專利名稱：?jiǎn)尉Ч璋舻那蟹焦に嚨闹谱鞣椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域的單晶硅片生產(chǎn)工藝，具體地說(shuō)是一種單晶硅棒的切方工藝。
背景技術(shù)：
作為硅片上游生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，近年來(lái)崛起的新型硅片多絲切割技術(shù)具有切割表面質(zhì)量高、切割效率高、可切割尺寸大和后續(xù)加工方便等優(yōu)點(diǎn)。日本NTC切方機(jī)是實(shí)現(xiàn)多絲切割的常用設(shè)備。使用NTC切方機(jī)切割單晶硅棒的常用工藝中，砂漿粘度為38-42mpa. s，砂漿密度為1. 70-1. 72g/cm3 ；新線放給量為25-30m/min ；切割線平均速度為600-700m/min ；進(jìn)給速度為 600-650um/min。采用上述工藝參數(shù)進(jìn)行生產(chǎn)時(shí)，連續(xù)切割三批后穩(wěn)定性波動(dòng)比較大，第一批次和第三批次切割尺寸誤差超過(guò)士0. 8左右，第三批次后的尺寸往往超過(guò)公差標(biāo)準(zhǔn)，上下斜度更是超過(guò)+0. 6以上，合格率僅僅只有90%左右，(單位長(zhǎng)度300mm左右)需經(jīng)過(guò)再次修磨后才能合格，增加了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種切割精度高、合格率高的單晶硅棒的切方工藝。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案一種單晶硅棒的切方工藝，包括以下步驟
(1)選取長(zhǎng)度在170-500mm之間，直徑在166.5_173mm之間的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒用粘膠垂直粘接在切方機(jī)的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為350-400°C，單晶硅圓棒的垂直偏差角度在90° 士 1.5°以內(nèi)；
(2)將切方機(jī)的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機(jī)加磁工作臺(tái)上，編號(hào)記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；
(3)校準(zhǔn)連接定位臺(tái)，將切方機(jī)的主滾輪間距修正為125.3-125. 5mm，設(shè)定加工切割參數(shù)，其中，砂漿粘度為42-45mpa. s，砂漿密度為1. 73-1. 78g/cm3，砂漿溫度為24. 5-25. 5°C, 砂漿流量為110L/min-120L/min ；新線放給量為15-25m/min ；切割線平均速度為650_750m/ min ；切割速度為650-880 μ m/min ；然后開動(dòng)切方機(jī)進(jìn)行帶砂切割；
(4)將上述切割后的半成品轉(zhuǎn)移到32-35°C溫水中放置10-15min后，再放入65-70°C的熱水中進(jìn)行脫膠，去除邊皮并分離晶托；
(5)檢驗(yàn)上述經(jīng)過(guò)脫膠并分離晶托處理后的半成品，合格品轉(zhuǎn)入其他工序。所述砂漿的配置首先將F360碳化硅與800號(hào)碳化硅按6 4的重量比混合成混合砂，碳化硅粒徑是14-15um，然后將上述混合砂與聚乙二醇按1. 1 1的重量比混合并攪拌均勻，配置成砂漿。本發(fā)明與已有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)砂漿粘度、密度增加，使帶砂能力加強(qiáng)，進(jìn)給速度加快，新線放給量減少，從而使切割效果變得良好，合格率大幅度提高，極大地提高了機(jī)器的工作效率；主滾輪間距經(jīng)過(guò)修正后，即使切割中帶砂不夠，也能保證整個(gè)尺寸控制在公差值以內(nèi)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。實(shí)施例1
一種單晶硅棒的切方工藝，包括以下步驟
(1)選取長(zhǎng)度為300mm，直徑為170mm的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒用粘膠垂直粘接在切方機(jī)的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為400°C，單晶硅圓棒的垂直偏差角度在 90° 士 1. 5° 以內(nèi)；
