位移控制單元的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種在顯示系統(tǒng)中的移位控制單元。該移位控制單元包含第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第一電容及第二電容。每一晶體管包含第一端、第二端及控制端。每一電容包含第一端及第二端。該第一晶體管的第一端用于接收可調(diào)整寬度的輸入脈沖信號(hào)且該第一晶體管的控制端用于接收第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)；該第二晶體管的第一端用于接收第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)；該第二電容的第一端用于接收該第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)，該第四晶體管的第二端用于輸出發(fā)光脈沖信號(hào)。
【專利說(shuō)明】位移控制單元

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明提供一種位移控制單元,尤指一種用于有機(jī)發(fā)光二極管(Organic LightEmitting D1de, OLED)顯示裝置中的可調(diào)整發(fā)光脈沖寬度的位移控制單元。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting D1de, OLED)擁有高亮度、反應(yīng)速度快、輕薄短小、廣色域、高對(duì)比、視野范圍廣、不需要液晶顯示裝置的背光源以及低耗電量等優(yōu)點(diǎn)，逐漸成為新一代可攜式資訊產(chǎn)品及筆記型電腦普遍使用的顯示裝置，然而，其需要設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)電路以保證其穩(wěn)定工作與顯示品質(zhì)。
[0003]一般來(lái)說(shuō)，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的柵極驅(qū)動(dòng)電路會(huì)產(chǎn)生多個(gè)發(fā)光脈沖信號(hào)及多個(gè)掃描信號(hào)來(lái)控制多個(gè)OLED像素的灰階表現(xiàn)及發(fā)光時(shí)間，而柵極驅(qū)動(dòng)電路以多級(jí)的移位寄存器做為重要的核心電路，每一級(jí)的移位寄存器包含位移控制單元，位移控制單元包含多個(gè)薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)開關(guān)以及多個(gè)電容。而移位寄存器也是除了畫面像素電路之外，在面板內(nèi)部最重要且最多的數(shù)字電路。因此，移位寄存器在電路架構(gòu)設(shè)計(jì)上，除了基本功能要能夠正常工作外，其內(nèi)部的位移控制單元也必需考量功率消耗，制成容忍度及布局面積等相關(guān)問題。
[0004]然而，現(xiàn)有的位移控制單元由于晶體管特性，常常在高低電位之間存在漏電路徑而導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)電路輸出的發(fā)光脈沖信號(hào)及掃描信號(hào)失真而影響顯示器影像品質(zhì)。另外，由于位移控制單元電路所需的TFT開關(guān)甚多，當(dāng)移位寄存器的級(jí)數(shù)很大時(shí)會(huì)花費(fèi)大量的布局面積及功率消耗，此外，利用位移控制單元實(shí)現(xiàn)的柵極驅(qū)動(dòng)電路只能接受最多兩個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘脈沖寬度的脈沖信號(hào)的輸出及輸入，如此將造成每一個(gè)OLED像素發(fā)光時(shí)間被限制為最多兩個(gè)時(shí)鐘脈沖，因此當(dāng)OLED顯示裝置在特殊應(yīng)用上欲延長(zhǎng)其發(fā)光時(shí)間時(shí)，位移控制單元電路將無(wú)法有彈性的被應(yīng)用在柵極驅(qū)動(dòng)電路中。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種位移控制單元，包含第一晶體管，包含第一端用以接收輸入脈沖信號(hào)，控制端用以接收第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)，及第二端；第二晶體管，包含第一端用以接收第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)，控制端，及第二端；第一電容，包含第一端耦接于該第二晶體管的第二端，及第二端耦接于該第一晶體管的第二端；第三晶體管，包含第一端用以接收第一直流偏壓，控制端耦接于該第一晶體管的第二端，及第二端；第二電容，包含第一端用以接收該第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)，及第二端耦接于該第三晶體管的第二端；第四晶體管，包含第一端用以接收第二直流偏壓，控制端耦接于該第一晶體管的第二端，及第二端耦接于該第二晶體管的控制端，用以輸出一發(fā)光脈沖信號(hào)；及第五晶體管，包含第一端耦接于該第四晶體管的第二端；一控制端耦接于該第三晶體管的第二端，及一第二端用以接收該第一直流偏壓。
[0006]本發(fā)明另提供一種位移控制單元，包含第一晶體管，包含第一端用以接收輸入脈沖信號(hào)，控制端用以接收第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)，及第二端；第二晶體管，包含第一端用以接收第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)，控制端，及第二端；第一電容，包含第一端耦接于該第二晶體管的第二端，及第二端耦接于該第一晶體管的第二端；第二電容，包含第一端用以接收該第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)，及第二端；第三晶體管，包含第一端耦接于該第二電容的第二端，控制端耦接于該第一晶體管的第二端，及第二端用以接收第二直流偏壓；第四晶體管，包含第一端用以接收第一直流偏壓，控制端耦接于該第一晶體管的第二端，及第二端耦接于該第二晶體管的控制端，用以輸出發(fā)光脈沖信號(hào)；及第五晶體管，包含第一端耦接于該第四晶體管的第二端，控制端耦接于該第三晶體管的第一端，及第二端用以接收該第二直流偏壓。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的位移控制單元的電路示意圖。
[0008]圖2為圖1位移控制單元的輸入脈沖信號(hào)、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)、第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)及發(fā)光脈沖信號(hào)在十個(gè)時(shí)鐘脈沖區(qū)間內(nèi)的波形圖。
[0009]圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的位移控制單元的電路示意圖。
[0010]其中，附圖標(biāo)記:
[0011]NI第一 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0012]N2第二 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0013]N3第三N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0014]N4第四N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0015]N5第五N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0016]Pl第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0017]P2第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0018]P3第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0019]P4第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0020]P5第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
