專利名稱：低輻射膜玻璃的浮法在線生產(chǎn)方法
低輻射膜玻璃的浮法在線生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及浮法玻璃領(lǐng)域，尤其涉及一種低輻射膜玻璃的浮法在線生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
低輻射膜玻璃也叫Low-emissivity (Low-E)鍍膜玻璃，它的特點是允許太 陽能中的熱輻射部分進入室內(nèi)，而將室內(nèi)暖氣和室內(nèi)物體散發(fā)的絕大部分熱輻 射反射回室內(nèi)，保證室內(nèi)的熱量不向室外流失，從而節(jié)省了取暖費用；同時它 還具有較高的可見光透射率和較低的可見光反射率，避免了光污染。
在玻璃上鍍低輻射膜，比如二氧化錫膜，可以用來改變玻璃對中遠(yuǎn)紅外線 的輻射和反射特性。但是直接在玻璃表面鍍低輻射膜，由于玻璃內(nèi)部的堿金屬 離子容易遷移到玻璃表面，從而會劣化所鍍膜層的電熱性能，使得表面電阻增 加，并且物理化學(xué)穩(wěn)定性會降低，并使得低輻射層產(chǎn)生白色渾濁體，導(dǎo)致玻璃 的透明度下降。在玻璃和低輻射膜層的中間鍍上一層過渡的屏蔽膜層，則可以 解決這些問題。
在鍍屏蔽層所用的硅烷分解溫度大約在620°C~640°C,英國專利文獻 GB1507465闡述了在熱玻璃表面上，在無氧狀態(tài)下利用含硅烷混合氣體的熱分 解沉積生成硅膜的方法，這種膜是比較均勻的，具有良好的太陽光控制性能。 英國專利文獻GB1573154論述了增加一種能吸附電子的化合物乙烯，使硅烷氣 體在熱玻璃表面分解時釋放出電子，這樣就增加了鍍硅膜玻璃的抗堿性。
在對玻璃的鍍膜領(lǐng)域已經(jīng)知道許多種方法，這些方法包括了真空;茲控濺射 法、溶膠凝膠法、真空蒸鍍法、熱噴涂法、化學(xué)氣相沉積法等。如中國發(fā)明專 利CN97190763.3公開了 一種化學(xué)氣相沉積工藝浮法在線生產(chǎn)低輻射膜玻璃的 方法，該方法采用的是氣化的反應(yīng)物混合物作為鍍膜材料，用熱的載氣流將分 散或流化的有機錫粉末氣化，也可將溶劑化的有機錫化合物注入到熱的載氣流中，有機錫的反應(yīng)氣流包括有機錫、氧化劑、惰性氣體等，但是該方法涉及的 反應(yīng)物質(zhì)要求在高溫下瞬間分解反應(yīng)，不容易控制，而且工藝比較復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種浮法在線的生產(chǎn)低輻射膜玻璃的方法，是利用常 壓化學(xué)氣相沉積法，采用合適的前質(zhì)體氣體混合物分兩步在熱的玻璃表面上沉 積二氧化硅的屏蔽層和摻氟、銻和磷的氧化錫低輻射層的復(fù)合膜層。
為達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明提出以下的技術(shù)方案
一種低輻射膜玻璃的浮法在線生產(chǎn)方法，包含以下步驟 Sl在浮法玻璃生產(chǎn)線上，熔融的玻璃液浮在錫槽內(nèi)運動并逐漸冷卻形成 玻璃帶，玻璃帶離開錫槽進入氣氛控制室，在氣氛控制室內(nèi)采用常壓 化學(xué)氣相沉積法，將由硅烷、含氧源、乙烯組成的前質(zhì)體氣體混合物 以惰性氣體為載體，以高于300A/s的速度沉積在浮法玻璃帶表面形成 屏蔽層，玻璃帶的溫度為610~710°C，屏蔽層的厚度在40nm 100nm、 折射率為1.45 1.65。 S2將沉積了屏蔽層的玻璃傳輸?shù)酵嘶鸶G，在退火窯內(nèi)溫度為540 610°C 的區(qū)域，向沉積了屏蔽層的浮法玻璃帶表面通入已被霧化的含有錫源、 銻源、氟源、磷源以及催化劑、氧化劑和穩(wěn)定劑而混合制成的前質(zhì)體 氣體混合物，用氮氣作為載體，以高于300A/s的速度進行熱分解反應(yīng)， 在鍍有屏蔽層的玻璃帶上形成厚度為200~560nm、輻射率小于0.2的 具有低輻射性能的膜層。 優(yōu)選地，在步驟Sl中，所述氣氛控制室的入口和出口處通入高速流動的 包含氮氣和/或氫氣的保護氣體來隔絕氣氛控制室內(nèi)的前質(zhì)體氣體混合物與外 界空氣的流通。
