專利名稱：聚四氟乙烯玻璃纖維納米陶瓷填充基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種聚四氟乙烯玻璃纖維納米陶瓷填充基板。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品向小型化、高頻化、數(shù)字化、高可靠性化的方向發(fā)展，目前微波高頻 多層電路板在加工過程中采用環(huán)氧樹脂板作為粘接片，但是其品種單一，可焊性低，而且介 質(zhì)損耗大，介電常數(shù)高，穩(wěn)定性較低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種聚四氟乙烯玻璃纖維納米陶瓷填充基 板，以解決原有電路板介質(zhì)損耗大，穩(wěn)定性較低等技術(shù)問題。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種聚四氟乙烯玻璃纖維納 米陶瓷填充基板，具有至少兩層粘接片，粘接片表面以及粘接片與粘接片之間各覆有一層 PTFE薄膜，最外兩側(cè)薄膜表面各覆有一層銅箔。本實(shí)用新型的有益效果是，本實(shí)用新型具有極低的介電常數(shù)和損耗因子，較低的 熱膨脹系數(shù)，機(jī)械、電氣性能同一性及尺寸穩(wěn)定性好。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、銅箔，2、粘接片，3、PTFE薄膜。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖， 僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。如
圖1所示的一種聚四氟乙烯玻璃纖維納米陶瓷填充基板，具有至少兩層粘接片 2，粘接片2表面以及粘接片與粘接片之間各覆有一層PTFE薄膜3，最外兩側(cè)薄膜3表面各 覆有一層銅箔1。本實(shí)用新型具有以下特性1、經(jīng)濟(jì)型射頻微波材料；2、低損耗、低公差及優(yōu)異的電氣性能；3、優(yōu)良的介電常數(shù)、介質(zhì)損耗的頻率特性；4、低介電常數(shù)溫度系數(shù)；5、優(yōu)異機(jī)械加工性能；6、快速批量交付。[0018] 本實(shí)用新型可運(yùn)用于功率放大器、低噪音放大器、基站天線、微波組件、微波模塊寸。
權(quán)利要求一種聚四氟乙烯玻璃纖維納米陶瓷填充基板，其特征在于具有至少兩層粘接片，粘接片表面以及粘接片與粘接片之間各覆有一層PTFE薄膜，最外兩側(cè)薄膜表面各覆有一層銅箔。
專利摘要本實(shí)用新型涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種聚四氟乙烯玻璃纖維納米陶瓷填充基板，具有至少兩層粘接片，粘接片表面以及粘接片與粘接片之間各覆有一層PTFE薄膜，最外兩側(cè)薄膜表面各覆有一層銅箔。本實(shí)用新型具有極低的介電常數(shù)和損耗因子，較低的熱膨脹系數(shù)，機(jī)械、電氣性能同一性及尺寸穩(wěn)定性好。
文檔編號B32B15/085GK201700079SQ201020140319
公開日2011年1月5日 申請日期2010年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月24日
發(fā)明者俞衛(wèi)忠 申請人:常州中英科技有限公司