一種用于水稻降鎘栽培的育秧盤的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及育秧盤技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種用于水稻降鎘栽培的育秧盤。所述育秧盤的育秧盤體上設(shè)有向同一側(cè)凹進(jìn)的育秧穴；育秧穴的開口為矩形，從上至下依次由中空的長(zhǎng)方體與倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或缽體中的一種相互連接構(gòu)成；倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或缽體的口徑小于所述矩形的最短邊長(zhǎng)。所述育秧盤具有上下兩節(jié)不同的結(jié)構(gòu)組成，為上大下小的臺(tái)階狀。育秧穴培育的秧苗泥頭具有與育秧穴相同的形狀，泥頭易于插入泥土里，且與泥土之間更加牢固，秧苗不易倒伏和漂苗。育秧盤培育出的秧苗泥頭重約為18~25g，適宜在2~5cm水深的稻田中拋秧。具有2~5cm水深的稻田可避免長(zhǎng)出雜草，進(jìn)而減少使用除草劑，這種水稻降鎘栽培法種植出來的大米鎘含量大大降低，確保了食品安全。
【專利說明】
-種用于水稻降福哉培的育秩盤
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及育秩盤技術(shù)領(lǐng)域，具體地，設(shè)及一種用于水稻降儒栽培的育秩盤。
【背景技術(shù)】
[0002] 水稻拋秩栽培技術(shù)是采用育秩盤育出根部帶有營(yíng)養(yǎng)±塊(簡(jiǎn)稱"泥頭"）的、相互易 于分散的水稻秩苗，或采用常規(guī)育秩方法育出秩苗后手工斑塊分秩，然后將秩苗連同營(yíng)養(yǎng) ±-起均勻撒拋在空中，使其根部隨重力落入田間定植的一種栽培法。
[0003] 水稻拋秩技術(shù)改變了沿襲幾千年的"臉朝黃±背朝天"的拔秩、插秩傳統(tǒng)習(xí)慣，具 有省工、省力、省種子、省秩田、操作簡(jiǎn)單、高產(chǎn)、穩(wěn)產(chǎn)、高效的優(yōu)點(diǎn)，是水稻栽培技術(shù)的一項(xiàng) 重大改革。其主要特點(diǎn)是:秩苗素質(zhì)好，根系發(fā)達(dá)，白根多，吸收能力強(qiáng);起秩時(shí)不傷根，拋秩 時(shí)秩苗帶±帶肥，全根下田，且入±淺，禾苗早生早發(fā)，有效穗增加;拋秩密度有保證，禾苗 分布均勻，群體葉面積大，加強(qiáng)了光合作用，運(yùn)些是水稻拋秩技術(shù)增產(chǎn)的主要原因。
[0004] 然而，用現(xiàn)有的育秩盤培育的秩苗進(jìn)行拋秩，為了使得秩苗能夠在重力作用下入 ±足夠深并站穩(wěn)，不出現(xiàn)漂苗或倒伏的情況，通常需要在拋苗前將稻田中的水放干，使得秩 苗可W直接落入泥±中；且拋秩后2~3天稻田不進(jìn)水，讓秩苗扎根立穩(wěn)。然而，在運(yùn)個(gè)階段稻 田中的雜草也同時(shí)生長(zhǎng)起來，使得后續(xù)使用除草劑進(jìn)行除草。本專利的發(fā)明人創(chuàng)造性的提 出了大米中儒超標(biāo)與水稻種植時(shí)除草劑的使用有直接關(guān)系，因此為了減少稻田中雜草的數(shù) 量，需要一種全新的育秩和拋秩的工具和方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種用于水稻降儒栽 培的育秩盤。
[0006] 本實(shí)用新型目的通過W下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
[0007] -種用于水稻降儒栽培的育秩盤，育秩盤體上設(shè)有向同一側(cè)凹進(jìn)的育秩穴;所述 育秩穴的開口為矩形，從上至下依次由中空的長(zhǎng)方體與倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或鉢體中的一種相 互連接構(gòu)成;所述倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或鉢體的口徑小于所述矩形的最短邊長(zhǎng)。
