專利名稱：等離子顯示器的驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于等離子顯示器的驅(qū)動方法的技術(shù)。具體地說，本發(fā)明是關(guān)于具有如下效果的等離子顯示器的驅(qū)動方法能夠減少在重置區(qū)間內(nèi)所生成的光量，從而能夠較好改善等離子顯示器的明暗比例。
背景技術(shù)：
等離子顯示器(Plasma Display Panel以下統(tǒng)稱為″PDP″。)是利用He+Xe，Ne+Xe或者He+Xe+Ne等惰性混合氣體放電時所產(chǎn)生的147nm紫外線使熒光體發(fā)光，從而能夠顯示包含文字或者圖像的畫面。
這種PDP不僅能夠很容易被做成薄膜化和大型化，而且，借助最近技術(shù)開發(fā)的力量，這種等離子顯示器也能夠提供畫面質(zhì)量大大被提高的圖像。特別是3電極交流表面放電形PDP在放電時表面累積壁電荷，從而能夠保護(hù)電極不受放電時所產(chǎn)生的激射所破壞，所以它具有低電壓驅(qū)動和壽命較長的優(yōu)點。
參照圖1可知，3電極交流表面放電形PDP的放電單元體包括以下各電極在上部基板10上形成的掃描電極(Y)和維持電極(Z)；和在下部基板18上形成的尋址電極(X)。掃描電極(Y)和維持電極(Z)分別包括以下各電極透明電極12Y、12Z；寬幅比透明電極12Y、12Z的寬幅小，在透明電極的一側(cè)邊緣形成的金屬匯流電極13Y、13Z。
透明電極12Y、12Z通常是由銦錫氧化物(Indium-Tin-OxideITO)在上部基板10上形成。金屬匯流電極13Y、13Z通常由鉻(Cr)等金屬在透明電極12Y、12Z上形成，具有依靠電阻高的透明電極12Y、12Z使電壓下降的降電壓作用。掃描電極(Y)和維持電極(Z)在其上并排形成的上部基板10上疊加形成介電體層14和保護(hù)膜16。介電體層14上累積等離子放電時所產(chǎn)生的壁電荷。保護(hù)膜16能夠防止等離子放電時所產(chǎn)生的激射不對上部介電體層14造成損壞，而且能夠提高2價電子的放出效率。保護(hù)膜16通常利用氧化鎂(MgO)制成。
在其上形成有尋址電極(X)的下部基板18上形成的下部介電體層22和間隔壁24，在下部介電體層22和間隔壁24的表面涂有熒光體層26。尋址電極(X)在與掃描電極(Y)和維持電極(Z)交叉的方向上形成。間隔壁24與尋址電極(X)并列形成，能夠防止放電所產(chǎn)生的紫外線和可見光不向臨近的放電單元體漏出。熒光體層26依靠等離子放電時所產(chǎn)生的紫外線照射能夠發(fā)出紅色、綠色或者藍(lán)色中的任何一種可見光線。在上/下部基板10、18和間隔壁24之間所形成的放電空間內(nèi)注入惰性混合氣體。
PDP為了體現(xiàn)像素的亮度，將一幀分成發(fā)光次數(shù)分別不同的多個子區(qū)間，并進(jìn)行時分驅(qū)動。各子區(qū)間又可以分為以下三個區(qū)間用于使整個畫面初始化的重置區(qū)間；選擇注射線，并在所選擇的注射線選擇單元體的尋址區(qū)間；依據(jù)放電次數(shù)的不同，體現(xiàn)亮度的維持區(qū)間。
在這里，重置區(qū)間又可以分為提供上升傾斜波形的上升(set up)區(qū)間和提供下降傾斜波形的下降(set down)區(qū)間。例如，如果想利用256亮度來顯示像素的話，如圖2所示，相當(dāng)于1/60秒的一幀時間(16.67ms)可以被分為8個子區(qū)間(SF1到SF8)。8個子區(qū)間(SF1到SF8)分別如上所述，可以分為重置區(qū)間、尋址區(qū)間和維持區(qū)間。
與各子區(qū)間內(nèi)的各子區(qū)間的重置區(qū)間和尋址區(qū)間分別相同不一樣，各子區(qū)間的維持區(qū)間按照2n(n＝0，1，2，3，4，5，6，7)的比例增加。
圖3所顯示的是兩個子區(qū)間內(nèi)提供的PDP的驅(qū)動波形圖。
如圖3所示，PDP可以被分為以下三個區(qū)間進(jìn)行驅(qū)動對全畫面進(jìn)行初始化的重置區(qū)間；用于選擇單元體的尋址區(qū)間和維持被選擇的單元體的放電的維持區(qū)間。
在重置區(qū)間內(nèi)，在上升(set up)區(qū)間，向所有掃描電極(Y)同時輸入上升傾斜波形(Ramp up)。利用該上升傾斜波形(Ramp-up)，引起全畫面的單元體內(nèi)微弱的放電，并在單元體內(nèi)形成壁電荷。在下降(set down)區(qū)間內(nèi)，提供了上升傾斜波形(Ramp-up)后，從比上升傾斜波形(Ramp-up)的峰值電壓低的帶正電極性電壓不斷下降的下降傾斜波形(Ramp-down)同時被輸入到掃描電極(Y)。下降傾斜波形(Ramp-down)引起單元體內(nèi)微弱的擦除放電，從而能夠?qū)⑸鲜?set up)放電所產(chǎn)生的壁電荷和空間電荷中的無用消除掉，從而在全畫面的單元體內(nèi)均勻殘留尋址放電所需要的壁電荷。
在尋址區(qū)間內(nèi)，負(fù)極性的掃描脈沖電流(scan)被依次輸入到掃描電極(Y)上，同時，尋址電極(X)被輸入帶正電極性的數(shù)據(jù)脈沖電流(data)。該掃描脈沖電流(scan)和數(shù)據(jù)脈沖電流(data)的電壓差和在重置區(qū)間內(nèi)形成的壁電壓相加，在輸入數(shù)據(jù)脈沖電流(data)的單元體內(nèi)形成尋址放電。在依靠尋址放電所選擇的單元體內(nèi)形成壁電荷。
另一方面，在下降(set down)區(qū)間和尋址區(qū)間內(nèi)，向維持電極(Z)輸入與維持電壓級別(Vs)相同的帶正電極性的直流電壓。
在維持區(qū)間內(nèi)，向掃描電極(Y)和維持電極(Z)交替輸入維持脈沖電流(sus)。這樣，依靠尋址放電所選擇的單元體將單元體內(nèi)的壁電壓和維持脈沖電流(sus)相加，同時每當(dāng)輸入維持脈沖電流(sus)時，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間引起面放電形態(tài)的維持放電。最后，維持放電結(jié)束后，脈沖電流幅度小的擦除傾斜波形(erase)被輸入到維持電極(Z)，用于刪除單元體內(nèi)的壁電荷。
