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      低溫合成納米CaO-SiO的制作方法

      文檔序號(hào):2017396閱讀:494來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):低溫合成納米CaO-SiO的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及納米CaO-SiO2系微波介質(zhì)陶瓷粉體的制備方法,尤其是涉及一種低溫合成納米CaO-SiO2系微波介質(zhì)陶瓷粉體的方法,屬于材料科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      隨著電子設(shè)備向小型化發(fā)展,必然要求各種電子組件的小型化、微型化。目前元器件小型化已經(jīng)取得飛速發(fā)展;在多層陶瓷電容器方面,0603已經(jīng)成為主流產(chǎn)品,0402已經(jīng)面市,0201已經(jīng)研制成功;片式多層微波器件已逐步取代腔體結(jié)構(gòu),并日趨小型化,如日本村田公司的多層陶瓷濾波器的尺寸已經(jīng)縮減為2.0×1.25×1.0(mm3),今后將向尺寸為1.0×0.8×0.6(mm3)、甚至更小的方向發(fā)展。
      推動(dòng)元器件小型化、微型化的技術(shù)關(guān)鍵是粉體技術(shù)以及薄膜技術(shù)的發(fā)展。以多層陶瓷電容器為例,介電陶瓷的電容C=k·S/h,提高介電陶瓷電容量的最佳方法是減小介質(zhì)層的厚度;而對(duì)于微波濾波器,諧振頻率f0=1/2π(LC)1/2,在一定的諧振頻率下,電容量是定值,為了縮減器件的結(jié)構(gòu)并降低材料的介電損耗,應(yīng)盡量采用低介電常數(shù),并減少介質(zhì)層厚度。目前多層陶瓷電容器薄膜已經(jīng)減少至5um以下,多層陶瓷濾波器的厚度一般在20~300um之間,今后的發(fā)展趨勢(shì)是1~5um的陶瓷電容器薄膜以及10um以下的微波器件薄膜。薄膜至少要有5層以上顆粒堆積成介電陶瓷層才能保證有效隔離內(nèi)電極,顆粒的大小決定了介質(zhì)層的最小厚度,納米粉體無(wú)疑是上述問(wèn)題的最佳解決辦法。粉體顆粒的納米化是世界電子陶瓷的一大發(fā)展方向,誰(shuí)擁有納米化的商品技術(shù)誰(shuí)就將主宰市場(chǎng),世界各主要生產(chǎn)商,如AVX/Kyocera Corporation、Philips Components、TDK Corporation、Samsung EMCO、TAM Ceramics等均花巨資對(duì)納米電子陶瓷粉體展開(kāi)研究。
      以硅灰石(CaSiO3)為主晶相的陶瓷材料由于具有介電常數(shù)低、品質(zhì)因數(shù)高等特點(diǎn),引起了材料工作者的廣泛興趣。但由于以固相法合成純CaSiO3的溫度在1200℃以上,其燒結(jié)溫度超過(guò)1300℃且很難燒結(jié)致密,故相關(guān)研究主要集中在其它元素對(duì)CaO-SiO2體系的改性上?!峨娮釉c材料》,2002,21(2)16-18.蔡偉等在“低溫?zé)Y(jié)低介硅灰石瓷料的研制”一文中研究了通過(guò)添加過(guò)量SiO2和粘土作為燒結(jié)助劑,于1170℃~1230℃燒結(jié)得到硅灰石瓷基板材料,其介電性能為εr=7.0~9.0,tgδ=(1.0~5.0)×10-4?!