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      一種低位錯單晶硅棒的制作方法

      文檔序號:8765610閱讀:420來源:國知局
      一種低位錯單晶硅棒的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種低位錯單晶硅棒。
      【背景技術(shù)】
      [0002]低位錯單晶硅棒主要是用于生產(chǎn)硅半導(dǎo)體材料,目前在太陽能硅片加工行業(yè),整個切割過程是鋼線帶著砂漿高速運(yùn)動完成對硅料的切割,硅片經(jīng)過切割后邊緣表面有稜角毛刺崩邊甚至有裂縫或其它缺陷,邊緣表面比較粗糙。另外,由于硅片四角為直角,在運(yùn)輸、加工過程中更容易造成缺角、崩碎等現(xiàn)象,嚴(yán)重影響硅片生產(chǎn)的良品率。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0003]針對上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型公開一種低位錯單晶硅棒,包括:硅棒本體以及設(shè)置在所述硅棒本體外表面的保護(hù)層,所述硅棒本體的底部設(shè)置有水平底座,所述硅棒本體的橫截面的各個角均是圓弧形角,所述圓弧形角的弧度為90度;所述硅棒本體的一端的橫截面上設(shè)置有一凸塊,所述硅棒本體的另一端的橫截面上設(shè)置有一凹槽。
      [0004]優(yōu)選地,所述圓弧形角的半徑是15_。
      [0005]優(yōu)選地,所述娃棒本體的長度為100mm。
      [0006]優(yōu)選地,所述保護(hù)層為PET保護(hù)層。
      [0007]本實(shí)用新型的有益效果是:將硅棒的角進(jìn)行弧形設(shè)計(jì),能夠在運(yùn)輸過程中避免出現(xiàn)崩碎的現(xiàn)象;在硅棒外表面包覆保護(hù)層,能夠有效地保護(hù)硅棒外表面,提高良品率;采用凸塊和凹槽的對接方式,能夠有效地提高太陽能電池片的成品率,使其在切割過程中更加穩(wěn)定。
      【附圖說明】
      [0008]圖1是本實(shí)用新型所述低位錯單晶硅棒的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0009]其中,硅棒本體I ;保護(hù)層2 ;水平底座3 ;圓弧形角4 ;凸塊5。
      【具體實(shí)施方式】
      [0010]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳細(xì)說明,以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說明書文字能夠據(jù)以實(shí)施。
      [0011]如圖所示,本實(shí)用新型公開一種低位錯單晶硅棒,包括:硅棒本體I以及設(shè)置在所述硅棒本體I外表面的保護(hù)層2,所述硅棒本體I的底部設(shè)置有水平底座3,所述硅棒本體I的橫截面的各個角均是圓弧形角4,所述圓弧形角4的弧度為90度;所述硅棒本體I的一端的橫截面上設(shè)置有一凸塊5,所述硅棒本體I的另一端的橫截面上設(shè)置有一凹槽。所述圓弧形角4的半徑是15mm。所述硅棒本體I的長度為100mm。所述保護(hù)層2為PET保護(hù)層。將硅棒的角進(jìn)行弧形設(shè)計(jì),能夠在運(yùn)輸過程中避免出現(xiàn)崩碎的現(xiàn)象;在硅棒外表面包覆保護(hù)層,能夠有效地保護(hù)硅棒外表面,提高良品率;采用凸塊和凹槽的對接方式,能夠有效地提高太陽能電池片的成品率,使其在切割過程中更加穩(wěn)定。
      [0012]盡管本實(shí)用新型的實(shí)施方案已公開如上,但其并不僅僅限于說明書和實(shí)施方式中所列運(yùn)用,它完全可以被適用于各種適合本實(shí)用新型的領(lǐng)域,對于熟悉本領(lǐng)域的人員而言,可容易地實(shí)現(xiàn)另外的修改,因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下,本實(shí)用新型并不限于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的圖例。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種低位錯單晶硅棒,其特征在于,包括:硅棒本體以及設(shè)置在所述硅棒本體外表面的保護(hù)層,所述硅棒本體的底部設(shè)置有水平底座,所述硅棒本體的橫截面的各個角均是圓弧形角,所述圓弧形角的弧度為90度;所述硅棒本體的一端的橫截面上設(shè)置有一凸塊,所述硅棒本體的另一端的橫截面上設(shè)置有一凹槽。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低位錯單晶硅棒,其特征在于:所述圓弧形角的半徑是15_。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低位錯單晶硅棒,其特征在于:所述硅棒本體的長度為10mm0
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低位錯單晶硅棒,其特征在于:所述保護(hù)層為PET保護(hù)層。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種低位錯單晶硅棒,包括:硅棒本體以及設(shè)置在所述硅棒本體外表面的保護(hù)層,所述硅棒本體的底部設(shè)置有水平底座,所述硅棒本體的橫截面的各個角均是圓弧形角,所述圓弧形角的弧度為90度;所述硅棒本體的一端的橫截面上設(shè)置有一凸塊,所述硅棒本體的另一端的橫截面上設(shè)置有一凹槽。所述低位錯單晶硅棒將硅棒的角進(jìn)行弧形設(shè)計(jì),能夠在運(yùn)輸過程中避免出現(xiàn)崩碎的現(xiàn)象;在硅棒外表面包覆保護(hù)層,能夠有效地保護(hù)硅棒外表面,提高良品率;采用凸塊和凹槽的對接方式,能夠有效地提高太陽能電池片的成品率,使其在切割過程中更加穩(wěn)定。
      【IPC分類】C30B29-06
      【公開號】CN204474792
      【申請?zhí)枴緾N201420840264
      【發(fā)明人】張忠安
      【申請人】江西豪安能源科技有限公司
      【公開日】2015年7月15日
      【申請日】2014年12月26日
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