專利名稱：用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于太陽能硅材料加工領域，主要涉及一種用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置。
背景技術：
太陽能單晶硅圓棒在開方前需進行截斷加工，截成符合線切割加工要求的長度。目前使用較好的帶鋸截斷機，硅棒截斷面的傾斜量(截斷面相對于晶體軸不垂直)大約為I. 5-2mm。太陽能單晶硅圓棒開方時要將其端面垂直粘接在開方專用晶托上，由于硅棒截斷面的傾斜，會造成粘接后開方娃棒的不垂直，導致娃棒上端面會有一定的傾斜。娃棒在開方 的過程中，往往會出現上端面較低一側的端面上無砂漿(如圖1)，從而導致該方向上切割面的砂漿量不足，嚴重影響該切割面切割能力。往往導致開方加工出來的硅方棒尺寸出現較大誤差(有時切割出來的硅棒邊長偏差會高達O. 5mm以上，大大超過工藝上< O. 3mm)，并且使硅方棒表面出現嚴重線痕，造成硅方棒切割面平面度不符合工藝要求，給企業(yè)帶來較大的損失。造成以上后果的主要原是，目前的線開方設備中通過砂漿管提供的切割砂漿，具有一定的流動性，在硅棒表面可以自由流動，當上端面過于傾斜時，雖然砂漿管提供的砂漿量都很大，但是真正能順著切割縫到達鋼線上的砂漿只占其中的極少一部分比例，不僅造成了砂漿的嚴重浪費，而且還會造成加工出來的硅棒成為次品，給企業(yè)帶來巨大的損失。如何增強鋼線的切割能力關鍵是要解決砂漿不能充分掛到鋼線上的問題，提高鋼線的掛砂量就能充分保證切割能力，從而可以保證加工出來的單晶硅方棒的品質，保證切割出來的方棒切割面的平整度。

實用新型內容本實用新型的目的是提出一種用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置，使其能有效的避免在硅圓棒開方過程中設備所提供的切割砂漿的流失，提高砂漿到達鋼線切割工作面的集中效果，以提聞切割能力，從而提聞廣品品質。本實用新型為完成上述發(fā)明任務采用如下技術方案—種用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置，所述的砂漿聚集裝置粘接在需開方單晶硅圓棒的上端面，且位于需開方單晶硅圓棒的切割刀縫的外側；所述的砂漿聚集裝置為由四個豎直擋條構成的方形框，且相鄰兩個豎直擋條之間為圓弧過渡；位于單晶硅圓棒上端面的四個豎直擋條的上端面位于一個平面上。所述的豎直擋條距切割刀縫的距離為2 3mm。使用時，砂漿聚集裝置的四個豎直擋條將從噴砂管出來的砂漿聚集到單晶硅圓棒的上端面，阻止砂漿隨意四處流散，形成一個砂漿池，可以將大量的砂漿聚集在單晶硅圓棒切割刀縫以內的上端面上，從而可以保證有大量的砂漿可以沿著切割刀縫向下流至鋼線的切割位置上，增加了切割鋼線上帶砂量，提高了切割能力，從而保證了在切割的過程中不會因為切割能力不足而產生不良；可以有效的保證切割出來的單晶硅圓棒的切割面的平整度，將邊長的尺寸誤差控制在O. Imm之內。本實用新型提出的一種用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置，有效的避免了在硅圓棒線開方過程中原設備所存在的切割砂漿的流失問題，提高了砂漿到達鋼線切割工作面的集中效果，提高了切割能力和產品品質，并有效的降低了砂漿的使用量，為企業(yè)降低了成本。

圖I為現有技術中單晶硅圓棒上端面砂漿流向的示意圖。 圖2為本實用新型使用狀態(tài)的俯視圖。圖3為本實用新型的使用狀態(tài)圖。圖中1、需開方單晶硅圓棒，2、切割刀縫，3、噴砂管，4、豎直擋條。
具體實施方式
結合附圖和具體實施例對本實用新型加以說明如圖2所示，一種用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置，所述的砂漿聚集裝置粘接在需開方單晶硅圓棒I的上端面，且位于需開方單晶硅圓棒的切割刀縫2的外側；所述的砂漿聚集裝置為由四個豎直擋條4構成的方形框，且相鄰兩個豎直擋條之間為圓弧過渡；位于單晶硅圓棒上端面的四個豎直擋條的上端面位于一個平面上。結合圖3，使用時，在需要進行開方加工的太陽能單晶硅圓棒朝上的一端，用直尺量出單晶硅圓棒的切割刀縫所在處，用記號筆畫出四條切割刀縫；砂漿聚集裝置粘接在需開方單晶硅圓棒的上端面上，且四個豎直擋條都處于切割刀縫的外側且距離切割刀縫2-3_，在需開方單晶硅圓棒的上端面形成一個砂漿池，從噴砂管3出來的砂漿聚集到單晶硅圓棒的上端面，并聚集在單晶硅圓棒切割刀縫2以內，從而可以保證有大量的砂漿可以沿著切割刀縫向下流至切割鋼線位置上，增加了切割鋼線上帶砂量，提高了切割能力，從而保證了在切割的過程中不會因為切割能力不足而產生不良；可以有效的保證切割出來的單晶硅圓棒的切割面的平整度，將邊長的尺寸誤差控制在O. Imm之內。
權利要求1.一種用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置，其特征在于所述的砂漿聚集裝置粘接在需開方單晶硅圓棒(I)的上端面，且位于需開方單晶硅圓棒的切割刀縫(2)的外側；所述的砂漿聚集裝置為由四個豎直擋條(4)構成的方形框，且相鄰兩個豎直擋條(4)之間為圓弧過渡；位于單晶硅 圓棒上端面的四個豎直擋條的上端面位于一個平面上。
2.根據權利要求I所述的用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置，其特征在于所述的豎直擋條⑷距切割刀縫⑵的距離為2 3mm。
專利摘要本實用新型屬于太陽能硅材料加工領域，提出的用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置粘接在需開方單晶硅圓棒(1)的上端面，且位于需開方單晶硅圓棒的切割刀縫(2)的外側；所述的砂漿聚集裝置為由四個豎直擋條(4)構成的方形框，且相鄰兩個豎直擋條(4)之間為圓弧過渡；位于單晶硅圓棒上端面的四個豎直擋條的上端面位于一個平面上。本實用新型提出的一種用于太陽能硅圓棒開方過程的砂漿聚集裝置，有效的避免了在硅圓棒線開方加工過程中設備所提供的切割砂漿的流失，提高了砂漿到達鋼線切割工作面的集中效果，提高了切割能力和產品品質，并有效的降低了砂漿的使用量，為企業(yè)降低了成本。
文檔編號B28D7/00GK202716384SQ201220196119
公開日2013年2月6日 申請日期2012年4月26日 優(yōu)先權日2012年4月26日
發(fā)明者裴保齊, 蔣建國, 邵斌 申請人:洛陽鴻泰半導體有限公司