禞.Am.Ceramic.Soc》,1999,82 1725-1732.Chang等人在“Crystallization kinetics and mechanism of low dielectric,lowtemperature,co-firable CaO-B2O3-SiO2glass ceramic”一文中公開(kāi)了CaO-B2O3-SiO2(CBS)系微晶玻璃作為封裝材料的應(yīng)用?!稒C(jī)械工程材料》,2003,27(2)16-20.王少洪、周和平等人在“高頻多層片式電感器用陶瓷材料的研究”中研究了CaO-B2O3-SiO2(CBS)在高頻下的性能εr=5.058(1GHz),tgδ=0.0013(1GHz)。
      本專(zhuān)利發(fā)明人所在課題組的孫慧萍等在《陶瓷學(xué)報(bào)》,2004,25(1)60-63.“ZnO和Na2O對(duì)CaO-B2O3-SiO2介電陶瓷結(jié)構(gòu)與性能的影響”研究了ZnO和Na2O對(duì)CaO-B2O3-SiO2介電陶瓷結(jié)構(gòu)與性能的影響,得到以硅灰石為主晶相的低介微波介質(zhì)陶瓷,其介電性能為εr=5.4,Qf=22000GHz。在CaO-SiO2體系超細(xì)粉體的研究上,如《華東理工大學(xué)學(xué)報(bào)》,1996,22(3)316-321.袁建君,劉智恩,方琪等.“CaO-SiO2系統(tǒng)溶膠凝膠過(guò)程及其機(jī)理”以及《現(xiàn)代技術(shù)陶瓷》,1997,73(3)19-23.袁建君,方琪等.“溶膠凝膠法制備硅灰石粉末的工藝過(guò)程研究”所公開(kāi)的,國(guó)內(nèi)僅華東理工大學(xué)的袁建君利用溶膠-凝膠法對(duì)CaSiO3超細(xì)粉體進(jìn)行了研究,獲得0.2~1.4um的硅灰石粉體。
      日本的Sei-ichi Suda等人在《Journal of Non-Crystalline Solids》1999,255 178-184.“Synthesis of MgO-SiO2and CaO-SiO2amorphous powderby sol-gel process and ion exchange”公開(kāi)了通過(guò)在溶膠凝膠過(guò)程中進(jìn)行離子交換,得到了0.3~0.4um的CaO-SiO2系粉體。以上制備的CaO-SiO2系陶瓷粉體的粒度偏大,不能滿(mǎn)足制備超薄型流延膜及微型器件的要求。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供一種從微波器件小型化對(duì)微波介質(zhì)陶瓷材料粉體超細(xì)化的要求出發(fā),利用pechini法制備納米CaO SiO2系微波介質(zhì)陶瓷粉體,通過(guò)乙二醇對(duì)金屬離子的鍵合和空間位阻作用,并經(jīng)過(guò)加熱煅燒使有機(jī)物分解和無(wú)機(jī)鹽離子發(fā)生氧化反應(yīng)形成晶相,從而在較低溫度下得到納米級(jí)的CaO-SiO2系微波介質(zhì)陶瓷粉體。
      本發(fā)明的低溫合成納米CaO-SiO2系微波介質(zhì)陶瓷粉體的方法,包括以下步驟(1)將鈣的無(wú)機(jī)鹽溶于去離子水中,再按硅與鈣為1∶1的摩爾比加入硅溶膠,充分?jǐn)嚢枋怪旌暇鶆颍?2)將一定量的檸檬酸(CA)加入到乙二醇(EG)中,加熱使檸檬酸在乙二醇中溶解,CA與EG的摩爾比為1∶4~1∶8。
      (3)按檸檬酸與鈣無(wú)機(jī)鹽的摩爾比為1∶1~1∶4將上述(1)與(2)的制得的溶液混合,攪拌;緩慢加熱使水份蒸發(fā);然后升溫到125℃~135℃保溫2~4小時(shí),繼續(xù)升溫到180℃~220℃保溫2~4小時(shí),得到松脆的黑色物質(zhì);(4)上述松脆的黑色物質(zhì)研磨,放入高鋁坩堝中,在700℃~900℃煅燒,得到白色粉末,即為本發(fā)明的納米CaO-SiO2系微波介質(zhì)陶瓷粉體。
