)步驟在25天到35天內(nèi)完成。"形成原基"為形成本占地菇的子實(shí)體原基的步驟。在培養(yǎng)步驟完成后，將培養(yǎng)混合物轉(zhuǎn)移至室內(nèi)，并除去瓶蓋以形成子實(shí)體原基，其中所述室內(nèi)的環(huán)境為溫度為1『C至22°〇、優(yōu)選為約201:，濕度為60%至80%，光照度為l，OOO勒克斯或更低。形成原基的步驟需要10天至20天。此外，(例如)在上述后培養(yǎng)步驟中，通過在累積光照度為20勒克斯_小時或更高的條件下進(jìn)行光照射，可在培養(yǎng)基的表面(栽培培養(yǎng)基的上部區(qū)域的表面區(qū)域)上形成子實(shí)體原基。"發(fā)芽"為從子實(shí)體原基形成幼芽(形成小芽在從子實(shí)體原基分化的原基頂部形成灰白色真菌菌傘的狀況)、并且根據(jù)需要促進(jìn)幼芽(小芽)的生長的步驟。發(fā)芽步驟通常在如下條件下進(jìn)行5天至15天溫度為1(TC至2(TC、優(yōu)選為約151:，濕度為80%或更高、優(yōu)選超過100%的高濕條件，并且光照度為1，000勒克斯。由于在發(fā)芽步驟中增濕易于生成露水，因此為了防濕，菌床表面可覆蓋有帶孔的塑料板、波紋板等，或者可將培養(yǎng)瓶翻轉(zhuǎn)過來以進(jìn)行培養(yǎng)。此外，為了加速小芽的生長，根據(jù)需要可使用合適的覆蓋土材料，用覆蓋土來覆蓋菌床表面。下面所描述的"插條"為將發(fā)芽步驟中所獲得的小芽嫁接到菌床栽培用培養(yǎng)基上以形成成熟的子實(shí)體的操作中所使用的分離的小芽。當(dāng)需要制備大型子實(shí)體并且需要子實(shí)體的形狀一致時，可進(jìn)行插條的分離步驟和插條的嫁接步驟。"插條的分離"是指將經(jīng)發(fā)芽步驟長成的子實(shí)體分離的步驟。通過選擇對應(yīng)于栽培品種的最適宜方法，可進(jìn)行插條的分離。例如，可用手或整瓶器(pinsetter)從菌床上收集可易于分離的小芽，當(dāng)小芽難于分離時，可借助可任選的工具(例如解剖刀、菜刀、抹刀等)對所需小芽進(jìn)行分離和采集。"插條的嫁接"是將通過插條的分離步驟而獲得的插條嫁接到用于使子實(shí)體生長的培養(yǎng)基的可任選位置上的步驟。插條要被嫁接上的培養(yǎng)基可以是插條分離時所用的培養(yǎng)基(插條分離后的培養(yǎng)基)，或者由所述培養(yǎng)基(其中蘑菇菌絲已在整個培養(yǎng)基上鋪展)單獨(dú)制備的培養(yǎng)基，例如培養(yǎng)步驟中的培養(yǎng)基或發(fā)芽步驟中的培養(yǎng)基。另外，在通過將插條嫁接至這些培養(yǎng)基上而獲得成熟的子實(shí)體后，也可再次使用所述培養(yǎng)基。在培養(yǎng)步驟中從菌絲剛在整個培養(yǎng)基上鋪展之后直至熟化結(jié)束這中間的任何培養(yǎng)基均可用作培養(yǎng)基，但是優(yōu)選使用培養(yǎng)步驟之后70天或更多天、更優(yōu)選使用培養(yǎng)步驟之后80天至120天的培養(yǎng)混合物。此外，在發(fā)芽步驟中從剛開始發(fā)芽直至發(fā)芽結(jié)束這中間的任何一種培養(yǎng)基均可用作培養(yǎng)基。當(dāng)子實(shí)體原基、小芽等已經(jīng)在嫁接用培養(yǎng)基上形成時，可首先將這些子實(shí)體原基、小芽等去除，然后將用作插條的小芽嫁接至所需位置。就此而言，可將去除的小芽用作嫁接中所使用的插條。對嫁接方法沒有特別的限定，可包括任何使嫁接插條生長并在菌床上與菌絲融合的方法。另外，可將插條嫁接在培養(yǎng)基表面的任意位置處。例如，在培養(yǎng)步驟之前或者發(fā)芽步驟之前將插條插入或固定在形成于菌床上的孔中是有利的，如接種孔、通氣孔等。還可在插條步驟之前將這些插條插入新鉆的孔內(nèi)。這些孔的孔徑可以是任何能夠使插條插入的孔徑，因此沒有特別的限定，這些孔的直徑通常可為2mm至20mm，優(yōu)選為4mm至10mm。