優(yōu)選地，在步驟Sl中，所述用于沉積屏蔽層的前質(zhì)體氣體混合物中的硅 烷濃度為5~20%，乙烯濃度為85~100%，含氧源濃度為2~20%。
優(yōu)選地，在步驟Sl中，所述硅源是選自正硅酸乙酯、硅氧基硅烷、四氯 硅烷、 一氟硅烷、二氟硅烷、三氟硅烷和四氟硅烷中的至少一種。
優(yōu)選地，在步驟Sl中，所述含氧源是氧氣、二氧化碳、空氣、氧化二氮或亞磷酸三乙酯，所述惰性氣體是氮氣。
優(yōu)選地，在步驟Sl中，所述用于沉積屏蔽層的前質(zhì)體氣體混合物中各組
分的體積比為硅源含氧源乙烯惰性氣體=
: [2~8] : [2~9]: [3~10]。
優(yōu)選地，在步驟S2中，所述錫源是選自單丁基三氯化錫、三氯一丁基錫、 二氯二丁基錫、 一氯三丁基錫、二乙酸二丁基錫、丁基二氯化錫酯、四氯化錫、 二丁基丁烯二酸錫和十二S臾錫中的至少一種。
優(yōu)選地，在步驟S2中，所述銻源是選自三氯化銻、氯化亞銻和三溴化銻 中的至少一種。
優(yōu)選地，在步驟S2中，所述氟源是選自三氟乙酸、過氟乙酸、三氟化磷、 全氟醋酸、三氟曱苯中的至少一種。
優(yōu)選地，在步驟S2中，所述磷源是選自磷酸三乙酯、三氯氧磷、三乙基 磷、三氯化磷、四氯三氧化二磷、氧氯化磷、四乙基磷酸銨中的至少一種。
優(yōu)選地，在步驟S2中，所述穩(wěn)定劑是選自曱基丙烯酸曱酯、醋酸乙酯、 曱基丙烯酸丁酯、醋酸酐、曱基異丁基酮、異丁烯酸，催化劑是水蒸氣、曱醇、 乙醇、丙醇中的至少一種。
優(yōu)選地，在步驟S2中，所述用于沉積低輻射膜層的前質(zhì)體氣體混合物中 各成分的摩爾百分?jǐn)?shù)比是錫源銻源氟源磷源穩(wěn)定劑氧化劑催化 劑=[1~10] : [1~5] : [1~2] :
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在本發(fā)明中，乙烯和含氧源的引入可以形成一種含氧的SiC微晶粒。SiC 具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性，可使二氧化硅薄膜具有更強的耐堿性，而其較小的折 射率使薄膜的鏡面反射率較低。含有siC的硅薄膜經(jīng)堿液適當(dāng)腐蝕后能降低鏡
面反射，進而有可能減少光污染現(xiàn)象。
乙烯摻量不同的薄膜，其透過率均具有在近紫外區(qū)時較小，到可見區(qū)時逐 漸增大的趨勢，反映了硅薄膜對紫外可見光的強吸收和對紅外光的基本不吸收。 乙烯摻入越多，薄膜透過率就越高。乙烯的摻入對薄膜厚度的影響不大，但由 于其提高了薄膜中SiC的成分，而SiC的折射率(n-2.6 2.8)與吸收因數(shù)a均 比Si小得多[n(Si"3.4 3.5],這就降低了整個膜的n與a值，使膜對光線的反
6射與吸收能力減弱。
本發(fā)明用常壓化學(xué)氣相沉積發(fā)鍍二氧化硅的屏蔽層的過程是吸收、受熱 分解和氧化。硅源的熱分解過程是沉積熱解轉(zhuǎn)換過程，當(dāng)玻璃基體溫度一定， 分解率一定時，沉積速率將與吸附反應(yīng)劑的分子有關(guān)。
硅烷(SiH4)具有S產(chǎn)-IT的離子形式，在一定的溫度下能夠被很快的和氧氣 發(fā)生反應(yīng)，即
SiH4(g) + 202(g)=Si02(s) + 2H20(g)
利用常壓化學(xué)氣相沉積法制備Si02膜時，可通過調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體的流量比、 反應(yīng)室中的壓力、溫度及射頻功率等參數(shù)，來控制Si02膜的生長速率。將沉積
后的玻璃片進行退火，消除Si02膜中H原子的影響，得到高質(zhì)量的Si02膜。