下面，將利用如圖4所示的六邊形形狀的電壓曲線(Vt close curve)，對維持區(qū)間的壁電荷和產(chǎn)生放電的原理進(jìn)行詳細(xì)說明。在這里，電壓曲線(Vt closecurve)作為用于測定等離子顯示器產(chǎn)生放電的原理和電壓余量的方法被利用。
在圖4中，電壓曲線內(nèi)部的六邊形區(qū)域作為放電單元體內(nèi)部的壁電荷分布的區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)不產(chǎn)生放電。同時，Y(-)所顯示的是向掃描電極(Y)輸入帶負(fù)電性的電壓時，壁電壓運(yùn)動的方向。同理，Y(+)，X(+)，X(-)，Z(+)，Z(-)也分別表示向掃描電極(Y)或者維持電極(Z)輸入帶負(fù)電極性或者帶正電極性的電壓時，壁電壓運(yùn)動的方向。
同時，電壓曲線圖形的第1個四分之一面反向放電區(qū)域所顯示的Vtxy所顯示的是在尋址電極(X)和注射電極(Y)間進(jìn)行放電的開始電壓。換句話說，顯示電壓曲線圖形的第1個四分之一面反向放電區(qū)域的直線被設(shè)定為與尋址電極(X)和注射電極(Y)間的放電開始電壓相同的長度。同時，在電壓曲線圖形的第1個四分之一面放電區(qū)域內(nèi)所顯示的Vtzy表示維持電極(Z)和注射電極(Y)間引起放電的開始電壓。最后，Vtxz，Vtzx，Vtyz，Vtyx分別表示各電極間的放電開始電壓。
如果想說明維持區(qū)間的運(yùn)行過程的話，產(chǎn)生尋址放電的放電單元體中的壁電荷便如圖4所示，位于圖形的第3個四分之一面上。此后，如圖3所示，向掃描電極(Y)輸入帶正電極性的維持脈沖電流的話，位于第3個四分之一面上的壁電荷的電壓與帶正電極性的維持脈沖電流的電壓相疊加，其電壓數(shù)值如圖5所示，經(jīng)由位于圖形第3個四分之一面上的面放電區(qū)域(即，向Y(+)方向移動)移動。此時，放電單元體內(nèi)在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間產(chǎn)生維持放電。
產(chǎn)生維持放電后，壁電荷如圖6所示，位于圖形的第1個四分之一面上。同時，利用向維持電極(Z)輸入的帶正電極性的維持脈沖電流，將位于第1個四分之一面的壁電荷的電壓和帶正電極性的維持脈沖電流的電壓相疊加，該電壓數(shù)值如圖6所示，經(jīng)由位于第1個四分之一面的面放電區(qū)域(即，向Z(+)方向移動)進(jìn)行移動。此時，放電單元體內(nèi)，在維持電極(Y)和掃描電極(Y)之間產(chǎn)生維持放電。實際上，PDP在維持區(qū)間內(nèi)，此種過程是不斷反復(fù)進(jìn)行的，并引起特定次數(shù)的維持放電。維持放電結(jié)束后，壁電壓如圖7所示，位于圖形的第1個四分之一面，即位于A0點上。(即，向掃描電極(Y)輸入最后一個維持脈沖電流)，此后，向維持電極(Z)提供擦除傾斜波形(erase)。如果向維持電極(Z)提供具有Vc大小的擦除傾斜波形(erase)的話，單元體電壓如圖7所示，經(jīng)過圖形的第1個四分之一面放電區(qū)域(即，向Z(+)方向移動)進(jìn)行移動。在這里，單元體電壓如果經(jīng)由圖形的第1個四分之一面放電區(qū)域的話，壁電壓便移動1/2的傾斜。即，向A1點移動。
即，擦除放電結(jié)束后，壁電荷如圖7所示，移動到A1的位置。
同時，在維持區(qū)間內(nèi)不產(chǎn)生維持放電的單元體(即，在以前的子區(qū)間內(nèi)不產(chǎn)生尋址放電的單元體)的壁電荷維持在A1的位置。(即，不產(chǎn)生尋址放電的單元體的壁電荷從以前子區(qū)間的重置區(qū)間到下一子區(qū)間的重置區(qū)間，維持在A1的位置上。)。換句話說，維持放電以后，輸入擦除傾斜波形(erase)是為了在重置區(qū)間前提高放電單元體的均勻程度。
維持區(qū)間后緊接著的下一子區(qū)間的重置區(qū)間被分為上升(set up)區(qū)間和下降(set down)區(qū)間兩部分。
如圖8所示，在上升(set up)區(qū)間內(nèi)，向掃描電極(Y)輸入上升傾斜波形(Ramp-up)。如果向各掃描電極(Y)輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的話，單元體電壓便從A1經(jīng)由第3個四分之一面的面和電區(qū)域(即，向Y(+)方向移動)進(jìn)行移動。在這里，單元體電壓如果達(dá)到了圖形第3個四分之一面的面放電區(qū)域的臨界數(shù)值的話，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間便產(chǎn)生面放電。雖然持續(xù)輸入上升傾斜波形(Ramp-up)，直到達(dá)到了Vy2的電壓為止，但是產(chǎn)生面放電后，向壁電壓的方向，單元體內(nèi)的電壓絕對值不變化Vy2的電壓大小，而是根據(jù)放電開始電壓(Vf)，即根據(jù)面放電區(qū)域的臨界下降Vy2′的大小。這雖然使產(chǎn)生面放電的掃描電極(Y)和維持電極(Z)間沒有了電壓差的變化，但是，由于在掃描電極(Y)上積累的負(fù)極性(-)的電荷，這就意味著將與尋址電極(X)間的電勢差相加。
這樣，便意味著單元體電壓便根據(jù)面放電區(qū)域的臨界值進(jìn)行移動，并引起放電。因此，因為生成了壁電荷，所以壁電壓傾斜1/2大小，從A1的位置變化為C1的位置。
另一方面，根據(jù)第3個四分之一面的面放電區(qū)域的臨界值變化的單元體電壓如果達(dá)到了在掃描電極(Y)和維持電極(Z)間放電開始的電壓的F點的話，在掃描電極(Y)和尋址電極(X)間便引起反向放電。
從引起反向放電的點開始，在放電空間內(nèi)，同時引起面放電和反向放電，所以在尋址電極(X)上形成壁電荷，所以壁電壓便傾斜1的大小，從C1點變化到C2的位置。
