專利名稱：利用相長(zhǎng)干涉電磁輻射的熱處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及醫(yī)療系統(tǒng)，且更特定來說，涉及采用射頻輻射來熱處理組織的醫(yī)療系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
熱處理用于處理許多醫(yī)療狀況，例如從運(yùn)動(dòng)受傷到癌癥感染。在典型的熱處理中，將熱能施加到主體的組織以便將其溫度升高到比正常體溫高幾度。許多類型的病原體和患病細(xì)胞在暴露于較高溫度時(shí)被殺死或者容易被藥物(例如，化學(xué)療法)或身體自身的免疫系統(tǒng)制服。一種形式的熱處理涉及例如通過施加加熱毯或加熱單元來將熱施加到身體的外部的待處理區(qū)域附近。然而，這些處理加熱了所施加熱附近的所有組織，且因此可能不利地影響周圍的健康組織。另一形式的熱處理通過使身體內(nèi)的組織暴露于微波輻射來加熱身體內(nèi)的組織，所述微波輻射通過激發(fā)組織內(nèi)的水分子來升高組織的溫度，較類似于微波爐對(duì)食物的做法。然而，此熱處理方法加熱了微波輻射路徑內(nèi)的所有組織，且因此也可不利地影響周圍的健康組織。用于處理身體內(nèi)的組織的另一常用方法涉及使組織暴露于電離輻射，例如X射線和伽瑪射線。眾所周知，經(jīng)常通過使腫瘤組織暴露于一系列窄的X射線或伽瑪射線束來處理腫瘤，其中每一暴露是在若干不同暴露角度下進(jìn)行。此過程使腫瘤組織在若干束的匯聚處暴露于高劑量的輻射，同時(shí)使身體的其余部分暴露于較低的總劑量(即，近似與單個(gè)束暴露相關(guān)聯(lián)的劑量)。另外，此些方法需要謹(jǐn)慎地定位和校準(zhǔn)具有許多高精度移動(dòng)部件的發(fā)射器。雖然此些處理方法可高度有效，但此些多束方法無法應(yīng)用于采用微波輻射的熱處理，因?yàn)闊崽幚碇械哪繕?biāo)是使組織溫度升高一段時(shí)間，這需要連續(xù)地暴露于微波輻射。

發(fā)明內(nèi)容
各種實(shí)施例提供用于使用微波或其它電磁輻射來熱處理主體的一部分而不危害所述主體的其它部分的方法和系統(tǒng)。各種實(shí)施例使得能夠在主體內(nèi)深處實(shí)現(xiàn)熱處理而不使所述主體的組織或材料的其余部分暴露于升高的溫度。在實(shí)施例中，多個(gè)電磁輻射發(fā)射器定位于熱處理系統(tǒng)內(nèi)的已知位置且耦合到控制處理器。控制處理器經(jīng)配置以用協(xié)調(diào)的方式控制每一發(fā)射器的發(fā)射，使得發(fā)射的電磁輻射在所需處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉。通過配置每一發(fā)射器發(fā)射的電磁輻射的發(fā)射波形和時(shí)間延遲或相對(duì)相位滯后，輻射在需要熱處理的體積中相長(zhǎng)地干涉，同時(shí)穿過主體的其余部分的電磁輻射表現(xiàn)為噪聲。因此，大量熱能可沉積在處理體積內(nèi)，同時(shí)主體的其余部分暴露于較低的平均功率電平，且因此經(jīng)歷較低的溫度上升。在一些實(shí)施例中，電磁輻射是微波輻射，尤其是用以熱處理例如活組織等含水材料的實(shí)施例。在一實(shí)施例中，電磁輻射可以短脈沖的形式發(fā)射，所述短脈沖在個(gè)別確定的時(shí)間從每一發(fā)射器發(fā)射以使得所有脈沖同時(shí)到達(dá)處理體積中。在另一實(shí)施例中，所有微波發(fā)射器以一時(shí)間延遲或相位滯后在偽隨機(jī)波形中發(fā)出微波輻射，使得波形在處理體積中彼此相長(zhǎng)地加強(qiáng)，同時(shí)在主體的整個(gè)其余部分中表現(xiàn)為隨機(jī)噪聲。在一實(shí)施例中，偽隨機(jī)波形可類似于在碼分多址(CDMA)通信系統(tǒng)中使用的波形。


并入本文且構(gòu)成本說明書的部分的

本發(fā)明的示范性方面。連同上文給出的一般描述和下文給出的詳細(xì)描述一起，附圖用以闡釋本發(fā)明的特征。圖I是本發(fā)明的實(shí)例熱處理系統(tǒng)實(shí)施方案的說明。
圖2是熱處理系統(tǒng)的一部分的系統(tǒng)框圖，其包含圖I中說明的系統(tǒng)的橫截面圖。圖3是熱處理系統(tǒng)的橫截面圖，其說明兩個(gè)微波輻射波前在腫瘤內(nèi)的相交。圖4是熱處理系統(tǒng)的橫截面圖，其說明若干個(gè)微波輻射波前在腫瘤內(nèi)的相交。圖5A和圖5B是根據(jù)本發(fā)明的一方面的說明微波脈沖的微波輻射振幅對(duì)位置的曲線圖。圖6是說明圖5B中說明的微波脈沖的累積功率的功率對(duì)位置的說明性曲線圖。圖7A是適合在本發(fā)明的各方面中使用的微波偽隨機(jī)波形的振幅對(duì)時(shí)間說明。圖7B是圖7A中說明的微波偽隨機(jī)波形的振幅對(duì)位置說明。圖7C是四個(gè)偽隨機(jī)波形微波輻射信號(hào)的振幅對(duì)位置說明。圖8是說明從圖7C中說明的微波偽隨機(jī)波形的組合得到的累積功率的功率對(duì)位置的曲線圖。圖9A是適合在本發(fā)明的各方面中使用的不同微波偽隨機(jī)波形的振幅對(duì)位置說明。圖9B是類似于圖9A中所說明的四個(gè)偽隨機(jī)波形微波輻射信號(hào)的振幅對(duì)位置說明。圖10是說明從圖9B中說明的微波偽隨機(jī)波形的組合得到的累積功率的功率對(duì)位置的曲線圖。圖11是說明根據(jù)本發(fā)明的一方面的用于熱處理患者的實(shí)例方法的過程流程圖。圖12是熱處理系統(tǒng)的橫截面圖，其說明圖11中說明的方法中涉及的幾何計(jì)算。圖13是熱處理系統(tǒng)的橫截面圖，其說明圖11中說明的方法中涉及的計(jì)算考慮了組織對(duì)微波輻射傳播的影響。圖14是說明根據(jù)本發(fā)明的一方面的熱處理系統(tǒng)的一部分的組件框圖。圖15是說明適合與本發(fā)明的一方面一起使用的計(jì)算系統(tǒng)的組件框圖。
