專利名稱：一種去除硅片表面雜質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種硅片的清潔方法，尤其涉及的是一種去除硅片表面雜質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
硅片是以硅材料制作的片狀物體，硅片表面污染物主要包括有機(jī)物，顆粒污染和 金屬離子玷污等，它們通常以物理吸附和化學(xué)的方式存在于硅片的表面或硅片的自身氧化 膜中，難以去除。對正常清洗工藝之后，仍有一些無法去除的雜質(zhì)，包括有機(jī)物、金屬和 SIC等，由于清洗工藝需要一個較長的流程，需要大量的清洗裝置和大量的清洗液，并且消 耗大量的電力以及時間，特別是裝置都有較大的體積，綜合考慮節(jié)約時間、節(jié)約成本、節(jié)約 能源和清洗效果，需要一種新的方法來去除正常清洗工藝之后仍殘留的雜質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種去除硅片表面雜 質(zhì)的方法，利用紫外線的照射臭氧，會產(chǎn)生氧化能力更強(qiáng)羥基自由基，可分解大多數(shù)的有機(jī) 物，對金屬也有很好的氧化作用。技術(shù)方案本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，本發(fā)明包括以下步驟(1)將硅片放入密閉容器中，在密閉容器中使用紫外線燈照射，紫外線燈的能量不 小于 600mj/cm2 ；(2)在密閉容器中通入臭氧，溫度20 50°C，時間不少于60s，使硅片的表面生成 氧化層；(3)將密閉的容器中通入堿液超聲洗不少于200s，溫度是0 50°C ；(4)將表面活性劑通入密閉容器超聲洗不少于200s，溫度是0 50°C ；(5)將硅片用純水超聲洗不少于200s，溫度是0 50°C ；(6)硅片用無水乙醇洗后烘干成品。所述的超聲波功率是1. 8KW，頻率為40KHz。所述的步驟(3)中堿液的PH值為9 14，堿液選自以下組合中的一種或多種醇 鈉、烴基鈉、烴基鋰、苛性堿及季銨堿。所述的步驟(4)中表面活性劑的濃度是0.5% 30%，表面活性劑選自以下組合 中的一種或多種聚氧乙烯失水山梨醇單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐單油酸酯及脂肪醇 聚氧乙烯醚。本發(fā)明的工作原理是利用紫外線的照射臭氧，會產(chǎn)生氧化能力更強(qiáng)羥基自由基， 對硅片表面的有機(jī)物雜質(zhì)，金屬等進(jìn)行氧化，并且硅片表面也形成氧化層，用堿液腐蝕后利 用低表面張力的硅表面，并利用超聲波等使雜質(zhì)難以再次吸附上去。有益效果本發(fā)明對無機(jī)物和有機(jī)物同樣有效，并且在處理過程中不會對硅片造 成損害，即使用本方法對硅片處理時間超過4h，硅片表面依然完好，且操作便捷，設(shè)備簡單。
具體實(shí)施例方式下面對本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說明，本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行 實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施 例。實(shí)施例1本實(shí)施例包括以下步驟(1)將硅片放入密閉容器中，在密閉容器中使用紫外線 燈照射，紫外線燈的能量是600mj/cm2 ；(2)在密閉容器中通入臭氧，25°C，時間為500s，使硅片的表面生成氧化層；(3)將密閉的容器中通入PH值為13.5的四甲基氫氧化銨溶液超聲洗500s，超聲 波功率是1. 8KW，頻率為40KHz，溫度是30°C ；(4)將表面活性劑通入密閉容器超聲洗500s，超聲波功率是1.8KW，頻率為40KHz， 溫度是30°C ；(5)將硅片用純水超聲洗600s，超聲波功率是1. 8KW，頻率為40KHz，溫度是30°C ；(6)硅片用無水乙醇洗后烘干成品。所述的步驟⑷中表面活性劑是吐溫20 吐溫80 = 1 1，濃度為15%。在對本實(shí)施例的硅片進(jìn)行長達(dá)4個小時的處理后，硅片表面仍然完好無損。清潔 度大于99%。實(shí)施例2本實(shí)施例包括以下步驟(1)將硅片放入密閉容器中，在密閉容器中使用紫外線 燈照射，紫外線燈的能量是700mj/cm2 ；(2)在密閉容器中通入臭氧，溫度50°C，時間300s，使硅片的表面生成氧化層；(3)將密閉的容器中通入PH值為14的氫氧化鉀溶液超聲洗800s，超聲波功率是 1. 8KW，頻率為40KHz，溫度是50 °C ；(4)將表面活性劑通入密閉容器超聲洗800s，超聲波功率是1. 8KW，頻率為40KHz， 溫度是50°C ；(5)將硅片用純水超聲洗800s，超聲波功率是1. 8KW，頻率為40KHz，溫度是50°C ；(6)硅片用無水乙醇洗后烘干成品。所述的步驟(4)中表面活性劑是濃度為10%的AE0_9(脂肪醇聚氧乙烯醚)。在對本實(shí)施例的硅片進(jìn)行長達(dá)4個小時的處理后，硅片表面仍然完好無損。清潔 度大于99%。
權(quán)利要求
一種去除硅片表面雜質(zhì)的方法，其特征在于，包括以下步驟(1)將硅片放入密閉容器中，在密閉容器中使用紫外線燈照射，紫外線燈的能量不小于600mj/cm2；(2)在密閉容器中通入臭氧，溫度20～50℃，時間不少于60s，使硅片的表面生成氧化層；(3)將密閉的容器中通入堿液超聲洗不少于200s，溫度是0～50℃；(4)將表面活性劑通入密閉容器超聲洗不少于200s，溫度是0～50℃；(5)將硅片用純水超聲洗不少于200s，溫度是0～50℃；(6)硅片用無水乙醇洗后烘干成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除硅片表面雜質(zhì)的方法，其特征在于所述的步驟(3) 中堿液的PH值為9 14。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種去除硅片表面雜質(zhì)的方法，其特征在于所述的堿 液選自以下組合中的一種或多種醇鈉、烴基鈉、烴基鋰、苛性堿及季銨堿。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除硅片表面雜質(zhì)的方法，其特征在于所述的步驟(4) 中表面活性劑的濃度是0. 5% 30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種去除硅片表面雜質(zhì)的方法，其特征在于表面活性 劑選自以下組合中的一種或多種聚氧乙烯失水山梨醇單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐單 油酸酯及脂肪醇聚氧乙烯醚。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除硅片表面雜質(zhì)的方法，其特征在于所述的超聲波 功率是1. 8KW，頻率為40KHz。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種去除硅片表面雜質(zhì)的方法，將硅片放入密閉容器中，在密閉容器中使用紫外線燈照射；在密閉容器中通入臭氧，溫度20～50℃，時間不少于60s，使硅片的表面生成氧化層；將密閉的容器中通入堿液超聲洗不少于200s，溫度是0～50℃；將表面活性劑通入密閉容器超聲洗不少于200s，溫度是0～50℃；將硅片用純水超聲洗不少于200s，溫度是0～50℃；硅片用無水乙醇洗后烘干成品。本發(fā)明在處理過程中不會對硅片造成損害，操作便捷，設(shè)備簡單。
文檔編號B08B3/12GK101875048SQ20101021461
公開日2010年11月3日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者葉淳超, 夏恒軍, 楊福山 申請人:國電光伏(江蘇)有限公司