專利名稱：一種晶閘管芯片的化學清洗方法
技術領域：
本發(fā)明涉及晶閘管生產(chǎn)エ藝中原始硅片的化學清洗技術領域，特別涉及ー種3000V以下晶閘管芯片的化學清洗方法。
背景技術：
由于大功率晶閘管的應用越來越廣泛，其生產(chǎn)廠家也逐漸增多，市場競爭日益激烈，價格競爭更加殘酷，降低生產(chǎn)成本成為了各家公司的當務之急。原有的生產(chǎn)エ藝中化學清洗時很重要的一個環(huán)節(jié)，十分的繁瑣且費用較大，占晶閘管成本的很大一部分。原有清洗エ藝中強酸，強堿大量使用，甚至還有王水等強腐蝕液體的存在，給員エ的人身安全帶來ー定的隱患，且費エ費時，化藥耗費很大。
晶閘管生產(chǎn)エ藝對清潔度有很高的要求，原始硅片的污染物主要分為外來無機物和有機物兩大類，其中無機物主要為灰塵顆粒和金屬離子，有機物主要是手指撫摸后附著的油脂，由于離子污染一般產(chǎn)生于各道エ藝過程中，如何在滿足生產(chǎn)和降低成本之間找到ー個平衡點顯得尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種晶閘管芯片的化學清洗方法，克服現(xiàn)有技術的不足，為了降低成本，對硅片上可能存在的雜質(zhì)污染進行針對性的清洗，在不影響產(chǎn)品質(zhì)量的前提下減少化藥的使用，方便快捷的完成化學清洗。節(jié)約清洗費用，提高工作效率可以使生產(chǎn)成本降低，使企業(yè)在市場上更有競爭カ。為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案是一種晶閘管芯片的化學清洗方法，針對無機類污染物采用超聲波+混合酸液的方法清洗，針對有機類污染物采用超聲波+DZ-I電子清洗劑及混合氨液的兩步清洗法，其具體操作步驟如下I)將上架后的硅片放入裝有DZ-I電子清洗劑的容器中，硅片沒入DZ-I電子清洗劑中，超聲清洗30-35分鐘，超聲波頻率為2-5MHz，然后用去離子水沖洗干凈；2)將步驟I)中沖洗干凈的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合酸液一，超聲清洗30-35分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，所述混合酸液的配制體積比為HF HCL 去離子水=I I 100 ；3)將步驟2)中沖洗干凈的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合氨液，將容器加熱，保持藥液沸騰5-10分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，所述混合氨液的配制體積比為 H2O2 NH4OH 去離子水=I 2 20 ；4)將步驟3)中沖洗干凈的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合酸液ニ，將容器加熱，保持藥液沸騰5-10分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，所述混合酸液ニ的配制體積比為H202 HCL 去離子水=I : 2 : 20。5)將步驟4)中清洗干凈后的硅片放在烘箱中，烘干1-2小吋。
所述去離子水的電阻率不低于15兆歐姆。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是1)針對無機類污染物采用超聲波+混合酸液的方法清洗，HF和HCL加強了清洗效果，減少超聲時間，提高清洗效率；2)分別采用DZ-I電子清洗劑和混合氨液對有機類污染物進行兩次清洗，由于采用了相對稀釋的化學溶液，可以節(jié)約化藥成本，整體エ藝組合后可以滿足エ藝生產(chǎn)的清潔度要求，并且生產(chǎn)成本較低。
具體實施例方式下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明的作進ー步說明本發(fā)明ー種晶閘管芯片的化學清洗方法，針對不同的無機類污染物采用超聲波+混合酸液的方法清洗，針對有機類污染物采用超聲波+DZ-I電子清洗劑及混合氨液的兩步清洗法，其具體操作步驟如下