(2)將切方機(jī)的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機(jī)加磁工作臺(tái)上，編號(hào)記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒，用加磁器加磁10秒，連續(xù)3次；
(3)校準(zhǔn)連接定位臺(tái)，將切方機(jī)的主滾輪間距修正為125.3mm，設(shè)定加工切割參數(shù)，其中，砂漿粘度為42mpa. s，砂漿密度為1. 75g/cm3 ；砂漿溫度為25°C ；砂漿流量為llOL/min ； 新線放給量為20m/min ；切割線平均速度為680m/min ；切割速度為750 μ m/min ；然后開動(dòng)切方機(jī)進(jìn)行帶砂切割；
(4)將上述切割后的半成品轉(zhuǎn)移到35°C溫水中放置15min后，再放入70°C的熱水中進(jìn)行脫膠，去除邊皮并分離晶托；
(5)檢驗(yàn)上述經(jīng)過(guò)脫膠并分離晶托處理后的半成品，經(jīng)檢驗(yàn)，該半成品邊長(zhǎng)公差為士0.5mm，垂直偏差度為90° 士 1.5°以內(nèi)，表面光潔度為▽ 8，完全符合切方標(biāo)準(zhǔn)要求，可轉(zhuǎn)入其他操作工序。步驟(3)中砂漿的配置首先將F360碳化硅與800號(hào)碳化硅按6 4的重量比混合成混合砂，碳化硅粒徑是14_15um，然后將上述混合砂與聚乙二醇按1. 1 1的重量比混合并攪拌均勻，配置成砂漿。F360碳化硅與800號(hào)碳化硅為市售產(chǎn)品。實(shí)施例2
一種單晶硅棒的切方工藝，包括以下步驟
(1)選取長(zhǎng)度為170mm，直徑為166.5mm的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒用粘膠垂直粘接在切方機(jī)的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為380°C，單晶硅圓棒的垂直偏差角度在 90° 士 1. 5° 以內(nèi)；
(2)將切方機(jī)的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機(jī)加磁工作臺(tái)上，編號(hào)記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒，用加磁器加磁10秒，連續(xù)2次；
(3)校準(zhǔn)連接定位臺(tái)，將切方機(jī)的主滾輪間距修正為125.4mm，設(shè)定加工切割參數(shù)，其中，砂漿粘度為45mpa. s，砂漿密度為1. 78g/cm3 ；砂漿溫度為25. 5°C ；砂漿流量為120L/ min ；新線放給量為15m/min ；切割線平均速度為750m/min ；切割速度為880 μ m/min ；然后開動(dòng)切方機(jī)進(jìn)行帶砂切割；
(4)將上述切割后的半成品轉(zhuǎn)移到32°C溫水中放置i:3min后，再放入68°C的熱水中進(jìn)行脫膠，去除邊皮并分離晶托；
(5)檢驗(yàn)上述經(jīng)過(guò)脫膠并分離晶托處理后的半成品，經(jīng)檢驗(yàn)，該半成品邊長(zhǎng)公差為
4士0.5mm，垂直偏差度為90° 士0. 5°以內(nèi)，表面光潔度為▽ 9，完全符合切方標(biāo)準(zhǔn)要求，可轉(zhuǎn)入其他操作工序。步驟(3)中砂漿的配置首先將F360碳化硅與800號(hào)碳化硅按6 4的重量比混合成混合砂，碳化硅粒徑是14_15um，然后將上述混合砂與聚乙二醇按1. 1 1的重量比混合并攪拌均勻，配置成砂漿。F360碳化硅與800號(hào)碳化硅為市售產(chǎn)品。實(shí)施例3
一種單晶硅棒的切方工藝，包括以下步驟
(1)選取長(zhǎng)度為500mm，直徑為173mm的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒用粘膠垂直粘接在切方機(jī)的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為350°C，單晶硅圓棒的垂直偏差角度在 90° 士 1. 5° 以內(nèi)；
(2)將切方機(jī)的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機(jī)加磁工作臺(tái)上，編號(hào)記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒，用加磁器加磁10秒，連續(xù)3次；
