專利名稱：燒成用機(jī)架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種主要適用于電子陶瓷元件多層燒成的燒成用機(jī)架。
背景技術(shù)：
通常電子陶瓷元件以如下方式制造:在作為主原料的陶瓷粉末體中添加并混合燒結(jié)輔助材料和成形輔助劑之后，通過成形形成未燒成元件，并將該未燒成元件載置于稱為承燒板(setter )的陶瓷制板上裝入燒成爐中，以規(guī)定的溫度和氣氛條件控制爐內(nèi)的同時(shí)進(jìn)行燒成。承燒板通常以多層層疊的方式使用，作為在多層重疊的承燒板之間形成分別形成空間的結(jié)構(gòu)，例如公開了如下結(jié)構(gòu):如圖9所示般，在上面周緣形成了突起8的托盤上嵌合平板狀承燒板而層疊(專利文獻(xiàn)I)。另外，以如下方式形成的結(jié)構(gòu)也被所知，即:在承燒板自身的上面周緣形成周壁部使其呈皿狀，并層疊該皿狀承燒板，其中該周壁部以確?？赡蛯臃e強(qiáng)度的方式形成(專利文獻(xiàn)2)。但是，如圖9所示般，在托盤上完全嵌入承燒板的結(jié)構(gòu)中，承燒板的外周側(cè)面被托盤覆蓋。而且當(dāng)層積承燒板時(shí)，爐內(nèi)氣體的流動(dòng)因突起部8而受到阻礙，并且最下層承燒板下面的整個(gè)面直接或通過托盤與爐體接觸，因此極大地受到來自爐體的熱傳導(dǎo)的影響，所以各層的均熱化困難。例如最下層承燒板中已施行熱處理的電子陶瓷元件與上層中已施行熱處理的電子陶瓷元件相比，存在產(chǎn)品成品率差的問題。另外，如專利文獻(xiàn)2般，當(dāng)在周圍層積皿狀承燒板時(shí)，存在如下問題:爐內(nèi)氣體的流動(dòng)因周壁部受到阻礙，而且以確?？赡蛯臃e強(qiáng)度的方式形成的周壁部相對(duì)承燒板整體所占的重量和體積阻礙了能效和批量生產(chǎn)效率的高效化。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:特開2000-74571號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開2009-227527號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題因此本發(fā)明的目的在于，解決上述現(xiàn)有問題，并且提供一種多層燒成電子陶瓷元件時(shí)能效和批量生產(chǎn)效率優(yōu)異，且多層燒成的各層均熱性優(yōu)異的燒成用機(jī)架。解決課題的方法為解決上述課題的本發(fā)明燒成用機(jī)架，其利用承燒板保持裝置在垂直方向上以多層方式保持多張平板狀承燒板，其特征在于，該承燒板保持裝置由選自含有0.01—30%的Si的S1- SiC、重結(jié)晶SiC、Si3N4 - SiC的任意材質(zhì)構(gòu)成，該承燒板保持裝置將各平板狀承燒板以使其外周側(cè)面的70—100%露出的狀態(tài)保持?；跈?quán)利要求1的燒成用機(jī)架的權(quán)利要求2所述的發(fā)明，其特征在于，承燒板保持裝置具備:多根垂直支柱，其具有承燒板保持機(jī)構(gòu)；下端支撐框架，其用于支撐該垂直支柱下端部；上端支撐框架，其用于支撐該垂直支柱上端部，該承燒板保持機(jī)構(gòu)包括選自形成在垂直支柱內(nèi)側(cè)面的多個(gè)凹部或凸部、或者架設(shè)在夾著平板狀承燒板而對(duì)置的垂直支柱之間的梁中的至少一種。如權(quán)利要求3所述，優(yōu)選地，垂直支柱也可包括構(gòu)成其4個(gè)角的垂直邊的角部垂直支柱、和垂直配置在該角部垂直支柱間的中間垂直支柱?；跈?quán)利要求1燒成用機(jī)架的權(quán)利要求4的發(fā)明，其特征在于，承燒板保持裝置包括在周邊部具有多個(gè)層積用突起的框狀平板構(gòu)件，并且在保持平板狀承燒板的狀態(tài)下以多層方式層疊。基于權(quán)利要求1燒成用機(jī)架的權(quán)利要求5的發(fā)明，其特征在于，承燒板保持裝置包括:一對(duì)直線構(gòu)件，其具有多個(gè)層積用突起且相對(duì)置而配置；梁，其架設(shè)在各層積用突起的上部凹面間，并且將平板狀承燒板保持在這些梁上的狀態(tài)下以多層方式層疊。此外，優(yōu)選地，當(dāng)構(gòu)成承燒板保持裝置的構(gòu)件由含有0.01-30%的Si的S1- SiC構(gòu)成時(shí)，其化學(xué)成分為SiC:70-99%, S1:1一30%，將SiC + Si作為100%時(shí)，進(jìn)一步含有Al:
