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      雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:10133701閱讀:269來源:國知局
      雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅片切割技術(shù)領(lǐng)域,特別地,涉及一種雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]多晶硅片的線切割原理就是導(dǎo)輪在高速運(yùn)轉(zhuǎn)中帶動鋼線,從而由鋼線將聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂漿液送到切割區(qū),在鋼線的高速運(yùn)轉(zhuǎn)中與壓在線網(wǎng)上的工件連續(xù)發(fā)生摩擦完成切割的過程。在整個過程中,砂漿的流量對硅片的切割質(zhì)量以及成品率起主要作用。鋼線在高速運(yùn)動中,要完成對硅料的切割,必須由砂漿栗將砂漿從砂漿桶中打到噴砂咀,再由噴砂咀噴到鋼線上。砂漿的流量是否均勻、流量能否達(dá)到切割的要求,都對切割能力和切割效率起著很關(guān)鍵的作用。如果流量跟不上,就會出現(xiàn)切割能力下降,導(dǎo)致線痕片、斷線、甚至是機(jī)器報警。而現(xiàn)有的多晶硅片切割設(shè)備中,砂咀噴的數(shù)量較少,砂漿的流量小,在出現(xiàn)砂漿中的雜質(zhì)堵塞砂咀噴的狀況時,砂漿就會斷流,導(dǎo)致多晶硅片的成品率和切割效率降低。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0003]本實(shí)用新型目的在于提供一種雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu),以解決現(xiàn)有技術(shù)中,多晶硅片切割設(shè)備的砂漿的流量小,易出現(xiàn)砂漿斷流現(xiàn)象,導(dǎo)致多晶硅片的成品率和切割效率降低的問題。
      [0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供一種雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu),包括:兩個導(dǎo)輪,兩個所述導(dǎo)輪之間設(shè)置切割鋼線連接,于所述切割鋼線上方設(shè)置待切割的晶棒;在所述切割鋼線的進(jìn)線方向,所述晶棒的一側(cè)設(shè)置有兩個砂漿噴管;在所述切割鋼線的出線方向,所述晶棒的一側(cè)設(shè)置有一個砂漿噴管;所述砂漿噴管均與砂漿供給系統(tǒng)連接。
      [0005]進(jìn)一步地,所述晶棒的底部設(shè)置有兩根進(jìn)行預(yù)切割的膠條。
      [0006]進(jìn)一步地,所述砂漿噴管與所述晶棒之間的間距不小于50mm。
      [0007]本實(shí)用新型具有以下有益效果:
      [0008]該切割機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡單,設(shè)置有多個砂漿噴管,降低因雜質(zhì)等進(jìn)入砂漿噴管堵塞噴嘴,而出現(xiàn)砂漿斷流的幾率,提高切割鋼線帶砂的物理效應(yīng),相對傳統(tǒng)的切割機(jī)構(gòu),切片速度提升了 15%左右,切割砂漿用量上可降低原有用量的8%左右。產(chǎn)品質(zhì)量得到了提升,線痕及表面缺陷減少,使合格率從88%提高至89.5%左右,提高了多線切割的效率與質(zhì)量。
      【附圖說明】
      [0009]下面將參照圖,對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。構(gòu)成本申請的一部分的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型,并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
      [0010]圖1是本實(shí)用新型一種雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu)優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0011]附圖標(biāo)記說明:
      [0012]101、導(dǎo)輪;102、切割鋼線;103、晶棒;104、砂漿噴管;105、膠條。
      【具體實(shí)施方式】
      [0013]以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
      [0014]請參閱圖1,本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例提供了一種雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu),包括:兩個導(dǎo)輪101,兩個所述導(dǎo)輪101之間設(shè)置切割鋼線102連接,于所述切割鋼線102上方設(shè)置待切割的晶棒103 ;在所述切割鋼線102的進(jìn)線方向,所述晶棒103的一側(cè)設(shè)置有兩個砂漿噴管104 ;在所述切割鋼線102的出線方向,所述晶棒103的一側(cè)設(shè)置有一個砂漿噴管104 ;所述砂漿噴管104均與砂漿供給系統(tǒng)(圖未示)連接。
      [0015]在進(jìn)行切割時,三個砂漿噴管104均流出砂漿到切割線網(wǎng)上,從而被切割鋼線102帶入晶棒103內(nèi)發(fā)生摩擦進(jìn)行切割。這種切割機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡單,多個砂漿噴管104的設(shè)置,降低因雜質(zhì)等進(jìn)入砂漿噴管堵塞噴嘴,而出現(xiàn)砂漿斷流的幾率,提高切割鋼線102帶砂的物理效應(yīng),相對傳統(tǒng)的切割機(jī)構(gòu),切片速度提升了 15%左右,切割砂漿用量上可降低原有用量的8%左右。產(chǎn)品質(zhì)量得到了提升,線痕及表面缺陷減少,使合格率從88%提高至89.5%左右,提高了多線切割的效率與質(zhì)量。
      [0016]優(yōu)選地,為進(jìn)一步提尚晶片切割的良品率,所述晶棒103的底部設(shè)置有兩根進(jìn)行預(yù)切割的膠條105。切割鋼線102在進(jìn)行切割時,首先會與膠條105接觸,膠條105可以對切割鋼線102的切割位置進(jìn)行校驗(yàn),以防止出現(xiàn)晶片切割尺寸錯誤的狀況出現(xiàn)。
      [0017]為避免砂漿噴灑到晶棒103上,優(yōu)選地,所述砂漿噴管104與所述晶棒103之間的間距不小于50mm,即離晶棒103最近的砂漿噴管104,兩者間的間距不小于50mm。
      [0018]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已,并不用于限制本實(shí)用新型;對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu),其特征在于,包括: 兩個導(dǎo)輪,兩個所述導(dǎo)輪之間設(shè)置切割鋼線連接,于所述切割鋼線上方設(shè)置待切割的晶棒;在所述切割鋼線的進(jìn)線方向,所述晶棒的一側(cè)設(shè)置有兩個砂漿噴管;在所述切割鋼線的出線方向,所述晶棒的一側(cè)設(shè)置有一個砂漿噴管;所述砂漿噴管均與砂漿供給系統(tǒng)連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu),其特征在于: 所述晶棒的底部設(shè)置有兩根進(jìn)行預(yù)切割的膠條。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu),其特征在于: 所述砂漿噴管與所述晶棒之間的間距不小于50mm。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種雙噴管多晶硅片切割機(jī)構(gòu),包括:兩個導(dǎo)輪,兩個所述導(dǎo)輪之間設(shè)置切割鋼線連接,于所述切割鋼線上方設(shè)置待切割的晶棒;在所述切割鋼線的進(jìn)線方向,所述晶棒的一側(cè)設(shè)置有兩個砂漿噴管;在所述切割鋼線的出線方向,所述晶棒的一側(cè)設(shè)置有一個砂漿噴管;所述砂漿噴管均與砂漿供給系統(tǒng)連接。該切割機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡單,設(shè)置有多個砂漿噴管,降低因雜質(zhì)等進(jìn)入砂漿噴管堵塞噴嘴,而出現(xiàn)砂漿斷流的幾率,提高切割鋼線帶砂的物理效應(yīng),提高了多線切割的效率與質(zhì)量。
      【IPC分類】B28D5/04
      【公開號】CN205043989
      【申請?zhí)枴緾N201520806821
      【發(fā)明人】劉耀峰
      【申請人】無錫榮能半導(dǎo)體材料有限公司
      【公開日】2016年2月24日
      【申請日】2015年10月19日
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