具體實(shí)施例方式將參看附圖詳細(xì)描述各種方面。只要可能，將在整個(gè)圖式中使用相同的參考標(biāo)號(hào)來指代相同或相似的部分。對(duì)特定實(shí)例和實(shí)施方案做出的參考是出于說明性目的，且無意限制本發(fā)明或權(quán)利要求書的范圍。如本文中所使用，術(shù)語“熱處理”既定涵蓋其中通過沉積或施加熱能來加熱身體或材料的至少一部分的任何過程。如本文中所使用，術(shù)語“微波”和“微波輻射”指代有可能在身體內(nèi)沉積熱能(例如)以升高其溫度但既定不反映特定頻率或波長(zhǎng)的電磁輻射。在特定實(shí)施例中，使用將激發(fā)水分子的頻率或波長(zhǎng)的微波輻射以便熱處理活組織，例如人主體的組織。然而，當(dāng)處理其它類型的材料時(shí)可使用其它波長(zhǎng)或頻率的電磁輻射，例如激發(fā)材料內(nèi)的各種熱振動(dòng)的頻率。雖然參考適合于處理人類患者的醫(yī)療系統(tǒng)來說明各種方面，但本發(fā)明具有較寬的應(yīng)用，包含非人類主體和非生物材料的熱處理。因此，對(duì)“患者”、“主體”和“組織”的參考既定涵蓋人類和非人類處理應(yīng)用。此外，術(shù)語“熱處理”既定涵蓋各種實(shí)施例的任何應(yīng)用以便沉積熱或升高生物或非生物材料的溫度?？傮w來說，在實(shí)例實(shí)施例中，多個(gè)微波發(fā)射器定位于熱處理系統(tǒng)內(nèi)的已知位置中且耦合到控制處理器?？刂铺幚砥鹘?jīng)配置以用協(xié)調(diào)的方式控制每一發(fā)射器的發(fā)射，使得發(fā)射的電磁輻射匯聚且到達(dá)所需的處理體積，使得輻射的相長(zhǎng)干涉在所述體積內(nèi)發(fā)生。通過配置每一發(fā)射器發(fā)射的電磁輻射的發(fā)射波形和時(shí)間延遲或相對(duì)相位，輻射在需要熱處理的體積中相長(zhǎng)地干涉，同時(shí)穿過主體或材料的其余部分的電磁福射隨機(jī)地干涉。因此，大量熱能沉積在處理體積內(nèi)，同時(shí)主體的其余部分暴露于低得多的平均功率電平，且因此經(jīng)歷低得多的溫度升高。通過以此方式(即，在處理點(diǎn)引起相長(zhǎng)干涉)協(xié)調(diào)例如微波輻射等電磁
輻射的施加，可在主體內(nèi)深處實(shí)現(xiàn)熱處理，而不會(huì)使主體的組織或材料的其余部分升高到高溫。在一個(gè)實(shí)施例中，電磁輻射以短脈沖的形式發(fā)射，所述短脈沖在個(gè)別確定的時(shí)間從每一發(fā)射器發(fā)射以使得所有脈沖同時(shí)到達(dá)處理體積中。在另一實(shí)施例中，所有微波發(fā)射器以一時(shí)間延遲或相位滯后發(fā)射偽隨機(jī)波形，使得波形在處理體積中彼此相長(zhǎng)地加強(qiáng)，同時(shí)在主體或材料的整個(gè)其余部分中表現(xiàn)為隨機(jī)噪聲。在此實(shí)施例中，偽隨機(jī)波形可類似于在碼分多址(CDMA)通信系統(tǒng)中使用的波形。在實(shí)施例中，多個(gè)相對(duì)低功率微波發(fā)射器定位于一體積的周邊周圍的若干已知位置，其中所述體積經(jīng)配置以接納待熱處理的主體(例如，患者、結(jié)構(gòu)或材料體積)。如圖I中說明，此系統(tǒng)可包含用于容納待處理主體的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)可打開或關(guān)閉且在一實(shí)施例中可呈具有界定內(nèi)部體積2的內(nèi)表面的圓柱體I的形式，患者或主體可例如在可移動(dòng)臺(tái)3上定位于所述內(nèi)部體積2中。在此實(shí)例中，熱處理系統(tǒng)的外觀可類似于磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)輔助層析X射線攝影(CAT)成像系統(tǒng)或正電子發(fā)射層析X射線攝影(PET)成像系統(tǒng)的外觀。然而，熱處理系統(tǒng)采用非常不同的技術(shù)。圖2說明圓柱體I的橫截面圖，其展示熱處理系統(tǒng)的系統(tǒng)組件的一部分。此橫截面圖說明在一實(shí)施例中多個(gè)發(fā)射器6a到6g可如何定位在內(nèi)部體積2的圓周周圍。待處理主體9可定位于臺(tái)3上以便熱處理待處理內(nèi)部體積10，例如腫瘤。所述多個(gè)發(fā)射器6a到6g可經(jīng)由例如電纜5等若干連接耦合到計(jì)算機(jī)處理器4且由其控制。所述多個(gè)發(fā)射器6a到6g可發(fā)射任一頻率的電磁福射。在優(yōu)選實(shí)施例中，發(fā)射器發(fā)射適合于熱處理含水材料(例如組織)的微波輻射。為了描述的簡(jiǎn)單，在以下描述中將發(fā)射器6a到6g稱為微波發(fā)射器。然而，這些參考既定不暗示實(shí)施例一定限于微波輻射。而且，發(fā)射器可分布于三維空間中，即使圖2展示其布置于一平面中。圖3中說明在各種實(shí)施例中實(shí)施的處理體積內(nèi)的電磁輻射(例如，微波輻射)的相長(zhǎng)干涉的概念。此圖展示包含定位于主體9周圍的多個(gè)微波發(fā)射器6a到6g的熱處理系統(tǒng)I的橫截面。當(dāng)從一個(gè)發(fā)射器(例如發(fā)射器6a)發(fā)射微波脈沖時(shí),脈沖作為波前7a以光速向外行進(jìn)。因此，在給定時(shí)間量?jī)?nèi)，微波輻射行進(jìn)可確定的距離8a。在圖3中，發(fā)射的波前7a與待處理體積10相交，待處理體積10距發(fā)射器6a距離為8a。