專利名稱：用于清除不必要感光樹脂的稀釋劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導體元件等工藝中，用以清除spin-on-glass以及感光樹脂組合物的稀釋劑組合物，特別是涉及一種，用以清除，以旋轉(zhuǎn)涂覆的方法，把具有硅氧烷鍵的有機硅化合物的低分子量聚合物溶液涂覆在基板上而形成中間絕緣層時，在基板的邊緣(edge)部分以及在基板后部產(chǎn)生的SOG層的多余spin-on-glass(SOG)，或者用以清除，在光刻工藝中，以光罩(mask)使用的感光樹脂，在基板的邊緣部以及在基板后面形成的感光膜使用的稀釋劑組合物。
隨著大規(guī)模集成電路(Large Scale Integrated circuit；以下稱LSI)的微細化、高集成化以及多層化的發(fā)展，各元件的寬度和距離，即，金屬配線間的間隔越來越小。另一方面，為了不增加導線的電阻及電流密度，所以金屬導線的高度幾乎不可能得到減少。因此，隨著金屬配線間橫向側(cè)間距的極度減少，配線的高度自然就必須增高。這種配線是通過各向異性很強的蝕刻方法而形成，因此，配線具有很強的坡度，并使配線的交叉以及孔的數(shù)目增多。此外，由于配線的多層化，最終使LSI芯片的表面斷差更為嚴重。
在這種凹凸不平的表面上形成配線時，因各異向性蝕刻配線圖案時，在基板斷差側(cè)壁產(chǎn)生的蝕刻殘渣，而有可能使導線發(fā)生短路。為了解決這種問題，要求最大限度地減少配線層間的斷差，而使其保持水平狀態(tài)。特別是，如果第1鋁配線層上的層間絕緣膜的表面不夠平坦，那么，這種情況就有可能會成為上層配線發(fā)生短路，及在可靠性試驗中發(fā)生不良的原因。
因此，在半導體多層配線工藝中，在配線與配線之間起絕緣層作用，以及在下一配線工藝前，使配線平坦化而使用硅氧烷低分子量聚合物溶液〔稱為spin-on-glass(SOG)〕。該SOG的一般結(jié)構(gòu)由下面所示的化學式1表示，其在-Si-O-Si-主鏈上結(jié)合有烷基側(cè)鏈。
其中，n為等于或大于1的整數(shù)。
上述SOG公開在文獻(Joumal of Vacuum Science and Technology第A9卷No.5，1991，p2696)，以及日本專利公開，昭62-230828號、日本專利公開，平7-242747號及日本專利公開，平9-260384號等中。
另外，在日本專利公開，平9-36110號及日本專利公開，平8-203876號等中，公開了一種在半導體設(shè)備中可圖案化(patterning)的絕緣膜上，給SOG賦予感光特性的材料。
在形式中間絕緣層時，把具有硅氧烷鍵的有機硅化合物的低分子量聚合物溶液，旋轉(zhuǎn)涂覆在基板上，并進行烘烤，通過熱縮合聚合而形成氧化硅絕緣膜。這種spin-on-glass工藝是利用溶液進入到間距非常微小的配線之間，從而可減少斷差，使表面平坦化。而且，縮合聚合反應是在400℃以下進行，因此可實現(xiàn)絕緣膜形成過程的低溫化。另外，因形成的絕緣膜是氧化硅質(zhì)膜，所以可使用通常的加工技術(shù)，如蝕刻技術(shù)。
這種把SOG溶液旋轉(zhuǎn)涂覆在基板上而形成膜的工藝與后述的光刻工藝相同，清除旋轉(zhuǎn)涂覆時產(chǎn)生于基板邊緣和背面不必要的SOG是必須的。
稀釋劑組合物，能夠迅速、徹底地清除這些產(chǎn)生于基板邊緣部分以及基板后部的SOG。另外，該稀釋劑組合物，還可有效地清除，為了體現(xiàn)微細線路圖案而在光刻工藝中做為光罩使用的感光樹脂，在旋轉(zhuǎn)涂覆時所產(chǎn)生的不必要的感光樹脂。
在半導體元件的制造工藝中，光刻工藝(photolithography)是指，在基板上涂覆感光樹脂、按預定的原始設(shè)計轉(zhuǎn)錄圖案及按照轉(zhuǎn)錄的圖案通過蝕刻而形成電路的作業(yè)過程。
這種光刻工藝包括a)在基板表面上，均勻地涂覆感光樹脂的涂覆工藝；b)從涂覆的感光樹脂(光阻層)中蒸發(fā)掉溶劑，使光阻層與晶片(wafer)的表面相粘結(jié)的軟烘焙(soft baking)工藝；
c)利用紫外線等光源，把光罩上的線路圖案反復地、順次地縮小投影，使基片曝光，從而使光罩上的圖案轉(zhuǎn)錄到基板上的曝光工藝；d)對因光源的曝光而形成的物理性質(zhì)不同(比如溶解度)的部分，利用顯像液進行選擇性清除的顯像工藝；e)顯像后，為了使殘留在基板上的光阻層更緊密地粘貼而進行的牢固烘焙(hard baking)工藝；f)為了給顯像于基板上的圖案賦予電氣特性而對預定的部位進行蝕刻的蝕刻工程；和g)在完成上述工藝后，對不必要的光阻層部分進行清除的剝離工藝。
為了通過這種光刻工藝最終形成半導體集成電路，而應在基板上形成多數(shù)的微細電路圖案。在這種工藝中，因電路配線間的間距非常小，所以應防止外部材料如顆粒的進入。存在于基板上的粒子，會給蝕刻或離子注入等后續(xù)工藝帶來不良的影響，這種多余粒子有可能會降低整個工程的收率。這種多余粒子的主要發(fā)生處是，在基板上涂覆感光性溶液時，形成于基板周邊部的不被使用的感光液。
這種小球狀的感光性物質(zhì)，是在上述光刻工藝中，給上述基板涂覆感光膜，并為了使其均勻分布在表面上而利用離心力原理旋轉(zhuǎn)基板時產(chǎn)生的。這種旋轉(zhuǎn)涂覆工藝，由于離心力作用，使光阻物質(zhì)集中在基板的周邊部和后面，從而形成小球狀物質(zhì)。這種小球狀物質(zhì)經(jīng)烘焙工藝后，在基板的搬運過程中會被剝離而成為裝置中的粒子，也會成為曝光時散焦(defocus)的原因。這種不必要的感光物質(zhì)成了污染裝備的原因，它降低了元件的收率。為了清除這種粒子，現(xiàn)在使用的方法是，在基片的邊緣部和后面的上下部，設(shè)置噴射噴嘴，并通過噴射噴嘴，噴出由有機溶劑構(gòu)成的稀釋液而清除這些過多的感光物質(zhì)。