0.01—0.2%、Fe:0.01—0.2%、Ca:0.01—0.2%。如權(quán)利要求11所述，優(yōu)選地，平板狀承燒板的材質(zhì)也是含有0.01—30%的Si的S1- SiC0另外，優(yōu)選地，當(dāng)構(gòu)成承燒板保持裝置的構(gòu)件由重結(jié)晶SiC構(gòu)成時(shí)，其化學(xué)成分為 SiC:99—100%，將 SiC 作為 100% 時(shí)，進(jìn)一步含有 Al:0.01—0.2%、Fe:0.01—0.2%、Ca:
0.01—0.2%O另外，當(dāng)構(gòu)成承燒板保持裝置的構(gòu)件由Si3N4 - SiC構(gòu)成時(shí)，其化學(xué)成分為SiC:70—80%,Si3N4:20—30%，將 SiC + Si3N4 作為 100% 時(shí)，進(jìn)一步含有 Al:0.1—0.5%,Fe:0.Ι-Ο.5%、Ca:0.01—0.2%ο發(fā)明的效果本發(fā)明燒成用機(jī)架通過由選自含有0.0l — 30%的Si的Si — SiC、重結(jié)晶SiC、Si3N4 - SiC的任意材質(zhì)構(gòu)成的承燒板保持裝置，將多張平板狀承燒板以使其外周側(cè)面的70—100%露出的狀態(tài)保持。由這些材質(zhì)構(gòu)成的承燒板保持裝置與一般使用的氧化鋁等相t匕，熱輻射率大，而且使平板狀承燒板的外周側(cè)面的70—100%露出，因此能夠?qū)t內(nèi)氣氛溫度迅速傳遞至平板狀承燒板上的電子陶瓷元件。從而多層燒成各層的均熱性優(yōu)異。另外，有這些材質(zhì)構(gòu)成的承燒板保持裝置與一般使用的氧化鋁等比較，由于高溫條件下的強(qiáng)度大，因此相應(yīng)地能夠?qū)崿F(xiàn)小型輕量化。從而多層燒成電子陶瓷元件時(shí)的能效和批量生產(chǎn)效率優(yōu)異。另外在現(xiàn)有技術(shù)中，存在如下問題:當(dāng)在各承燒板間用突起部形成空間的同時(shí)，多層層積承燒板時(shí)，以確?？赡蛯臃e強(qiáng)度的方式形成的突起部所占的重量和體積阻礙能效和批量生產(chǎn)效率的高效化。但是，如權(quán)利要求2的發(fā)明的燒成用機(jī)架，由于具有多根垂直支柱、用于支撐該垂直支柱下端部的下端支撐框架、用于支撐該垂直支柱上端部的上端支撐框架，而且是具有將多張平板狀承燒板在垂直方向上以多層方式保持的承燒板保持機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，因此不需要以確?？赡蛯臃e強(qiáng)度的方式形成的突起部，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)能效和批量生產(chǎn)效率的高效化。另外在現(xiàn)有技術(shù)中，由于當(dāng)在各承燒板間用突起部形成空間的同時(shí)，多層層積承燒板時(shí)，最下層承燒板下面的整個(gè)面直接或通過托盤與爐體接觸，因此極大地受到來自爐體的熱傳導(dǎo)的影響，因此，例如最下層承燒板中已施行熱處理的電子陶瓷元件與上層中已施行熱處理的電子陶瓷元件相比，存在產(chǎn)品成品率差等各層均熱化困難的問題。但是根據(jù)權(quán)利要求2的發(fā)明的燒成用機(jī)架，在最下層承燒板的下部面和爐體之間形成有空間，能夠降低來自爐體的熱傳導(dǎo)的影響，并且該承燒板保持機(jī)構(gòu)使各平板狀承燒板外周側(cè)面的70—100%從各垂直支柱之間露出。