類似地，從另一發(fā)射器6f發(fā)射的輻射將行進(jìn)一不同距離8f而到達(dá)待處理體積10。如果微波發(fā)射經(jīng)適當(dāng)定時(shí)，那么來自發(fā)射器6a、6f中的每一者的波前7a、7f將同時(shí)到達(dá)處理體積10中?？刹捎么烁拍顏硎褂萌舾晌⒉òl(fā)射器6a到6g在處理體積10內(nèi)集中大量的微波輻射，如圖4中說明。如圖4說明，來自多個(gè)(例如，七個(gè))微波發(fā)射器6a到6g的波前可經(jīng)協(xié)調(diào)而同時(shí)到達(dá)，因此波前或脈沖在處理體積10中重疊。圖式還說明在主體9的其余部分中，存在少數(shù)波前仍將相交的點(diǎn)。為了說明目的，圖4展示七個(gè)微波發(fā)射器6a到6g，但在各種實(shí)施方案中可使用更少或更多的發(fā)射器。如圖4說明，處理區(qū)將通常偏離系統(tǒng)I的中心線，且可位于內(nèi)部體積2內(nèi)的 任何位置。然而，通過控制從發(fā)射器6a到6g中的每一者發(fā)射的脈沖的時(shí)序或相位滯后，可實(shí)現(xiàn)波前7a到7g的同時(shí)到達(dá)。在各種實(shí)施例中可實(shí)施多種波形以實(shí)現(xiàn)處理體積10內(nèi)的所需微波能量的集中。圖5A說明微波能量以離散脈沖12的形式發(fā)射的一種方法。此些脈沖可為如部分22中所示的短暫持續(xù)時(shí)間，其由如部分20中所示的極少或無發(fā)射能量的延伸持續(xù)時(shí)間分離。由于微波脈沖以光速行進(jìn)，因此其形狀可以圖形方式表示為振幅對(duì)時(shí)間(未圖示)或振幅對(duì)距發(fā)射器的距離，如圖示。在圖5A中的振幅對(duì)距離表示中，為說明目的將脈沖12展示為處于脈沖在發(fā)射器6與待處理體積10之間已行進(jìn)距離8的時(shí)刻。此圖將波形展示為好像其沿著發(fā)射器與待處理體積10之間的直達(dá)線在所述特定時(shí)刻出現(xiàn)那樣。這說明在脈沖已從發(fā)射器到處理體積10行進(jìn)距離8的所述時(shí)刻脈沖寬度部分22如何跨越待處理體積10，從而在所述體積中沉積能量，同時(shí)體積部分20的其余部分接收極少能量。當(dāng)然，脈沖12穿過主體的發(fā)射將導(dǎo)致沿著隨時(shí)間經(jīng)平均化的能量傳播路徑的相同能量沉積。圖5B還以振幅對(duì)距離表示說明在與圖5A中說明相同的時(shí)刻的波形，其包含從其它發(fā)射器發(fā)射的脈沖。從每一發(fā)射器到處理體積10的距離將不同(見圖3和圖4)。然而，通過以適當(dāng)定時(shí)或相位滯后從每一發(fā)射器發(fā)射脈沖，所有脈沖可經(jīng)配置以同時(shí)到達(dá)處理體積10，如部分22處說明。從每一發(fā)射器的脈沖發(fā)射的時(shí)序?qū)⑷Q于所述發(fā)射器與處理體積10之間的距離以及在這兩點(diǎn)之間行進(jìn)的光速(即，穿過空氣和穿過主體的光速，如下文參見圖13更完整描述)。如果脈沖全部以適當(dāng)時(shí)序發(fā)射，那么每一脈沖內(nèi)的能量將加在一起以在處理體積10中沉積比主體的其余部分20大體上更多的能量。來自每一發(fā)射器的脈沖穿過主體部分20的其余部分，但因?yàn)闄M穿不同的路徑，且因此行進(jìn)的距離不同，所以脈沖不重合(即，在同一時(shí)刻穿過同一點(diǎn))。在圖5B中以如下方式說明此情形其它脈沖12b/、12c'、12d'和12d"沿著一個(gè)發(fā)射器與處理體積10之間的直接路徑(距離8)不與體積部分20的其余部分重合。在任一給定時(shí)刻在主體內(nèi)沉積的能量與脈沖的總和成比例，如圖6中說明。如所說明，在脈沖重合(部分22)的處理體積10中，在脈沖重疊且相長(zhǎng)加強(qiáng)的時(shí)刻在所述體積中沉積的能量大大超過在所述時(shí)刻在主體部分20的其余部分中沉積的能量。在任一給定時(shí)刻，體積部分20的其余部分將不接收能量、將接收單個(gè)脈沖的能量，或偶爾接收兩個(gè)重疊脈沖的能量。圖6中的部分20內(nèi)的重疊脈沖的尖峰反映了圖4中兩個(gè)脈沖波前相交的點(diǎn)。雖然圖6展示在簡(jiǎn)短時(shí)刻沉積的能量，但如果以上文描述的方式頻繁發(fā)射脈沖，那么主體內(nèi)的時(shí)間平均能量沉積將類似于圖6所示的曲線圖。舉例來說，如果從一個(gè)發(fā)射器到所關(guān)注體積的距離8為D，那么脈沖可以近似f = c/D的頻率發(fā)射，其中c是光速。此高頻脈沖速率將導(dǎo)致類似于圖6中的曲線圖的時(shí)間平均能量沉積。
圖7A說明可實(shí)施的另一波形，其中脈沖以偽隨機(jī)模式發(fā)射，其將在處理體積10中(部分22)相長(zhǎng)地相加，但在主體的其余部分中(部分20)隨機(jī)地干涉或另外表現(xiàn)為噪聲。此波形可實(shí)施碼分多址(CDMA)蜂窩式通信系統(tǒng)中實(shí)施的類型的偽隨機(jī)波形。眾所周知，CDMA通信技術(shù)對(duì)關(guān)于偽隨機(jī)波形的信息進(jìn)行調(diào)制，其中每一通信鏈路被指派偽隨機(jī)數(shù)字偏移。通過以此方式使多個(gè)通信鏈路的偽隨機(jī)波形偏移，可在同一頻帶內(nèi)在同一區(qū)域中建立若干通信鏈路，因?yàn)楦鞣N信號(hào)對(duì)每一接收器表現(xiàn)為類似于噪聲。CDMA通信依賴于使用特定通信裝置的偽隨機(jī)數(shù)字偏移來對(duì)接收的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)，以從其它信號(hào)中解析出所述信號(hào)。在本發(fā)明中，與每一發(fā)射器時(shí)間偏移一起使用偽隨機(jī)波形概念，使得各種波形將在處理體積10中相長(zhǎng)地加強(qiáng)。從發(fā)射器到主體內(nèi)在處理體積10外部的所有點(diǎn)的不同路徑長(zhǎng)度確保了發(fā)射的能量以不同量的信號(hào)偏移到達(dá)所述體積外部的每一點(diǎn)。由于路徑長(zhǎng)度差異帶來的此波形偏移確保了在處理體積10外部的微波能量具有噪聲的表現(xiàn)。因此，如同相長(zhǎng)干涉那樣，脈沖可能相消干涉。因此，將低平均功率(均方根)施加到主體的處理體積10的外部，同時(shí)在處理體積10內(nèi)施加高平均功率電平。圖7A到圖7C和圖8中說明此效果。圖7A以振幅對(duì)時(shí)間說明從單個(gè)發(fā)射器發(fā)射的偽隨機(jī)波形。由于微波輻射以光速行進(jìn)，因此波形也可表示為沿著傳播路徑X的振幅對(duì)
