一種釉面磚的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明現(xiàn)提供一種釉面磚，包括基層和釉面層，所述基層制備的原料包括固體原料和液體原料，所述固體原料為富含硅鋁酸鹽的固體廢棄物，液體原料為堿激發(fā)劑，所述固體原料和液體原料的重量比為：10:1-5；所述固體原料包括煅燒高嶺土、粉煤灰、礦渣、赤泥、粘土、硅灰、尾礦和富含硅鋁質(zhì)成分的礦物中的一種或多種以及基層添加劑，所述液體原料包括鋰水玻璃、鈉水玻璃、鉀水玻璃及其他類水玻璃中的一種或多種，強堿（堿金屬及堿土金屬氫氧化物），水和減水劑。本發(fā)明的釉面磚制備中采用固體廢棄物制作基層，然后在基層上涂覆釉料烘烤，達到了陶瓷磚的外觀效果，因為采用固體廢棄物，本發(fā)明的釉面磚制備成本比陶瓷磚低，具有極大的推廣價值。
【專利說明】一種釉面磚

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及建筑材料，具體涉及一種釉面磚。

【背景技術】
[0002] 世界房地產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，使得世界陶瓷磚的生產(chǎn)和消費都獲得了較大的發(fā)展，陶 瓷磚是由粘土和其他無機非金屬原料，經(jīng)成型、燒結等工藝生產(chǎn)的板狀或塊狀陶瓷制品，用 于裝飾與保護建筑物、構筑物的墻面和地面。通常在室溫下通過干壓、擠壓或其他成型方法 成型，然后干燥，在較高溫度下燒制而成。
[0003] 現(xiàn)有陶瓷磚均為高溫（1000°C以上）燒結而成，生產(chǎn)過程能耗高，排放大，不利于節(jié) 能環(huán)保，另外其密度大，施工中粘結劑用量大，生產(chǎn)成本高而且對環(huán)境產(chǎn)生影響較大。
[0004] 而且陶瓷磚在運輸過程中容易產(chǎn)生裂紋甚至斷裂的現(xiàn)象，為此如何開發(fā)一種抗擊 性能強。生產(chǎn)過程安全環(huán)保的表面光滑的磚體是目前研究的方向。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的提供一種釉面磚或地磚，外觀與現(xiàn)有陶瓷磚一致，但性能比現(xiàn)有陶 瓷磚優(yōu)越，抗撞擊并且符合墻體裝飾材料的環(huán)保要求。
[0006] 為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供了以下技術方案： 一種釉面磚，包括基層和釉面層，所述基層制備的原料包括固體原料和液體原料，所述 固體原料為富含硅鋁酸鹽的固體廢棄物，液體原料為堿激發(fā)劑，所述固體原料和液體原料 的重量比為：10:1-5 ;所述固體原料包括煅燒高嶺土、粉煤灰、礦渣、赤泥、粘土、硅灰、尾礦 和富含硅鋁質(zhì)成分的礦物中的一種或多種以及基層添加劑，所述液體原料包括水玻璃，強 堿，水和減水劑。
[0007] 所述基層添加劑為硅酸鹽水泥、氧化鈣、氫氧化鈣、氯化鈣、礦渣、鈣基膨潤土、沸 石粉分子篩、硅藻土中的一種及以上。
[0008] 所述液體原料的各組分重量份數(shù)為：水玻璃100份，強堿1-50份，水1-30份，減水 劑0-10份。
[0009] 所述減水劑為萘系、聚羧酸系、蜜胺系類化合物的一種及以上；所述水玻璃為鋰水 玻璃、鈉水玻璃、鉀水玻璃及其他類水玻璃中的一種或多種，水玻璃的模數(shù)1-3. 5,波美度 38-48。