化學增幅型抗蝕劑(chemically amplified resist)的實質(zhì)如下。在利用由(novolak)苯酚樹脂構(gòu)成的化學增幅抗蝕劑而形成圖案的方式中，曝光用光源由過去使用的G/I-線光源，變?yōu)榧钗锛す?excimer laser)光源時，因粘結(jié)劑樹脂以及交聯(lián)劑的吸收作用，所形成的圖案成為倒錐形(taper)。參照(JournalVacuum Science Technology.Vol.B7，p1771，1989)為解決該問題，提出了正(positive)型化學增幅抗蝕劑，該技術(shù)記載于文獻(Proc.SPIE.，Vol.1262，p32，1990)中。該化學增幅抗蝕劑，是由當照射放射線時，產(chǎn)生酸的酸發(fā)生劑以及能夠與酸發(fā)生反應的化合物組成的多組分組合物。因酸而發(fā)生反應的高分子化合物，具有下面化學式2所示的結(jié)構(gòu)
其中，n為大于或等于1的整數(shù)，R為烷氧羰基，烷基，烷氧烷基，烷基甲硅烷基，四氫吡喃基(tetrahydropyranyl group)，烷基羰基甲基等，能夠因酸的作用而很容易發(fā)生分解反應的物質(zhì)。因為這種化學增幅抗蝕劑以短波長范圍發(fā)生光吸收高分子化合物如聚乙烯苯酚(polyvinyl phenol)衍生物為主要成分，所以化學增幅抗蝕劑的透明性好。并且，通過酸的催化劑作用而發(fā)生的連鎖反應，使抗蝕劑發(fā)生反應，從而使其具有很高的感光度及顯像度(分辨率)。
如前述，因聚乙烯苯酚衍生物對激勵物激光的透過率很高，所以基板下部的反射光，對膜內(nèi)部的多重反射效果起很強的作用。如圖5所示，膜內(nèi)部的多重反射效果，是因照射光1與下部基板2的反射光的干涉而發(fā)生。從圖6可知，隨著保護層(resist film)厚度的變化，圖案的尺寸也發(fā)生很大的變化。
除此以外，曝光時，因不同的照射光源，還有可能發(fā)生多種問題。比如，用水銀光曝光時，因半導體基板斷差而發(fā)生的反射光的干涉作用，會對圖案尺寸的變化起很大影響。在該光刻工藝中，如果基板凹凸不平或有斷差，那么，入射光在斷差部分將發(fā)生散射，即發(fā)生所謂暈光(halation)現(xiàn)象，使圖案變形，從而無法形成很好的保護層圖案。
另外，在基板的上部和下部，保護層的厚度互不相同，所以，在保護層內(nèi)，光的干涉現(xiàn)象會發(fā)生變化，從而引起圖案尺寸的變化。另外，利用激發(fā)物激光進行曝光時，會因電子的后散亂作用而引起接近效果，所以，無法調(diào)整微細圖案的高度和間隔比。
為了解決上述因基板表面的凹凸不平而產(chǎn)生的問題，在日本專利公開，平3-203240號中，公開了一種使用SOG膜的多層保護層系統(tǒng)的方法。這種多層保護層系統(tǒng)的方法是，在基板整個表面上涂覆吸光性好的、比較厚的第1有機保護層，使上述基板上凹凸不平或有斷差的部分成為平坦，然后，在第1有機保護層上利用周知的光刻法技術(shù)，形成薄的第2保護層圖案，最后把該保護層圖案轉(zhuǎn)錄到上述厚的第1有機保護層上，并對上述基板中暴露的部分進行蝕刻。此時，可以把上述第2保護層圖案做為光罩，對上述厚的第1有機保護層進行蝕刻，也可以在兩層之間形成，如SOG等抗蝕刻性強的中間層，把該SOG中間層的不必要的部分清除后，再把該SOG膜做為光罩，對上述第1有機保護層的暴露部分進行蝕刻。在多層保護層系統(tǒng)中，因基板表面的凹凸不平或斷差部分被吸光性強的第1有機保護層覆蓋而成為平坦化，所以，光線透過其上部的第2保護層后，被第1有機保護層所吸收。因此，可減少光線在基板表面上因光的反射及散亂而發(fā)生的成暈現(xiàn)象，以及光線在保護層內(nèi)的干涉現(xiàn)象，從而抑制圖案形成時發(fā)生的散亂以及尺寸變化。
利用多層保護層系統(tǒng)的方法，可以自由地結(jié)合第1保護層和第2保護層。因此，該方法具有可普遍使用于光刻法中的優(yōu)點。第1保護層作為光罩控制保護層圖案的特性，而第2保護層是光敏性和分辨率的必須的。比如，通過使用對干式蝕刻法抵抗性強的第1保護層，以及對300nm以下波長的遠紫外線激發(fā)物激光具有高靈敏度和分辨率的第2感光性保護層，把該方法很容易地適用在以遠紫外線激發(fā)物激光為光源的遠紫外線光刻法中。
因此，稀釋劑組合物可以用以清除，在半導體多層配線工藝中，形成層間絕緣膜和為了平坦化而涂覆SOG溶液的工藝、在多層保護層系統(tǒng)的中間層中，涂覆SOG的工藝以及在光刻工程中，涂覆用作光罩的各種感光性樹脂組工藝中，形成于基板邊緣部以及后面的不必要的涂覆液。
決定上述稀釋劑組合物性質(zhì)的要素，可例舉溶解速度以及揮發(fā)性等。
稀釋劑組合物的溶解速度，是表示有效快速地溶解并清除SOG以及感光性樹脂的能力，是非常重要的。
特別是，在邊緣部的沖洗(rinsing)時，如圖2所示，只有具有適當?shù)娜芙馑俣?，才能形成平滑的處理截面。如果溶解速度過高，那么，如圖3所示，在沖洗涂覆在基板上的感光膜時，有可能產(chǎn)生感光膜浸蝕(photoresistattack)；如果溶解速度過低，那么，如圖4所示，沖洗涂覆在基板上的感光膜時，有可能產(chǎn)生部分溶解的感光膜拖尾的流動現(xiàn)象。特別是，隨著半導體集成電路的高集成化以及高密度化，所以在使用大口徑旋轉(zhuǎn)涂覆器的沖洗工藝中，旋轉(zhuǎn)速度的低轉(zhuǎn)速化，可以說是必然的。但在這種沖洗工藝中，如果在低旋轉(zhuǎn)速度下基板發(fā)生震動，對于噴射的溶液接觸速度，不能維持適當?shù)娜芙馑俣?，那么，就會發(fā)生跳躍(bounding)現(xiàn)象，從而會增加藥液的消耗。由于直徑大小，用于這種低轉(zhuǎn)速沖洗工藝中的稀釋劑，要求具有比高轉(zhuǎn)速沖洗工藝使用的稀釋劑更強的溶解速度。