由此，使得對(duì)燒結(jié)有害的粘合劑分解氣體的排出等爐內(nèi)氣體的流動(dòng)難以受到阻礙，并且傳向構(gòu)成各層的承燒板的熱傳遞變得更均勻，從而能夠?qū)崿F(xiàn)各層的均熱化。根據(jù)權(quán)利要求3的發(fā)明，能夠更加穩(wěn)定地保持承燒板。另外，特別是根據(jù)在中間垂直支柱間架設(shè)梁的結(jié)構(gòu)，經(jīng)由該梁向各層承燒板中央部進(jìn)行熱傳導(dǎo)，因此能夠?qū)崿F(xiàn)與受到角部垂直支柱的熱傳導(dǎo)影響的承燒板緣部之間的均熱化。根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)明，承燒板保持裝置包括在周邊部具有多個(gè)層積用突起的框狀平板構(gòu)件，并且采用了在保持平板狀承燒板的狀態(tài)下以多層方式層疊的結(jié)構(gòu)，因此能夠使承燒板保持裝置的熱容量變小，從而能夠提高多層燒成電子陶瓷元件時(shí)的能效和批量生產(chǎn)效率。另外，與爐內(nèi)氣體的接觸性優(yōu)異，并且多層燒成的各層均熱性優(yōu)異。根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)明，承燒板保持裝置包括:相對(duì)置而配置的一對(duì)直線構(gòu)件，其具有多個(gè)層積用突起；梁，其架設(shè)在各層積用突起上部凹面間，并且采用了在這些梁之上保持平板狀承燒板的狀態(tài)下以多層方式層疊的結(jié)構(gòu)，因此能夠得到與權(quán)利要求4的發(fā)明相同的效果。


圖1是表示第一實(shí)施方案的燒成用機(jī)架的整體立體圖。圖2是表示將平板狀承燒板插入于燒成用機(jī)架的狀態(tài)的立體圖。圖3是表示第一實(shí)施方案的變形例的整體立體圖。圖4是構(gòu)成本發(fā)明承燒板保持裝置的S1-SiC的熱輻射率的圖表。圖5是表示第二實(shí)施方案的燒成用機(jī)架的整體立體圖。圖6是表示將平板狀承燒板插入于燒成用機(jī)架的狀態(tài)的側(cè)視圖。圖7是表示第三實(shí)施方案的燒成用機(jī)架的整體立體圖。圖8是表示將平板狀承燒板插入于燒成用機(jī)架的狀態(tài)的側(cè)視圖。圖9是將現(xiàn)有的承燒板多層層疊的狀態(tài)的說明圖。
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施方案)圖1和圖2是表不本發(fā)明第一實(shí)施方案的圖。本實(shí)施方案的燒成用機(jī)架I具有大致立方體的形狀，承燒板保持裝置包括:4根角部垂直支柱2，其構(gòu)成4個(gè)角的垂直邊；大致口字狀的下端支撐框架4，其用于支撐該4根角部垂直支柱2 (2a、2b、2c、2d)的下端部；大致口字狀的上端支撐框架3，其用于支撐該4根垂直支柱2的上端部。如圖1所示，該燒成用機(jī)架I是插入平板狀承燒板7而使用的裝置。在各角部垂直支柱2的內(nèi)側(cè)面以與該平板狀承燒板7的插入方向平行地形成有水平溝部21，從而構(gòu)成承燒板保持機(jī)構(gòu)。平板狀承燒板7插入于該水平溝部21位置并被保持。該水平溝部21形成有多個(gè)，并且在各水平溝部21保持多個(gè)平板狀承燒板7，由此能夠形成圖2所示的多層燒成用燒成夾具。如此地，將平板狀承燒板插入于機(jī)架而構(gòu)成多層燒成用燒成夾具，由此與現(xiàn)有的在各承燒板之間用突起部形成空間的同時(shí)層積承燒板的結(jié)構(gòu)相比，能夠提高能效和批量生產(chǎn)效率的高效化。承燒板保持機(jī)構(gòu)的形式并不限于該水平溝部21，此外，還可采用形成在角部垂直支柱2的內(nèi)側(cè)面的多個(gè)凹部或凸部，或者采用架設(shè)在夾著平板狀承燒板而對(duì)置的角部垂直支柱2之間的梁等形狀。本實(shí)施方案的燒成用機(jī)架I在鄰接的角部垂直支柱間(2a和2b間以及2c和2d間)，在夾著平板狀承燒板7而對(duì)置的位置上成對(duì)地具有中間垂直支柱5 (5a和5b)。