象這樣，依據(jù)原有的PDP驅(qū)動方法，在set up區(qū)間內(nèi)，在輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的過程中，一定時間以后，除了在掃描電極(Y)和維持電極(Z)間形成面放電外，在掃描電極(Y)和尋址電極(X)間也產(chǎn)生反向放電。
重置區(qū)間的目的不是為了體現(xiàn)亮度，而是為了使放電單元體初始化，從而在掃描電極(Y)上形成適當(dāng)量的壁電荷。因為并不是為了體現(xiàn)亮度的放電，從而產(chǎn)生因為放電的光的不必要流出。為了使在重置區(qū)間內(nèi)放出的光的灰度盡量低，引起體現(xiàn)亮度的放電時，在表現(xiàn)低亮度和高亮度時，因為明暗差很大，所以，對比度便變好了。同時，如上所述，除在重置區(qū)間內(nèi)引起的掃描電極(Y)和維持電極(Z)間的面放電外，因為在掃描電極(Y)和尋址電極(X)間也產(chǎn)生反向放電的重置區(qū)間內(nèi)放出的光的數(shù)量很大，所以對比度也變得低下了。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是為了解決上述問題，提供一種能夠提高對比度的等離子顯示器(PDP)的驅(qū)動方法。
為了實現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器(PDP)的驅(qū)動方法是將一幀分成為多個子區(qū)間，在上述各子區(qū)間中，至少有一個以上的子區(qū)間被時分為對單元體進(jìn)行初始化的重置區(qū)間、選擇放電單元體的尋址區(qū)間和引起維持放電的維持區(qū)間的等離子顯示器的驅(qū)動方法，具有包括以下各階段的特征在重置區(qū)間內(nèi)，向掃描電極逐漸輸入電壓數(shù)值上升的上升傾斜波形，并在輸入上述上升傾斜波形后，逐漸輸入電壓數(shù)值不斷向下降的下降傾斜波形的階段；向?qū)ぶ冯姌O輸入帶正電極性的輔助波形的階段。
上述輔助波形具有以下特征與上述下降傾斜波形的下限值的絕對數(shù)值相同，或者比上述下降傾斜波形的下限值的絕對數(shù)值小。
上述輔助波形在輸入上述上升傾斜波形前輸入，或者上述輔助波形與上述上升傾斜波形同時輸入，或者在輸入上述上升傾斜波形過程中進(jìn)行輸入。
上述輔助波形與上述下降傾斜波形同時擦除，或者在輸入上述下降傾斜波形過程中進(jìn)行擦除。
在以下時間點輸入上述輔助波形根據(jù)上述上升傾斜波形變化的單元體電壓數(shù)值中輸入上述輔助波形時，在超過放電開始電壓的時刻前輸入上述輔助波形。
在以下時間點擦除上述輔助波形根據(jù)上述下降傾斜波形變化的電壓與根據(jù)上述輔助波形變化的電壓的和超過放電開始電壓時刻前擦除上述輔助波形。
在輸入上述下降傾斜波形期間，還包括向維持電極輸入帶正電極性的脈沖電流階段。
另外，為了實現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明另一個實施例的PDP的驅(qū)動方法，是將一幀分成為多個子區(qū)間，在上述各子區(qū)間中，至少有一個以上的子區(qū)間被時分為對單元體進(jìn)行初始化的重置區(qū)間、選擇放電單元體的尋址區(qū)間和引起維持放電的維持區(qū)間的等離子顯示器的驅(qū)動方法具有包括以下各階段的特征在重置區(qū)間內(nèi)，向掃描電極逐漸輸入電壓數(shù)值上升的上升傾斜波形，并在輸入上述上升傾斜波形后，逐漸輸入電壓數(shù)值向下降的下降傾斜波形的階段；向?qū)ぶ冯姌O輸入輔助上升傾斜波形的階段。
上述輔助上升傾斜波形的最高上限數(shù)值與上述下降傾斜波形的下限數(shù)值的絕對數(shù)值相同，或者上述輔助上升傾斜波形的最高上限數(shù)值比上述下降傾斜波形的下限數(shù)值的絕對數(shù)值小。
上述輔助上升傾斜波形在輸入上述上升傾斜波形前輸入，或者上述輔助波形與上述上升傾斜波形同時輸入，或者在輸入上述上升傾斜波形過程中進(jìn)行輸入。
上述輔助波形與上述下降傾斜波形同時擦除，或者在輸入上述下降傾斜波形過程中進(jìn)行擦除。
在以下時間點輸入上述輔助上升傾斜波形根據(jù)上述上升傾斜波形變化的單元體電壓數(shù)值中輸入上述輔助波形時，在超過放電開始電壓的時刻前輸入上述輔助波形。
在以下時間點擦除上述輔助波形根據(jù)上述下降傾斜波形變化的電壓與根據(jù)上述輔助波形變化的電壓的和超過放電開始電壓時刻前擦除上述輔助波形。
在輸入上述下降傾斜波形期間，向維持電極再輸入帶正電極性的脈沖電流。
除上述目的外，本發(fā)明的其它目的和特征將通過參照附圖的實施例進(jìn)行詳細(xì)清楚的說明。
本發(fā)明的效果如上所述，利用依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動方法，因為能夠防止在重置區(qū)間內(nèi)掃描電極和尋址電極間所產(chǎn)生的大量放電，并且能夠降低光量，所以能夠改善等離子顯示器的明暗比例。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。


圖1所顯示的是依據(jù)原有技術(shù)的3電極交流表面放電形等離子顯示器的放電單元體結(jié)構(gòu)視圖。
圖2所顯示的是等離子顯示器一幀的視圖。
圖3所顯示的是在子區(qū)間內(nèi)，向各電極所提供的驅(qū)動波形圖。
圖4所顯示的是產(chǎn)生尋址放電的放電單元體內(nèi)壁電壓位置的視圖。
圖5所顯示的是在與圖4中所示數(shù)值相對應(yīng)的壁電壓狀態(tài)下，提供維持脈沖電流時產(chǎn)生維持放電過程視圖。
圖6所顯示的是依靠圖5的維持放電形成的壁電壓位置視圖。
圖7所顯示的是在與圖6相對應(yīng)的壁電壓狀態(tài)下，提供擦除脈沖電流時，壁電壓的變化視圖。
圖8所顯示的是在輸入上升傾斜波形的情況下，單元體電壓和壁電壓的變化視圖。
圖9所顯示的是依據(jù)本發(fā)明的第1實施例的等離子顯示器的驅(qū)動方法視圖。
圖10所顯示的是在依據(jù)本發(fā)明的第1實施例的驅(qū)動方法中，在set up區(qū)間內(nèi)的單元體電壓和壁電壓的變化視圖。
圖11所顯示的是用于測定重置區(qū)間內(nèi)所生成光量的光波形圖。