[000引本專利所述用于水稻降儒栽培的育秩盤的育秩穴具有上下兩節(jié)不同的結(jié)構(gòu)組成， 形成上大下小的臺(tái)階狀。所述育秩穴培育的秩苗的泥頭具有與育秩穴相同的形狀，泥頭的 倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或鉢體部分易于插入泥±里。若泥頭的長(zhǎng)方體部分沒有插入泥±中，則長(zhǎng)方 體與倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或鉢體部分形成的臺(tái)階支撐在泥±表面，可防止秩苗倒伏。若泥頭的長(zhǎng) 方體部分插入泥±中，則長(zhǎng)方體的結(jié)構(gòu)與泥±之間更加牢固，秩苗不易倒伏和漂苗。所述育 秩穴的開口為矩形，可最大限度的利用育秩盤的空間，其利用度比圓形開口的育秩穴高。
[0009] 進(jìn)一步地，所述長(zhǎng)方體的高度小于所述倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或鉢體的高度。使得所述育 秩盤便于疊加存放，節(jié)省存放空間。
[0010] 進(jìn)一步地，所述矩形的邊長(zhǎng)為2.7~3.5cm，所述長(zhǎng)方體的高度為0.9~1. 1cm;所述倒 圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或鉢體的上口徑為1.7~2.1畑1，高度為1.3~1.6畑1。所述育秩穴培育出的秩苗泥 頭重約為18~25g，適宜在具有2~5cm水深的稻田中拋秩，可保證秩苗能夠深入泥±中并站 穩(wěn)。具有2~5cm水深的稻田可避免長(zhǎng)出雜草，進(jìn)而減少了除草劑的使用，運(yùn)種水稻降儒栽培 法種植出來的大米儒含量大大降低，確保了食品安全。
[0011] 進(jìn)一步地，所述倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)的錐度為1:1.2~1:3.2。使得培育出的秩苗易于從 育秩穴中拔出，且減輕對(duì)秩苗的損傷。
[0012] 進(jìn)一步地，所述矩形的邊長(zhǎng)為2.8畑1，所述長(zhǎng)方體的高度為1.0cm;所述倒圓臺(tái)、倒 棱臺(tái)或鉢體的上口徑為2.0畑1，高度為1.5畑1。
[0013] 進(jìn)一步地，所述育秩穴的底部設(shè)有通孔。
[0014] 進(jìn)一步地，所述育秩盤的邊緣設(shè)有拉環(huán)。所述拉環(huán)的個(gè)數(shù)不少于2個(gè)，且設(shè)置在育 秩盤的同側(cè)。使用拉環(huán)使得用戶易于將育秩盤從地里拔出，或者易于將疊加在一起的育秩 盤分開，大大提高效率，減輕勞動(dòng)強(qiáng)度。
[0015] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有W下有益效果：
[0016] 本實(shí)用新型所述的育秩盤具有上下兩節(jié)不同的結(jié)構(gòu)組成，形成上大下小的臺(tái)階 狀。所述育秩穴培育的秩苗的泥頭具有與育秩穴相同的形狀，泥頭易于插入泥±里，且與泥 ±之間更加牢固，秩苗不易倒伏和漂苗。
[0017] 所述育秩穴的開口為矩形，可最大限度的利用育秩盤的空間，其利用度比圓形開 口的育秩穴高。
[001引所述育秩盤培育出的秩苗泥頭重約為18~25g，適宜在具有2~5cm水深的稻田中拋 秩，可保證秩苗能夠深入泥±中并站穩(wěn)。具有2~5cm水深的稻田可避免長(zhǎng)出雜草，進(jìn)而減少 了除草劑的使用，運(yùn)種水稻降儒栽培法種植出來的大米儒含量大大降低，確保了食品安全。
【附圖說明】
[0019] 圖1為實(shí)施例1育秩盤的俯視圖；
[0020] 圖2為實(shí)施例1育秩盤的側(cè)視圖；
[0021 ]圖3為實(shí)施例2育秩盤的側(cè)視圖；
[0022] 圖4為實(shí)施例3育秩盤的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。其中，附圖僅用于示例性 說明，表示的僅是示意圖，而非實(shí)物圖，不能理解為對(duì)本專利的限制；為了更好地說明本實(shí) 用新型的實(shí)施例，附圖某些部件會(huì)有省略、放大或縮小，并不代表實(shí)際產(chǎn)品的尺寸;對(duì)本領(lǐng) 域技術(shù)人員來說，附圖中某些公知結(jié)構(gòu)及其說明可能省略是可W理解的。
[0024] 實(shí)施例1