另外，其揮發(fā)性，要求在清除SOG層及感光性樹脂以后，應盡快揮發(fā)，并且不殘留在基板的表面上。如果揮發(fā)性過低，則會使稀釋劑不能揮發(fā)，殘留的稀釋劑將會成為各后續(xù)工藝，特別是后續(xù)的蝕刻工藝等的主要污染源。另一方面，如果揮發(fā)性過高，則會使基板急速冷卻，使旋轉(zhuǎn)涂覆完的SOG以及感光性樹脂膜的厚度偏差增大。此外，在操作時也因易于揮發(fā)而會成為污染凈化室的原因。由此引起的各種拖尾及感光膜腐蝕等不良后果，成為降低半導體元件收率的直接原因。
下面，對過去普遍使用的稀釋劑組合物做說明在日本專利公開，昭63-69563號中，公開了一種利用稀釋劑清除基板上的邊緣上部(edge upside part)、側(cè)邊緣部(edge side part)及后邊緣部(edgebackside part)上的不必要的感光膜的方法。在該方法中使用的洗滌清除用的溶劑有醚和乙酸醚類，如溶纖劑，乙酸溶纖劑，丙二醇醚(propyleneglycolether)，丙二醇醚乙酸酯(propyleneglycol ether acetate)，以及酮類，如丙酮，甲基乙基酮，甲基異丁基酮，環(huán)己酮，及酯類，如乳酸甲酯，乳酸乙酯，乙酸甲酯，乙酸乙酯，乙酸丁酯等。日本專利公開，平4-49938號中，公開了一種以丙二醇單甲基醚乙酸酯(propyleneglycol monomethyletheracetate)(PGMEA)為稀釋劑的技術(shù)，以及日本專利公開，平4-42523號中，公開了一種以烷基烷氧基丙酸酯(alkylalkoxy propionate)為稀釋劑的方法。
但是，這種過去使用的稀釋劑，主要使用乙二醇單乙基醚乙酸酯[ethyleneglycol monoethylether acetate(EGMEA)]、丙二醇單甲基醚乙酸酯[propyleneglycol monomethylether acetate(PGMEA)]以及乳酸乙酯(EL)等的單一溶劑。但是，上述稀釋劑因為有下面所述的缺陷，所以在使用上受到限制。
也就是說，當以乙二醇單乙基醚乙酸酯為稀釋劑時，雖然溶解速度非常好，但是其揮發(fā)性及可燃性高，特別是，它具有毒性，存在引發(fā)白血球減少癥以及引發(fā)孕婦流產(chǎn)等問題；當以丙二醇單甲基醚乙酸酯為稀釋劑時，在制造過程中含有β形的物質(zhì)，因此，它也會引發(fā)胎兒畸形以及對孕婦帶來不良影響；當以乳酸乙酯為稀釋劑時，因其粘度高，溶解速度慢，所以，單獨使用時難以收到滿意的洗滌效果。而丙酮及甲基乙基酮等，因閃點低，所以實用性差。
為了解決這種問題，過去采用了混合使用單一溶劑的方法，其方法如下在日本專利公開，平4-130715號中，公開了一種，混合丙酮酸烷基酯(pyruvic acid alkyl)溶劑和甲基乙基酮而形成稀釋劑的方法。在日本專利公開，平7-146562號中，公開了一種，以丙二醇烷基醚和3-烷氧基丙酸烷基酯(3-alkoxypropionic acid alkyl)的混合物做為稀釋劑的方法。在日本專利公開，平7-128867號中，公開了一種，以丙二醇烷基醚、乙酸丁酯和乳酸乙酯的混合物，或乙酸丁酯、乳酸乙酯和丙二醇烷基醚乙酸酯(propylene glycolalkylether acetate)的混合物為稀釋劑。日本專利公開，平7-160008號中，公開了一種丙二醇烷基醚丙酸酯和甲基乙基酮的混合物，或丙二醇烷基醚丙酸酯與乙酸丁酯的混合物為稀釋劑。在美國專利第4,983,490號中，公開了一種，以丙二醇烷基醚乙酸酯(propylene glycol alkylether acetate)與丙二醇烷基醚的混合物為稀釋劑。在美國專利第4,886,728號中，公開了一種，以乳酸乙酯與甲基乙基酮的混合物為稀釋劑。
但是，用上述的混合溶劑，欲滿足日益發(fā)展的高集成化及大尺寸的半導體元件，存在很多困難。比如，由丙酮酸烷基酯溶劑和甲基乙基酮形成的混合溶劑，不易溶解1，2-萘醌二疊氮化物(1，2-naphthoquinonediazide)基感光劑(該感光劑具有高酯化比，為感光膜中的主要成分)。而當用丙二酯烷基醚丙酸酯與乙酸丁酯混合物對基板后面進行洗滌時，由于混合溶劑的揮發(fā)性高，會使基板冷卻，從而發(fā)生感光性樹脂膜的厚度偏差增大的現(xiàn)象。而當用乳酸乙酯與甲基乙基酮混合物時，因其揮發(fā)性低，所以在基板周邊部的邊緣部位的洗滌能力下降。特別是，當長期使用如丙酮酸甲酯(methyl pyruvate)及丙酮酸乙酯等溶劑時，會使附著在感光膜旋轉(zhuǎn)涂布器上的廢感光液貯藏槽中的金屬部件受到腐蝕。
至于所使用的溶劑的特性，雖然已知丙二醇單甲基醚與常用的乙二醇單乙基醚相比，具有提高感光性樹脂的感光靈敏度的優(yōu)點，即較快溶解光活性化合物；但是與該物質(zhì)接觸的人，因其異味以及對健康的憂慮，而產(chǎn)生不快感。為了改善這種問題，提出了一種，與丙二醇單甲基醚乙酸酯混合使用的方法(美國專利第4,983,490)。但是，仍然沒能完全消除不快感。