該一對(duì)中間垂直支柱(5a和5b)在各內(nèi)側(cè)面具有多個(gè)水平孔部51，梁6架設(shè)于在夾著平板狀承燒板7而對(duì)置的位置上成對(duì)的水平孔部51之間。該梁6的高度以能夠從下面支撐保持在各水平溝部21的平板狀承燒板7中央部的方式配置。由此，能夠更穩(wěn)定地保持承燒板，從而能夠?qū)崿F(xiàn)承燒板的薄壁化。另外，經(jīng)由該梁，能夠進(jìn)行向各層承燒板中央部的熱傳導(dǎo)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)與受到角部垂直支柱2的熱傳導(dǎo)影響的承燒板緣部之間的均熱化。但是，例如圖3所示，也可設(shè)成不具備中間垂直支柱5的燒成用機(jī)架I。將保持在水平溝部21的平板狀承燒板4的外周側(cè)面長(zhǎng)度，例如圖2所示般，設(shè)為(L1+L2) X 2時(shí)，其中水平溝部21形成在各角部垂直支柱2的內(nèi)側(cè)面，則在本實(shí)施方案中，角部垂直支柱2的寬度s與被中間垂直支柱5的寬度t覆蓋的外周側(cè)面的比例滿足{ (s+t)X4}/{ (L1+L2)X2} XlOO = 5 — 30%，使得平板狀承燒板4的外周側(cè)面的70— 95%露出于燒成爐內(nèi)。由此，能夠確保各層承燒板所有面的良好的爐內(nèi)氣體流動(dòng)。另外，如圖9所示的現(xiàn)有例子般，當(dāng)在各承燒板間用突起部8來形成空間，同時(shí)多層層積承燒板時(shí)，最下層承燒板的下面整個(gè)面直接或通過托盤與燒成爐的爐體接觸，因此極大地受到來自爐體熱傳導(dǎo)的影響。例如在最下層承燒板已施行熱處理的電子陶瓷元件與上層已施行熱處理的電子陶瓷元件相比，存在產(chǎn)品成品率差等、各層均熱化困難的問題。但是，在本發(fā)明中，由于具有多根角部垂直支柱2和中間垂直支柱5 (以下稱為垂直支柱)以及支撐該垂直支柱下端部的下端支撐框架4和用于支撐該垂直支柱上端部的上端支撐框架3，并且該承燒板保持機(jī)構(gòu)采用由形成在該垂直支柱內(nèi)側(cè)面的多個(gè)水平溝部21構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，因此最下層承燒板的下部面與爐體之間也形成了空間，能夠降低來自爐體熱傳導(dǎo)的影響。此外，從即使燒成用機(jī)架自身傾斜也能夠穩(wěn)定地保持承燒板的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選地，使垂直支柱2、5下端部和上端部分別與形成在下端支撐框架4和上端支撐框架3的嵌合部相嵌合而被固定，而且燒成機(jī)架整體相對(duì)水平地面傾斜30度時(shí)，使相對(duì)下端支撐框架的垂直支柱的傾斜角度在2°以下。當(dāng)傾斜角度在2°以上時(shí)，具有產(chǎn)生如下問題的危險(xiǎn)性，即:使用時(shí)的振動(dòng)變大，并且因與燒成時(shí)的爐內(nèi)搬送相伴的振動(dòng)，導(dǎo)致非燒成物受損。根據(jù)本發(fā)明的所述結(jié)構(gòu)能夠有效回避該問題。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，能夠降低來自燒成爐爐體的熱傳導(dǎo)的影響，且能夠確保良好的空氣流動(dòng)，因此向構(gòu)成各層的承燒板的熱傳遞變得更加均勻，能夠?qū)崿F(xiàn)各層的均熱化。(承燒板保持裝置的材質(zhì))本發(fā)明的燒成用機(jī)架通常在惰性氣體氣氛下且1300— 1450°C左右的高溫條件下使用。因此在本發(fā)明中，承燒板保持裝置由選自含有0.01—30%的Si的S1- SiC、重結(jié)晶SiC、Si3N4 - SiC中的任一種的材質(zhì)構(gòu)成。S1- SiC是一種在SiC粒子間含浸Si的被稱為Si含浸SiC的材質(zhì)。