Sn02是一種對可見光透明的寬帶隙氧化物N型半導(dǎo)體，霍爾系數(shù)為負(fù)值， 電子遷移率為10 cm々(V.s) 50cm"(V's)其禁帶寬度3.7 eV~4.0 eV，具有正四面 體金紅石結(jié)構(gòu)。高溫水解制得的Sn02晶格中存在0^離子的缺位，氧離子缺位 附近的錫會多余出價電子，而這些束繂性不強的電子很容易被激發(fā)，從而成為 載流子，表現(xiàn)出一定的電子導(dǎo)電性能。同時由于載流子的遷移，對中遠(yuǎn)紅外波 長的反射很高，膜的電導(dǎo)性取決于載流子的濃度。
如果對Sn02的晶格狀況進行處理，使其更大程度地偏離化學(xué)計量比，則 載流子濃度也會得到相應(yīng)的增加。對Sn02進行摻雜處理后，載流子濃度得到 改變，可以提高膜層的導(dǎo)電性能，并且降低輻射率。本著這一原理，本發(fā)明采 用了向Sn02薄膜中加入雜質(zhì)F、 Sb和P元素，使薄膜的性能得到改善。摻F 的Sn02薄膜具有良好的光電性能，但熱穩(wěn)定性差；摻Sb的Sn02薄膜熱穩(wěn)定 性較好，但光學(xué)性能差，而同時摻入F和Sb，并調(diào)整摻雜比例，可以獲得較好 綜合性能的Sn02基透明導(dǎo)電薄膜，而P的摻入則可以進一步提高薄膜的電導(dǎo) 率。
摻雜劑F的作用是取代Sn02薄膜結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)中部分O的位置，形成n型摻 雜，因此F摻雜量的多少直接影響著薄膜的結(jié)構(gòu)和性能。摻雜離子F以替代形 式占據(jù)晶格中O的位子，由于不符合化學(xué)計量，產(chǎn)生多余的電子，這種電子受 到的束縛作用^艮弱，能夠在晶體中自由運動，形成自由載流子。在較大錫氟比下(即F摻雜量較小)，每個摻雜的F都能提供一個載流子，薄膜電阻率隨著F 摻雜量的增加而減?。浑S著F摻雜量的不斷增加，高濃度摻雜使Sn02費米能 級進入導(dǎo)帶，形成導(dǎo)電率4艮高的簡并半導(dǎo)體；隨著4參雜量的繼續(xù)增加，部分摻 雜離子不再以替代形式取代晶格中O的位子，而是出現(xiàn)在了晶格間隙位子，這 部分摻雜離子不提供載流子，另 一方面由于摻雜離子本身也是一種晶格缺陷， 對載流子有較強的散射作用，濃度過高，會嚴(yán)重影響電子的遷移率，惡化導(dǎo)電 性。
Sb摻雜屬替位式摻雜，Sb原子替換了錫原子所在的正常格點位置而產(chǎn)生 出額外自由電子，結(jié)果隨著摻雜濃度的提高，更多的錫原子被替換掉，從而釋 放出更多的載流子，使薄膜的方塊電阻下降。當(dāng)Sb摻雜濃度達到一定量時， 摻雜原子在晶粒內(nèi)和晶粒間界都趨于飽和，此時，隨著摻雜濃度的增加，電離 雜質(zhì)和晶格缺陷散射開始增加，從而導(dǎo)致載流子的遷移率下降，進而使得薄膜 的方塊電阻緩慢增加。
P的摻入可以取代Sb摻雜在Sn02晶格中的位置，并且以P"的離子形式出 現(xiàn)，從而有一個多余的電子參與導(dǎo)電，使得薄膜的導(dǎo)電性能得到提到，電導(dǎo)率 降低。但是過多的P摻雜會使得可見光和太陽光的透射率降低。
本發(fā)明提供的浮法在線生產(chǎn)低輻射膜玻璃的方法由于合理地采用了氟源、 銻源、磷源、穩(wěn)定劑和催化劑，使它們與錫源有效地相結(jié)合，從而使得前質(zhì)體 氣體混合物的分解速度快，而且生產(chǎn)過程容易控制。相比較現(xiàn)有的技術(shù)，用這 種方法制得的膜層在相同條件下沉積的速率要更高，而且膜層均勻性好、方塊 電阻較小，具有較高的導(dǎo)電率高、更低的輻射率，而且耐磨性能好，并具有4艮 好的抗堿性能。本發(fā)明方法還具有生產(chǎn)穩(wěn)定、安全，生產(chǎn)效率高、產(chǎn)品性能優(yōu) 異的特點，非常適合大規(guī)模地制造低輻射膜玻璃。
具體實施方式
實施例1
在浮法玻璃的生產(chǎn)線上，在錫槽的出口處設(shè)置氣氛控制室，在氣氛控制室 內(nèi)將由硅源、含氧源、乙烯、惰性氣體等組成的前質(zhì)體氣體混合物，引導(dǎo)流向，沿著待鍍膜的玻璃表面流動；玻璃的表面穩(wěn)定大約在650。C左右，玻璃帶的拉 引速度控制在480m/h;硅源的濃度為12%,乙烯的濃度為99%，含氧源的濃度 為20%,以惰性氣體為載體，沉積制得折射率約為1.50、厚度為50nm的屏蔽層。
