專利名稱：一種單晶硅棒切方工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于光伏技術領域，具體是涉及一種用于現(xiàn)代單晶硅片生產的單 晶硅棒切方工藝。
背景技術：
隨著全球范圍內綠色能源的推廣和近年來半導體產業(yè)的飛速發(fā)展，硅片 市場的供需已極度不平衡，切割加工能力的落后與產能的嚴重不足已構成了 整個半導體產業(yè)鏈的瓶頸。作為硅片上游生產的關鍵技術，近年來崛起的新 型硅片多絲切割技術具有切割表面質量高、切割效率高、可切割尺寸大和后
續(xù)加工方便等優(yōu)點。而日本NTC切方機在正產生產過程中穩(wěn)定性(連續(xù)切割 三批后)波動比較大，第一批次和第三批次切割尺寸誤差超過士0.8左右，第 三批次后的尺寸往往超過公差標準，上下斜度更是超過+ 0.6以上，合格率 僅僅只有50%左右，(單位長度300mm左右)需經再次修磨才能合格，這些 不合格方棒給公司帶來了極大的損失。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術中存在的不足，提供一種切割精度高， 次品率低的單晶硅棒切方工藝。
本發(fā)明的目的通過以下的技術方案實現(xiàn)所述單晶硅棒切方工藝包括如 下步驟
(1) 選取長度在220~500mm之間，直徑在153~160mm之間的單晶硅 圓棒，將單晶硅圓棒用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上并在常溫下冷卻，粘 膠溫度為380 420'C，單晶硅圓棒的垂直偏差角度在90。 ±1.5以內；
(2) 將切方機的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機加磁工作臺上，編號記 錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；
(3) 校準連接定位臺，將導向輪間距修正為124.7mm;設定加工切割參 數(shù)，開動切方機進行帶砂切割，其中，砂漿密度為1.70-1.82g/cm3;砂漿溫 度為24.5~25.5°C;砂漿流量為110L/min~130L/min;新線放給量為30m/min; 切割平均速度為580 620m/min;切割速度530um/min
(4) 將上述切割后的半成品轉移到30 35'C溫水中放置10 15min后， 再放入58 62'C左右的熱水中進行脫膠，去除邊皮并分離晶托；
3(5)檢驗上述經過脫膠并分離晶托處理后的半成品，邊長公差在士 O.lmm以內，垂直偏差度在90。 土1.5度以內，表面光潔度在V6以上的即 為合格品，合格品可轉入其他操作工序。
所述砂漿的配制首先將碳化硅F360和碳化硅W800按6:4的重量比混 合均勻制成混合物；然后將上述混合物與聚乙二醇按1:1.05的重量比混合并 攪拌均勻，配制成砂漿。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，切割效果良好，合格率大幅度提高，極大地提 高了機器的工作效率；導向輪間距經過修正后，即使切割中帶砂不夠，也能 保證整個尺寸控制在公差值以內。
具體實施例方式
下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步描述
實施例1
(1) 選取長度為300mm，直徑在155mm的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒 用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為400°C，單 晶硅圓棒的垂直偏差角度在90。 ±1.5以內；
(2) 將切方機的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機的加磁工作臺上，編號 記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；用加磁器加磁10秒，連續(xù)3次；
(3) 校準定位臺，將導向輪間距修正為124.7mm;設定加工切割參數(shù)， 開動切割機進行帶砂切割，其中，砂漿密度為1.78g/cm3;砂漿溫度為25'C; 砂漿流量為110L/min;新線放給量為30m/min;切割平均速度為600m/min; 切割速度530um/min
(4) 將上述切割后的半成品轉移到3(TC左右的溫水中放置15min后， 再放入6(TC左右的熱水中進行脫膠，去除邊皮并分離晶托后轉入其它操作工 序；
(5) 檢驗上述經過脫膠并分離晶托處理后的半成品，經檢驗，該半成品 邊長公差為O，垂直偏差度為O，表面光潔度為V9，完全符合切方標準要求， 可轉入其它操作工序。
實施例2
本發(fā)明單晶硅棒切方工藝包括如下步驟 (1)選取長度為300mm，直徑在155mm的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒 用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為40(TC，單 晶硅圓棒的垂直偏差角度在90。 ±1.5以內；(2) 將切方機的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機的加磁工作臺上，編號 記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；用加磁器加磁10秒。連續(xù)3次