當(dāng)將一個插條(如小芽)嫁接至培養(yǎng)基上的一個孔中并使其生長時，可制得獨(dú)立的、具有優(yōu)異形狀的、較大尺寸的子實(shí)體，該子實(shí)體并不為苗態(tài)(plantshape)。另外，可將若干小芽嫁接至一個孔內(nèi)。此時，各子實(shí)體的底部粘連在一起并形成苗態(tài)，但是由于粘連部分僅限于子實(shí)體底部的較小部分，因此可輕易地將它們彼此分開，從而可獲得具有較大尺寸以及優(yōu)異形狀的獨(dú)立的成熟子實(shí)體，這與通過將一個小芽嫁接至一個孔內(nèi)而獲得子實(shí)體的情況類似。此外，通過對用作插條的子實(shí)體的尺寸進(jìn)行劃分、并且將具有大致相同尺寸的插條嫁接至培養(yǎng)基中并對其栽培進(jìn)行控制，可獲得具有均勻尺寸的成熟子實(shí)體。就此而言，當(dāng)將諸如小芽的插條嫁接至(例如插入)孔中時，有利的是，以使小芽直立并且一部分小芽與培養(yǎng)基接觸的方式插入。"由小芽生長為成熟的子實(shí)體"為在幾乎與發(fā)芽步驟相同的條件下進(jìn)行的5天至15天的步驟，不同之處在于光照度通常為2，000勒克斯或更低(在本說明書中，有時將其簡稱為生長步驟)。由于在小芽生長為成熟的子實(shí)體的過程中幾乎不會受到露水潤濕的影響，因此不用有孔的塑料板、波紋板等進(jìn)行覆蓋是有利的。在上述發(fā)芽步驟之后，在小芽生長為成熟子實(shí)體的步驟中，通過除去培養(yǎng)基表面中部區(qū)域處的幼芽(小芽)以外的其它幼芽、尤其是除去培養(yǎng)基表面邊緣(瓶的邊緣區(qū)域)處的幼芽，由此通過進(jìn)行生長步驟，可在瓶的中部區(qū)域穩(wěn)定地獲得苗態(tài)(多株生長(multiplegrowth))的成熟子實(shí)體。就此而言，在除去培養(yǎng)基表面中部區(qū)域處的幼芽以外的其它幼芽時，可以沿著瓶的邊緣區(qū)域采用機(jī)械方式將它們除去。在這些處理之后通過進(jìn)行生長步驟，可有效地使它們生長成為苗態(tài)的成熟子實(shí)體。此外，當(dāng)在上述發(fā)芽步驟或者在小芽生長為成熟子實(shí)體的生長步驟的早期(生長步驟的第五天以前)中加入下述步驟時，可獲得具有較高商業(yè)價值的單株生長(single-grown)的較大尺寸的本占地菇子實(shí)體，所述步驟為使幼芽在培養(yǎng)基表面上發(fā)育，篩選出期望其生長成為成熟子實(shí)體的一些幼芽，并且除去其他的幼芽。就此而言，在篩選幼芽的步驟中，可采用機(jī)械方式鉸去瓶邊緣區(qū)域的幼芽，并且有時根據(jù)需要，也可通過機(jī)械方式鉸去在培養(yǎng)基表面的中部處所形成的幼芽。在這些處理之后，通過進(jìn)一步鉸去除了適于生長的子實(shí)體(幼芽)之外的其它幼芽、并對剩余的小芽進(jìn)行篩選和培育，可使其有效地生長成為具有優(yōu)異形狀的大型本占地菇子實(shí)體。通過在高C02濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行部分或全部的上述發(fā)芽步驟和/或生長步驟來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案。高C02濃度的環(huán)境條件是指C02濃度為2，500ppm或更高、優(yōu)選5，000ppm或更高、更優(yōu)選5，000ppm至35，000卯m、進(jìn)一步更優(yōu)選10，OOOppm至20，OOOppm的環(huán)境條件。更具體而言，發(fā)芽步驟中的C02濃度為2，500ppm或更高、優(yōu)選5，OOO卯m或更高、更優(yōu)選5，OOO卯m至35，000卯m、進(jìn)一步更優(yōu)選10，OOO卯m至20，OOO卯m。生長步驟中的C02濃度為5，OOOppm或更高、優(yōu)選5，OOOppm至35，000卯m、更優(yōu)選7，OOOppm至20，000卯m、進(jìn)一步更優(yōu)選7，OOOppm至8，OOO卯m。