優(yōu)選地，作為其化學(xué)成分含有70— 99%的SiC、I一30%的Si，進(jìn)一步作為微量成分另外(將SiC + Si作為 100% 時(shí)進(jìn)一步)含有 0.01—0.2% 的 A1、0.01—0.2% 的 Fe、0.01—0.2% 的 Ca。當(dāng) Si的含有率大于30%時(shí)，會(huì)引起強(qiáng)度的降低和熱輻射率的降低，因此不優(yōu)選。另外，優(yōu)選地，算數(shù)平均表面粗糙度為Ra = 0.1一30 μ m、彈性率為200— 400GPa、強(qiáng)度為100— 400MPa、室溫?zé)醾鲗?dǎo)率為150— 240W/m.k、氣孔率在1%以下。通過采用具有如上述的化學(xué)成分和物性的材質(zhì)，能夠?qū)崿F(xiàn)燒成用機(jī)架I的輕量、高強(qiáng)度以及長(zhǎng)壽命。由該S1- SiC構(gòu)成的承燒板保持裝置的熱輻射率如圖4圖表中實(shí)線所示，優(yōu)選地,波長(zhǎng)8μπι時(shí)為80—100%、波長(zhǎng)12 μ m時(shí)為20— 40%、波長(zhǎng)19 μ m時(shí)為60— 80%。熱輻射率能夠通過化學(xué)成分和表面粗糙度來規(guī)定，在本發(fā)明中如上所述那樣，以如下方式來實(shí)現(xiàn)該熱輻射率:作為化學(xué)成分采用含有70—99%的SiC、I一30%的S1、進(jìn)一步作為微量成分另外含有0.01—0.2%的A1、0.01—0.2%的Fe、0.01—0.2%的Ca的結(jié)構(gòu)；表面粗糙度采用Ra = 0.1一30 μ m的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步優(yōu)選采用Ra = 10一30 μ m的結(jié)構(gòu)。此夕卜，圖4的虛線是將作為現(xiàn)有承燒板主成分而一般被使用的氧化鋁作為化學(xué)成分采用時(shí)的熱輻射率。如圖4所示，用S1- SiC來替換作為現(xiàn)有承燒板主成分一般被使用的氧化鋁，從而能夠提高各構(gòu)成構(gòu)件(2、5、3、4)的熱輻射率，并且能夠有效利用來自爐內(nèi)各構(gòu)成構(gòu)件(2、3、4)的輻射熱，進(jìn)而使高能效的燒成成為可能。優(yōu)選地，在構(gòu)成承燒板保持裝置的各構(gòu)成構(gòu)件(2、5、3、4 )的表層具有被膜，該被膜作為化學(xué)成分含有90%以上的SiO2且厚度為I一 10 μ m。通過該被膜，能夠抑制因氣氛氣體的各構(gòu)成構(gòu)件(2、5、3、4 )的反應(yīng)劣化，能夠?qū)崿F(xiàn)燒成用機(jī)架的長(zhǎng)壽命。 除了上述的S1- SiC之外，還能夠使用重結(jié)晶SiC或Si3N4 - SiC0重結(jié)晶SiC是通過重結(jié)晶操作熱粘接SiC粒子間而得到的變致密的物質(zhì)，其化學(xué)成分為SiC:99—100%。將SiC作為100%時(shí)，進(jìn)一步含有作為微量成分的Al:0.01—0.2%,Fe:0.01—0.2%、Ca:0.Ι-Ο.2%。另外Si3N4 - SiC是將Si3N4作為鍵的SiC，比Si — SiC更適合于在高溫領(lǐng)域中使用。其化學(xué)成分為SiC:70— 80%、Si3N4:20— 30%，將SiC + Si3N4作為100%時(shí)，進(jìn)一步含有Al:0.1—0.5%、Fe:0.1—0.5%、Ca:0.01—0.2%。此外，這3種材質(zhì)在以下說明的第二、第三實(shí)施方案中也以相同方式采用。此外，對(duì)平板狀承燒板7的材質(zhì)沒有特別限定，但是為了耐于使用溫度，優(yōu)選采用與承燒板保持裝置相同的材質(zhì)，特別優(yōu)選含有0.01—30%的Si的S1- SiC0這是因?yàn)樵摬馁|(zhì)的高溫強(qiáng)度大，能夠?qū)崿F(xiàn)承燒板的薄壁化。平板狀承燒板7的形狀不用必須是平坦的板狀，例如也可以是蜂窩狀、網(wǎng)狀。