(3)校準(zhǔn)連接定位臺(tái)，將切方機(jī)的主滾輪間距修正為125.5mm，設(shè)定加工切割參數(shù)，其中，砂漿粘度為43mpa. s，砂漿密度為1. 73g/cm3 ；砂漿溫度為24. 5 °C ；砂漿流量為115L/ min ；新線放給量為25m/min ；切割線平均速度為650m/min ；切割速度為650 μ m/min ；然后開動(dòng)切方機(jī)進(jìn)行帶砂切割；
(4)將上述切割后的半成品轉(zhuǎn)移到33°C溫水中放置IOmin后，再放入65°C的熱水中進(jìn)行脫膠，去除邊皮并分離晶托；
(5)檢驗(yàn)上述經(jīng)過(guò)脫膠并分離晶托處理后的半成品，經(jīng)檢驗(yàn)，該半成品邊長(zhǎng)公差為士0.5mm，垂直偏差度為90° 士 1.5°以內(nèi)，表面光潔度為▽ 8，完全符合切方標(biāo)準(zhǔn)要求，可轉(zhuǎn)入其他操作工序。步驟(3)中砂漿的配置首先將F360碳化硅與800號(hào)碳化硅按6 4的重量比混合成混合砂，碳化硅粒徑是14_15um，然后將上述混合砂與聚乙二醇按1. 1 1的重量比混合并攪拌均勻，配置成砂漿。F360碳化硅與800號(hào)碳化硅為市售產(chǎn)品。
權(quán)利要求
1.一種單晶硅棒的切方工藝，其特征是，包括以下步驟(1)選取長(zhǎng)度在170-500mm之間，直徑在166.5_173mm之間的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒用粘膠垂直粘接在切方機(jī)的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為350-400°C，單晶硅圓棒的垂直偏差角度在90° 士 1.5°以內(nèi)；(2)將切方機(jī)的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機(jī)加磁工作臺(tái)上，編號(hào)記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；(3)校準(zhǔn)連接定位臺(tái)，將切方機(jī)的主滾輪間距修正為125.3-125. 5mm，設(shè)定加工切割參數(shù)，其中，砂漿粘度為42-45mpa. s，砂漿密度為1. 73-1. 78g/cm3，砂漿溫度為24. 5-25. 5°C, 砂漿流量為110L/min-120L/min ；新線放給量為15-25m/min ；切割線平均速度為650_750m/ min ；切割速度為650-880 μ m/min ；然后開動(dòng)切方機(jī)進(jìn)行帶砂切割；(4)將上述切割后的半成品轉(zhuǎn)移到32-35°C溫水中放置10-15min后，再放入65-70°C的熱水中進(jìn)行脫膠，去除邊皮并分離晶托；(5)檢驗(yàn)上述經(jīng)過(guò)脫膠并分離晶托處理后的半成品，合格品轉(zhuǎn)入其他工序。
2.按照權(quán)利要求1所述的單晶硅棒的切方工藝，其特征是所述砂漿的配置首先將 F360碳化硅與800號(hào)碳化硅按6 4的重量比混合成混合砂，然后將上述混合砂與聚乙二醇按1.1 1的重量比混合并攪拌均勻，配置成砂漿。
3.按照權(quán)利要求2所述的單晶硅棒的切方工藝，其特征是所述碳化硅粒徑是 14-15um。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單晶硅棒的切方工藝，包括以下步驟選取長(zhǎng)度在170-500mm之間，直徑在166.5-173mm之間的單晶硅圓棒，并用粘膠垂直粘接在切方機(jī)的晶托上；加磁固定晶托和單晶硅圓棒；校準(zhǔn)連接定位臺(tái)，設(shè)定加工切割參數(shù)，開動(dòng)切方機(jī)進(jìn)行帶砂切割；將切割后的半成品脫膠，去除邊皮并分離晶托；檢驗(yàn)上述經(jīng)過(guò)脫膠并分離晶托處理后的半成品，合格品轉(zhuǎn)入其他工序。本發(fā)明中的砂漿粘度、密度增加，使帶砂能力加強(qiáng)，進(jìn)給速度加快，新線放給量減少，從而使切割效果變得良好，合格率大幅度提高，極大地提高了機(jī)器的工作效率；主滾輪間距經(jīng)過(guò)修正后，即使切割中帶砂不夠，也能保證整個(gè)尺寸控制在公差值以內(nèi)。
文檔編號(hào)B28D5/04GK102328353SQ20111023093
公開日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者孫亮湖 申請(qǐng)人:無(wú)錫尚品太陽(yáng)能電力科技有限公司