就此而言，上述的高C02濃度的環(huán)境條件不是指C02濃度恒定不變的條件，而是包括C02濃度在上述范圍內(nèi)變化的條件。對在高濃度下調(diào)節(jié)C02濃度的方法沒有特別的限定，其可以是任何能夠使C02濃度保持在高濃度下的方法，并且可以通過控制在其中進(jìn)行發(fā)芽步驟和/或生長步驟的場所(房間)的通風(fēng)來調(diào)節(jié)C02濃度，或者通過使用諸如C02氣體或干冰之類的C02源以及通風(fēng)裝置來調(diào)節(jié)所述場所的(A濃度。在發(fā)芽步驟中，可利用培養(yǎng)瓶的蓋子來調(diào)節(jié)0)2濃度。例如，在培養(yǎng)步驟之后并且在進(jìn)行發(fā)芽步驟之前，可以部分或完全地關(guān)閉培養(yǎng)瓶蓋的排氣部分，或者可將培養(yǎng)瓶蓋更換為透氣性較低的蓋子。關(guān)于高C02濃度的環(huán)境條件的設(shè)定時間，發(fā)芽步驟可在上述環(huán)境條件下進(jìn)行至少1天、優(yōu)選1天至10天、更優(yōu)選3天至6天的發(fā)芽步驟。發(fā)芽步驟初始時即可進(jìn)入高C02濃度期。在高0)2濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行發(fā)芽步驟之后，發(fā)芽步驟可在常規(guī)0)2濃度(約1，OOOppm或更低)的環(huán)境條件下繼續(xù)進(jìn)行額外的1天至3天。關(guān)于在生長步驟中高(A濃度的環(huán)境條件的設(shè)定時間，該生長步驟至少為2天，優(yōu)選為3天至5天。生長步驟初始時即可進(jìn)入高C02濃度期。在高C02濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行生長步驟之后，可通過在常規(guī)C02濃度(低于5，000卯m)的環(huán)境條件下繼續(xù)進(jìn)行子實(shí)體的生長步驟來進(jìn)行成熟子實(shí)體的生長。通過上述步驟可獲得成熟子實(shí)體，并且可以通過進(jìn)行收獲來完成成熟子實(shí)體的栽培的全部步驟。盡管通過瓶栽培法對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明可以用于本占地菇的任何菌床栽培方法，而不局限于上述的瓶栽培法。根據(jù)本說明書，濕度超過100%的高濕條件是指由于在高于飽和蒸汽量的條件下進(jìn)行增濕而使水分以霧狀物的形式懸浮的條件?？墒褂肧aginomiyaSeisakusho，Inc.的裝置(商品名HumidEye100)進(jìn)行測量，以數(shù)值化地表達(dá)這種高濕條件。所述裝置利用了這樣的方法通過加熱使空氣中的水分減少、并通過濕度傳感器進(jìn)行檢測，然后對由于加熱而降低的部分進(jìn)行校正。因此，該數(shù)值與100%或更小的相對濕度相等，而當(dāng)該數(shù)值超過100%時，其為將空氣中的含水量轉(zhuǎn)化為水蒸汽、并以其與飽和水蒸汽量的比值的形式來表達(dá)的數(shù)值。另外，關(guān)于增濕的方法，可以方便地使用增濕器，例如超聲增濕器、蒸汽增濕器、噴霧增濕器等。本發(fā)明示例性實(shí)施方案提供了本占地菇的菌床栽培方法，該方法提高了幼芽(小芽)的形成率。由于本發(fā)明顯著地提高了小芽的形成率，因此本占地菇的穩(wěn)定生產(chǎn)使得商業(yè)栽培成為可能。另外，由于小芽的形成率得到提高，因此可穩(wěn)定地生產(chǎn)苗態(tài)(多株生長)的本占地菇。在通過插條分離步驟和插條嫁接步驟的組合來生產(chǎn)大型本占地菇時，可穩(wěn)定地獲得大量的優(yōu)良插條。另外，在通過與幼芽鉸除步驟相組合來生產(chǎn)大型本占地菇時，可產(chǎn)生大量的幼芽，從而可使幼芽穩(wěn)定地保持在培養(yǎng)瓶的中部區(qū)域附近(其為形成子實(shí)體的合適區(qū)域)，并且在適于生長成為大型本占地菇的培養(yǎng)基位置處非常易于使幼芽生長并篩選優(yōu)異的幼芽。