圖12所顯示的是在依據(jù)本發(fā)明的第1實施例的驅(qū)動方法中，在set down區(qū)間內(nèi)的單元體電壓和壁電壓的變化視圖。
圖13是用于顯示依據(jù)本發(fā)明的第2實施例的驅(qū)動方法的視圖。
圖14所顯示的是在依據(jù)本發(fā)明的第2實施例的驅(qū)動方法中，在set up區(qū)間內(nèi)的單元體電壓和壁電壓的變化視圖。
圖15所顯示的是在依據(jù)本發(fā)明的第2實施例的驅(qū)動方法中，用于說明輸入輔助波形的時間視圖。
圖16所顯示的是在依據(jù)本發(fā)明的第2實施例的驅(qū)動方法中，用于說明除去輔助波形的時間的視圖。
圖17所顯示的是依據(jù)本發(fā)明的第3實施例的驅(qū)動方法的視圖。
圖18所顯示的是依據(jù)本發(fā)明的第4實施例的驅(qū)動方法的視圖。
圖19所顯示的是在依據(jù)本發(fā)明的第4實施例的驅(qū)動方法中，在上升(set up)區(qū)間內(nèi)單元體電壓的變化視圖。
圖20所顯示的是在依據(jù)本發(fā)明的第3和第4實施例的驅(qū)動方法中，在下降(setdown)區(qū)間內(nèi)，單元體電壓的變化視圖。
附圖中主要部分的符號說明10上部基板 12Y，12Z透明電極13Y，13Z匯流電極14，22介電體層16保護(hù)膜18下部基板24間隔壁26熒光體層具體實施方式

下面，將參照圖9至圖20對本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動方法的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖9所顯示的是依據(jù)本發(fā)明的第1實施例的等離子顯示器的驅(qū)動方法視圖。
參照圖9可知，依據(jù)本發(fā)明第1實施例的PDP的驅(qū)動方法可以分為以下三個區(qū)間進(jìn)行驅(qū)動對全畫面進(jìn)行初始化的重置區(qū)間；用于選擇單元體的尋址區(qū)間和維持所選擇的單元體放電的維持區(qū)間。重置區(qū)間又可以被分為上升(set up)區(qū)間和下降(set down)區(qū)間。
在上升(set up)區(qū)間內(nèi)，在T0時刻，向各尋址電極(X)輸入帶正電極性的輔助波形(Va)。
接下來，在T1時刻，向各掃描電極(Y)同時輸入上升傾斜波形(Ramp-up)。依靠該上升傾斜波形(Ramp-up)引起全畫面單元體內(nèi)的微弱放電，在單元體內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。即使輸入大小上升到Vy2電壓的的上升傾斜波形(Ramp-up)，因為向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入帶正電極性的輔助波形(Va)，所以在掃描電極(Y)和尋址電極(X)間并不產(chǎn)生放電。
在下降(set down)區(qū)間內(nèi)，提供了上升傾斜波形(Ramp-up)后，從比上升傾斜波形(Ramp-up)的峰值電壓低的帶正電極性電壓開始下降的下降傾斜波形(Ramp-down)被同時輸入到各掃描電極(Y)。下降傾斜波形(Ramp-down)引起單元體內(nèi)微弱的擦除放電，將set up放電所生成的壁電荷和空間電荷中無效的電荷擦除掉，使全畫面單元體內(nèi)均勻殘留尋址放電所需要的壁電荷。
下面將利用放電單元體的電壓曲線(Vt close curve)對這種重置區(qū)間內(nèi)產(chǎn)生放電的過程進(jìn)行說明。
參照圖10可知，維持放電結(jié)束后，全部單元體的壁電荷位于Vxy軸上的A1時刻點上。
此后，在重置區(qū)間的T0時刻點，向各尋址電極(X)輸入帶正電極性的輔助波形(Va)。向各尋址電極(X)輸入的輔助波形(Va)產(chǎn)生的單元體電壓如圖所示，沿Vxy軸向X(+)方向變化。輔助波形(Va)的大小與在下降(set down)區(qū)間向各掃描電極(Y)輸入的下降傾斜波形(Ramp-down)的下限數(shù)值的絕對數(shù)值，即與|-Vy|相同，或者比向各掃描電極輸入的下降傾斜波形的下限數(shù)值的絕對數(shù)值小。因為如果輔助波形(Va)的大小比-Vy的大小大的話，根據(jù)放電單元體的初始條件，能夠產(chǎn)生誤放電。
在T1時刻點，電壓數(shù)值從向各掃描電極(Y)輸入的帶正電極性的電壓開始逐漸上升的上升傾斜波形(Ramp-up)被輸入。上升傾斜波形(Ramp-up)直到上升到Vy2的電壓數(shù)值為止。如果向各掃描電極(Y)輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的話，放電單元體的單元體電壓便向V(+)方向變化。具有這種變化的單元體電壓如果達(dá)到了位于電壓曲線的第3個四分之一面上的掃描電極(Y)和維持電極(Z)間的面放電開始電壓，即如果達(dá)到了Vtyz的臨界線的話，便會引起弱放電，同時沿面放電區(qū)域的臨界面下降。因為單元體電壓不是在A1時刻點，而是在A2時刻點被輸入，所以即使輸入大小上升到Vy2的上升傾斜波形(Ramp-up)，單元體電壓也不會達(dá)到F時刻點的大小。即，隨著輸入上升傾斜波形(Ramp-up)，只引起掃描電極(Y)和維持電極(Z)間的面放電，而不會在掃描電極(Y)和維持電極(Z)間引起反向放電。因此，在重置區(qū)間內(nèi)，便能夠減少由重置放電所產(chǎn)生的光量。
這種過程通過觀察壁電壓的變化便能夠一目了然。通過觀察下降(set down)區(qū)間的壁電壓變化可知，在輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的過程中，在第3個四分之一面的面放電臨界上如果產(chǎn)生放電的話，由于生成壁電荷所以壁電壓會發(fā)生變化。如果產(chǎn)生面放電的話，壁電壓便會在A1時刻點傾斜1/2，并向Vw1時刻點移動?，F(xiàn)有的壁電壓的變化在A1時刻點傾斜1/2并向Vw2時刻點變化后，單元體電壓大小如果達(dá)到F時刻點的話，便會產(chǎn)生反向放電。此后，在提供上升傾斜波形(Ramp-up)期間，便會傾斜1，并向Vw3時刻點變化。即，由此可知，壁電壓的變化量也被降下來了。如果發(fā)生放電的話，由于所生成的壁電荷引起的電勢差，壁電壓的變化量很少的話便意味著壁電荷的變化量也很少。因此，由此可知，生成壁電荷的放電如果產(chǎn)生很少的話，光量也很少產(chǎn)生。