      所述的鈣的無(wú)機(jī)鹽可為Ca(NO3)2·4H2O、Ca(CH3COOH)2·H2O、CaCl2。
      采用上述本發(fā)明的工藝,可以得到粒徑在50~60nm且分散良好的CaSiO3、Ca2SiO4納米級(jí)微波介質(zhì)陶瓷粉體,該納米粉體燒結(jié)成瓷后具有優(yōu)良的微波介電性能(εr=6.7±0.1,Qf>35000GHz),可用于制備0402、0201多層微波陶瓷電容器等小型片式多層微波器件,具有極大的工業(yè)應(yīng)用價(jià)值。本發(fā)明方法具有以下特點(diǎn)1.采用Ca(NO3)2·4H2O、Ca(CH3COOH)2·H2O、CaCl2等鈣的無(wú)機(jī)鹽和硅溶膠為原料,價(jià)格便宜且原料易得;2.利用CA對(duì)金屬離子的絡(luò)合作用、EG對(duì)金屬離子的鍵合和空間位阻作用,使金屬離子均勻分布在聚合物中,從而最終能得到成份均勻的化合物;3.得到的CaSiO3、Ca2SiO4微波介質(zhì)陶瓷粉體粒徑在50~60nm,且分散良好;并能在850℃煅燒后得到平均粒徑為60nm的純CaSiO3晶相,大大降低了硅灰石的合成溫度。
      具體實(shí)施例方式
      下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
      實(shí)施例1稱(chēng)取1mol的Ca(NO3)2·4H2O溶于一定量的去離子水中,形成0.8mol/l的硝酸鈣水溶液;在該硝酸鈣水溶液中按硅為1mol的量加入硅溶膠,攪拌2小時(shí)使其混合均勻。將1mol的檸檬酸(CA)加入到4mol的乙二醇(EG)中,加熱到90℃使檸檬酸在乙二醇中溶解。
      將上述兩溶液混合、攪拌,緩慢加熱使混合溶液中的水份蒸發(fā),得到透明的溶膠狀液體。將該透明的溶膠狀液體升溫到130℃保溫3小時(shí),開(kāi)始保溫時(shí)會(huì)產(chǎn)生氣泡并伴有體積膨脹,保溫后期其體積不再發(fā)生變化,繼續(xù)升溫到200℃保溫2小時(shí),然后隨爐冷卻,得到松脆的黑色物質(zhì)。
      將上述松脆的黑色物質(zhì)研磨,放入高鋁坩堝中,在850℃煅燒2小時(shí),得到白色粉末,即為本發(fā)明的納米材料。
      該材料經(jīng)TEM分析,粒徑在60nm左右,粒子的分散性較好;XRD分析表明該納米粉體為硅灰石CaSiO3。
      將上述在850℃煅燒得到的納米硅灰石CaSiO3研磨、造粒、壓成直徑18mm高度8~9mm的圓塊,在1350℃燒結(jié),其微波介電性能為εr=6.72,Qf=37200GHz。
      實(shí)施例2稱(chēng)取1mol的CaCl2溶于一定量的去離子水中,形成1mol/l的氯化鈣水溶液;在該氯化鈣水溶液中按硅為1mol的量加入硅溶膠,攪拌2小時(shí)使其混合均勻。將1.2mol的檸檬酸加入到6mol的乙二醇中,加熱到90℃使檸檬酸在乙二醇中溶解。
      將上述兩溶液混合、攪拌,緩慢加熱使混合溶液中的水份蒸發(fā),得到透明的溶膠狀液體。將該透明的溶膠狀液體升溫到135℃保溫3小時(shí),開(kāi)始保溫時(shí)會(huì)產(chǎn)生氣泡并伴有體積膨脹,保溫后期其體積不再發(fā)生變化,繼續(xù)升溫到220℃保溫2小時(shí),然后隨爐冷卻,得到松脆的黑色物質(zhì)。
      將上述松脆的黑色物質(zhì)研磨,放入高鋁坩堝中,在800℃煅燒2小時(shí),得到白色粉末,即為本發(fā)明的納米材料。