距離，如圖7B中說明。此圖說明距發(fā)射器處于距離8的處理體積10內(nèi)的波形(部分26)可如何表現(xiàn)為極類似于主體的其余部分內(nèi)的波形(部分24)。圖7C中說明從若干發(fā)射器發(fā)射的若干波形的組合效果，所述發(fā)射器經(jīng)協(xié)調(diào)以使得波形在處理體積10內(nèi)相長(zhǎng)地干涉。此圖展示已從系統(tǒng)內(nèi)間隔開的四個(gè)發(fā)射器發(fā)射的微波發(fā)射。由于發(fā)射時(shí)序或相位滯后的協(xié)調(diào)，四個(gè)波形同相地到達(dá)處理體積10部分26，使得其波且因此其沉積的能量彼此相長(zhǎng)地加強(qiáng)。這增加了此體積中沉積的功率，如圖8中所示的部分26中說明。在主體的其余部分中(部分24)，由于從每一發(fā)射器行進(jìn)到每一點(diǎn)的不同距離，不同波形不同相。在圖7C中這是通過說明的波形移位來展示，其是由于到沿著路徑X的每一點(diǎn)的不同路徑長(zhǎng)度行程所引起。由于偽隨機(jī)波形且各種微波發(fā)射不同相，因此所有微波波形的組合具有噪聲的特性。因此，主體內(nèi)在處理體積10外部的所有微波發(fā)射的總和均展現(xiàn)低電平平均功率沉積，其具有一些局部瞬時(shí)的功率尖峰和下降，如部分24中說明。通過增加發(fā)射器的數(shù)目且減少每一發(fā)射器發(fā)射的功率，在處理體積10 (部分26)內(nèi)施加的平均功率密度與在主體的其余部分(部分24)內(nèi)施加的平均功率密度之比可增加。以此方式,施加到處理體積10的總功率且因此所述體積內(nèi)的溫度可增加到有效水平，而不會(huì)不利地影響主體的其余部分(部分24)。發(fā)射器發(fā)射的微波波形不限于圖6A到圖6B和圖7A到圖7C中說明的方波形狀，因?yàn)榭墒褂镁哂袀坞S機(jī)特性的任何微波波形。這在圖9A到圖9B和圖10中展示，其說明更隨機(jī)且多頻的波形。如上文參見圖7B描述，處理體積10 (部分26)內(nèi)的偽隨機(jī)波形可表現(xiàn)為極類似于主體的其余部分(步驟24)內(nèi)的波形，如圖9A中說明。圖9B中說明從若干發(fā)射器發(fā)射的若干波形的組合效果，其經(jīng)協(xié)調(diào)以使得波形在處理體積10內(nèi)相長(zhǎng)地干涉。通過協(xié)調(diào)發(fā)射相位調(diào)整，四個(gè)所說明波形同相地到達(dá)處理體積10部分26，使得其波且因此其沉積的能量彼此相長(zhǎng)地加強(qiáng)。這增加了此體積中沉積的功率，如圖10中所示的部分26中說明。在主體的其余部分中，不同波形不同相，且因此在部分24中沉積低得多的量的能量。通過控制偽隨機(jī)波形的特征和從各種發(fā)射器中的每一者的發(fā)射的相對(duì)相位調(diào)整，可精確控制處理體積10的大小和所述體積內(nèi)沉積的能量。另外，可改變發(fā)射微波能量的發(fā)射器的數(shù)目以便調(diào)整處理體積10的大小和最大與最小能量沉積比。如上文提到，各種實(shí)施例可應(yīng)用于其中需要在主體(例如，患者、結(jié)構(gòu)或材料)的有限體積內(nèi)沉積能量(尤其是熱能)的多種應(yīng)用。雖然所采用的輻射的特定頻率或波長(zhǎng)將取決于正在處理的材料，但基本操作概念大體上類似。因此，為了簡(jiǎn)化各種實(shí)施例的描述，實(shí)例方法的以下描述著重于醫(yī)療應(yīng)用，其涉及對(duì)患者體內(nèi)的腫瘤的熱處理。此實(shí)例中腫瘤構(gòu)成處理體積10，且主體是患者9。圖11說明根據(jù)實(shí)施例的可在熱處理系統(tǒng)內(nèi)實(shí)施的實(shí)例方法。為了對(duì)患者的腫瘤進(jìn)行熱處理，必須確定患者內(nèi)待處理體積的精確位置(步驟102)。用于定位腫瘤和患者內(nèi)的其它待處理體積的方法是醫(yī)療技術(shù)中眾所周知的，包含CAT、PET和MRI掃描技術(shù)和系統(tǒng)。此些3-D成像系統(tǒng)可在與患者身體相關(guān)的坐標(biāo)系中產(chǎn)生腫瘤的3-D坐標(biāo)。此坐標(biāo)信息可用以通過確定患者在系統(tǒng)內(nèi)的位置來確定腫瘤在熱處理系統(tǒng)I內(nèi)的位置(步驟104)。此在用于熱處理系統(tǒng)I的第二坐標(biāo)系內(nèi)定位用于腫瘤的第一坐標(biāo)系的過程稱為“對(duì)齊”。在一些實(shí)施方案中，可相對(duì)于外部參考(稱為外部坐標(biāo)系)來確定腫瘤的位置，所述外部參考例如為