同時，實際上，用于測量在重置區(qū)間內(nèi)所產(chǎn)生光量的實驗數(shù)據(jù)如圖11所示，如圖11所示，依據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動方式，在重置區(qū)間所產(chǎn)生的光量的實驗數(shù)值(b)明顯比依據(jù)原有的驅(qū)動方式的實驗數(shù)值(a)要降低。
在上升(set up)區(qū)間之后的下降(set down)區(qū)間內(nèi)，在T2時刻點，向掃描電極(Y)輸入下降傾斜波形(Ramp-down)。與此同時，向維持電極(Z)輸入帶正電極性的電壓。向掃描電極(Y)輸入下降傾斜波形(Ramp-down)的過程中，到掃描電極(Y)和維持電極(Z)間產(chǎn)生面放電的時刻點A5的單元體電壓的變化如下所述。
參照圖12可知，如果向掃描電極(Y)輸入下降傾斜波形(Ramp-down)的話，單元體電壓便從A3時刻點向A4時刻點移動。與此同時，向維持電極(Z)輸入帶正電極性的電壓，單元體電壓便向Vzy軸方向，即向Z(+)方向移動，向A5時刻點變化。因為同時掃描電極(Y)輸入下降傾斜波形(Ramp-down)，向維持電極(Z)輸入上升傾斜波形，所以，最終結(jié)果是在下降(set down)區(qū)間內(nèi)，截止到產(chǎn)生面放電的時刻，單元體電壓從A3向A5時刻點變化。在持續(xù)輸入下降傾斜波形(Ramp-down)期間，因為在掃描電極(Y)和維持電極(Z)間發(fā)生弱放電，所以不再產(chǎn)生電勢差，因為在掃描電極(Y)所形成的壁電荷，使掃描電極(Y)和尋址電極(X)間的電勢差變得更大，所以單元體電壓沿第1個四分之一面的面放電電壓臨界向A6時刻點上升。
在單元體電壓從A5時刻點向′416時刻點變化期間，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)間產(chǎn)生弱放電的區(qū)間內(nèi)，由放電產(chǎn)生的壁電荷所產(chǎn)生的壁電壓發(fā)生變化。即，上升(set up)區(qū)間結(jié)束時，對應(yīng)于Vw1時刻點的壁電壓發(fā)生1/2的傾斜變化，同時，返回到A1時刻點。
在重置區(qū)間后的尋址區(qū)間內(nèi)，帶負(fù)極性的掃描脈沖電流(scan)被依次輸入的各掃描電極(Y)的同時，向各尋址電極(X)輸入帶正電極性的數(shù)據(jù)脈沖電流(data)。該掃描脈沖電流(scan)和數(shù)據(jù)脈沖電流(data)的電壓差和重置區(qū)間內(nèi)所生成的壁電壓相加，被輸入數(shù)據(jù)脈沖電流(data)的單元體內(nèi)便會產(chǎn)生尋址放電。在由尋址放電所選擇的單元體內(nèi)便會產(chǎn)生壁電荷。
另一方面，在尋址區(qū)間內(nèi)，向各維持電極(Z)提供大小與維持電壓級別(Vs)相同的帶正電極性的直流電壓。
在維持區(qū)間內(nèi)，各掃描電極(Y)和各維持電極(Z)被交替輸入維持脈沖電流(sus)。這樣的話，由尋址放電所選擇的單元體內(nèi)的壁電壓和維持脈沖電流(sus)相加，每當(dāng)輸入維持脈沖電流(sus)時，掃描電極(Y)和維持電極(Z)間便以面放電的形態(tài)引起維持放電。
圖13是用于顯示依據(jù)本發(fā)明的PDP驅(qū)動方法的第2實施例的視圖。
參照圖13可知，依據(jù)本發(fā)明的第2實施例的PDP的驅(qū)動方法被分為以下三個區(qū)間進(jìn)行驅(qū)動用于對全畫面進(jìn)行初始化的重置區(qū)間；用于選擇單元體的尋址區(qū)間和維持被選擇單元體放電的維持區(qū)間。
在本實施例中，實際上與上述實施例相同的尋址區(qū)間和維持區(qū)間將予以省略，不進(jìn)行說明，而只對重置區(qū)間進(jìn)行詳細(xì)說明。
重置區(qū)間又可以被分為上升(set up)區(qū)間和下降(set down)區(qū)間。
下面，將參照顯示電壓曲線上的電壓數(shù)值的圖14，對依據(jù)本發(fā)明第2實施例的PDP的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。
在上升(set up)區(qū)間內(nèi)，在T0時刻，向各掃描電極(Y)同時輸入上升傾斜波形(Ramp-up)，向掃描電極(Y)輸入的上升傾斜波形(Ramp-up)使放電單元體的單元體電壓向Y(+)變化。在T1時刻，向各尋址電極(X)輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的輔助波形(Va)。向各尋址電極(X)輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的輔助波形(Va)的話，原來向Y(+)方向變化的單元體電壓便從A2時刻點向A3時刻點，即向X(+)方向變化。
上升到向掃描電極(Y)輸入的Vy2電壓的上升傾斜波形(Ramp-up)從A3時刻點繼續(xù)向Y(+)方向發(fā)生單元體電壓變化，而后如果達(dá)到了第3個四分之一面的掃描電極(Y)和維持電極的面放電區(qū)域的臨界值的話，便產(chǎn)生弱放電。因為由上升傾斜波形(Ramp-up)產(chǎn)生了弱放電，所以掃描電極(Y)和維持電極(Z)間便處于沒有電壓差變化的狀態(tài)，而繼續(xù)進(jìn)行放電，所以單元體電壓沿面放電電壓的臨界下降。在輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的過程中，在T1時刻點，向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入輔助波形(Va)，因此，單元體電壓向Vxy方向，即向X(+)方向上升，所以即使向掃描電極(Y)輸入上升到Vy2的傾斜波形的話，單元體電壓的大小也不會變化到能夠引起掃描電極(Y)和尋址電極(X)間反向放電的F時刻點。因此，在set up區(qū)間內(nèi)，只產(chǎn)生面放電，而且能夠防止產(chǎn)生反向放電，從而能夠降低在set up區(qū)間內(nèi)所產(chǎn)生的光量。