將已經(jīng)沉積有屏蔽層的玻璃帶引進到退火窯前端，在其上方設(shè)置單通道進 氣結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器，將三氟乙酸、單丁基三氯化錫、三氯化銻、三乙基磷組成前 質(zhì)體氣體混合物，以氮氣作為載氣，加入反應(yīng)量的氧氣和水蒸氣分別作為氧化 劑和催化劑。各種氣體的混合物摩爾百分?jǐn)?shù)是三氟乙酸1.8mol%，單丁基三 氯化錫2.8mol%，三氯化銻2.5mol%，三乙基褲lmol%，氧氣和水蒸氣一共 3.5mol%，其余的都為載氣。
測得制得出來的復(fù)合膜層厚度為360nm,方塊電阻為26Q/口，輻射率E = 0.16,透射率達到84.2%。
實施例2
在浮法玻璃的生產(chǎn)線上，在錫槽的出口處設(shè)置氣氛控制室，在氣氛控制室 內(nèi)將由硅源、含氧源、乙烯、惰性氣體等組成的前質(zhì)體氣體混合物，引導(dǎo)流向， 沿著待鍍膜的玻璃表面流動；玻璃的表面穩(wěn)定大約在610。C左右，玻璃帶的拉 引速度控制在480m/h;硅源的濃度為10%,乙烯的濃度為100%，含氧源的濃 度為18%,以惰性氣體為載體，沉積制得折射率約為1.49、厚度為40nm的屏 蔽層。
將已經(jīng)沉積有屏蔽層的玻璃帶引進到退火窯前端，在其上方設(shè)置單通道進 氣結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器，將三氟化磷、三氯一丁基錫、三溴化銻、磷酸三乙酯組成前 質(zhì)體氣體混合物，以空氣作為載氣，加入反應(yīng)量的氧氣和水蒸氣作為氧化劑和 催化劑。各種氣體的混合物摩爾百分?jǐn)?shù)是三氟化磷2.0mo1。/。，單丁基三氯化 錫4.8mol%,三氯化銻1.0mol%，三乙基磷0.1mol%，氧氣和水蒸氣一共 5.5mol%,其余的都為載氣。
測得制得出來的復(fù)合膜層厚度為480nm，方塊電阻為22D/口，輻射率E = 0.15，透射率達到83.6%。
實施例3
在浮法玻璃的生產(chǎn)線上，在錫槽的出口處設(shè)置氣氛控制室，在氣氛控制室 內(nèi)將由硅源、含氧源、乙烯、惰性氣體等組成的前質(zhì)體氣體混合物，引導(dǎo)流向，沿著待鍍膜的玻璃表面流動；玻璃的表面穩(wěn)定大約在680。C左右，玻璃帶的拉 引速度控制在480m/h;硅源的濃度為18%,乙烯的濃度為95%,含氧源的濃度 為12%,以惰性氣體作為稀釋氣體，沉積制得折射率約為1.48、厚度為85nm
的屏蔽層。
將已經(jīng)沉積有屏蔽層的玻璃帶引進到退火窯前端，在其上方設(shè)置單通道進 氣結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器，將三氟曱苯、二氯二丁基錫、三氯化銻、三氯化磷組成前質(zhì) 體氣體混合物，以空氣作為載氣，加入反應(yīng)量的氧氣和水蒸氣作為氧化劑和催 化劑。各種氣體的混合物摩爾百分?jǐn)?shù)是三氟曱苯1.0mol%, 二氯二丁基錫 1.0mol%，三氯化銻5.0mol0/o，三氯化磷0.5mo10/0,氧氣和水蒸氣一共O.6mol0/o, 其余的都為載氣。
測得制得出來的復(fù)合膜層厚度為350nm，方塊電阻為32Q/口，輻射率E = 0.16,透射率達到82.5%。
實施例4
在浮法玻璃的生產(chǎn)線上，在錫槽的.出口處設(shè)置氣氛控制室，在氣氛控制室 內(nèi)將由硅源、含氧源、乙烯、惰性氣體等組成的前質(zhì)體氣體混合物，引導(dǎo)流向，
沿著待鍍膜的玻璃表面流動；玻璃的表面穩(wěn)定大約在710。C左右，玻璃帶的4立
引速度控制在480m/h;硅源的濃度為20%,乙烯的濃度為80%，含氧源的濃度 為15%,以惰性氣體作為稀釋氣體，沉積制得折射率約為1.65、厚度為100nm 的屏蔽層。