當(dāng)執(zhí)行腫瘤3-D成像時(shí)患者所躺的臺(tái)或支撐平臺(tái)。在所述情況下，外部坐標(biāo)系將與熱處理系統(tǒng)I的坐標(biāo)系對(duì)齊。對(duì)齊過程準(zhǔn)許系統(tǒng)計(jì)算機(jī)使用簡(jiǎn)單幾何變換來準(zhǔn)確地確定腫瘤或待處理體積在熱處理系統(tǒng)I內(nèi)的位置(步驟106)。用以確定系統(tǒng)坐標(biāo)系內(nèi)的待處理位置的數(shù)學(xué)變換是與計(jì)算機(jī)輔助外科學(xué)和3-D成像有關(guān)的醫(yī)療技術(shù)中眾所周知的。在腫瘤在熱處理系統(tǒng)I內(nèi)的位置經(jīng)確定的情況下，系統(tǒng)可確定從每一微波發(fā)射器到處理位點(diǎn)的距離(步驟108)。如下文參見圖12更完整描述，此操作涉及簡(jiǎn)單幾何計(jì)算。在發(fā)射器到腫瘤距離經(jīng)確定的情況下，系統(tǒng)還可確定在每一發(fā)射器與腫瘤位點(diǎn)之間行進(jìn)的微波脈沖的傳輸時(shí)間(步驟110)。如下文參見圖13更完整描述，此計(jì)算可涉及考慮在空氣和組織內(nèi)光速的差異。通過使用針對(duì)每一發(fā)射器的所確定傳輸時(shí)間，系統(tǒng)可計(jì)算應(yīng)施加到每一發(fā)射器的特定發(fā)射延遲或相位滯后，以使得所有發(fā)射的能量均同相到達(dá)腫瘤內(nèi)(步驟112)。此操作涉及簡(jiǎn)單的線性計(jì)算。取決于所需熱處理對(duì)類型和待處理體積，系統(tǒng)還可確定待應(yīng)用的波形編碼以便實(shí)現(xiàn)處理體積內(nèi)的相長(zhǎng)干涉的所需程度(步驟114)。這可涉及確定特定類型的偽隨機(jī)波形或以類似于CDMA通信系統(tǒng)編碼通信信息的方式編碼偽隨機(jī)波形內(nèi)的脈沖。最終，熱處理通過使用計(jì)算出的時(shí)間延遲或相位滯后從各種發(fā)射器發(fā)射微波能量而開始(步驟116)。處理可繼續(xù)以便在所需持續(xù)時(shí)間中將腫瘤維持在所需的升高溫度(如所有發(fā)射器容許的功率電平所控制)。如上文提到，確定從每一發(fā)射器到處理體積10的距離的過程涉及簡(jiǎn)單幾何計(jì)算。圖12說明用于確定從一個(gè)發(fā)射器6a到熱處理系統(tǒng)I內(nèi)的腫瘤10的距離的此些計(jì)算的實(shí)例。在此實(shí)例中，基于主體9所躺的臺(tái)3，在坐標(biāo)系中已知腫瘤10的位置。特定來說，腫瘤10的中心點(diǎn)位于沿著平行于臺(tái)3表面的X坐標(biāo)的距離32處，且位于沿著Y坐標(biāo)(S卩，臺(tái)3上方)的距離34處。這些計(jì)算容易經(jīng)一般化為坐標(biāo)和發(fā)射器的三維系統(tǒng)。可通過設(shè)計(jì)、傳感器(未圖示)或操作者輸入來向熱處理系統(tǒng)I的計(jì)算機(jī)處理器告知臺(tái)3的位置，因此處理器可使坐標(biāo)計(jì)算(可在系統(tǒng)坐標(biāo)系中執(zhí)行)與臺(tái)3的X和Y坐標(biāo)相關(guān)。舉例來說，可向計(jì)算機(jī)處理器告知發(fā)射器6a定位于沿著X軸距臺(tái)3的坐標(biāo)軸的距離42處和沿著Y軸距臺(tái)3的坐標(biāo)軸的距離44處。由此，系統(tǒng)可確定從發(fā)射器6a到坐標(biāo)軸的距離40。計(jì)算機(jī)處理器還可確定從坐標(biāo)軸到腫瘤10的距離30，其簡(jiǎn)單地是腫瘤的X和Y坐標(biāo)(即，距離32和34)的平方和的平方根。由于計(jì)算機(jī)處理器知道從發(fā)射器6a到坐標(biāo)軸的距離40，因此系統(tǒng)可容易地計(jì)算從發(fā)射器到腫瘤10的距離50，其為兩個(gè)距離30和40的平方和的平方根。如果發(fā)射器6a與腫瘤10之間的距離50填充的是空氣，那么傳輸時(shí)間將簡(jiǎn)單地為距離50除以空氣中的光速。然而，如圖13中說明，在大多數(shù)應(yīng)用中，距離50將部分地填充有空氣(部分82)且部分地填充有主體(例如組織)的材料(部分84)。因此，為了準(zhǔn)確地確定從每一發(fā)射器6a到6g發(fā)射的微波能量到達(dá)腫瘤10的傳輸時(shí)間或到達(dá)時(shí)間，計(jì)算機(jī)處理器可計(jì)算發(fā)射器與主體9的外表面之間的距離以及沿著每一發(fā)射器與主體9內(nèi)的腫瘤10之間的線的距離。此些計(jì)算可容易地由被告知主體9和腫瘤10的3-D坐標(biāo)(例如，從3-D成像掃描)的系統(tǒng)計(jì)算機(jī)處理器使用類似 于上文參見圖12所描述的簡(jiǎn)單幾何計(jì)算來執(zhí)行。傳輸時(shí)間的計(jì)算因此涉及確定所發(fā)射電磁(例如，微波)輻射穿過空氣行進(jìn)的距離且將所述距離除以空氣中的光速以獲得第一傳輸時(shí)間部分(即，行進(jìn)時(shí)間部分82)，確定所發(fā)射電磁輻射穿過主體一直到達(dá)腫瘤10行進(jìn)的距離且將所述距離除以組織(或構(gòu)成主體的任何材料)中的光速以獲得第二傳輸時(shí)間部分(即，行進(jìn)時(shí)間部分84),且將第一與第二傳輸時(shí)間部分相加。圖14說明根據(jù)實(shí)施例的熱處理系統(tǒng)I的組件的一部分。熱處理系統(tǒng)I將包含控制處理器260，其以軟件指令配置以執(zhí)行例如上文描述的操作以控制各個(gè)發(fā)射器的總體功率電平和相位?？刂菩盘?hào)可通過電纜202從控制處理器260載運(yùn)到個(gè)別的波形產(chǎn)生器204。此些波形產(chǎn)生器204可使用類似于在CDMA蜂窩式電話上實(shí)施的發(fā)射器電路的電路。此些波形產(chǎn)生器204可包含數(shù)字信號(hào)處理器，其經(jīng)配置以產(chǎn)生例如上文參見圖7A到圖10描述的偽隨機(jī)波形。為了輸出實(shí)現(xiàn)所需熱處理功率沉積電平所必要的功率，波形產(chǎn)生器204可耦合到功率放大器206，其可使用來自功率源208的額外能量來提升發(fā)射的功率電平。