本發(fā)明的目的在于，提供一種稀釋劑組合物，用單一的稀釋劑組合物，從而簡化各種感光樹脂組合物的加工，包括激勵物激光用長波長范圍的感光樹脂組合物以及短波長范圍的感光樹脂組合物以得到精確的高集成化。清除以旋轉(zhuǎn)涂覆的方法，把SOG涂覆在基板上時，發(fā)生的基板周邊部的邊緣部位以及形成于基板后面的、不必要的涂覆液的稀釋劑組合物可以獲得最理想的效果。所述的旋轉(zhuǎn)涂覆方法用于集成電路部件多層化處理如涂布中間層和使多層保持系統(tǒng)的底層或中間層平坦化。
本發(fā)明的另一目的，是提供一種對SOG及短波長激發(fā)物激光應用具有良好的溶解速度和揮發(fā)性的稀釋劑組合物。
本發(fā)明的第三目的，是提供一種通過噴嘴的噴射而有效地清除上述SOG及感光性樹脂組合物，從而形成光滑斷面的半導體元件的洗滌清除用稀釋劑組合物。
本發(fā)明的第四目的，是提供一種對人體無毒、無異味，并且腐蝕性低、工作穩(wěn)定性高的稀釋劑組合物。
對于半導體部件制造工藝中清洗用的稀釋劑組合物，為了取得上述目的，本發(fā)明提供了一種混合的稀釋劑組合物，其中丙二醇單烷基醚與單氧基羧酸酯、乙酸烷基酯和乳酸烷基酯混合。
參考下文的描述及所附的附圖，可以對本發(fā)明有更清楚完全的理解。


圖1是表示涂覆液被旋轉(zhuǎn)涂覆后基板的平面圖；圖2是對圖1中基板周邊部的邊緣部位(點線內(nèi))放大的SEM照片，是涂覆的基板被洗滌干凈后的SEM照片；圖3是對圖1中基板周邊部的邊緣部位(點線內(nèi))放大的SEM照片，是在洗滌清除涂覆基板時，可能出現(xiàn)的感光膜腐蝕現(xiàn)象的SEM照片；圖4是對圖1中基板周邊部的邊緣部位(點線內(nèi))放大的SEM照片，是在洗滌清除涂覆基板時，可能出現(xiàn)的感光膜拖尾現(xiàn)象的SEM照片；圖5是表示在涂覆有感光膜的基板上，多重反射效果的截面圖；上述圖5中，1是照射光；2是基板；3是基板斷差；4是感光膜。
圖6是表示隨著感光膜厚度的變化，圖案尺寸發(fā)生的變化；圖7是把表8中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR(Edge Bead Removal)試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖8是把表8中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖9是把表8中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖10是把表8中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖11是把表8中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖12是把表8中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖13是把表8中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖14是把表8中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖15是把表8中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖16是把表8中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖17是把表8中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖18是把表8中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖19是把表8中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖20是把表8中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖21是把表8中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖22是把表8中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖23是把表12中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖24是把表12中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；
圖25是把表12中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖26是把表12中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖27是把表12中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖28是把表12中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片1圖29是把表12中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖30是把表12中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖31是把表12中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖32是把表12中