專利名稱：4530納米帶通紅外濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種濾光片，特別是4530納米帶通紅外濾光片。
背景技術(shù)：
中國專利200620040791. I公布了一種雙波長紅外火焰探測器，其包括了兩個(gè)不同接收波段的紅外線傳感器，紅外線傳感器通過信號處理電路與中央處理器相連，而這兩個(gè)紅外線傳感器的紅外線波長分別為3. 8um和4. 3um,其中4. 3um接近火焰的中心頻率,能具有報(bào)警能力，但是該頻率下的紅外濾光片還是出現(xiàn)誤報(bào)，精確度不高。目前市場上已有的用于火焰探測的4530納米帶通紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發(fā)展的需要。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比的4530納米帶通紅外濾光片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的4530納米帶通紅外濾光片，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板、以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層，基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是第一鍍膜層包含由內(nèi)到外依次排列329nm厚度的SiO層、129nm厚度的Ge層、379nm厚度的SiO層、162nm厚度的Ge層、369nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、440nm厚度的SiO層、137nm厚度的Ge層、276nm厚度的SiO層、18Inm厚度的Ge層、726nm厚度的SiO層、IlOnm厚度的Ge層、352nm厚度的SiO層、142nm厚度的Ge層、237nm厚度的SiO層、365nm厚度的Ge層、583nm厚度的SiO層、153nm厚度的Ge層、209nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、697nm厚度的SiO層、357nm厚度的Ge層、1006nm厚度的SiO層、405nm厚度的Ge層、60Inm厚度的SiO層、464nm厚度的Ge層、895nm厚度的SiO層、443nm厚度的Ge層、552nm厚度的SiO層；第二鍍膜層包含由內(nèi)到外依次排列的612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、2447nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、2447nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、647nm厚度的SiO層、240nm厚度的Ge層、638nm厚度的SiO層。上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。本實(shí)用新型得到的4530納米帶通紅外濾光片，能實(shí)現(xiàn)中心波長定位為4530±1%納米，峰值透過率達(dá)90%以上，截止區(qū)透過率小于O. I %，大大提高了信噪比，為精確測量所需測量的氣體提供了基本保證，特別是具有對火焰的精確探測。

圖I是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；[0009]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測曲線圖。圖中第一鍍膜層I、基板2、第二鍍膜層3。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)ー步說明。實(shí)施例如圖I所示，本實(shí)用新型提供的4530納米帶通紅外濾光片，包括以藍(lán)寶石(Sapphire)為原材料的基板2、以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層I和以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層3,基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層之間3,第一鍍膜層I包含由內(nèi)到外依次排列329nm厚度的SiO層、129nm厚度的Ge層、379nm厚度的SiO層、162nm厚度的Ge層、369nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、440nm厚度的SiO層、137nm厚度的Ge層、276nm厚度的SiO層、18Inm厚度的Ge層、726nm厚度的SiO層、IlOnm厚度的Ge層、352nm厚度的SiO層、142nm厚度的Ge層、237nm厚度的SiO層、365nm厚度的Ge層、583nm厚度的SiO層、153nm厚度的Ge層、209nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、697nm厚度的310層、35711111厚度的66層、100611111厚度的510層、40511111厚度的66層、60111111厚度的510層、464nm厚度的Ge層、895nm厚度的SiO層、443nm厚度的Ge層、552nm厚度的SiO層；第ニ鍍膜層3包含由內(nèi)到外依次排列的612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、2447nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、2447nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、647nm厚度的SiO層、240nm厚度的Ge層、638nm厚度的SiO層。上述經(jīng)實(shí)驗(yàn)得到了 4530納米帶通紅外濾光片，波長為4530nm，可對火焰探測以及N2O進(jìn)行精確的檢測，如圖2所示，本實(shí)施例得到的4530納米帶通紅外濾光片，能實(shí)現(xiàn)中心波長定位為4530±1%納米，峰值透過率達(dá)90%以上，截止區(qū)透過率小于0. 1%。權(quán)利要求1.一種4530納米帶通紅外濾光片，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板(2)、以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層(I)和以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層(2)，基板(2)位于第一鍍膜層(I)和第二鍍膜層(3)之間，其特征是第一鍍膜層(I)包含由內(nèi)到外依次排列329nm厚度的SiO層、129nm厚度的Ge層、379nm厚度的SiO層、162nm厚度的Ge層、369nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、440nm厚度的SiO層、137nm厚度的Ge層、276nm厚度的SiO層、18Inm厚度的Ge層、726nm厚度的SiO層、IIOnm厚度的Ge層、352nm厚度的SiO層、142nm厚度的Ge層、237nm厚度的SiO層、365nm厚度的Ge層、583nm厚度的SiO層、153nm厚度的Ge層、209nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、697nm厚度的SiO層、357nm厚度的Ge層、1006nm厚度的SiO層、405nm厚度的Ge層、60Inm厚度的SiO層、464nm厚度的Ge層、895nm厚度的SiO層、443nm厚度的Ge層、552nm厚度的SiO層；第二鍍膜層(3)包含由內(nèi)到外依次排列的612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、2447nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、612nm厚度的Si0層、307nm厚度的Ge層、612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、2447nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、647nm厚度的SiO層、240nm厚度的Ge層、638nm厚度的SiO層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種4530納米帶通紅外濾光片，包括以Sapphire為原材料的基板、以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層，基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，主要是第一鍍膜層包含了由內(nèi)到外依次排列不同厚度的鍍膜材料SiO層和Ge層，第二鍍膜層包含了有內(nèi)到外依次排列不同厚度的鍍膜材料SiO層和Ge層，本實(shí)用新型得到的4530納米帶通紅外濾光片，能實(shí)現(xiàn)中心波長定位為4530±1％納米，峰值透過率達(dá)90％以上，截止區(qū)透過率小于0.1％，大大提高了信噪比，為精確測量所需測量的氣體提供了基本保證，特別是具有對火焰的精確探測。
文檔編號B32B15/00GK202472022SQ20122009103
公開日2012年10月3日 申請日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者呂晶 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司