I)將上架后的硅片放入裝有DZ-I電子清洗劑的容器中，硅片沒入DZ-I電子清洗劑中，超聲清洗30-35分鐘，超聲波頻率為2-5MHZ，確保震動力量足夠，然后用去離子水沖洗干凈；2)將步驟I)中沖洗干凈的硅片放入石英箱中，向石英箱中倒入配制好的混合酸液一，超聲清洗30-35分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，所述混合酸液的配制體積比為HF HCL 去離子水=I I 100 ；3)將步驟2)中沖洗干凈的硅片放入石英箱中，向石英箱中倒入配制好的混合氨液，將石英箱用電爐加熱，從藥液沸騰開始計時，保持藥液沸騰5-10分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，所述混合氨液的配制體積比為H2O2 NH4OH :去離子水=I 2 20；4)將步驟3)中沖洗干凈的硅片放入石英箱中，向石英箱中倒入配制好的混合酸液ニ，將石英箱用電爐加熱，從藥液沸騰開始計時，保持藥液沸騰5-10分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，所述混合酸液ニ的配制體積比為=H2O2 HCL :去離子水=I : 2 : 20。5)將步驟4)中清洗干凈后的硅片送到擴散的烘箱中，烘干1-2小吋。所述去離子水的電阻率不低于15兆歐姆。實施例中DZ-I電子清洗劑購自濟南矽華科技有限公司。對于無機類的顆粒污染，采用超聲振動的方式，能讓顆粒物在振動中與硅片脫離，在超聲的同時加入混合酸液一，HF和HCL能加強清洗效果，減少超聲時間，提高清洗效率；離子污染一般產(chǎn)生于各道エ藝過程中，所以針對エ藝過程采取針對性清洗，主要以混合酸液ニ為主進行清洗。對于有機類的油脂污染，先采用DZ-I電子清洗劑加超聲清洗來對表面的有機物進行第一次去除，然后再采用混合氨液對表面進行第二次處理，提高清洗效果。實施例中的參數(shù)范圍內(nèi)，都能取得滿意的清洗效果，生產(chǎn)成本較低。
權(quán)利要求
1.一種晶閘管芯片的化學清洗方法，其特征在干，針對無機類污染物采用超聲波+混合酸液的方法清洗，針對有機類污染物采用超聲波+DZ-I電子清洗劑及混合氨液的兩步清洗法，其具體操作步驟如下 1)將上架后的硅片放入裝有DZ-I電子清洗劑的容器中，硅片沒入DZ-I電子清洗劑中，超聲清洗30-35分鐘，超聲波頻率為2-5MHz，然后用去離子水沖洗干凈； 2)將步驟I)中沖洗干凈的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合酸液一，超聲清洗30-35分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，所述混合酸液的配制體積比為HF : HCL :去離子水=I I 100 ； 3)將步驟2)中沖洗干凈的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合氨液，將容器加熱，保持藥液沸騰5-10分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，所述混合氨液的配制體積比為H2O2 NH4OH 去離子水=I 2 20 ； 4)將步驟3)中沖洗干凈的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合酸液ニ，將容器加熱，保持藥液沸騰5-10分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，所述混合酸液ニ的配制體積比為H202 HCL 去離子水=I : 2 : 20。
5)將步驟4)中清洗干凈后的硅片放在烘箱中，烘干1-2小吋。
2.根據(jù)權(quán)利要求I中所述的ー種晶閘管芯片的化學清洗方法，其特征在于，所述去離子水的電阻率不低于15兆歐姆。
全文摘要
本發(fā)明涉及晶閘管生產(chǎn)工藝中原始硅片的化學清洗技術領域，特別涉及一種3000V以下晶閘管芯片的化學清洗方法，其特征在于，針對無機類污染物采用超聲波+混合酸液的方法清洗，針對有機類污染物采用超聲波+DZ-1電子清洗劑及混合氨液的兩步清洗法。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是1)針對無機類污染物采用超聲波+混合酸液的方法清洗，HF和HCL加強了清洗效果，減少超聲時間，提高清洗效率；2)分別采用DZ-1電子清洗劑和混合氨液對有機類污染物進行兩次清洗，由于采用了相對稀釋的化學溶液，可以節(jié)約化藥成本，整體工藝組合后可以滿足工藝生產(chǎn)的清潔度要求，并且生產(chǎn)成本較低。
文檔編號B08B3/12GK102671890SQ20121013215
公開日2012年9月19日 申請日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者孫鳳軍, 張金宇, 趙巍巍, 高軍 申請人:鞍山市聯(lián)達電子有限公司