溢膠清除裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型溢膠清除裝置包括一承載區(qū)、一環(huán)槽、至少一第一通道及至少一第二通道。該環(huán)槽環(huán)繞該承載區(qū)，且其槽口環(huán)繞該承載區(qū)。該第一通道連通該環(huán)槽，且用以對該環(huán)槽注入一正壓氣體，該正壓氣體帶有有機(jī)溶液的成分。該第二通道連通該環(huán)槽，且用以對該環(huán)槽注入一負(fù)壓氣體，該負(fù)壓氣體用以對該環(huán)槽產(chǎn)生吸力。
【專利說明】溢膠清除裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是與半導(dǎo)體或液晶顯示器制程設(shè)備有關(guān)，特別是指一種用于清除溢膠的溢膠清除裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)在進(jìn)行壓合制程時，通常會先在半導(dǎo)體設(shè)備上提供一黏膠，例如紫外線硬化接著劑(UV膠)，接著，利用半導(dǎo)體設(shè)備將一半導(dǎo)體基板與該黏膠壓合，以使該黏膠均勻分布在該半導(dǎo)體基板上。然而，在壓合的過程中，往往該黏膠會受到壓合的推擠，而有部分黏膠自然地溢出該半導(dǎo)體基板的外周圍，因此，在產(chǎn)品完成前，需將該半導(dǎo)體基板的外周圍的溢膠清除。而傳統(tǒng)清除溢膠的方式有人工擦拭、黏膠黏除及利用刮刀刮除等，但利用這些方式清除溢膠，都有可能會損壞該半導(dǎo)體基板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于【背景技術(shù)】所述的缺失，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體基板的溢膠清除裝置利用正壓氣體來吹向溢膠，及利用負(fù)壓氣體將溢膠吸除，而達(dá)到清除溢膠的目的，且不會損壞半導(dǎo)體基板。
[0004]本實(shí)用新型的半導(dǎo)體基板的溢膠清除裝置包括一承載區(qū)、一環(huán)槽、至少一第一通道及至少一第二通道。該環(huán)槽環(huán)繞該承載區(qū)，且其槽口環(huán)繞該承載區(qū)。該第一通道連通該環(huán)槽，且用以對該環(huán)槽注入一正壓氣體，該正壓氣體帶有有機(jī)溶液的成分。該第二通道連通該環(huán)槽，且用以對該環(huán)槽注入一負(fù)壓氣體，該負(fù)壓氣體用以對該環(huán)槽產(chǎn)生吸力。
[0005]如此，本實(shí)用新型的溢膠清除裝置就可以利用該正壓氣體的有機(jī)溶液的成分對該半導(dǎo)體基板的溢膠產(chǎn)生反應(yīng)，而使該溢膠的黏性降低，以利該負(fù)壓氣體將該溢膠從第二通道吸除。
[0006]較佳地，該環(huán)槽具有一第一側(cè)壁、一第二側(cè)壁及一底部。該第一及第二兩側(cè)壁系相面對。該第一側(cè)壁的頂邊連接該承載區(qū)的周緣。該第一及第二側(cè)壁的底邊分別連接該底部。該底部正對該槽口。其中，該第一通道的出口形成于該環(huán)槽的底部，且鄰近該環(huán)槽的第一側(cè)壁。該第二通道的入口形成于該環(huán)槽的底部，且鄰近該環(huán)槽的第二側(cè)壁。由于該第一及第二通道位于在該環(huán)槽內(nèi)，所以本實(shí)用新型的溢膠清除裝置可藉由該第一通道吹出的正壓氣體，將該溢膠吹往第二通道周圍，而讓該溢膠接近該第二通道。
[0007]綜合上述，由于本實(shí)用新型溢膠清除裝置具有上述的結(jié)構(gòu)，使得本實(shí)用新型的溢膠清除裝置能有效將該半導(dǎo)體基板的溢膠清除，且不會損壞該半導(dǎo)體基板。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1繪示本實(shí)用新型的溢膠清除裝置的立體圖。