由功率放大器206輸出的微波能量耦合到天線，例如微波天線210，其經(jīng)配置且定位在熱處理系統(tǒng)I內(nèi)以用合適方式輻射功率。在實(shí)施例中，波形產(chǎn)生器204、功率放大器206和天線210可制造為發(fā)射器單元6。通過使用用于制作固定在適當(dāng)位置而不需要瞄準(zhǔn)或聚焦機(jī)構(gòu)的蜂窩式電話組件的集成電路和制造方法，可經(jīng)濟(jì)地制作發(fā)射器單元6，使得熱處理系統(tǒng)I可包含大量發(fā)射器且仍保持費(fèi)用可負(fù)擔(dān)。熱處理系統(tǒng)可包含控制處理器，其可為多種計(jì)算裝置中的任一者，例如圖15中說明的工作站計(jì)算機(jī)260。此工作站計(jì)算機(jī)260通常包含處理器261，其耦合到易失性存儲(chǔ)器262和大容量非易失性存儲(chǔ)器，例如磁盤驅(qū)動(dòng)器263。計(jì)算機(jī)260還可包含耦合到處理器261的軟磁盤驅(qū)動(dòng)器264和壓縮光盤(⑶)驅(qū)動(dòng)器265。計(jì)算機(jī)260還可包含例如計(jì)算機(jī)鼠標(biāo)267等指向裝置、例如鍵盤268等用戶輸入裝置，和顯示器269。計(jì)算機(jī)260還可包含耦合到處理器261的若干連接器端口 266，其用于連接到電纜5以用于連接到所述多個(gè)發(fā)射器6a到6g。連接器端口 266也可將處理器261耦合到網(wǎng)絡(luò)。各種實(shí)施例可由計(jì)算機(jī)處理器261實(shí)施，其執(zhí)行經(jīng)配置以實(shí)施所描述方法的軟件指令。此些軟件指令可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器262、263中作為單獨(dú)應(yīng)用程序，或作為實(shí)施實(shí)施例方法的經(jīng)編譯軟件。此外，軟件指令可存儲(chǔ)在任一形式的有形處理器可讀存儲(chǔ)器中，包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器262、硬盤存儲(chǔ)器263、軟磁盤(在軟磁盤驅(qū)動(dòng)器264中可讀)、壓縮光盤(在CD驅(qū)動(dòng)器265中可讀)、電可擦除/可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、只讀存儲(chǔ)器(例如快閃存儲(chǔ)器)和/或插入計(jì)算裝置260中的存儲(chǔ)器模塊(未圖示)，例如外部存儲(chǔ)器芯片或插入U(xiǎn)SB網(wǎng)絡(luò)端口 266中的可USB連接的外部存儲(chǔ)器(例如“快閃驅(qū)動(dòng)器”)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，可將結(jié)合本文中所揭示的方面而描述的各種說明性邏輯區(qū)塊、模塊、電路和算法步驟實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。為清楚說明硬件與軟件的此互換性，上文已大致關(guān)于其功能性而描述了各種說明性組件、塊、模塊、電路及步驟。所述功能性是實(shí)施為硬件還是軟件取決于特定應(yīng)用及施加于整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可針對(duì)每一特定應(yīng)用以不同方式來實(shí)施所描述的功能性，但所述實(shí)施方案決定不應(yīng)被解釋為會(huì)導(dǎo)致脫離本發(fā)明的范圍。上文描述且圖中展示的方法的框的次序僅用于實(shí)例目的，因?yàn)樵诓幻撾x本發(fā)明和權(quán)利要求書的精神和范圍的情況下一些框的次序可與本文描述的次序不同。結(jié)合本文揭示的方面描述的方法或算法的框可直接以硬件、以由處理器執(zhí)行的軟件模塊或以兩者的組合來體現(xiàn)。軟件模塊可駐存在處理器可讀存儲(chǔ)器中，所述處理器可讀存儲(chǔ)器可以是RAM存儲(chǔ)器、快閃存儲(chǔ)器、ROM存儲(chǔ)器、EPROM存儲(chǔ)器、EEPROM存儲(chǔ)器、寄存器、
硬盤、可裝卸式磁盤、CD-ROM或此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它形式的存儲(chǔ)媒體中的任一者。示范性存儲(chǔ)媒體耦合到處理器，使得處理器可從存儲(chǔ)媒體讀取信息并向存儲(chǔ)媒體寫入信息。在替代方案中，存儲(chǔ)媒體可與處理器成一體式。處理器及存儲(chǔ)媒體可駐留于ASIC中。ASIC可駐留于用戶終端或移動(dòng)裝置中。在替代方案中，處理器和存儲(chǔ)媒體可作為離散組件駐留于用戶終端或移動(dòng)裝置中。另外，在一些方面中，方法或算法的步驟和/或動(dòng)作可作為代碼和/或指令中的一者或任何組合或任何代碼和/或指令集而駐存于可并入到計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中的機(jī)器可讀媒體和/或計(jì)算機(jī)可讀媒體上。提供各種方面的先前描述是為了使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制作或使用本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易明白對(duì)這些方面的各種修改，且本文中所定義的一般原理可在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下應(yīng)用于其它方面。