[0025] 如圖1~2所示，一種用于水稻降儒栽培的育秩盤，育秩盤體1上設(shè)有向同一側(cè)凹進(jìn) 的育秩穴2;育秩穴2的開口為矩形，從上至下依次由中空的長(zhǎng)方體21與倒圓臺(tái)22相互連接 構(gòu)成;倒圓臺(tái)22的口徑小于矩形的最短邊長(zhǎng)。
[0026] 本實(shí)施例用于水稻降儒栽培的育秩盤的育秩穴2具有上下兩節(jié)不同的結(jié)構(gòu)組成， 形成上大下小的臺(tái)階狀。育秩穴2培育的秩苗的泥頭具有與育秩穴2相同的形狀，泥頭的倒 圓臺(tái)部分易于插入泥±里。若泥頭的長(zhǎng)方體部分沒有插入泥±中，則長(zhǎng)方體與倒圓臺(tái)、倒棱 臺(tái)或鉢體部分形成的臺(tái)階支撐在泥±表面，可防止秩苗倒伏。若泥頭的長(zhǎng)方體部分插入泥 ±中，則長(zhǎng)方體的結(jié)構(gòu)與泥±之間更加牢固，秩苗不易倒伏和漂苗。育秩穴2的開口為矩形， 可最大限度的利用育秩盤的空間，其利用度比圓形開口的育秩穴高。
[0027]長(zhǎng)方體21的高度小于倒圓臺(tái)22的高度。使得所述育秩盤便于疊加存放，節(jié)省存放 空間。
[002引矩形的邊長(zhǎng)為2.7~3.5畑1，長(zhǎng)方體21的高度為0.9~1.1cm;倒圓臺(tái)22的上口徑為1.7 ~2.1畑1，高度為1.3~1.6畑1。育秩穴2培育出的秩苗泥頭重約為18~25g，適宜在具有2~5cm水 深的稻田中拋秩，可保證秩苗能夠深入泥±中并站穩(wěn)。具有2~5cm水深的稻田可避免長(zhǎng)出雜 草，進(jìn)而減少了除草劑的使用，運(yùn)種水稻降儒栽培法種植出來的大米儒含量大大降低，確保 了食品安全。
[0029] 倒圓臺(tái)的錐度為1:1.2~1:3.2。使得培育出的秩苗易于從育秩穴中拔出，且減輕對(duì) 秩苗的損傷。
[0030] 育秩穴2的底部設(shè)有通孔23。
[0031] 育秩盤2的邊緣設(shè)有拉環(huán)3。拉環(huán)的個(gè)數(shù)為2個(gè)，且設(shè)置在育秩盤的同側(cè)。使用拉環(huán)3 使得用戶易于將育秩盤從地里拔出，或者易于將疊加在一起的育秩盤分開，大大提高效率， 減輕勞動(dòng)強(qiáng)度。
[0032] 實(shí)施例2
[0033] 如圖3所示，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1的不同之處為:育秩穴2從上至下依次由中 空的長(zhǎng)方體21與鉢體24相互連接構(gòu)成;鉢體24的口徑小于矩形的最短邊長(zhǎng)。長(zhǎng)方體21的高 度小于鉢體24的高度。具體地，矩形的邊長(zhǎng)為2.8cm，長(zhǎng)方體的高度為1.0cm;鉢體的上口徑 為2.0cm，高度為1.5cm。其余部分均與實(shí)施例1相同。
[0034] 實(shí)施例3
[0035] 如圖4所示，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1的不同之處為:育秩穴2從上至下依次由中 空的長(zhǎng)方體21與倒棱臺(tái)相互連接構(gòu)成;倒棱臺(tái)的口徑小于矩形的最短邊長(zhǎng)。長(zhǎng)方體21的高 度小于倒棱臺(tái)的高度。具體地，矩形的邊長(zhǎng)為2.8cm，長(zhǎng)方體的高度為1.0cm;倒棱臺(tái)的上口 徑為2.0cm，高度為1.5cm。其余部分均與實(shí)施例1相同。其余部分均與實(shí)施例1相同。
[0036] 本實(shí)用新型的發(fā)明人與湖南農(nóng)業(yè)大學(xué)合作，設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證除草劑對(duì)水稻稻谷重金 屬元素含量的影響，實(shí)驗(yàn)過程如下：
[0037] S1.同一塊實(shí)驗(yàn)田，檢測(cè)其±壤重金屬元素含量。
[0038] S2.將實(shí)驗(yàn)田分成四塊，保證種植溫度、光照、水分、肥料等因素均相同，第一塊實(shí) 驗(yàn)田，種子為普通稻種，種植時(shí)共噴施兩次除草劑;第二塊試驗(yàn)田為低儒積累稻種，種植時(shí) 共噴施兩次除草劑;第Ξ塊試驗(yàn)田為低儒積累稻種，種植時(shí)未噴施除草劑;前Ξ塊田使用普 通的育秩盤育秩;第四塊實(shí)驗(yàn)田為低儒積累稻種，用此實(shí)用新型的育秩盤，育秩盤培育出的 秩苗泥頭重為18~25g，在具有2~5cm水深的稻田中拋秩。