因此，可以在保持高產(chǎn)量的條件下穩(wěn)定地進(jìn)行本占地菇子實(shí)體的栽培。另外，由于本發(fā)明抑制了成熟子實(shí)體的菌傘的張開，因此可以制備具有較高商業(yè)價值的形狀的本占地菇。利用如下示例性實(shí)施例對本發(fā)明示例性實(shí)施方案進(jìn)一步進(jìn)行說明，但本發(fā)明不局限于如下實(shí)施例的范圍。實(shí)施例1將LyophyllumshimejiLa01-27(FERMBP-10960)的菌絲接種在100ml的PGY液體培養(yǎng)基(組成葡萄糖2.0%(w/v)、蛋白胨0.2%(w/v)、酵母提取物0.2%(w/v)、KH2P040.05%(w/v)、MgS047H200.05%(w/v))中，在振蕩(100rpm)的條件下在25°C下培養(yǎng)7天。將2ml的培養(yǎng)混合物在200ml相同的培養(yǎng)基中培養(yǎng)，并在振蕩(100rpm)的條件下培養(yǎng)7天。隨后，將全部的培養(yǎng)混合物接種在容積為200升、且裝有160升相同培養(yǎng)基的發(fā)酵罐(由KomatsukawaSeisakusho株式會社制造)中，并攪拌培養(yǎng)6天(攪拌速度100rpm，通風(fēng)率25升/分鐘)，從而制得液體菌種培養(yǎng)物。另一方面，將壓碎的玉米(由IisakaSeibakusha株式會社生產(chǎn))與針葉樹的鋸屑(由TomoeBussan株式會社生產(chǎn))以2:1的干燥重量比(壓碎的玉米針葉樹的鋸屑)混合，并向其中加入使培養(yǎng)基的最終含水量為62重量％的體積的水以充分?jǐn)嚢杌旌?。將混合物放入聚丙烯廣口瓶(1，100ml)中(包括瓶子和瓶蓋在內(nèi)的總重量為800g)，并進(jìn)行壓填。在壓填后的材料表面的中心鉆出一個孔徑為2.Ocm的孔，并且在以壓填后的材料表面的中心為圓心、且直徑為4cm的圓周上鉆出4個孔徑為lcm且深度為約10cm的洞，然后將培養(yǎng)瓶蓋上蓋子。將加蓋的培養(yǎng)瓶在11『C下高壓蒸汽滅菌30分鐘，然后自然冷卻至20°C，從而制得菌床栽培用培養(yǎng)基(固體培養(yǎng)基)。將大約12.5ml的上述液體菌種培養(yǎng)物接種在該固體培養(yǎng)基上，并在暗室內(nèi)在溫度為20°C、濕度為70%至75%的條件下培養(yǎng)菌絲105天(預(yù)培養(yǎng)80天，后培養(yǎng)25天)，并在確認(rèn)形成原基后結(jié)束該步驟。接下來，將該培養(yǎng)物分為常規(guī)方法(對照)組和使用高C02濃度方案的發(fā)芽步驟組，并且各組均使用12個瓶子來進(jìn)行發(fā)芽。在除去瓶蓋并將瓶子翻轉(zhuǎn)之后，將對照組在發(fā)芽室中發(fā)芽7天，其中發(fā)芽室的溫度被控制為16。C，由HumidEye100(由SaginomiyaSeisakusho，Inc.制造)表示的濕度為115%至120%，培養(yǎng)基表面上的光照度為100勒克斯或更低(明暗間隔為30分鐘)。另一方面，在將栽培瓶加蓋的同時進(jìn)行發(fā)芽，將0)2濃度方案設(shè)定為高(A濃度狀態(tài)。在該測試方案中所用的瓶蓋是這樣制成的在其正中位置處鉆出直徑為6mm的穿孔以測量栽培瓶內(nèi)的C02濃度、并在其上面覆蓋聚氯乙烯膠帶，在完成上述培養(yǎng)步驟之后用該瓶蓋替換通常所用的瓶蓋。在高C02濃度方案中，在與對照組相同的發(fā)芽室內(nèi)進(jìn)行5天的發(fā)芽，隨后除去瓶蓋并將瓶翻轉(zhuǎn)，然后再繼續(xù)進(jìn)行另外2天的發(fā)芽。利用由VAISALA制造的C02測定儀(型號GMT220系列)來測定發(fā)芽室內(nèi)的C02濃度，并將GASTEC制造的檢測管(型號No.2L)插入穿孔內(nèi)，以測量高C02濃度方案中的栽培瓶內(nèi)的C02濃度。