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖33是把表12中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖34是把表12中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖35是把表12中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖36是把表12中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖37是把表12中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖38是把表12中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖39是把表13中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖40是把表13中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖41是把表13中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖42是把表13中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂A進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖43是把表13中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖44是把表13中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖45是把表13中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖46是把表13中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂B進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖47是把表13中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖48是把表13中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖49是把表13中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖50是把表13中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂C進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖51是把表13中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖52是把表13中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖53是把表13中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖54是把表13中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與感光性樹脂D進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖55是把表15中表示的第1實施例的稀釋劑組合物與SOG溶液進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；
圖56是把表15中表示的第2實施例的稀釋劑組合物與SOG溶液進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖57是把表15中表示的第3實施例的稀釋劑組合物與SOG溶液進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖58是把表15中表示的第4實施例的稀釋劑組合物與SOG溶液進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖59是把表15中表示的第1比較例的稀釋劑組合物與SOG溶液進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖60是把表15中表示的第2比較例的稀釋劑組合物與SOG溶液進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；圖61是把表15中表示的第3比較例的稀釋劑組合物與SOG溶液進行EBR試驗后，對邊緣部位觀察的SEM照片；下面，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例及比較例做詳細說明。應當理解，在許多方面可以加以改變而不脫離本發(fā)明的精神。所述的附圖及其描述只是說明性的，而不是用來限制本發(fā)明的范圍。
本發(fā)明提供了一種在半導體部件制造工藝中洗滌清除用稀釋劑組合物，由丙二醇單烷基醚、單氧羧酸酯(monooxycarbonic acid ester)、乙酸烷基酯及乳酸烷基酯混合而成。
較佳地是，40-80％重量的丙二醇單烷基醚與10-30％重量的單氧基羧酸酯及1-20％重量的乙酸烷基酯或1-20％重量的乳酸烷基酯混合。