[0021]Cl第一電容
[0022]C2第二電容
[0023]IN輸入脈沖信號(hào)
[0024]EM發(fā)光脈沖信號(hào)
[0025]CK第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)
[0026]XCK第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)
[0027]VGH第一直流偏壓
[0028]VGL第二直流偏壓
[0029]t0 至 110時(shí)間

【具體實(shí)施方式】
[0030]為讓本發(fā)明更顯而易懂，下文依本發(fā)明的位移控制單元電路，特舉實(shí)施例配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明，但所提供的實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍。
[0031]請(qǐng)參考圖1，圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的位移控制單元100的電路示意圖。如圖1所示，位移控制單元100包含第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P1、第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2、第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3、第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4及第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5、第一電容Cl及第二電容C2。每一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管PU P2、P3、P4、P5包含第一端、控制端以及第二端。每一電容Cl、C2包含第一端以及第二端。位移控制單元100的第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl的第一端用來(lái)接收輸入脈沖信號(hào)IN，第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl的控制端和第二電容C2的第一端用來(lái)接收第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK，第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2的第一端用來(lái)接收第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK，第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3的第二端和第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5的第二端耦接于第一直流偏壓Vra，第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4的第一端耦接于第二直流偏壓Va，而第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4的第二端會(huì)傳送發(fā)光脈沖信號(hào)EM至第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2的控制端以控制第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2的開關(guān)，且第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4的第二端另耦接于發(fā)光二極管。在位移控制單兀100中，第一直流偏壓Vra相對(duì)于第二直流偏壓Va為高電位且第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK和第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK可為反向，當(dāng)?shù)谝粫r(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為高電位時(shí)，由于第一直流偏壓Vra亦為高電位，無(wú)論第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3是否開啟，第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5的控制端電位必為高電位而將第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5關(guān)閉；當(dāng)?shù)谝粫r(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為低電位且輸入脈沖信號(hào)IN為高電位時(shí)，第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl為開啟，故高電位的輸入脈沖信號(hào)IN經(jīng)由第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl流向第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4的控制端而將第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4關(guān)閉；當(dāng)?shù)谝粫r(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為低電位且輸入脈沖信號(hào)IN為低電位時(shí),第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl為開啟，且第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3的控制端電位等同于低電位的輸入脈沖信號(hào)IN而將第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3開啟，此時(shí)高電位的第一直流偏壓Vra將經(jīng)由第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3流向第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5的控制端而將第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5關(guān)閉。由上述可知，位移控制單元100內(nèi)的第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4及第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5在任何情況下均不會(huì)同時(shí)開啟，也就是說(shuō)由第一直流偏壓Vra到第二直流偏壓Va的漏電路徑在任何時(shí)間內(nèi)是不存在的。
[0032]圖2為位移控制單元100的輸入脈沖信號(hào)IN、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK、第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK及發(fā)光脈沖信號(hào)EM在連續(xù)十個(gè)時(shí)鐘脈沖區(qū)間內(nèi)的波形圖。在此考慮輸入脈沖信號(hào)IN為六個(gè)時(shí)鐘脈沖寬度且輸入脈沖信號(hào)IN在第三個(gè)時(shí)鐘脈沖區(qū)間到第八個(gè)時(shí)鐘脈沖區(qū)間為高電位，其余時(shí)鐘脈沖區(qū)間為低電位。以下將分別針對(duì)十個(gè)時(shí)鐘脈沖區(qū)間詳細(xì)描述位移控制單元100的電路驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。