關(guān)于采用檢測管進(jìn)行的測量，每次測量兩個栽培瓶中的C02濃度，取平均值作為測量值。按照每天一次的頻率測量各發(fā)芽步驟過程中的(A濃度。(A濃度的測量結(jié)果示于表l中。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>接下來，將各測試方案的培養(yǎng)瓶恢復(fù)至正常位置，并轉(zhuǎn)移至生長室內(nèi)，并在100勒克斯或更低的光照度(明暗間隔為30分鐘)下使幼芽生長四天，其中生長室的溫度被控制為15。C，并且由H咖idEye100(SaginomiyaSeisakusho，Inc.制造)表示的數(shù)值為110%至115%。然后，數(shù)出在各培養(yǎng)瓶的培養(yǎng)基表面上所形成的幼芽(小芽)的數(shù)量。結(jié)果示于表2中。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>從表2中可看出，對照組中幼芽的平均數(shù)量為20，而高C02濃度方案中幼芽的平均數(shù)量為90，這是對照組中幼芽的平均數(shù)量的4.5倍。此外，與對照組相比，高C02濃度方案中幼芽的尺寸更為均勻。實(shí)施例2按照與實(shí)施例1相同的方式完成培養(yǎng)步驟并獲得培養(yǎng)混合物。接下來，將混合物轉(zhuǎn)移至發(fā)芽室中，并在50勒克斯或更低(明暗間隔為30分鐘)的光照度下進(jìn)行7天的發(fā)芽，其中發(fā)芽室的溫度被控制為16t:，并且由HumidEye100(SaginomiyaSeisakusho，Inc.制造)表示的濕度值為115%至120%。此時，設(shè)置8組測試方案(每個測試方案使用12個瓶子)，在未除去瓶蓋的條件下進(jìn)行0天、1天、2天、3天、4天、5天或6天的發(fā)芽，并且在除去瓶蓋并將瓶子翻轉(zhuǎn)后繼續(xù)發(fā)芽7天、6天、5天、4天、3天、2天或1天，從而完成發(fā)芽步驟。通過與實(shí)施例1相同的方法來測量發(fā)芽階段中的C02濃度。瓶蓋內(nèi)的C02濃度在10，OOOppm至25，OOO卯m間變化，并且室內(nèi)的平均C02濃度為1，050ppm。接下來，將各測試方案的培養(yǎng)瓶恢復(fù)至正常位置，并轉(zhuǎn)移至生長室內(nèi)，在100勒克斯或更低的光照度(明暗間隔為30分鐘)下使幼芽生長2天，其中生長室的溫度被控制為15。C，并且由HumidEye100(SaginomiyaSeisakusho,Inc.制造)表示的濕度值為110%至115%。然后，數(shù)出在各培養(yǎng)瓶的培養(yǎng)基表面上所形成的幼芽(小芽)的數(shù)量并計算各測試方案中幼芽的平均數(shù)量。結(jié)果示于表3中。[表3]12<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>由上述結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在發(fā)芽階段中，當(dāng)在C02濃度超過10，OOOppm的高C02濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行至少一天的發(fā)芽時，所獲得的幼芽的數(shù)量會增加。實(shí)施例3按照與實(shí)施例1相同的方式完成培養(yǎng)步驟并獲得培養(yǎng)混合物。接下來，設(shè)定三組測試方案以進(jìn)行發(fā)芽。S卩，作為對照組，在除去瓶蓋并將瓶子翻轉(zhuǎn)后，在發(fā)芽室中發(fā)芽7天，其中發(fā)芽室的溫度被控制為16°C，由HumidEye100(SaginomiyaSeisakusho，Inc.制造)表示的濕度值為115%至120%，培養(yǎng)基表面上的光照度為50勒克斯或更低(明暗間隔為30分鐘)。