將已經(jīng)沉積有屏蔽層的玻璃帶引進到退火窯前端，在其上方設(shè)置單通道進 氣結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器，將三氟乙酸、 一氯三丁基化錫、三溴化銻、氧氯化磷組成前 質(zhì)體氣體混合物，以氮氣作為載氣，加入反應(yīng)量的氧氣和水蒸氣作為氧化劑和 催化劑。各種氣體的混合物摩爾百分?jǐn)?shù)是三氟乙酸1.5mol%, —氯三丁基化 錫7.8mol%,三溴化銻3.5mol%，氧氯化磷0.8mol%,氧氣和水蒸氣一共 2.5mol%，其余的都為載氣。
測得制得出來的復(fù)合膜層厚度為560nm，方塊電阻為18Q/口，輻射率E = 0.14，透射率達到81.6%。
實施例5
在浮法玻璃的生產(chǎn)線上，在錫槽的出口處設(shè)置氣氛控制室，在氣氛控制室 內(nèi)將由硅源、含氧源、乙烯、惰性氣體等組成的前質(zhì)體氣體混合物，引導(dǎo)流向，沿著待鍍膜的玻璃表面流動；玻璃的表面穩(wěn)定大約在650。C左右，玻璃帶的拉 引速度控制在480m/h;硅源的濃度為18%，乙烯的濃度為95%,含氧源的濃度 為12%,以惰性氣體作為稀釋氣體，沉積制得折射率約為1.45、厚度為65nm
的屏蔽層。
將已經(jīng)沉積有屏蔽層的玻璃帶引進到退火窯前端，在其上方設(shè)置單通道進 氣結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器，將三氟化磷、二乙酸二丁基錫、三氯化銻、四乙基磷酸銨組 成前質(zhì)體氣體混合物，以氮氣作為載氣，加入反應(yīng)量的氧氣和水蒸氣蒸氣作為 氧化劑和催化劑。各種氣體的混合物摩爾百分?jǐn)?shù)是三氟化磷1.2mol%, 二乙 酸二丁基錫10.0mol%,三氯化銻4.2mo10/。，四乙基磷酸銨0.2mol%，氧氣和水 蒸氣一共3.5mo1。/。，其余的都為載氣。
測得制得出來的復(fù)合膜層厚度為200nm,方塊電阻為35Q/口，輻射率E = 0.16,透射率達到84.2%。
在上述以及其它具體實施例中，工藝中所采用的硅源是選自正硅酸乙酯、 硅氧基硅烷、四氯硅烷、 一氟硅烷、二氟硅烷、三氟硅烷和四氟硅烷等；含氧 源是氧氣、二氧化碳、空氣、氧化二氮或亞磷酸三乙酯；其中的錫源還可選用 丁基二氯化錫酯、四氯化錫、二丁基丁烯二酸錫和十二酸錫等。
以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)， 但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域 的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若千變形和 改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附 權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種低輻射膜玻璃的浮法在線生產(chǎn)方法，包含以下步驟S1在浮法玻璃生產(chǎn)線上，熔融的玻璃液浮在錫槽內(nèi)運動并逐漸冷卻形成玻璃帶，玻璃帶離開錫槽進入氣氛控制室，在氣氛控制室內(nèi)采用常壓化學(xué)氣相沉積法，將由硅烷、含氧源、乙烯組成的前質(zhì)體氣體混合物以惰性氣體為載體，以高于的速度沉積在浮法玻璃帶表面形成屏蔽層，玻璃帶的溫度為610～710℃，屏蔽層的厚度在40nm～100nm、折射率為1.45～1.65。S2將沉積了屏蔽層的玻璃傳輸?shù)酵嘶鸶G，在退火窯內(nèi)溫度為540～610℃的區(qū)域，向沉積了屏蔽層的浮法玻璃帶表面通入已被霧化的含有錫源、銻源、氟源、磷源以及催化劑、氧化劑和穩(wěn)定劑而混合制成的前質(zhì)體氣體混合物，用氮氣作為載體，以高于的速度進行熱分解反應(yīng)，在鍍有屏蔽層的玻璃帶上形成厚度為200～560nm、輻射率小于0.2的具有低輻射性能的膜層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟S1中，所述氣氛控制室 的入口和出口處通入高速流動的包含氮氣和/或氫氣的保護氣體來隔絕氣氛 控制室內(nèi)的前質(zhì)體氣體混合物與外界空氣的流通。