[0033]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第一時(shí)鐘脈沖區(qū)間Utl至h的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為低電位、發(fā)光脈沖信號(hào)EM的初始值為低電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為高電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為低電位，因此在位移控制單元100中的第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2、第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3及第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4為開啟且第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl及第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5為關(guān)閉，因此第二直流偏壓Vgl經(jīng)由開啟的第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4輸出成為低電位的發(fā)光脈沖信號(hào)EM。
[0034]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第二時(shí)鐘脈沖區(qū)間U1至t2的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為低電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為低電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P1、第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2、第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3及第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4為開啟且第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5為關(guān)閉，因此第二直流偏壓Va經(jīng)由開啟的第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4輸出成為一低電位的發(fā)光脈沖信號(hào)EM。
[0035]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第三時(shí)鐘脈沖區(qū)間(t2至t3的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為高電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為高電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為低電位，因此在位移控制單元100中的第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2、第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3及第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4為開啟且第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl及第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5為關(guān)閉，因此第二直流偏壓Va經(jīng)由開啟的第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4輸出成為一低電位的發(fā)光脈沖信號(hào)EM。
[0036]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第四時(shí)鐘脈沖區(qū)間(t3至t4的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為高電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為低電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl及第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5為開啟且第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2、第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3及第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4為關(guān)閉，因此第一直流偏壓Vra經(jīng)由開啟的第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5輸出成為一高電位的發(fā)光脈沖信號(hào)EM。
[0037]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第五時(shí)鐘脈沖區(qū)間(t4至t5的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為高電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為高電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為低電位，因此所有P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P1、P2、P3、P4及P5均為關(guān)閉狀態(tài)。然而因第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4的第二端電位耦接于像素端的晶體管，故其輸出的發(fā)光脈沖信號(hào)EM藉由像素端的內(nèi)部電容即維持在第四時(shí)鐘脈沖區(qū)間的高電位。
[0038]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第六時(shí)鐘脈沖區(qū)間(t5至t6的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為高電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為低電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl及第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5為開啟且第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2、第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3及第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4為關(guān)閉，因此該第一直流偏壓Vra經(jīng)由開啟的第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5輸出成為一高電位的發(fā)光脈沖信號(hào)EM。
[0039]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第七時(shí)鐘脈沖區(qū)間(t6至t7的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為高電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為高電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為低電位，因此所有P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P1、P2、P3、P4及P5均為關(guān)閉狀態(tài)。然而因第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4的第二端電位耦接于像素端的晶體管，故發(fā)光脈沖信號(hào)EM藉由像素端的內(nèi)部電容即維持在第六時(shí)鐘脈沖區(qū)間的高電位。