[0009]圖2繪示圖1的局部剖視圖。
[0010]圖3繪示圖2的圈選部份的局部放大圖。[0011]圖4及圖5分別繪示應(yīng)用本實(shí)用新型溢膠清除裝置的薄膜成型設(shè)備的示意圖。
[0012]圖6繪示半導(dǎo)體基板周圍產(chǎn)生溢膠現(xiàn)象的示意圖。
[0013]圖7繪示圖6的局部放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]如圖1至圖3所示，本實(shí)用新型溢膠清除裝置10是用以承載一半導(dǎo)體基板或一玻璃基板，本實(shí)施例以半導(dǎo)體基板為例來作說明。該溢膠清除裝置10用以吸除該半導(dǎo)體基板的溢膠。該溢膠清除裝置10包括一承載區(qū)12、一環(huán)槽14、至少一第一通道16及至少一第二通道18。該承載區(qū)12用以承載該半導(dǎo)體基板，于此實(shí)施例中，該承載區(qū)12為一平面，但實(shí)際上，該承載區(qū)12形成有特定圖案的凹槽，因此，該承載區(qū)12不侷限于平面或凹槽。該環(huán)槽14環(huán)繞該承載區(qū)12。該第一通道16連通該環(huán)槽14，且用以對該環(huán)槽14注入一正壓氣體。該正壓氣體帶有有機(jī)溶液的珠液，該有機(jī)溶液可以是酒精、丙酮等。該第二通道18連通該環(huán)槽14，且用以對該環(huán)槽14注入一負(fù)壓氣體，用以對該環(huán)槽14產(chǎn)生吸力。
[0015]如圖4及圖5所示，于此實(shí)施例中，本實(shí)用新型溢膠清除裝置10用于半導(dǎo)體制程，例如:薄膜成型設(shè)備。薄膜成型設(shè)備用以在半導(dǎo)體基板的表面上形成薄膜。該薄膜成型設(shè)備具有一承載裝置50及本實(shí)用新型溢膠清除裝置10。該承載裝置50用以吸住該半導(dǎo)體基板30，并于本實(shí)用新型溢膠清除裝置的承載區(qū)內(nèi)提供一黏膠70，于此實(shí)施例中，該黏膠是UV固化膠。接著，該承載裝置50吸住該半導(dǎo)體基板30，且與該溢膠清除裝置10相互壓合，以使該半導(dǎo)體基板30及該承載區(qū)12相互抵靠，而讓該黏膠70均勻分布于該半導(dǎo)體基板30的表面上。
[0016]如圖6及圖7所示，由于該黏膠70是借由該半導(dǎo)體基板30與該承載區(qū)12相互壓合抵靠，而使該黏膠70擴(kuò)散分布至該半導(dǎo)體基板30的表面上，但實(shí)務(wù)上，壓合過程中，往往使得該黏膠70溢出該承載區(qū)12，而產(chǎn)生溢膠71的現(xiàn)象。
[0017]因此，本實(shí)用新型溢膠清除裝置10可利用該第一通道16吹入帶有有機(jī)溶液成分的正壓氣體至該環(huán)槽14，并該正壓氣體從該環(huán)槽14的槽口吹向溢出該承載區(qū)12的溢膠71，而使位于該溢膠71接觸到該正壓氣體，如此，該溢膠71會受到正壓氣體的影響而融化，以降低該溢膠71的黏性，而該第二通道18內(nèi)的負(fù)壓氣體對該環(huán)槽14產(chǎn)生吸力，使得該黏性降低的溢膠71受該負(fù)壓氣體影響，而吸入該第二通道18內(nèi)。所以，本實(shí)用新型溢膠清除裝置10可利用帶有有機(jī)溶液成分的正壓氣體來使該溢膠71的黏性降低，并借由該第二通道18的負(fù)壓氣體吸除該黏性降低的溢膠71，而提高該第二通道18的負(fù)壓氣體吸除該溢膠71的效率。
[0018]需要注意的是，雖然本實(shí)施例中是以正壓氣體帶有有機(jī)溶液的珠液為例來作說明，但實(shí)務(wù)中，若該正壓氣體就可以將該溢膠71吹至使該負(fù)壓氣體吸除的位置，這樣，該正壓氣體就不需要有機(jī)溶液，所以，該正壓氣體不以帶有有機(jī)溶液的珠液為限。