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S1中，所述用于沉 積屏蔽層的前質(zhì)體氣體混合物中的硅烷濃度為5~20%,乙烯濃度為 85~100%,含氧源濃度為2~20%。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S1中，所述珪源是 選自正硅酸乙酯、硅氧基硅烷、四氯硅烷、 一氟硅烷、二氟硅烷、三氟硅烷 和四氟珪烷中的至少 一種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S1中，所述含氧源 是氧氣、二氧化石友、空氣、氧化二氮或亞磷酸三乙酯，所述惰性氣體是氮氣。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S1中，所述用于沉 積屏蔽層的前質(zhì)體氣體混合物各組分與惰性氣體的體積比為硅源含氧源 乙烯惰性氣體=
: [2~8] : [2~9] : [3 ~ 10]。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，所述錫源是 選自單丁基三氯化錫、三氯一丁基錫、二氯二丁基錫、 一氯三丁基錫、二乙 酸二丁基錫、丁基二氯化錫酯、四氯化錫、二丁基丁烯二酸錫和十二酸錫中 的至少一種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，所述銻源是 選自三氯化銻、氯化亞銻和三溴化銻中的至少一種。
9. 才艮據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，所述氟源是 選自三氟乙酸、過氟乙酸、三氟化磷、全氟醋酸、三氟甲苯中的至少一種。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，所述磷源是 選自磷酸三乙酯、三氯氧磷、三乙基磷、三氯化磷、四氯三氧化二磷、氧氯 化磷、四乙基磷酸銨中的至少一種。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，所述穩(wěn)定劑 是選自曱基丙烯酸曱酯、醋酸乙酯、曱基丙烯酸丁酯、醋酸酐、曱基異丁基 酮、異丁烯酸，催化劑是水蒸氣、甲醇、乙醇、丙醇中的至少一種。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，所述用于沉 積低輻射膜層的前質(zhì)體氣體混合物中各成分的摩爾百分?jǐn)?shù)比是錫源銻源 氟源磷源穩(wěn)定劑氧化劑催化劑=[1~10] : [1~5] : [1 2] :
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全文摘要
本發(fā)明涉及一種低輻射膜玻璃的浮法在線生產(chǎn)方法，包含在浮法玻璃生產(chǎn)線上，熔融的玻璃液浮在錫槽內(nèi)運動并逐漸冷卻形成玻璃帶，玻璃帶離開錫槽進入氣氛控制室，在氣氛控制室內(nèi)采用常壓化學(xué)氣相沉積法，將由硅烷、含氧源、乙烯組成的前質(zhì)體氣體混合物以惰性氣體為載體，以高于300/s的速度沉積在浮法玻璃帶表面形成屏蔽層；然后將沉積了屏蔽層的玻璃傳輸?shù)酵嘶鸶G，在退火窯內(nèi)溫度為540～610℃的區(qū)域，向沉積了屏蔽層的浮法玻璃帶表面通入已被霧化的含有錫源、銻源、氟源、磷源和、催化劑、穩(wěn)定劑的前質(zhì)體氣體混合物，用氮氣為載體，以高于300/s的速度進行熱分解反應(yīng)，在鍍有屏蔽層的玻璃帶上形成具有低輻射性能的膜層。
文檔編號C03C17/34GK101475320SQ20091010521
公開日2009年7月8日 申請日期2009年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月20日
發(fā)明者劉建黨, 王杏娟, 譚小安 申請人:中國南玻集團股份有限公司