如果采用這些形狀，爐內(nèi)氣體能夠貫通平板狀承燒板7而流動(dòng)，因此能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步的均熱化。此外，當(dāng)燒成溫度為比較低的低溫時(shí)，還能夠采用鈦等耐熱金屬網(wǎng)。(第二實(shí)施方案)圖5和圖6是表示本發(fā)明第二實(shí)施方案的圖。本實(shí)施方案的燒成用機(jī)架I是承燒板保持裝置由在周邊部具有多個(gè)層積用突起11的框狀平板構(gòu)件10構(gòu)成的裝置。在圖5的實(shí)施方案中，長(zhǎng)方形的平板構(gòu)件10在左右兩側(cè)具有四邊形的孔12，平板狀承燒板7放置在該部分。在與平板構(gòu)件10的一邊的左右兩端以及與該一邊相對(duì)置的邊的中央部，分別突出設(shè)置有層積用突起11，在圍繞孔12的位置上突出設(shè)置有比層積用突起11低的定位用突起13。圖6是在該承燒板保持裝置上保持平板狀承燒板7后進(jìn)行了多層層疊的狀態(tài)的側(cè)視圖，平板狀承燒板7用點(diǎn)線表示。這樣，在該實(shí)施方案中平板狀承燒板7的外周側(cè)面的70%以上也露出于燒成爐內(nèi)。另外，其材質(zhì)是選自熱輻射率高的S1- SiC、重結(jié)晶SiC、Si3N4 -SiC中的任一種，因此如第一實(shí)施方案般能夠確保優(yōu)異的均熱性。另外，由于能夠在將平板狀承燒板7保持在承燒板保持裝置的情況下進(jìn)行層積，因此與第一實(shí)施方案相比具有操作性優(yōu)異的優(yōu)點(diǎn)。(第三實(shí)施方案)圖7和圖8是表不本發(fā)明第三實(shí)施方案的圖。本實(shí)施方案的燒成用機(jī)架I承燒板保持裝置包括相對(duì)置配置的一對(duì)直線構(gòu)件16和梁18，其中該一對(duì)直線構(gòu)件16具有多個(gè)層積用突起15 ;該梁18架設(shè)在各層積用突起15的上部凹面17之間。層積用突起15是山型的突起，在其下側(cè)形成有凹部19。梁18是剖面角型的棒狀體，其兩端嵌入在層積用突起15的上部凹面17，在其上放置有平板狀承燒板7。圖8是在這些梁18之上保持平板狀承燒板7后進(jìn)行了多層層疊的狀態(tài)的側(cè)視圖，平板狀承燒板7用點(diǎn)線表示。如圖8所示，下側(cè)凹部19嵌入在梁18的上側(cè)，從而穩(wěn)定層疊狀態(tài)。如圖8所示，在該實(shí)施方案中，能夠?qū)⑵桨鍫畛袩?的接近100%的外周側(cè)面露出于燒成爐內(nèi)。另外，其材質(zhì)是選自熱輻射率高的S1- SiC、重結(jié)晶SiC、Si3N4 - SiC中的任一種，因此如第一實(shí)施方案般能夠確保優(yōu)異的均熱性。第三實(shí)施方案的燒成用機(jī)架也能夠在將平板狀承燒板7保持在承燒板保持裝置的情況下進(jìn)行層積，因此與第一實(shí)施方案相比具有操作性優(yōu)異的優(yōu)點(diǎn)。實(shí)施例[表 I]
權(quán)利要求
1.一種燒成用機(jī)架，其利用承燒板保持裝置在垂直方向上以多層方式保持多張平板狀承燒板，其特征在于，該承燒板保持裝置由選自含有0.01-30%的Si的S1- SiC、重結(jié)晶SiC、Si3N4 - SiC的任意材質(zhì)構(gòu)成，該承燒板保持裝置將各平板狀承燒板以使其外周側(cè)面的70—100%露出的狀態(tài)保持。
2.權(quán)利要求1所述的燒成用機(jī)架，其特征在于， 承燒板保持裝置具備:多根垂直支柱，其具有承燒板保持機(jī)構(gòu)；下端支撐框架，其用于支撐該垂直支柱下端部；上端支撐框架，其用于支撐該垂直支柱上端部， 該承燒板保持機(jī)構(gòu)包括選自形成在垂直支柱內(nèi)側(cè)面的多個(gè)凹部或凸部、或者架設(shè)在夾著平板狀承燒板而對(duì)置的垂直支柱之間的梁中的至少一種。
3.權(quán)利要求2所述的燒成用機(jī)架，其特征在于，垂直支柱包括構(gòu)成其4個(gè)角的垂直邊的角部垂直支柱、和垂直配置在該角部垂直支柱間的中間垂直支柱。