這一點與上述實施例相同，觀察如圖10所示的壁電壓的變化便可以清楚。即，很清楚，與原來的驅(qū)動方法相比，壁電壓的變化量被降低了。如果產(chǎn)生放電的話，由所生成的壁電荷生成的電勢差引起的壁電壓變化量很少，便意味著壁電荷的變化量也很少。因此，也可以說產(chǎn)生壁電荷的放電便很少，所以很顯然放電產(chǎn)生的光量也很少。
因為在重置放電時產(chǎn)生的光量并不體現(xiàn)出亮度，所以，使此時所產(chǎn)生的光量最小化，便能夠擴(kuò)大明暗的比例。即，能夠改善明暗比例，并使對比度上升。
如第2實施例所示，在上升(set up)區(qū)間內(nèi)，在輸入上升傾斜波形的過程中，向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入帶正電極性的輔助波形(Va)的時刻因為輸入了輔助波形(Va)，所以被設(shè)定為放電單元體不發(fā)一強(qiáng)放電的時刻。下面，將對此進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
由圖15可知，將放電開始電壓設(shè)定為臨界值的電壓曲線如上述實施例所示，一般來說，在第1和第3個四分之一面上，面放電區(qū)域和反向放電區(qū)域交叉的點都正確形成直角。這是因為由與放電特性相關(guān)的顯示器的多個因素所決定，放電開始電壓發(fā)生了變化，所以，受其影響，電壓曲線的形狀也發(fā)生了變化。象這樣電壓曲線發(fā)生變形的原因如下在掃描電極和維持電極間所發(fā)生的面放電中，由于向?qū)ぶ冯姌O輸入了電壓，使兩個維持電極間的電場發(fā)生了變化。因此，將面放電開始電壓降低，以盡可能使向?qū)ぶ冯姌O所輸入的電壓被升高到帶正電極性的電壓，將面放電開始電壓升高，以盡可能使向?qū)ぶ冯姌O輸入的電壓向負(fù)極性的電壓降低。由于發(fā)生了這種現(xiàn)象，因此，電壓曲線的左右面呈現(xiàn)出彎曲的形狀。
在具有這種電壓曲線的放電單元體的條件下，如果向掃描電極(Y)輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的話，單元體電壓便會向Y(+)方向發(fā)生變化。在輸入上升傾斜波形(Ramp-up)后，在T1′時刻點上，如果向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入輔助波形(Va)的話，單元體電壓便會向X(+)方向移動。此時，上升傾斜波形(Ramp-up)如果在面放電臨界存在，或者與面放電臨界緊密相結(jié)的話，如果向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入帶正電極性的輔助波形(Va)，單元體電壓便會瞬間脫離放電開始電壓數(shù)值，產(chǎn)生強(qiáng)放電。
在重置區(qū)間內(nèi)如果產(chǎn)生這種強(qiáng)放電的話，因為在維持區(qū)間內(nèi)產(chǎn)生誤放電，所以為了防止這種強(qiáng)放電，向?qū)ぶ冯姌O輸入的輔助波形(Va)在T1時刻點以前便被輸入。即，在輸入輔助波形(Va)時，由輔助波形(Va)引起放電單元體電壓在并不脫離電壓曲線臨界面的時刻點被輸入。
同時，在輸入下降傾斜波形(Ramp-down)的過程中，如果消除掉輔助波形(Va)的話，應(yīng)該在由輔助波形(Va)引起放電單元體發(fā)生強(qiáng)放電的時刻點前進(jìn)行消除。下面，將對此進(jìn)行更詳細(xì)說明。
如圖16所示，在下降(set down)區(qū)間內(nèi)，向掃描電極(Y)內(nèi)輸入的下降傾斜波形引起的單元體電壓變化到A4時刻點為止。同時，向維持電極(Z)輸入的帶正電極性的電壓使單元體電壓從A4時刻點向A5時刻點發(fā)生變化。A5時刻點作為放電開始電壓，在此時刻點上發(fā)生面放電，在輸入下降傾斜波形期間，單元體電壓沿第1個四分之一面的面放電區(qū)域向X(+)方向上升。同時，向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入的帶正電極性的輔助波形(Va)使單元體電壓再上升Va大小。在此過程中，輔助波形(Va)如果在T4′時刻點以前被輸入的話(T4時刻點以后的任意時刻點)，單元體電壓便會達(dá)到掃描電極(Y)和維持電極(Z)間放電開始電壓的反向放電區(qū)域。這種情況也因為在掃描電極(Y)和尋址電極(X)間發(fā)生強(qiáng)放電而成為產(chǎn)生誤放電的原因。因此，向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入的輔助波形(Va)在set down區(qū)間內(nèi)，也應(yīng)該在單元體電壓不脫離電壓曲線的時刻點(T4)進(jìn)行清除。
圖17所顯示的是依據(jù)本發(fā)明的第3實施例的PDP的驅(qū)動方法視圖。
由圖17可知，依據(jù)本發(fā)明的第3實施例的PDP的驅(qū)動方法可以分為以下三個區(qū)間進(jìn)行驅(qū)動對全畫面進(jìn)行初始化的重置區(qū)間；用于選擇單元體的尋址區(qū)間和維持所選擇的單元體放電的維持區(qū)間。重置區(qū)間又可以被分為上升(set up)區(qū)間和下降(set down)區(qū)間。
在上升set up區(qū)間內(nèi)，在T0時刻，向各尋址電極(X)輸入上升傾斜波形的輔助波形(Va)。
接下來，在T1時刻，向各掃描電極(Y)同時輸入上升傾斜波形(Ramp-up)。依靠該上升傾斜波形(Ramp-up)引起全畫面單元體內(nèi)的微弱放電，在單元體內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。即使輸入大小上升到Vy2電壓的的上升傾斜波形(Ramp-up)，因為向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入上升傾斜波形的輔助波形(Va)，所以在掃描電極(Y)和尋址電極(X)間并不產(chǎn)生放電。