因此，并不希望將本發(fā)明限于本文中所示的方面，而是，應(yīng)賦予權(quán)利要求書與本文中所揭示的原理和新穎特征一致的最廣泛范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于將能量施加于主體內(nèi)的待處理體積的方法，其包括 從多個(gè)發(fā)射器發(fā)射電磁輻射，其中從所述多個(gè)發(fā)射器中的每一者發(fā)射的所述電磁輻射經(jīng)配置且控制以在所述待處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中 所述多個(gè)發(fā)射器圍繞所述主體間隔開；且 基于每一發(fā)射器與所述待處理體積之間的距離來控制從所述多個(gè)發(fā)射器中的每一者發(fā)射的所述電磁輻射。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中從所述多個(gè)發(fā)射器中的每一者發(fā)射的所述電磁輻射以偽隨機(jī)波形配置，且經(jīng)控制以使得所述電磁輻射在所述待處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉且在所述待處理體積外部隨機(jī)地干涉。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括 確定所述待處理體積的位置； 計(jì)算每一發(fā)射器與所述待處理體積之間的距離； 計(jì)算所發(fā)射電磁輻射從每一發(fā)射器到所述待處理體積的傳輸時(shí)間；以及 計(jì)算所述多個(gè)發(fā)射器中的每一者的相位滯后，其用以控制所述電磁輻射的發(fā)射。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述發(fā)射的電磁輻射是微波輻射。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中計(jì)算所發(fā)射電磁輻射從每一發(fā)射器到所述待處理體積的傳輸時(shí)間包括 確定所發(fā)射電磁輻射穿過空氣行進(jìn)的距離且將所述距離除以空氣中的光速以獲得第一傳輸時(shí)間部分； 確定所發(fā)射電磁輻射穿過所述主體行進(jìn)的距離且將所述距離除以所述主體的材料中的光速以獲得第二傳輸時(shí)間部分；以及將所述第一與第二傳輸時(shí)間部分相加。
7.一種系統(tǒng)，其包括 處理器；以及 多個(gè)電磁輻射發(fā)射器，其耦合到所述處理器， 其中所述處理器以軟件可執(zhí)行指令配置以執(zhí)行包括以下的操作配置且控制所述多個(gè)電磁輻射發(fā)射器中的每一者以使得所發(fā)射電磁輻射在主體內(nèi)的待處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括用于容納所述主體的結(jié)構(gòu)，其中 所述多個(gè)電磁輻射發(fā)射器定位于所述結(jié)構(gòu)上以使得其圍繞所述主體間隔開；且 所述處理器以軟件可執(zhí)行指令配置以執(zhí)行操作以使得基于每一發(fā)射器與所述主體內(nèi)的所述待處理體積之間的距離來控制所述多個(gè)發(fā)射器中的每一者。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中 所述多個(gè)電磁輻射發(fā)射器中的每一者經(jīng)配置以發(fā)射以偽隨機(jī)波形配置的電磁輻射；且所述處理器以軟件可執(zhí)行指令配置以執(zhí)行操作以使得所述多個(gè)電磁輻射發(fā)射器中的所述每一者中的每一者經(jīng)控制以使得所述電磁輻射在所述待處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉且在所述待處理體積外部隨機(jī)地干涉。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述處理器以軟件可執(zhí)行指令配置以執(zhí)行進(jìn)一步包括以下各項(xiàng)的操作確定所述待處理體積的位置； 計(jì)算每一發(fā)射器與所述待處理體積之間的距離； 計(jì)算所發(fā)射電磁輻射從每一發(fā)射器到所述待處理體積的傳輸時(shí)間；以及 計(jì)算所述多個(gè)發(fā)射器中的每一者的相位滯后，其用以控制所述電磁輻射的發(fā)射。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)電磁輻射發(fā)射器中的每一者是微波發(fā)射器。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述處理器以軟件可執(zhí)行指令配置以執(zhí)行進(jìn)一步包括以下各項(xiàng)的操作 確定所發(fā)射電磁輻射穿過空氣行進(jìn)的距離且將所述距離除以空氣中的光速以獲得第一傳輸時(shí)間部分； 確定所發(fā)射電磁輻射穿過所述主體行進(jìn)的距離且將所述距離除以所述主體的材料中的光速以獲得第二傳輸時(shí)間部分；以及將所述第一與第二傳輸時(shí)間部分相加。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中 所述結(jié)構(gòu)包括具有內(nèi)表面的圓柱體，所述內(nèi)表面界定經(jīng)配置以容納所述主體的內(nèi)部體積；且 所述多個(gè)電磁輻射發(fā)射器定位于所述內(nèi)表面上且圍繞所述內(nèi)表面而分布。