其余兩個測試方案如下其中在一個方案中，培養(yǎng)瓶被加蓋(加蓋方案)，而在另一個作為對照的方案中，用聚氯乙烯膠帶將瓶蓋與培養(yǎng)瓶間的固定區(qū)域的半圓部分密封(半密封方案)，并在相同的發(fā)芽室內(nèi)進(jìn)行發(fā)芽。通過與實(shí)施例1相同的方法來測量發(fā)芽階段的(A濃度。在加蓋方案中，瓶蓋內(nèi)的平均C02濃度為20，OOO卯m。此外，在半密封方案中，瓶蓋內(nèi)的平均C02濃度為25，OOO卯m。另外，室內(nèi)的平均(A濃度為l，OOO卯m。接下來，除去瓶蓋并將各培養(yǎng)瓶恢復(fù)至正常位置，并轉(zhuǎn)移至生長室內(nèi)，并在IOO勒克斯或更低的光照度(明暗間隔為30分鐘)下使幼芽生長2天，其中生長室的溫度被控制為15。C，并且由HumidEye100(SaginomiyaSeisakusho,Inc.制造)表示的濕度值為110%至115%;然后，數(shù)出在各培養(yǎng)瓶的培養(yǎng)基表面上所形成的幼芽(小芽)的數(shù)量，以計算各測試方案中每12瓶的幼芽平均數(shù)量。結(jié)果，對照組的平均數(shù)量為60，加蓋方案的平均數(shù)量為120，而半密封方案的平均數(shù)量為115，從而表明，在高C02濃度環(huán)境下進(jìn)行發(fā)芽時，幼芽的數(shù)量會增加。實(shí)施例4按照與實(shí)施例1相同的方式完成培養(yǎng)步驟并獲得培養(yǎng)混合物。接下來，在除去瓶蓋并將瓶子翻轉(zhuǎn)后，在發(fā)芽室中發(fā)芽7天，其中發(fā)芽室的溫度被控制為16。C，由HumidEye100(SaginomiyaSeisakusho，Inc.制造)表示的濕度值為115%至120%，并且培養(yǎng)基表面上的光照度為50勒克斯或更低(明暗間隔為30分鐘)。通過控制發(fā)芽室的通風(fēng)裝置將發(fā)芽階段中的平均C02濃度調(diào)節(jié)為2，500卯m、5，OOOppm和7，OOO卯m，并且計算各測試方案中每16個瓶的平均幼芽數(shù)量。結(jié)果，數(shù)量分別為45、68和92，這表明在高C02濃度環(huán)境下進(jìn)行發(fā)芽時，幼芽的數(shù)量會增加。實(shí)施例5按照與實(shí)施例1相同的方式完成培養(yǎng)步驟并獲得培養(yǎng)混合物。接下來，在除去各培養(yǎng)混合物的瓶蓋并將瓶子翻轉(zhuǎn)后，將瓶轉(zhuǎn)移至發(fā)芽室中，并在100勒克斯或更低(明暗間隔為30分鐘)的光照度下進(jìn)行7天的發(fā)芽，其中發(fā)芽室的溫度被控制為15。C，并且由H咖idEye100(SaginomiyaSeisakusho，Inc.制造)表示的濕度值為115%至120%。然后，將培養(yǎng)瓶恢復(fù)至正常位置，并轉(zhuǎn)移至生長室內(nèi)，并使其在50勒克斯至100勒克斯或更低的光照度下生長2天，從而獲得用作插條的小芽，其中生長室的溫度被控制為15。C，并且由H咖idEye100(SaginomiyaSeisakusho,Inc.制造)表示的濕度值為95%至105%。然后，使用鑷子將上述獲得的小芽作為插條逐一嫁接至另一固體培養(yǎng)基的4個孔(不包括培養(yǎng)基表面中心處的孔)內(nèi)，其中所述固體培養(yǎng)基是利用上述培養(yǎng)步驟之前的工藝而制得的。制備一批(16瓶)嫁接有插條的固體培養(yǎng)基，其中8個瓶子用類似于實(shí)施例1的高(A濃度發(fā)芽方案(測試方案)中所用的瓶蓋覆蓋，其余8個瓶子未蓋蓋子(對照方案)，然后將小芽在上述生長室中在相同的條件下進(jìn)行生長，不同之處在于將由HumidEye100(SaginomiyaSeisakusho,Inc.制造)表示的濕度值設(shè)定為105%至120%。在測試方案中，在生長開始后的第四天除去瓶蓋、并在第十天收獲子實(shí)體，而在生長開始后的第十天收獲對照方案的子實(shí)體，測量各子實(shí)體的產(chǎn)量(g/瓶)和孔隙含量(％)。