專利名稱：Ito鍍膜板及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)，具體涉及一種ITO鍍膜板及其制備方法。
背景技術(shù)：
ITO(銦錫氧化物)膜具有優(yōu)良的導(dǎo)電性和可見光透射率，是一種重要的透明導(dǎo)電膜，在光電器件中得到了廣泛應(yīng)用。制備ITO膜有多種方法。目前一般采用的是直流磁控濺射法，另外也可以采用射頻濺射法，不過后者對設(shè)備要求嚴格，成本較高。
ITO膜所具有的性能使它在平板顯示器件中得到了廣泛應(yīng)用，得到低方塊電阻和高透光率的ITO鍍膜一直為業(yè)界所追求。目前制備低方阻ITO膜一般采用提高基板溫度、增加薄膜厚度的方法，但是高溫下沉積的厚的ITO薄膜晶粒會長大或者形成柱狀結(jié)構(gòu)，使表面變得粗糙，不能滿足有機電致發(fā)光器件(OLED)及其它平板顯示對ITO基板表面平整度的要求。
通常，為了獲得較平整的低方阻ITO膜，會采用機械拋光、酸堿化學(xué)處理、等離子體處理等方法進行后期加工，但這樣就增加了工藝難度并且成品率很低。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)上的不足，提出一種低方阻、低表面粗糙度的ITO鍍膜板及其制備方法。
實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案一種ITO鍍膜板，包括基板和沉積在基板表面的第一層ITO膜，還包括合金膜和第二層ITO膜，所述合金膜沉積在第一層ITO膜上，所述第二層ITO膜沉積在合金膜上。
優(yōu)選的是，所述合金膜為銀金合金，銀、金重量比為95∶5～97∶3。
優(yōu)選的是，所述合金膜的厚度為10～20nm，所述第一、第二層ITO膜的厚度為40～50nm。
本發(fā)明還提供一種ITO鍍膜板的制備方法，是采用直流磁控濺射工藝在基板上沉積第一層ITO膜，再在第一層ITO膜上沉積合金膜，然后在合金膜上沉積第二層ITO膜，所述直流磁控濺射工藝是在本底真空環(huán)境下通入工作氣體利用電源使其產(chǎn)生等離子體對靶物質(zhì)進行轟擊，從而在各種襯底基板上獲得沉積薄膜。
優(yōu)選的是，所述電源由脈沖電源串聯(lián)直流電源構(gòu)成，脈沖頻率為20～100kHz。
在沉積ITO膜時，可以采用氧化銦錫陶瓷作為靶，其中In2O3與SnO2的重量比為90∶10；采用氬氧混合氣作為工作氣體，其中氧氣體積占2～5％。
優(yōu)選的是，在沉積合金膜時，采用銀金合金作為靶，采用氬氣作為工作氣體，沉積厚度控制在10～20nm。
優(yōu)選的是，在沉積ITO膜時，通入工作氣體前還在本底真空中通入水蒸汽。
所述水蒸汽的通入可以采用這樣的方法將水盛在密閉鋼瓶中，然后將其蒸汽通過布氣管道引入真空室，并通過針閥調(diào)節(jié)其流量。
優(yōu)選的是，所述沉積過程均在低溫下進行，基板溫度不超過150℃。
采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于1)采用ITO/合金/ITO的多層結(jié)構(gòu)，利用合金優(yōu)良的導(dǎo)電性，可以獲得很低的方阻；并且由于將ITO膜分為兩層進行沉積，中間采用合金膜隔斷ITO膜的柱狀生長，有利于降低表面粗糙度。2)采用銀金合金作為中間層，能夠同時保證多層膜還具有很高的可見光透過率。3)在鍍膜工藝中將脈沖電源串聯(lián)直流電源使用，能夠消除靶表面電荷堆積，防止靶面打火的現(xiàn)象，從而提高鍍膜過程的穩(wěn)定性和效率，達到改善膜層性能的效果。4)在鍍ITO層時采用通水蒸氣的特殊工藝，能夠抑制ITO膜生長過程中的結(jié)晶，使得薄膜表面平整度更好。5)對基板進行溫度控制使鍍膜在低溫下進行，能進一步抑制ITO膜的晶粒長大或者柱狀生長，使ITO膜表面形成非晶結(jié)構(gòu)，降低表面粗糙度。6)采用本發(fā)明中提供的各種優(yōu)選比例和工藝參數(shù)，能夠獲得更優(yōu)的實現(xiàn)效果。
下面結(jié)合附圖和具體實施方式