14.一種系統(tǒng),其包括 用于發(fā)射多個(gè)電磁輻射的裝置；以及 用于配置且控制所述用于發(fā)射多個(gè)電磁輻射的裝置以使得所述所發(fā)射電磁輻射在主體內(nèi)的待處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉的裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括 用于圍繞所述主體定位所述用于發(fā)射多個(gè)電磁輻射的裝置的裝置；以及用于基于到所述主體內(nèi)的所述待處理體積的距離來控制所述用于發(fā)射多個(gè)電磁輻射的裝置的裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中 用于發(fā)射多個(gè)電磁輻射的裝置包括用于發(fā)射以偽隨機(jī)波形配置的電磁輻射的裝置；且用于控制所述用于發(fā)射多個(gè)電磁輻射的裝置的裝置控制所述發(fā)射以使得所述電磁輻射在所述待處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉且在所述待處理體積外部隨機(jī)地干涉。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括 用于確定所述待處理體積的位置的裝置； 用于計(jì)算到所述待處理體積的距離的裝置； 用于計(jì)算所述多個(gè)所發(fā)射電磁輻射中的每一者到所述待處理體積的傳輸時(shí)間的裝置；以及 用于計(jì)算所述多個(gè)所發(fā)射電磁輻射中的每一者的相位滯后的裝置，所述相位滯后由所述用于控制所述用于發(fā)射多個(gè)電磁輻射的裝置的裝置使用。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中用于發(fā)射多個(gè)電磁輻射的裝置包括用于發(fā)射微波輻射的裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中用于計(jì)算所述多個(gè)所發(fā)射電磁輻射中的每一者到所述待處理體積的傳輸時(shí)間的裝置包括 用于確定所發(fā)射電磁輻射穿過空氣行進(jìn)的距離且將所述距離除以空氣中的光速以獲得第一傳輸時(shí)間部分的裝置； 用于確定所發(fā)射電磁輻射穿過所述主體行進(jìn)的距離且將所述距離除以所述主體的材料中的光速以獲得第二傳輸時(shí)間部分的裝置；以及用于將所述第一與第二傳輸時(shí)間部分相加的裝置。
20.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其包括 計(jì)算機(jī)可讀媒體，其包括 用于配置且控制多個(gè)電磁輻射發(fā)射器中的每一者以使得所發(fā)射電磁輻射在主體內(nèi)的待處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉的至少一個(gè)指令。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述計(jì)算機(jī)可讀媒體進(jìn)一步包括 用于基于每一發(fā)射器與所述主體內(nèi)的所述待處理體積之間的距離來控制所述多個(gè)發(fā)射器中的每一者的至少一個(gè)指令。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)可讀媒體進(jìn)一步包括用于控制所述多個(gè)電磁輻射發(fā)射器中的每一者以使得具有偽隨機(jī)波形的所述電磁輻射在所述待處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉且在所述待處理體積外部隨機(jī)地干涉的至少一個(gè)指令。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)可讀媒體進(jìn)一步包括 用于確定所述待處理體積的位置的至少一個(gè)指令； 用于計(jì)算每一發(fā)射器與所述待處理體積之間的距離的至少一個(gè)指令； 用于計(jì)算所發(fā)射電磁輻射從每一發(fā)射器到所述待處理體積的傳輸時(shí)間的至少一個(gè)指令；以及 用于計(jì)算所述多個(gè)發(fā)射器中的每一者的相位滯后的至少一個(gè)指令，所述相位滯后用以控制所述電磁輻射的發(fā)射。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)可讀媒體進(jìn)一步包括 用于確定所發(fā)射電磁輻射穿過空氣行進(jìn)的距離且將所述距離除以空氣中的光速以獲得第一傳輸時(shí)間部分的至少一個(gè)指令； 用于確定所發(fā)射電磁輻射穿過所述主體行進(jìn)的距離且將所述距離除以所述主體的材料中的光速以獲得第二傳輸時(shí)間部分的至少一個(gè)指令；以及用于將所述第一與第二傳輸時(shí)間部分相加的至少一個(gè)指令。
全文摘要
方法和系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)使用微波或其它電磁輻射來熱處理主體的一部分而不危害所述主體的其它部分。在實(shí)施例中，多個(gè)電磁輻射發(fā)射器定位于熱處理系統(tǒng)內(nèi)且耦合到控制處理器。所述電磁輻射可作為偽隨機(jī)波形來發(fā)射且可為微波輻射。所述控制處理器協(xié)調(diào)所述發(fā)射器以使得所發(fā)射電磁輻射在處理體積內(nèi)相長(zhǎng)地干涉，同時(shí)穿過所述主體的其余部分的輻射隨機(jī)地干涉或表現(xiàn)為噪聲。因此，在其中所述電磁輻射波形同相地到達(dá)的體積中，所有所述發(fā)射器的功率相長(zhǎng)地相加，從而導(dǎo)致顯著的溫度上升，同時(shí)所述主體的其余部分暴露于低得多的平均功率電平且因此較低的溫度上升。
文檔編號(hào)A61N1/40GK102802724SQ201080025851
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2010年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月10日
發(fā)明者格雷戈里·G·羅絲 申請(qǐng)人:高通股份有限公司