在下降(set down)區(qū)間內(nèi)，提供了上升傾斜波形(Ramp-up)后，從比上升傾斜波形(Ramp-up)的峰值電壓低的帶正電極性電壓開始下降的下降傾斜波形(Ramp-down)被同時輸入到各掃描電極(Y)。下降傾斜波形(Ramp-down)引起單元體內(nèi)微弱的擦除放電，將上升(set up)放電所生成的壁電荷和空間電荷中無效的電荷擦除掉，使全畫面單元體內(nèi)均勻殘留尋址放電所需要的壁電荷。
依據(jù)該實施例的PDP的驅(qū)動方法因為向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入輔助波形(Va)，而且使用不會引起強(qiáng)放電的傾斜波形，所以能夠防止發(fā)生誤放電，并且能夠確保驅(qū)動時間的余量。因為具有這種優(yōu)點，所以，向?qū)ぶ冯姌O(X)輸入的輔助波形(Va)作為上升傾斜波形(Ramp-up)被輸入后，在按照特定時間長短的時間間隔進(jìn)行輸入的實施例如圖18所示，依據(jù)圖18所顯示的驅(qū)動波形的單元體電壓的變化如圖19所示，下面將參照附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖18所顯示的是依據(jù)本發(fā)明的第4實施例的PDP的驅(qū)動方法圖。
參照圖18和圖19可知，依據(jù)本發(fā)明的第4實施例的PDP的驅(qū)動方法可以分為以下三個區(qū)間進(jìn)行驅(qū)動對全畫面進(jìn)行初始化的重置區(qū)間；用于選擇單元體的尋址區(qū)間和維持所選擇的單元體放電的維持區(qū)間。在本實施例中，實際上與上述實施例相同的尋址區(qū)間和維持區(qū)間將予以省略，不進(jìn)行說明，而只對重置區(qū)間進(jìn)行詳細(xì)說明。
重置區(qū)間又可以被分為上升(set up)區(qū)間和下降(set down)區(qū)間。
在上升(set up)區(qū)間內(nèi)，在T0時刻，向各掃描電極(Y)同時輸入上升傾斜波形(Ramp-up)，向掃描電極(Y)輸入的上升傾斜波形(Ramp-up)使放電單元體的單元體電壓從位于A1時刻點的電壓向位于A2時刻點的電壓變化，即向Y(+)方向發(fā)生變化。在T1時刻，向各尋址電極(X)輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的輔助波形(Va)。向各尋址電極(X)輸入上升傾斜波形(Ramp-up)的輔助波形(Va)的話，原來向Y(+)方向變化的單元體電壓便從A2時刻點向A3時刻點，即向X(+)方向變化。
在第3個四分之一面的面放電臨界附近，由輔助波形輸入帶正電極性的球形脈沖電流的話，便會如圖15所示，而產(chǎn)生強(qiáng)放電。
但是，如果將輔助波形(Va)作為傾斜波形輸入的話，單元體電壓便會逐漸使電壓上升，并在達(dá)到面放電的臨界面A3時刻點時引起弱放電。由于弱放電所產(chǎn)生的壁電荷使單元體電壓降到達(dá)不到放電開始電壓，當(dāng)上升的傾斜波形使電壓重新上升到放電開始電壓時便引起放電。這種過程反復(fù)進(jìn)行，便不會發(fā)生強(qiáng)放電，而只引起弱放電，同時單元體電壓便沿著A4′方向發(fā)生變化。但是，因為比輸入到尋址電極(X)上的輔助波形(Va)具有更大電壓數(shù)值的上升傾斜波形(Ramp-up)被輸入到掃描電極(Y)上，所以，單元體電壓實際上向A4時刻點發(fā)生變化。
這樣，在將輔助波形(Va)作為傾斜波形進(jìn)行使用的情況下，即使利用首先輸入到掃描電極(Y)上的上升傾斜波形(Ramp-up)使單元體電壓達(dá)到掃描電極(Y)和維持電極(Z)的面放電臨界值左右，即使輸入輔助波形(Va)，也不會產(chǎn)生強(qiáng)放電，因此，便能夠確保驅(qū)動的穩(wěn)定性和可信度，并能夠確保驅(qū)動余量。但是，為了進(jìn)一步提高驅(qū)動的可信度，輸入傾斜波形的輔助波形(Va)的時間點被設(shè)定為在產(chǎn)生面放電的時刻點之前輸入。
另一方面，這種驅(qū)動余量在除去輔助波形(Va)的時刻點也同樣具有效果。
參照圖20可知，在set down時刻點，向掃描電極(Y)輸入的下降傾斜波形引起單元體電壓向A5時刻點發(fā)生變化。同時，向維持電極(Z)輸入的帶正電極性的電壓使單元體電壓從A5時刻點向A6時刻點發(fā)生變化。在A6時刻點，放電開始電壓引起面放電。在輸入下降傾斜波形期間，單元體電壓沿第1個四分之一面的面放電區(qū)域向X(+)方向上升。同時，向?qū)ぶ冯姌O(X)上輸入的傾斜波形的輔助波形(Va)使單元體電壓的大小上升Va。如果輔助波形(Va)在T4時刻點前被輸入的話，大小上升了Va的單元體電壓如果說達(dá)到了掃描電極(Y)和維持電極(Z)間發(fā)生放電的放電開始電壓的話，在使用球形波的情況下，因為瞬間超過了放電開始電壓，所以，便會產(chǎn)生強(qiáng)放電。雖然如此，但是，作為輔助波形(Va)，如果使用傾斜波形的話，在T4時刻點以上輸入輔助波形(Va)的情況下，在單元體電壓達(dá)到面放電臨界的時刻便會產(chǎn)生弱放電。由此，生成壁電荷的同時，單元體電壓也逐漸變低。同時，因為輔助波形(Va)是傾斜波形，所以單元體電壓再次達(dá)到放電開始電壓以上，并開始放電，這種過程反復(fù)進(jìn)行。
象這樣，在將輔助波形(Va)作為傾斜波形輸入的情況下，即使說消除輔助波形(Va)的時刻點晚了的話，因為也不會產(chǎn)生強(qiáng)放電，所以驅(qū)動時間的余量便會升高。但是，為了進(jìn)一步提高驅(qū)動余量和驅(qū)動的可信度，如第2實施例所示，除去傾斜波形的輔助波形(Va)的時刻點也應(yīng)該設(shè)定在輔助波形(Va)引起的單元體電壓在掃描電極(Y)和尋址電極(X)間產(chǎn)生反向放電的時刻點以前進(jìn)行。