[0039] S3.檢測(cè)B中種植后收獲稻谷的重金屬元素含量，見表1。
[0040] 表 1
[0041]

[0042] ~實(shí)驗(yàn)證明，種植時(shí)噴施除草劑的水稻重金屬含量明顯高于未噴施除草劑的水稻/ 除草劑與稻谷中重金屬含量有直接關(guān)系。使用本實(shí)用新型的育秩盤種植，有效抑制了雜草 的生長(zhǎng)，可減少除草劑的使用，有效降低水稻中重金屬元素的含量，為水稻重金屬污染的防 治提供了新的思路。使用本實(shí)用新型進(jìn)行水稻降儒栽培法種植出來的大米儒含量大大降 低，確保了食品安全。
[0043] 顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案所作的舉例，而并 非是對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的 基礎(chǔ)上還可W做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。運(yùn)里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予W窮 舉。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本 實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于水稻降鎘栽培的育秧盤，其特征在于，育秧盤體（1)上設(shè)有向同一側(cè)凹進(jìn)的 育秧穴(2);所述育秧穴(2)的開口為矩形，從上至下依次由中空的長(zhǎng)方體(21)與倒圓臺(tái)、倒 棱臺(tái)或缽體中的一種相互連接構(gòu)成;所述倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或缽體的口徑小于所述矩形的最 短邊長(zhǎng)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述用于水稻降鎘栽培的育秧盤，其特征在于，所述長(zhǎng)方體的高度小 于所述倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或缽體的高度。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述用于水稻降鎘栽培的育秧盤，其特征在于，所述矩形的邊長(zhǎng)為 2.7~3.5cm，所述長(zhǎng)方體的高度為0.9~I. I cm;所述倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或缽體的上口徑為1.7~ 2. lcm，高度為 1.3~1.6cm。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述用于水稻降鎘栽培的育秧盤，其特征在于，所述倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái) 的錐度為1:1.2~1:3.2。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述用于水稻降鎘栽培的育秧盤，其特征在于，所述矩形的邊長(zhǎng)為 2.8cm，所述長(zhǎng)方體的高度為1.0 cm;所述倒圓臺(tái)、倒棱臺(tái)或缽體的上口徑為2 . Ocm，高度為 1.5cm〇6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述用于水稻降鎘栽培的育秧盤，其特征在于，所述育秧穴（2)的底 部設(shè)有通孔(23)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述用于水稻降鎘栽培的育秧盤，其特征在于，所述育秧盤的邊緣設(shè) 有拉環(huán)(3)。
【文檔編號(hào)】A01G9/10GK205546704SQ201620300595
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年4月12日
【發(fā)明人】張鐵牛
【申請(qǐng)人】株洲偉珍生態(tài)農(nóng)業(yè)開發(fā)有限公司