另外，使用由RikenKeiki制造的C02測定儀(型號RI_85)來測定生長室的C02濃度。按照與實(shí)施例1相同的方法測量測試方案的培養(yǎng)瓶中的C02濃度。另外，按照每天一次的頻率測量生長步驟過程中的C02濃度。結(jié)果，在測試階段中，室內(nèi)的C02濃度大約為低于5，OOOppm，并且培養(yǎng)瓶內(nèi)的平均C02濃度為約20，OOO卯m。結(jié)果，在測試方案中，每瓶的平均產(chǎn)量由81g增至85g，并且孔隙含量(即，在菌柄部分中產(chǎn)生了孔隙的子實(shí)體所占的比例)由6%降至3%。另外，對具有張開的菌傘(菌傘邊緣未巻曲)的子實(shí)體所占的比例進(jìn)行檢測，在測試方案中這一比例為3%，而在對照方案中這一比例為28%。這表明，在測試方案中菌傘張開的情況顯著降低，因而可獲得具有優(yōu)異形狀的子實(shí)體。根據(jù)本發(fā)明，提供一種菌床栽培方法，其中通過大規(guī)模的商業(yè)栽培可穩(wěn)定地生產(chǎn)本占地菇。通過采用這種方法，可穩(wěn)定地栽培具有高的幼芽(小芽)形成率的本占地菇。此外，由于成熟子實(shí)體的菌傘張開得以抑制，因此可生產(chǎn)具有較高商業(yè)價值的形狀的本占地菇。盡管參照本發(fā)明的具體實(shí)施方案對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是對本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，可在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和改變。權(quán)利要求一種本占地菇的菌床栽培方法，包括如下步驟中的至少一個步驟在高CO2濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行部分或全部的發(fā)芽步驟；以及在高CO2濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行部分或全部的子實(shí)體生長步驟。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的栽培方法，其中在所述發(fā)芽步驟中所述高(A濃度為2，500ppm或更高。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的栽培方法，其中在所述子實(shí)體生長步驟中所述高C02濃度為5，OOOppm或更高。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的栽培方法，其中在高C02濃度的環(huán)境條件下至少進(jìn)行一天的發(fā)芽步驟。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的栽培方法，其中在高C02濃度的環(huán)境條件下至少進(jìn)行兩天的子實(shí)體生長步驟。全文摘要本發(fā)明提供一種本占地菇的菌床栽培方法，其中發(fā)芽步驟和/或子實(shí)體生長步驟是在高CO2濃度的環(huán)境條件下進(jìn)行的。高CO2濃度的環(huán)境條件的例子包括在發(fā)芽步驟中CO2濃度為2,500ppm或更高以及在子實(shí)體生長步驟中CO2濃度為5,000ppm或更高。由于本發(fā)明的實(shí)施方案提高了本占地菇的菌床栽培方法中小芽的形成率，因此可通過大規(guī)模的商業(yè)栽培來穩(wěn)定地生產(chǎn)本占地菇。文檔編號A01G1/04GK101743855SQ20091022628公開日2010年6月23日申請日期2009年11月27日優(yōu)先權(quán)日2008年11月28日發(fā)明者加藤郁之進(jìn),喜多昭彥,日下部克彥,杉森武,橋本麻由,河合高志申請人:寶生物工程株式會社