[0040]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第八時(shí)鐘脈沖區(qū)間(t7至t8的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為高電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為低電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Pl及第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5為開啟且第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2、第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3及第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4為關(guān)閉，因此該第一直流偏壓Vra經(jīng)由開啟的第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5輸出成為一高電位的發(fā)光脈沖信號(hào)EM。
[0041]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第九時(shí)鐘脈沖區(qū)間(t8至t9的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為低電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為高電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為低電位，因此所有P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P1、P2、P3、P4及P5均為關(guān)閉狀態(tài)。然而因第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4的第二端電位耦接于像素端的晶體管，故發(fā)光脈沖信號(hào)EM藉由像素端的內(nèi)部電容即維持在第八時(shí)鐘脈沖區(qū)間的高電位。
[0042]當(dāng)位移控制單元100運(yùn)作于第十時(shí)鐘脈沖區(qū)間(t9至t1(l的區(qū)間)時(shí)，輸入脈沖信號(hào)IN為低電位、第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為低電位及第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P1、第二 P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P2、第三P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P3及第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4為開啟且第五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P5為關(guān)閉，因此第二直流偏壓Va經(jīng)由開啟的第四P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管P4輸出成為一低電位的發(fā)光脈沖信號(hào)EM。
[0043]由圖2知,對(duì)應(yīng)于六個(gè)時(shí)鐘脈沖寬度的輸入脈沖信號(hào)IN,發(fā)光脈沖信號(hào)EM亦為六個(gè)時(shí)鐘脈沖寬度且發(fā)光脈沖信號(hào)EM在第四個(gè)時(shí)鐘脈沖區(qū)間到第九個(gè)時(shí)鐘脈沖區(qū)間為高電位,其余時(shí)鐘脈沖區(qū)間為低電位。
[0044]請(qǐng)參考圖3，圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的位移控制單元200的電路示意圖。如圖3所示，位移控制單元200包含第一 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N1、第二 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N2、第三N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N3、第四N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N4及第五N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N5、第一電容Cl及第二電容C2。每一 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N1、N2、N3、N4、N5包含第一端、控制端以及第二端。每一電容Cl、C2包含第一端以及第二端。位移控制單元200的第一 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管NI的第一端用來(lái)接收輸入脈沖信號(hào)IN，且第一 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管NI的控制端及第二電容C2的第一端用來(lái)接收第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK，第二 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N2的第一端用來(lái)接收第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK。第四N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N4的第一端耦接于第一直流偏壓Vra且第五N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N5的第二端及第三N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管N3的第二端耦接于第二直流偏壓Va。第四N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν4的第二端耦接于第二 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν2的控制端及發(fā)光二極管并傳送發(fā)光脈沖信號(hào)EM至第二 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν2的控制端及發(fā)光二極管。在位移控制單元200中，第一直流偏壓Vra相對(duì)于第二直流偏壓Va為高電位且第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)CK和第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)XCK可為反向，當(dāng)?shù)谝粫r(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為低電位時(shí)，由于第二直流偏壓Va亦為低電位,無(wú)論第三N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν3是否開啟，第五N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν5的控制端電位必為低電位而將第五N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν5關(guān)閉；當(dāng)?shù)谝粫r(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為高電位且輸入脈沖信號(hào)IN為低電位時(shí)，第一 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管NI為開啟，因此第四N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν4的控制端電位等同于低電位的脈沖輸入信號(hào)IN而將第四N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν4關(guān)閉；當(dāng)?shù)谝粫r(shí)鐘脈沖信號(hào)CK為高電位且輸入脈沖信號(hào)IN為高電位時(shí)，第一 N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管NI為開啟，因此第三N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν3的控制端為高電位而將第三N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν3開啟，因此第五N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν5的控制端電位等同于第二直流偏壓Vgl的低電位而將第五N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν5開關(guān)關(guān)閉。