      該材料經(jīng)TEM分析,粒徑在50nm左右,粒子的分散性較好;XRD分析表明該納米粉體主要為CaSiO3,存在少量Ca2SiO4晶相。
      將上述在800℃煅燒得到的納米CaSiO3、Ca2SiO4粉體研磨、造粒、壓成直徑18mm高度8~9mm的圓塊,在1350℃燒結(jié),其微波介電性能為εr=6.63,Qf=35800GHz。
      實(shí)施例3稱(chēng)取1mol的Ca(CH3COOH)2·H2O溶于一定量的去離子水中,形成1.5mol/l的醋酸鈣水溶液;在該醋酸鈣水溶液中按硅為1mol的量加入硅溶膠,攪拌3小時(shí)使其混合均勻。將1.5mol的檸檬酸加入到6mol的乙二醇中,加熱到90℃使檸檬酸在乙二醇中溶解。
      將上述兩溶液混合、攪拌,緩慢加熱使混合溶液中的水份蒸發(fā),得到透明的溶膠狀液體。將該透明的溶膠狀液體升溫到130℃保溫4小時(shí),開(kāi)始保溫時(shí)會(huì)產(chǎn)生氣泡并伴有體積膨脹,保溫后期其體積不再發(fā)生變化,繼續(xù)升溫到210℃保溫2小時(shí),然后隨爐冷卻,得到松脆的黑色物質(zhì)。
      將上述松脆的黑色物質(zhì)研磨,放入高鋁坩堝中,在850℃煅燒2小時(shí),得到白色粉末,即為本發(fā)明的納米材料。
      該材料經(jīng)TEM分析,粒徑在60nm左右,粒子的分散性較好;XRD分析表明該納米粉體為硅灰石CaSiO3。
      將上述在850℃煅燒得到的納米硅灰石CaSiO3研磨、造粒、壓成直徑18mm高度8~9mm的圓塊,在1350℃燒結(jié),其微波介電性能為εr=6.78,Qf=38100GHz。
      權(quán)利要求
      1.一種低溫合成納米CaO-SiO2系微波介質(zhì)陶瓷粉體的方法,包括以下步驟(1)將鈣的無(wú)機(jī)鹽溶于去離子水中,形成0.5~1.5mol/l鈣的無(wú)機(jī)鹽水溶液;再按硅與鈣為1∶1的摩爾比加入硅溶膠,攪拌1~5小時(shí);(2)將一定量的檸檬酸加入到乙二醇中,加熱使檸檬酸在乙二醇中溶解,檸檬酸與乙二醇的摩爾比為1∶4~1∶8;(3)按檸檬酸與鈣無(wú)機(jī)鹽的摩爾比為1∶1~1∶4將上述(1)與(2)制得的溶液混合,攪拌;緩慢加熱使水份蒸發(fā);然后升溫到125℃~135℃保溫2~4小時(shí),繼續(xù)升溫到180℃~220℃保溫2~4小時(shí),得到松脆的黑色物質(zhì);(4)將上述松脆的黑色物質(zhì)研磨,放入高鋁坩堝中,在700℃~900℃煅燒,得到白色納米CaO-SiO2系微波介質(zhì)陶瓷粉體。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫合成納米CaO-SiO2系微波介質(zhì)陶瓷粉體的方法,其特征在于所述的鈣的無(wú)機(jī)鹽可為Ca(NO3)2·4H2O、Ca(CH3COOH)2·H2O、CaCl2。
      全文摘要
      本發(fā)明公開(kāi)了一種低溫合成納米CaO-SiO
      文檔編號(hào)C04B33/24GK1736944SQ200510050790
      公開(kāi)日2006年2月22日 申請(qǐng)日期2005年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月18日
      發(fā)明者楊輝, 張啟龍, 王煥平 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)
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