(3) 校準定位臺，將導向輪間距修正為124.7mm;設定加工切割參數(shù)， 開動切割機進行帶砂切割，其中，砂漿密度為1.78g/cm3;砂漿溫度為25'C; 砂漿流量為110L/min;新線放給量為30m/min;切割平均速度為600m/min; 切割速度530um/min
(4) 將上述切割后的半成品轉移到30'C左右的溫水中放置15min后， 再放入6(TC左右的熱水中進行脫膠，去除邊皮并分離晶托后轉入其它操作工 序；
(5) 檢驗上述經過脫膠并分離晶托處理后的半成品，經檢驗，該半成品 邊長公差為O，垂直偏差度為O，表面光潔度為V9，完全符合切方標準要求， 可轉入其它操作工序。
實施例3
本發(fā)明單晶硅棒切方工藝包括如下步驟
(1) 選取長度為300mm，直徑在155mm的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒 用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為400'C，單 晶硅圓棒的垂直偏差角度在90。 ±1.5以內；
(2) 將切方機的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機的加磁工作臺上，編號 記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；用加磁器加磁10秒。連續(xù)3次
(3) 校準定位臺，將導向輪間距修正為124.7mm;設定加工切割參數(shù)， 開動切割機進行帶砂切割，其中，砂漿密度為1.78g/cm3;砂漿溫度為25'C; 砂漿流量為110L/min;新線放給量為30m/min;切割平均速度為600m/min; 切割速度530um/min
(4) 將上述切割后的半成品轉移到3(TC左右的溫水中放置15min后， 再放入6(TC左右的熱水中進行脫膠，去除邊皮并分離晶托后轉入其它操作工 序；
(5) 檢驗上述經過脫膠并分離晶托處理后的半成品，經檢驗，該半成品 邊長公差為O，垂直偏差度為O，表面光潔度為V9，完全符合切方標準要求， 可轉入其它操作工序。
權利要求
1、一種單晶硅棒切方工藝，其特征在于單晶硅棒切方工藝包括如下步驟(1)選取長度在220～500mm之間，直徑在153～160mm之間的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為380～420℃，單晶硅圓棒的垂直偏差角度在±1.5度以內；(2)將切方機的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機加磁工作臺上，編號記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；(3)校準連接定位臺，將導向輪間距修正為124.7mm；開動切方機進行帶砂切割，其中，砂漿密度為1.70～1.82g/cm3；砂漿溫度為24.5～25.5℃；砂漿流量為110L/min～130L/min；新線放給量為30m/min；切割平均速度為580～620m/min；切割速度530um/min(4)將上述切割后的半成品轉移到30～35℃溫水中放置10～15min后，再放入58～62℃的熱水中進行脫膠，去除邊皮并分離晶托；(5)檢驗上述經過脫膠并分離晶托處理后的半成品，邊長公差在±0.1mm以內，垂直偏差度在90°±1.5以內；
2、 根據(jù)權利要求l所述的一種單晶硅棒切方工藝，其特征還在于所述砂漿的配制將碳化硅F360和碳化硅W800按6:4重量比混合均勻制成混合物；再將混合物與聚乙二醇按1:1.05重量比混合并攪拌均勻，配制成砂漿。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單晶硅棒切方工藝，包括下列步驟選取長度在220～500mm之間，直徑在153～160mm之間的單晶硅圓棒并用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上；將切方機的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機加磁工作臺上，編號記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；校準定位臺，設定加工切割參數(shù)，開動切方機進行帶砂切割；將切割后的半成品脫膠、去除邊皮并分離晶托；檢驗上述經過脫膠并分離晶托處理后的半成品是否合格。本發(fā)明切割效果良好，合格率大幅度提高，極大地提高了機器的工作效率；導向輪間距經過修正后，即使切割中帶砂不夠，也能保證整個尺寸控制在公差值以內。
文檔編號B28D5/04GK101664970SQ20091018270
公開日2010年3月10日 申請日期2009年9月3日 優(yōu)先權日2009年9月3日
發(fā)明者杜正興 申請人:無錫尚品太陽能電力科技有限公司