4.權(quán)利要求1所述的燒成用機(jī)架，其特征在于，承燒板保持裝置包括在周邊部具有多個(gè)層積用突起的框狀平板構(gòu)件，并且在保持平板狀承燒板的狀態(tài)下以多層方式層疊。
5.權(quán)利要求1所述的燒成用機(jī)架，其特征在于，承燒板保持裝置包括:一對(duì)直線構(gòu)件，其具有多個(gè)層積用突起且相對(duì)置而配置；梁，其架設(shè)在各層積用突起的上部凹面間，而且將平板狀承燒板保持在這些梁上的狀態(tài)下以多層方式層疊。
6.權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的燒成用機(jī)架，其特征在于，構(gòu)成承燒板保持裝置的構(gòu)件由S1- SiC構(gòu)成，其化學(xué)成分為SiC:70-99%, S1:1 一30%，將SiC + Si作為100%時(shí)，進(jìn)一步含有 Al:0.01—0.2%、Fe:0.01-0.2%、Ca:0.01—0.2%。
7.權(quán)利要求6所述的燒成用機(jī)架，其特征在于，構(gòu)成承燒板保持裝置的構(gòu)件的熱輻射率在波長(zhǎng)8 μ m時(shí)為80—100%、波長(zhǎng)12 μ m時(shí)為20-40%、波長(zhǎng)19 μ m時(shí)為60-80%。
8.權(quán)利要求6或7所述的燒成用機(jī)架，其特征在于，構(gòu)成承燒板保持裝置的算數(shù)平均表面粗糙度為Ra = 0.1-30 μ m、彈性率為200_400GPa、強(qiáng)度為100— 400MPa、室溫?zé)醾鲗?dǎo)率為150-240ff/m.k、氣孔率在1%以下。
9.權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的燒成用機(jī)架，其特征在于，構(gòu)成承燒板保持裝置的構(gòu)件由重結(jié)晶SiC構(gòu)成，其化學(xué)成分為SiC:99—100%，將SiC作為100%時(shí)，進(jìn)一步含有Al:0.01—0.2%、Fe:0.01—0.2%、Ca:0.01-0.2%。
10.權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的燒成用機(jī)架，其特征在于，構(gòu)成承燒板保持裝置的構(gòu)件由 Si3N4 - SiC 構(gòu)成，其化學(xué)成分為 SiC:70—80%,Si3N4:20-30% JfSiC + Si3N4 作為 100%時(shí)，進(jìn)一步含有 Al:0.1—0.5%, Fe:0.1—0.5%、Ca:0.01—0.2%。
11.權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的燒成用機(jī)架，其特征在于，平板狀承燒板的材質(zhì)為含有 0.01-30% 的 Si 的 Si — SiC0
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于多層燒成電子陶瓷元件的燒成用機(jī)架，其利用承燒板保持裝置在垂直方向上以多層方式保持多張平板狀承燒板。該承燒板保持裝置由選自含有0.01—30%的Si的Si－SiC、重結(jié)晶SiC、Si3N4－SiCf的任意材質(zhì)構(gòu)成，該承燒板保持裝置以露出各平板狀承燒板的外周側(cè)面的70—100%的狀態(tài)保持各平板狀承燒板。由此成為一種能效和批量生產(chǎn)效率優(yōu)異，且多層燒成的各層均熱性優(yōu)異的燒成用機(jī)架。
文檔編號(hào)C04B35/565GK103097845SQ20118003439
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月26日
發(fā)明者古宮山常夫, 崛田啟之, 松本信宏 申請(qǐng)人:日本礙子株式會(huì)社, Ngk阿德列克株式會(huì)社