根據(jù)實驗表明，上述四組分按特定的比例進行混合，所得到的稀釋劑組合物具有優(yōu)異的清洗和清除性能。
用于本發(fā)明組合物中的上述丙二醇單烷基醚、氧單羧酸酯、乙酸烷基酯及乳酸烷基酯等，都是超純半導體等級的物質(zhì)，在大規(guī)模集成(VLSI)設(shè)備制造中，稀釋劑組合物是以0.1μm過濾器過濾的。
在上述稀釋劑組合物中，可使用具有碳原子數(shù)為1～5個的烷基的丙二醇單烷基醚，它們是丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚等。其中，丙二醇單甲基醚對SOG中主成分的硅氧烷高分子的溶解度最為卓越。
上述稀釋劑組合物一成分的單氧羧酸酯具有碳原子數(shù)為1～5個的烷基及烷氧基，它們可以是3-甲氧丙酸甲酯，3-乙氧丙酸乙酯，3-甲氧丙酸乙酯，3-乙氧丙酸甲酯，2-甲氧乙酸甲酯，2-乙氧乙酸乙酯，2-羥丙酸甲酯，2-羥丙酸乙酯，2-羥丙酸丙酯，2-甲氧丙酸乙酯，2-乙氧丙酸丙酯，2-乙氧丙酸乙酯，β-甲氧異丁酸甲酯，α-羥異丁酸甲酯等。其中，3-乙氧丙酸乙酯對粘結(jié)劑苯酚樹脂的溶解度比較合適。
為上述組合物另一成分的乙酸烷基酯具有碳原子數(shù)為1～4個的烷基，它們可以是乙酸甲酯，乙基烷基乙酸酯(ethyl alkyl ethanoate)，乙酸丁酯等。其中，乙酸丁酯對激發(fā)物激光用感光性樹脂粘結(jié)劑樹脂的聚乙烯苯酚樹脂的溶解性方面比較合適。
為本發(fā)明組合物另一成分的乳酸烷基酯具有碳原子數(shù)為1～4個的烷基，它們可以是乳酸甲酯，乳酸乙酯，乳酸丁酯等。其中，乳酸乙酯對感光性樹脂中的感光性物質(zhì)的溶解性方面最為優(yōu)秀。
另外，觀察所使用的溶劑特性可知，與本發(fā)明一成分的單氧羧酸酯混合的溶劑，消除了因異味而產(chǎn)生的不快感和對人體毒性作用，同時也提高了對感光性樹脂的溶解性能(協(xié)同效果)。
據(jù)報告，當丙二醇單甲基醚暴露于空氣中時，對人體的安全性比較高，從物質(zhì)代謝角度來看，在人體中快速被分解成丙二醇和酒精，因此比較安全。在毒性試驗中，使50％的試驗鼠口服致死的量是LD50(鼠)＝4.4g/kg，其通過水解反應而迅速分解。其物理性質(zhì)為，沸點是132.8℃，閃點是(以閉杯方式測定)32℃，粘度(25℃)是1.86厘泊(cps)，表面張力是26.5達因/cm2，溶解度參數(shù)是10.4。
過去在單獨使用乙二醇單烷基醚乙酸酯的稀釋劑時，在旋轉(zhuǎn)涂覆器中使用后，不僅有異味，且因揮發(fā)性溶劑的芳香性質(zhì)，長時間使用時會使人感到疲勞，對呼吸系統(tǒng)也有不良作用，因此，使工作人員感到不快。但是，當與單氧羧酸酯混合時，不僅可減輕異味所產(chǎn)生的不適，而且單氧羧酸酯，例如還可用作香料。另外，如下表1所示，單氧羧酸酯對感光性樹脂中的高分子粘結(jié)劑酚醛樹脂，具有很好的溶解性。它比過去使用的乙二醇單烷基醚乙酸酯的溶解度大2至10倍。
上述單氧羧酸酯在室溫中是液體狀態(tài)，其使用于維生素或其它化合物的中間體。目前，還沒有發(fā)現(xiàn)有關(guān)對人體有害的報告。在毒性試驗中，通過口腔注入，使50％的試驗鼠致死的量是LD50(鼠)＝5.0g/kg，其因酶的作用而迅速分解。其物理性質(zhì)為，密度是0.95g/cm3，沸點是170.1℃，閃點(以開杯方式測量)是82.2℃，粘度(25℃)1.20cps，表面張力是27達因/平方厘米。
乙酸丁酯對各種樹脂的溶解性非常好，特別是其表面張力低，揮發(fā)性卓越，因此，若在稀釋劑組合物中添加少量時，可發(fā)揮很好的界面特性。另外，由表1可知，其對短波長用激發(fā)物激光感光性樹脂組合物的粘結(jié)劑樹脂的聚乙烯苯酚衍生物樹脂以及為SOG主成分的硅氧烷低分子量聚合物的溶解性也很好。
在毒性試驗中，通過口腔注入，乙酸丁酯使50％的試驗鼠致死的量是LD50(鼠)＝7.0g/kg。其物理性質(zhì)為，沸點是126.1℃，閃燃點(閉杯方式)是23℃，粘度(25℃)0.74cps，表面張力是25達因/平方厘米，溶解度參數(shù)是8.5。
乳酸乙酯與其他溶劑相比，對感光性樹脂中光敏性成分的溶解性比較好。只是，由于其表面張力和粘度比較高，因此難以單獨作為稀釋劑組合物使用。若混合使用，則應添加少于稀釋劑組合物總量10％，這樣才能發(fā)揮其特性。
乳酸乙酯(Ethyl lactate)對人體的安全性，在美國食品醫(yī)藥局(FDA)也得到認證，并以食品添加劑使用。在毒性試驗中，通過口腔注入，使50％的試驗鼠致死的量是LD50(鼠)＝5.0g/kg，從物質(zhì)代謝角度來看，在人體中快速分解成乳酸和乙醇，因此很安全。其物理性質(zhì)為，沸點是156℃，閃燃點(閉杯方式)是52℃，粘度(25℃)2.38cps，表面張力是34達因/平方厘米，溶解度參數(shù)是10。
利用本發(fā)明的方法是，以一定的比例組合上述4種組分，然后，用旋轉(zhuǎn)涂覆器涂覆前述各種感光性樹脂及SOG，在基板的邊緣部和后部，以滴注或用噴嘴以噴射方式清除不必要的小球狀物質(zhì)。稀釋劑組合物的供給量，可根據(jù)使用的感光性樹脂、SOG的種類以及膜的厚度進行調(diào)整，一般在5～100立方厘米/分鐘(cc/min)范圍內(nèi)選擇。接著，經(jīng)旋轉(zhuǎn)干燥等方法進行干燥，再經(jīng)后續(xù)的光蝕刻工藝而完成半導體集成電路用微細線路。為了了解對高分子粘結(jié)劑苯酚樹脂、聚乙烯苯酚樹脂、感光性的光敏性成分以及硅氧烷高分子溶液的溶解度，在多個溶劑中制作了飽和溶液，把其中溶解度最好的溶劑為100％時，比較結(jié)果，如表1所示。從試驗結(jié)果可知，特定的溶劑對特定成分的溶解性比較好。即，3-乙氧丙酸乙酯對高分子粘結(jié)劑苯酚樹脂的溶解性最為優(yōu)秀，乙酸丁酯對聚乙烯苯酚樹脂的溶解性最為優(yōu)秀，乳酸乙酯對感光性光敏性成分的溶解性最為優(yōu)秀，以及丙二醇單甲基醚對硅氧烷高分子溶液的溶解性最為優(yōu)秀。對SOG及感光性樹脂的溶解性比較