[0010] 固體原料中還包括骨料，所述骨料為硅砂、碎石、尾礦顆粒、廢玻璃顆粒及廢陶瓷 顆粒中的一種或多種。
[0011] 所述煅燒高嶺土的煅燒溫度為600-1200°C，粉煤灰為一級灰或二級灰。
[0012] 所述煅燒高嶺土的煅燒溫度優(yōu)選為700-850°C。
[0013] 所述的釉面磚，制備過程為：a、基層的液體原料制備；b、基層的固體原料制備；c、 基層制備；d、面層制備；e、面層涂覆；f、烘干；g、燒制；h、冷卻，制得本發(fā)明權利要求1-8任 一項所述的釉面磚。
[0014] 基層制備為固體原料與液體原料在20-KKTC反應成為基層；基層成型采用干壓 成型擠出成型或澆注成型的方式。
[0015] 面層制備過程為將外購的釉料粉加水1:0. 8-2調(diào)制成釉料漿，面層涂覆過程 為：將釉料漿涂覆在制備的基層上；烘干過程中的溫度為90-1KTC ;燒制過程中的溫度為 700-1300°C。
[0016] 所述釉料購自景德鎮(zhèn)初淘陶瓷文化傳播有限公司的透明釉，燒成溫度750°C、 1000°C 和 1200°C 三種。
[0017] 本發(fā)明的優(yōu)點在于： 1、本發(fā)明的釉面磚制備中采用固體廢棄物制作基層，然后在基層上涂覆釉料烘烤，達 到了陶瓷磚的外觀效果，因為采用固體廢棄物，本發(fā)明的釉面磚制備成本比陶瓷磚低。
[0018] 2、本發(fā)明的基層采用固體原料和液體原料，其中液體原料中含有水玻璃、強堿和 減水劑，可以和固體廢棄物中的氧化鋁或氧化硅反應，制得的基層耐撞擊性與單純的水泥 板相比大大增強。
[0019] 3、本發(fā)明還利用基層添加劑來調(diào)整基層的固化時間、強度，基層添加劑還可以抑 制基層出現(xiàn)返堿的現(xiàn)象。
[0020] 4、本發(fā)明的釉面磚在燒制過程中溫度可低于KKKTC，由于釉面為涂覆在基層上， 釉面較薄，燒制時間短，大大降低了能耗和排放，使釉面磚的生產(chǎn)過程更加環(huán)保。

【具體實施方式】
[0021] 為了更詳細地說明本發(fā)明，給出下述制備實例。但本發(fā)明的范圍并不局限于此。
[0022] 實施例1 基層液體原料：稱取氫氧化鈉80g，鋰水玻璃240g，水20g，萘磺酸鹽甲醛縮合物20g，將 氫氧化鈉加入水玻璃中，進行溶解，加水進行稀釋，攪拌均勻，待溫度降到室溫，制得基層的 液體原料； 基層固體原料：稱取粉煤灰720g，煅燒高嶺土 80g，礦渣200g，混合均勻，為固體原料； 將固體原料與液體原料混合，攪拌均勻，成半干粉狀態(tài)； 將液體原料加入固體原料中攪拌均勻； 將混合物加入到模具中，加壓成型，脫模，在40°C、90%濕度下養(yǎng)護24小時，然后在室溫 下自然養(yǎng)護28天，成基層； 將釉料配成漿體，涂到基層上，90°C烘干，在1200°C下燒成實施例1的釉面磚。
[0023] 實施例2 基層液體原料：稱取氫氧化鈉 l〇〇g，鈉水玻璃300g，水100g，萘磺酸鹽甲醛縮合物30g， 將氫氧化鈉加入水玻璃中，進行溶解，加水進行稀釋，攪拌均勻，待溫度降到室溫，制得基層 的液體原料； 基層固體原料：稱取粉煤灰800g，煅燒高嶺土 100g，礦渣200g，混合均勻，為固體原 料； 將固體原料與液體原料混合，攪拌均勻，成半干粉狀態(tài)； 將液體原料加入固體原料中攪拌均勻； 將混合物加入到模具中，擠出成型，脫模，在40°C、90%濕度下養(yǎng)護24小時，然后在室溫 下自然養(yǎng)護28天，成基層； 將釉料配成漿體，涂到基層上，l〇〇°C烘干，在750°C下燒成實施例2的釉面磚。