本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明，而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器的驅(qū)動方法，是將一幀分成為多個子區(qū)間，在上述各子區(qū)間中，至少有一個以上的子區(qū)間被時分為對單元體進(jìn)行初始化的重置區(qū)間、選擇放電單元體的尋址區(qū)間和引起維持放電的維持區(qū)間的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于包括在上述重置區(qū)間內(nèi)，向掃描電極逐漸輸入電壓數(shù)值上升的上升傾斜波形，并在輸入上述上升傾斜波形后，逐漸輸入電壓數(shù)值不斷向下降的下降傾斜波形的階段；向?qū)ぶ冯姌O輸入帶正電極性的輔助波形的階段。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助波形與上述下降傾斜波形的下限值的絕對數(shù)值相同，或者比上述下降傾斜波形的下限值的絕對數(shù)值小。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助波形在輸入上述上升傾斜波形前輸入，或者上述輔助波形與上述上升傾斜波形同時輸入，或者在輸入上述上升傾斜波形過程中進(jìn)行輸入。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助波形與上述下降傾斜波形同時擦除，或者在輸入上述下降傾斜波形過程中進(jìn)行擦除。
5.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助波形在以下時間點輸入根據(jù)上述上升傾斜波形變化的單元體電壓數(shù)值中輸入上述輔助波形時，在超過放電開始電壓的時刻前輸入上述輔助波形。
6.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助波形在以下時間點擦除根據(jù)上述下降傾斜波形變化的電壓與根據(jù)上述輔助波形變化的電壓的和超過放電開始電壓時刻前擦除上述輔助波形。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于在輸入上述下降傾斜波形期間還包括向維持電極輸入帶正電極性的脈沖電流的階段。
8.一種等離子顯示器的驅(qū)動方法，是將一幀分成為多個子區(qū)間，在上述各子區(qū)間中，至少有一個以上的子區(qū)間被時分為對單元體進(jìn)行初始化的重置區(qū)間、選擇放電單元體的尋址區(qū)間和引起維持放電的維持區(qū)間的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于包括以下各階段在重置區(qū)間內(nèi)，向掃描電極逐漸輸入電壓數(shù)值上升的上升傾斜波形，并在輸入上述上升傾斜波形后，逐漸輸入電壓數(shù)值向下降的下降傾斜波形的階段；向?qū)ぶ冯姌O輸入輔助上升傾斜波形的階段。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助上升傾斜波形的最高上限數(shù)值與上述下降傾斜波形的下限數(shù)值的絕對數(shù)值相同，或者上述輔助上升傾斜波形的最高上限數(shù)值比上述下降傾斜波形的下限數(shù)值的絕對數(shù)值小。
10.如權(quán)利要求8所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助上升傾斜波形在輸入上述上升傾斜波形前輸入，或者上述輔助波形與上述上升傾斜波形同時輸入，或者在輸入上述上升傾斜波形過程中進(jìn)行輸入。
11.如權(quán)利要求8所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助波形與上述下降傾斜波形同時擦除，或者在輸入上述下降傾斜波形過程中進(jìn)行擦除。
12.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助上升傾斜波形在以下時間點輸入根據(jù)上述上升傾斜波形變化的單元體電壓數(shù)值中輸入上述輔助波形時，在超過放電開始電壓的時刻前輸入上述輔助波形。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于上述輔助波形在以下時間點擦除根據(jù)上述下降傾斜波形變化的電壓與根據(jù)上述輔助波形變化的電壓的和超過放電開始電壓時刻前擦除上述輔助波形。
14.如權(quán)利要求8所述的等離子顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于在輸入上述下降傾斜波形期間，向維持電極再輸入帶正電極性的脈沖電流。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于等離子顯示器的驅(qū)動方法，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動方法具有由以下三個階段所構(gòu)成的特征在重置區(qū)間內(nèi)，向?qū)ぶ冯姌O內(nèi)輸入帶正電極性的輔助波形的階段；逐漸向掃描電極輸入電壓數(shù)值上升的上升傾斜波形，并在輸入上述上升傾斜波形后，輸入從上述上升傾斜脈沖電流的最高電壓值開始，電壓數(shù)值不斷向下降的下降傾斜波形的階段；向維持電極輸入帶正電極性的脈沖電流的階段。本發(fā)明能夠減少在重置區(qū)間內(nèi)所生成的光量，從而能夠較好改善等離子顯示器的明暗比例。
文檔編號G09G3/20GK101038720SQ200610024
公開日2007年9月19日 申請日期2006年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月13日
發(fā)明者金敏洙, 趙起德, 金元在, 沈敬烈 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司