上表1中，EGMEA是乙二醇單甲基醚乙酸酯，PGME是丙二醇單甲基醚，EPE是3-乙氧丙酸乙酯，MBM是β-甲氧異丁酸甲基酯，PGMEP是丙二醇單甲基醚丙酸酯，BE是乙酸丁酸，EP是丙酮酸乙酯，EL是乳酸乙酯以及MEK是甲基乙基酮。通過下面的方法，準備了用于本實施例中的基板試片。
使用直徑為8英寸的氧化硅基板。首先，把這些基板放入到含有過氧化氫/硫酸混合物的兩個槽中進行洗滌(基板在各槽中浸漬5分鐘)，之后，用去離子水沖洗。這一過程，在定做的洗滌設(shè)備中進行。之后，把這些基板放到旋轉(zhuǎn)干燥機(VERTEQ公司產(chǎn)品，SRD 1800-6型)上進行旋轉(zhuǎn)干燥。接著，在基板表面，各自涂覆一定厚度的感光樹脂膜。為了涂覆感光性樹脂膜，而使用了旋轉(zhuǎn)鍍膜機(Dainippon Screen公司產(chǎn)品，80A型)。
上述旋轉(zhuǎn)涂覆操作包括，首先在懸掛的基板中央滴下7毫升(cc)的感光性樹脂，之后，用旋轉(zhuǎn)鍍膜機以500rpm進行3秒鐘將感光膜分布，然后，把基板的旋轉(zhuǎn)速度加速到2000～4000rpm，把感光膜調(diào)整到預定的厚度。在此旋轉(zhuǎn)速度下，旋轉(zhuǎn)約20～30秒。
實施例1～4，比較例1～3稀釋劑組合物時感光性樹脂的溶解速度試驗在通常使用的各種感光性樹脂組合物中，對表2中示出的組合物[G-線正片感光性樹脂(東進化學工業(yè)(株)產(chǎn)品，產(chǎn)品名稱DSAM-300)，I-線正片感光性樹脂(東進化成工業(yè)(株)產(chǎn)品，產(chǎn)品名稱DPR-i5500)及Deep UV正片感光性樹脂(東進化成工業(yè)(株)產(chǎn)品，產(chǎn)品名稱DHRK-200L]，使用表3示出的稀釋劑組合物和過去使用的稀釋劑組合物，測定了其溶解速度。測定裝備使用了保護層顯像分析器(Litho Tech.公司產(chǎn)品，RDA-790型)，試驗結(jié)果如表4所示。感光性樹脂的種類及膜厚度 稀釋劑組合物
上表3中，PGME是丙二醇單甲基醚，EPE是3-乙氧丙酸乙酯，MBM是β-甲氧異丁酸甲酯，PGMEP是丙二醇單甲基醚丙酸酯，PGMEA是丙二醇單甲基醚乙酸酯，BE是乙酸丁酯，EL是乳酸乙酯，BL是乳酸丁酯。稀釋劑組合物對感光性樹脂的溶解速度
從上表4可知，根據(jù)本發(fā)明的稀釋劑組合物與過去使用的稀釋劑組合物相比，與感光性樹脂組合物的種類無關(guān)，其溶解速度更快。
上述稀釋劑組合物，還可用以清除，在光刻工藝中以不良品回收的基板上的感光膜，或為了工藝控制而任意抽出的檢測用基板上的感光樹脂膜，從而可使基板得以再利用。本發(fā)明的稀釋劑組合物的溶解速度非?？?，所以可減少基板再利用所需的加工時間。
稀釋劑組合物對感光樹脂的不必要感光膜的清除試驗在8英寸氧化硅基板上，各自涂覆感光性樹脂后，用根據(jù)本發(fā)明的稀釋劑組合物和過去使用的稀釋劑組合物，對邊緣部位的不必要感光膜做了清除的試驗(Edge Bead Removing試驗，以下稱EBR試驗)。在EBR試驗中使用的旋轉(zhuǎn)鍍敷機，與在基板上涂覆感光膜時使用的旋轉(zhuǎn)鍍敷機相同。
向涂覆有由表5所示出的感光性樹脂的基板上，通過EBR噴嘴，提供了表3所示出的稀釋劑組合物，并以表6所示的條件，對邊緣部的感光膜進行了清除作業(yè)。各稀釋劑是由設(shè)置有壓力計裝置的加壓容器提供的，所施加的壓力是1.0kgf，從EBR噴嘴噴出的稀釋劑流速是12cc/min。
對各感光性樹脂的EBR試驗評價，如表7所示。EBR試驗后的邊緣部，以SEM照片，表示在表8中。感光性樹脂組合物的種類及膜的厚度 EBR試驗條件 對感光性樹脂的EBR試驗評價
在上表7中，評價符號○表示EBR試驗后，邊緣部位的形狀鮮明；評價符號△表示EBR試驗后，邊緣部位的形狀因受浸蝕而變形扭曲；評價符號×表示EBR試驗后，邊緣部位的膜發(fā)生了拖尾現(xiàn)象。對各種感光性樹脂進行EBR試驗后，對邊緣部位的觀察結(jié)果
如上表7及表8所示，根據(jù)本發(fā)明的稀釋劑組合物，對所有感光膜，都表現(xiàn)出了很好的EBR試驗性能(清晰的邊緣形狀)，但是，常規(guī)雙組份稀釋劑組合物，隨著感光膜的不同，而表現(xiàn)出了很大的差異，總體來說，表現(xiàn)出了不良的邊緣形狀。特別是在Deep UV正片感光膜中，過去常規(guī)的雙組份稀釋劑組合物，沒能防止產(chǎn)生嚴重的拖尾。這將成為后續(xù)步驟中的設(shè)備污染原因，因而會降低半導體元件的收率。
實施例5在8英寸氧化硅基板上，涂覆上述感光性樹脂后，用本發(fā)明實施例1和實施例2中的稀釋劑組合物，以及比較例1和比較例3中的過去的稀釋劑組合物，在低轉(zhuǎn)速和高轉(zhuǎn)速EBR試驗中，按表9的條件進行了清除邊緣感光膜的試驗。
肉眼測定的結(jié)果，在低速EBR旋轉(zhuǎn)速度(1200rpm)時，如表10所示，在高速EBR旋轉(zhuǎn)速度(2800rpm)時，如表11所示。