[0019]該環(huán)槽14的槽口正對該半導(dǎo)體基板的溢膠71，且具有一第一側(cè)壁141、一第二側(cè)壁142及一底部143。該第一及第二兩側(cè)壁141、142相面對。該第一側(cè)壁的141頂邊連接該承載區(qū)12的周緣。該第一及第二兩側(cè)壁141、142的底邊分別連接該底部143。該底部143正對該槽口。其中，該第一通道16的出口形成于該環(huán)槽14的底部143，且鄰近該環(huán)槽14的第一側(cè)壁141，于此實(shí)施例中，該第一通道16的出口環(huán)繞該環(huán)槽14的底部143，以使該正壓氣體可均勻地吹向該半導(dǎo)體基板30的溢膠71。該第二通道18的入口形成于該環(huán)槽14的底部143，且鄰近該環(huán)槽14的第二側(cè)壁142，于此實(shí)施例中，該環(huán)槽14的底部143形成多個第二通道18的入口，以吸除該溢膠71。這樣，從該第一通道16吹出的正壓氣體，不僅可使該溢膠71的黏性降低，也可以將該溢膠71吹向該第二通道18的入口，而使該溢膠71更容易被第二通道18內(nèi)的負(fù)壓氣體吸除。
[0020]其中，該環(huán)槽14的底部143具有一環(huán)平面144及一斜面145。該環(huán)平面144的內(nèi)邊連接該第一側(cè)壁141的底邊。該環(huán)平面144的外邊連接該斜面145的頂邊。該斜面145的底邊低于該斜面145的頂邊，以使該溢膠71順著該斜面145流至該第二通道18的入口。
[0021]需要注意的是，若該第二通道的負(fù)壓氣體足以將該溢膠確實(shí)清除，該環(huán)槽的底部結(jié)構(gòu)就不限于前述的環(huán)平面及斜面。再者，該斜面也可以利用弧形面來代替，故不以該斜面為限。再者，若該第二通道與第一通道是相同結(jié)構(gòu)，這樣，該第二通道的入口就只要有一個。
[0022]雖然，本較佳實(shí)施例是以半導(dǎo)體制程中的薄膜成型設(shè)備為例來作說明，但在實(shí)務(wù)中，本實(shí)用新型溢膠清除裝置也可以被應(yīng)用于其他需要清除溢膠的設(shè)備中，所以，本實(shí)用新型的溢膠清除裝置不以此所述的薄膜成型設(shè)備為限。
【權(quán)利要求】
1.一種溢膠清除裝置，其特征在于，包括: 一承載區(qū)； 一環(huán)槽，其槽口環(huán)繞該承載區(qū)； 至少一第一通道，連通該環(huán)槽，且用以對該環(huán)槽注入一正壓氣體；及 至少一第二通道，連通該環(huán)槽，且用以對該環(huán)槽注入一負(fù)壓氣體，該負(fù)壓氣體對該環(huán)槽產(chǎn)生吸力。
2.根據(jù)專利權(quán)利要求1所述的溢膠清除裝置，其特征在于，該環(huán)槽具有一第一側(cè)壁、一第二側(cè)壁及一底部，該第一及第二兩側(cè)壁相面對，該第一側(cè)壁的頂邊連接該承載區(qū)的周緣，該第一及第二兩側(cè)壁的底邊分別連接該底部，該底部正對該槽口，其中，該第一通道的出口形成于該環(huán)槽的底部，且鄰近該環(huán)槽的第一側(cè)壁，該第二通道的入口形成于該環(huán)槽的底部，且鄰近該環(huán)槽的第二側(cè)壁。
3.根據(jù)專利權(quán)利要求2所述的溢膠清除裝置，其特征在于，該環(huán)槽的底部具有一環(huán)平面及一斜面，該環(huán)平面的內(nèi)邊連接該第一側(cè)壁的底邊，該環(huán)平面的外邊連接該斜面的頂邊，該斜面的底邊低于該斜面的頂邊。
【文檔編號】B08B5/04GK203508494SQ201320403617
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月8日
【發(fā)明者】邱建清, 陳贊仁 申請人:東捷科技股份有限公司