對本發(fā)明作進一步詳細說明。

圖1是一種多層ITO鍍膜板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

實施例一、一種ITO鍍膜板，包括玻璃基板1、第一層ITO膜2、銀金合金膜3和第二層ITO膜4。第一層ITO膜2沉積在基板表面，銀金合金膜沉積在第一層ITO膜上，第二層ITO膜沉積在銀金合金膜上。銀金合金膜中的銀、金重量比為97∶3。第一、第二層ITO膜的厚度為45nm，銀金合金膜的厚度為15nm。
上述ITO鍍膜板的方阻小于15Ω/□，可見光透過率為80％，可作為優(yōu)良的平板顯示基板。
實施例二、一種ITO鍍膜板的制備方法，是采用直流磁控濺射工藝在基板上沉積第一層ITO膜，再在第一層ITO膜上沉積合金膜，然后在合金膜上沉積第二層ITO膜。鍍膜時采用直流磁控濺射工藝，該工藝是在本底真空環(huán)境下通入工作氣體利用電源使其產(chǎn)生等離子體對靶物質(zhì)進行轟擊，從而在襯底基板上獲得沉積薄膜。其電源由脈沖電源串聯(lián)直流電源構(gòu)成，脈沖頻率為20～100kHz，所述本底真空應(yīng)優(yōu)于1×10-3Pa。
在沉積ITO膜時，采用氧化銦錫陶瓷作為靶，其中In2O3與SnO2的重量比為90∶10；采用氬氧混合氣作為工作氣體，其中氧氣占2～5％。沉積厚度控制在40～50nm。在通入工作氣體前還在本底真空中通入水蒸汽。水蒸汽的通入采用這樣的方法將水盛在密閉鋼瓶中，然后將其蒸汽通過布氣管道引入真空室，并通過針閥調(diào)節(jié)其流量。
在沉積合金膜時，采用銀金合金作為靶，采用氬氣作為工作氣體，沉積厚度控制在10～20nm。
在沉積過程中，通過基片裝夾裝置中的冷卻系統(tǒng)將基板溫度控制在150℃以下。
權(quán)利要求
1.一種ITO鍍膜板，包括基板和沉積在基板表面的第一層ITO膜，其特征在于還包括合金膜和第二層ITO膜，所述合金膜沉積在第一層ITO膜上，所述第二層ITO膜沉積在合金膜上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO鍍膜板，其特征在于所述合金膜為銀金合金，銀、金重量比為95∶5～97∶3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的ITO鍍膜板，其特征在于所述合金膜的厚度為10～20nm，所述第一、第二層ITO膜的厚度為40～50nm。
4.一種ITO鍍膜板的制備方法，是采用直流磁控濺射工藝在基板上沉積第一層ITO膜，所述直流磁控濺射工藝是在本底真空環(huán)境下通入工作氣體利用電源使其產(chǎn)生等離子體對靶物質(zhì)進行轟擊，從而在各種襯底基板上獲得沉積薄膜，其特征在于還在第一層ITO膜上沉積合金膜，然后在合金膜上沉積第二層ITO膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ITO鍍膜板的制備方法，其特征在于所述電源由脈沖電源串聯(lián)直流電源構(gòu)成，脈沖頻率為20～100kHz。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ITO鍍膜板的制備方法，其特征在于在沉積ITO膜時，采用氧化銦錫陶瓷作為靶，其中In2O3與SnO2的重量比為90∶10；采用氬氧混合氣作為工作氣體，其中氧氣體積占2～5％。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ITO鍍膜板的制備方法，其特征在于在沉積合金膜時，采用銀金合金作為靶，采用氬氣作為工作氣體，沉積厚度控制在10～20nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求4～7任意一項所述的ITO鍍膜板的制備方法，其特征在于在沉積ITO膜時，通入工作氣體前還在本底真空中通入水蒸汽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的ITO鍍膜板的制備方法，其特征在于所述水蒸汽的通入采用這樣的方法，將水盛在密閉鋼瓶中，然后將其蒸汽通過布氣管道引入真空室，并通過針閥調(diào)節(jié)其流量。
10.根據(jù)權(quán)利要求4～7任意一項所述的ITO鍍膜板的制備方法，其特征在于所述沉積過程均在低溫下進行，基板溫度不超過150℃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種ITO鍍膜板，包括基板和沉積在基板表面的第一層ITO膜，還包括合金膜和第二層ITO膜，所述合金膜沉積在第一層ITO膜上，所述第二層ITO膜沉積在合金膜上。本發(fā)明還公開制備上述ITO鍍膜板的方法。本發(fā)明的有益效果在于采用ITO/合金/ITO的多層結(jié)構(gòu)，利用合金優(yōu)良的導(dǎo)電性，可以獲得很低的方阻；并且由于將ITO膜分為兩層進行沉積，避免厚度增大出現(xiàn)的晶粒生長或形成柱形結(jié)構(gòu)，保證了薄膜表面的低粗糙度。
文檔編號B32B17/00GK1709689SQ2005100212
公開日2005年12月21日 申請日期2005年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月15日
發(fā)明者許生, 柴衛(wèi)平, 許沭華, 戚祖強, 范垂禎, 高文波, 梁銳生 申請人:深圳市豪威光電子設(shè)備有限公司