[0024] 實施例3 基層液體原料：稱取氫氧化鈉150g，鉀水玻璃400g，水100g，萘磺酸鹽甲醛縮合物30g， 將氫氧化鈉加入水玻璃中，進行溶解，加水進行稀釋，攪拌均勻，待溫度降到室溫，制得基層 的液體原料； 基層固體原料：稱取粉煤灰900g，煅燒高嶺土 150g，礦渣150g，混合均勻，為固體原 料； 將固體原料與液體原料混合，攪拌均勻，成半干粉狀態(tài)； 將液體原料加入固體原料中攪拌均勻； 將混合物加入到模具中，加壓成型，脫模，在40°C、90%濕度下養(yǎng)護24小時，然后在室溫 下自然養(yǎng)護28天，成基層； 將釉料配成漿體，涂到基層上，IKTC烘干，在1000°C下燒成實施例3的釉面磚。
[0025] 實驗內(nèi)容： 一、實驗材料： 實施例1、2、3制備的釉面磚，每個實施例3塊， 二，實驗方法 采用陶瓷基抗拆機進行性能的測定，每組3個取平均值。
[0026] 三、試驗結果如下表：

【權利要求】
1. 一種釉面磚，包括基層和釉面層，所述基層制備的原料包括固體原料和液體原料，所 述固體原料為富含硅鋁酸鹽的固體廢棄物，液體原料為堿激發(fā)劑，所述固體原料和液體原 料的重量比為：10:1-5 ;所述固體原料包括煅燒高嶺土、粉煤灰、礦渣、赤泥、粘土、硅灰、尾 礦和富含硅鋁質(zhì)成分的礦物中的一種或多種以及基層添加劑，所述液體原料包括水玻璃， 強堿，水和減水劑。
2. 根據(jù)權利要求1所述的釉面磚，所述基層添加劑為硅酸鹽水泥、氧化鈣、氫氧化鈣、 氯化鈣、礦渣、鈣基膨潤土、沸石粉分子篩、硅藻土中的一種及以上。
3. 根據(jù)權利要求1所述的釉面磚，所述液體原料的各組分重量份數(shù)為：水玻璃100份， 強堿1-50份，水1-30份，減水劑0-10份。
4. 根據(jù)權利要求1所述的釉面磚，所述減水劑為萘系、聚羧酸系、蜜胺系類化合物的一 種及以上；所述水玻璃為鈉水玻璃、鉀水下玻璃、鋰水玻璃中的一種或多種，水玻璃的模數(shù) 1-3. 5,波美度 38-48。
5. 根據(jù)權利要求1所述的釉面磚，固體原料中還包括骨料，所述骨料為硅砂、碎石、尾 礦顆粒、廢玻璃顆粒、廢陶瓷顆粒中的一種或多種。
6. 根據(jù)權利要求1所述的釉面磚，所述煅燒高嶺土煅燒溫度為600-1200°C，粉煤灰為 一級灰或二級灰。
7. 根據(jù)權利要求1所述的釉面磚，所述煅燒高嶺土煅燒溫度優(yōu)選為700-850°C。
8. 根據(jù)權利要求1所述的釉面磚，制備過程為：a、基層的液體原料制備；b、基層的固體 原料制備；c、基層制備；d、面層制備；e、面層涂覆；f、烘干；g、燒制；h、冷卻，制得本發(fā)明權 利要求1-8任一項所述的釉面磚。
9. 根據(jù)權利要求8所述的釉面磚，基層制備為固體原料與液體原料在20-100°C反應成 為基層；基層成型采用干壓成型、擠出成型或澆注成型的方式。
10. 根據(jù)權利要求8所述的釉面磚，面層制備過程為將外購的釉料粉加水1:0. 8-2 調(diào)制成釉料漿，面層涂覆過程為：將釉料漿涂覆在制備的基層上；烘干過程中的溫度為 90-110°C ;燒制過程中的溫度為700-1300°C。
【文檔編號】C04B33/132GK104446357SQ201410610759
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月4日 優(yōu)先權日:2014年11月4日
【發(fā)明者】賈屹海, 韓敏芳, 楊志賓 申請人:東莞深圳清華大學研究院創(chuàng)新中心