由上述可知，位移控制單元200內(nèi)的第四N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν4及第五N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管Ν5開關(guān)在任何情況下均不會(huì)同時(shí)開啟，也就是說(shuō)由第一直流偏壓Vra到第二直流偏壓Va的漏電路徑在任何時(shí)間內(nèi)是不存在的。
[0045]綜上所述，本發(fā)明的位移控制單元只需要五P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管或五N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管以及二電容即可實(shí)現(xiàn)，在電路驅(qū)動(dòng)時(shí)可接受超過兩個(gè)時(shí)鐘脈沖寬度的脈沖輸入信號(hào)而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)寬度的發(fā)光脈沖信號(hào)，此外，在任何時(shí)鐘脈沖區(qū)間由第一直流偏壓Vra至第二直流偏壓Va的漏電路徑皆不存在。因此，本發(fā)明的位移控制單元除了能更有彈性地應(yīng)用于不同發(fā)光時(shí)間的OLED像素之外，其驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用于OLED顯示系統(tǒng)也因?yàn)橛休^小的布局面積以及不會(huì)漏電而產(chǎn)生壓降的特性，進(jìn)而能提供較小的功率消耗和較高顯不品質(zhì)。
[0046]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求保護(hù)范圍所做的均等變化與修改，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種移位控制單元，其特征在于，包含: 一第一晶體管，包含: 一第一端，用以接收一輸入脈沖信號(hào)； 一控制端，用以接收一第一時(shí)鐘脈沖信號(hào) '及
弟.~-? ； 一第二晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)； 一控制端；及
弟.~-? ; 一第一電容，包含: 一第一端，耦接于該第二晶體管的第二端；及 一第二端，耦接于該第一晶體管的第二端； 一第三晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第一直流偏壓； 一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端；及
弟.~-? ; 一第二電容，包含: 一第一端，用以接收該第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)；及 一第二端，耦接于該第三晶體管的第二端； 一第四晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第二直流偏壓； 一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端；及 一第二端，耦接于該第二晶體管的控制端，用以輸出一發(fā)光脈沖信號(hào)；及 一第五晶體管，包含: 一第一端，耦接于該第四晶體管的第二端； 一控制端，耦接于該第三晶體管的第二端 '及 一第二端，用以接收該第一直流偏壓。
2.如權(quán)利要求1所述的移位控制單元，其特征在于，該第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)與該第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)互為反向。
3.如權(quán)利要求1所述的移位控制單元，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、該第三晶體管、該第四晶體管及該第五晶體管為P型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的移位控制單元，其特征在于，該第一直流偏壓為一高電位直流偏壓，該第二直流偏壓為一低電位直流偏壓。
5.如權(quán)利要求1所述的移位控制單元，其特征在于，該第四晶體管的第二端耦接于對(duì)應(yīng)一像素端的一晶體管。
6.一種移位控制單元，其特征在于，包含: 一第一晶體管，包含: 一第一端，用以接收一輸入脈沖信號(hào)； 一控制端，用以接收一第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)；及 _■笛——雜 弟.~-? ; 一第二晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)； 一控制端；及._?笛——雜 弟.~-? ; 一第一電容，包含: 一第一端，耦接于該第二晶體管的第二端；及 一第二端，耦接于該第一晶體管的第二端； 一第二電容，包含: 一第一端，用以接收該第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)；及
弟.~-? ; 一第三晶體管，包含: 一第一端，耦接于該第二電容的第二端； 一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端 '及 一第二端；用以接收一第二直流偏壓； 一第四晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第一直流偏壓； 一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端；及 一第二端，耦接于該第二晶體管的控制端，用以輸出一發(fā)光脈沖信號(hào)；及 一第五晶體管，包含: 一第一端，耦接于該第四晶體管的第二端； 一控制端，耦接于該第三晶體管的第一端 '及 一第二端，用以接收該第二直流偏壓。
7.如權(quán)利要求6所述的移位控制單兀,其特征在于，該第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)與該第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)互為反向。
8.如權(quán)利要求6所述的移位控制單元，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、該第三晶體管、該第四晶體管及該第五晶體管為N型金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管。
9.如權(quán)利要求6所述的移位控制單元，其特征在于，該第一直流偏壓為一高電位直流偏壓，該第二直流偏壓為一低電位直流偏壓。
10.如權(quán)利要求6所述的移位控制單元，其特征在于，該第四晶體管的第二端耦接于對(duì)應(yīng)一像素端的一晶體管。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104134423SQ201410117601
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月7日
【發(fā)明者】蔡永勝 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司