另外，在低速EBR旋轉(zhuǎn)速度(1200rpm)時，SEM照片比較，如表12所示，在高速EBR旋轉(zhuǎn)速度(2800rpm)時，SEM照片比較，如表13所示。EBR試驗條件 稀釋劑組合物的低速EBR試驗，旋轉(zhuǎn)速度(1200rpm)變化試驗評價 稀釋劑組合物的高速EBR試驗，旋轉(zhuǎn)速度(2800rpm)變化試驗評價
在上表10及表11中，評價符號○表示EBR試驗后，邊緣部位的形狀清晰；評價符號△表示EBR試驗后，邊緣部位的形狀因受浸蝕而扭曲；評價符號×表示EBR試驗后，邊緣部位的膜發(fā)生了拖尾現(xiàn)象。稀釋劑組合物的低速EBR試驗，旋轉(zhuǎn)速度(1200rpm)變化時對邊緣的觀察結(jié)果 稀釋劑組合物的高速EBR試驗，旋轉(zhuǎn)速度(2800rpm)變化時，對邊緣的觀察結(jié)果
如上表10，11，12，13所示，根據(jù)本發(fā)明的稀釋劑組合物，在EBR試驗的旋轉(zhuǎn)速度發(fā)生變化時，仍然能維持很好的形狀。這意味著根據(jù)本發(fā)明的稀釋劑組合物，不僅在特定的條件下發(fā)揮效果，而且在多種條件下表現(xiàn)出同一效果，也就是意味著對工藝條件的變化比過去的稀釋劑組合物更具有穩(wěn)定性。
實施例6該實施例是關(guān)于SOG溶液的EBR試驗，試驗條件如下在8英寸的氧化硅基板中央，滴下1.5ml的SOG溶液(TOK公司產(chǎn)品，產(chǎn)品名稱TCPS 190)，然后利用旋轉(zhuǎn)鍍敷機，以50rpm的轉(zhuǎn)速對SOG組合物進行2秒鐘的分布，之后，把基板加速到2800rpm，使SOG溶液達到一定的厚度。這時SOG組合物的厚度是0.3μm。
以該方式在基板上涂覆SOG溶液后，使用根據(jù)本發(fā)明實施例1～4的稀釋劑組合物，以及比較例l～3中的過去的稀釋劑組合物，進行了EBR試驗。
EBR試驗的條件與表14相同，稀釋劑組合物對SOG進行EBR試驗后的評價以及邊緣形狀如表15。EBR試驗條件< 稀釋劑組合物對SOG進行EBR試驗后的評價及邊緣形狀
在上表15中，評價符號○表示EBR試驗后，邊緣部位的形狀清晰；評價符號△表示EBR試驗后，邊緣部位的形狀因受感光樹脂的浸蝕而扭曲；評價符號×表示EBR試驗后，邊緣部位的膜發(fā)生了拖尾現(xiàn)象。
從上表15可知，根據(jù)本發(fā)明的稀釋劑組合物，不僅對感光膜，而且對SOG也表現(xiàn)出了很好的EBR試驗效果。由此可知，制造半導體元件的工藝中，在各工藝步驟中，可使用同一稀釋劑組合物，即可以統(tǒng)一使用相同的稀釋劑組合物供給裝置，因此，簡化了稀釋劑組合物供給裝置的和工藝控制，并降低了生產(chǎn)費用。
從上述說明，不難看出本發(fā)明的優(yōu)點。根據(jù)本發(fā)明的稀釋劑組合物，與過去使用的稀釋劑不同，它是由四種成分混合而成，它通過噴嘴的噴射，不僅能夠迅速、徹底地清除基板邊緣部位上及后面的各種感光膜，而且能夠清除SOG等各種組合物，因此使用本發(fā)明的稀釋劑組合物，不僅能簡化了半導體元件的制造過程，而且能夠提高了生產(chǎn)收率。
另外，利用本發(fā)明的稀釋劑組合物，還可有效地清除，在光刻工藝中以不良品回收的基板或為了工藝控制而任意抽出的檢測用基板上的感光膜，使基板得以再利用，因此本發(fā)明具有能夠有效地、經(jīng)濟地使用基板的效果。
盡管參照優(yōu)選的方案對本發(fā)明進行了描述，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當明白，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出多種改變。
權(quán)利要求
1.一種半導體元件的制造工藝中，用以清除晶片或基板上不必要感光膜的稀釋劑組合物，其包括a)40～80％重量的丙二醇單烷基醚；b)10～30％重量的單氧羧酸酯；c)1～20％重量的乙酸烷基酯；及d)1～20％重量的乳酸烷基酯。
2.權(quán)利要求1所述的稀釋劑組合物，其中所述的丙二醇單烷基醚選自丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚及丙二醇單丁基醚。
3.權(quán)利要求1所述的稀釋劑組合物，其中所述的單氧羧酸酯選自3-甲氧丙酸甲酯、3-乙氧丙酸乙酯、3-甲氧丙酸乙酯、3-乙氧丙酸甲酯、2-甲氧乙酸甲酯、2-乙氧乙酸乙酯、2-羥丙酸甲酯、2-羥丙酸乙酯、2-羥丙酸丙酯、2-甲氧丙酸乙酯、2-乙氧丙酸丙酯、2-乙氧丙酸乙酯、β-甲氧異丁酸甲酯及α-羥異丁酸甲酯。
4.權(quán)利要求1所述的稀釋劑組合物，其中所述的乙酸烷基酯選自乙酸甲酯、乙基烷基乙酸酯和乙酸丁酯。
5.權(quán)利要求1所述的稀釋劑組合物，其中所述的乳酸烷基酯選自乳酸甲酯、乳酸乙酯和乳酸丁酯。
全文摘要
本發(fā)明涉及在制造半導體元件的工藝中,用以清除Spin－ON－Glass和感光性樹脂組合物的稀釋劑組合物,其由丙二醇單烷基醚與單氧羧酸酯,烷基乙酸酯和烷基乳酸酯混合而成。旋轉(zhuǎn)涂覆后,使用本發(fā)明的稀釋劑組合物,可迅速、徹底地清除基板邊緣部位或基板后部多余的涂覆液,從而提高產(chǎn)品收率。因能夠徹底地清除再利用的基板表面上附著的殘余物質(zhì),能夠有效地使用基板。
文檔編號C11D7/22GK1271113SQ9912366
公開日2000年10月25日 申請日期1999年11月3日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月15日
發(fā)明者金柄郁, 白志欽, 吳昌一, 李相大, 金元來, 柳終順 申請人:東進瑟彌侃株式會社