本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種demux電路。

背景技術(shù)：

液晶顯示器是目前使用最廣泛的一種平板顯示器，已經(jīng)逐漸成為各種電子設(shè)備如移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕所廣泛應(yīng)用具有高分辨率彩色屏幕的顯示器。隨著液晶顯示器技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步，人們對(duì)液晶顯示器的顯示品質(zhì)，外觀設(shè)計(jì)等提出了更高的要求，低成本和窄邊框成為人們追求的目標(biāo)。

解復(fù)用器(demultiplexer,簡(jiǎn)寫demux)，用于把一個(gè)信號(hào)通道分解為多個(gè)信號(hào)通道，在中小尺寸液晶顯示器中被廣泛采用。在液晶顯示器中，demux通常搭配ltps(低溫多晶硅)制程，ltps制程制作的tft(薄膜晶體管)器件電子遷移率高，可以滿足demux需求。

隨著液晶顯示器向低成本方向發(fā)展，igzo(氧化銦鎵鋅)制程和amorphoussilicon(非晶硅)制程也有使用demux的需求，但是由于igzo制程和amorphoussilicon制程制作的器件，電子遷移率比ltps低很多，使用demux后影響面板的充電率。

圖1所示為現(xiàn)有l(wèi)cd驅(qū)動(dòng)架構(gòu)，像素陣列(pixelarray)周圍布置了各類走線及電路，包括柔性電路板焊盤(fpcpad)，芯片焊盤(icpad)，陣列外布線(woa)，扇出(fanout)，解復(fù)用器(de-mux)，esdsr(靜電放電sr(觸發(fā)器))，陣列基板行驅(qū)動(dòng)(goa)，以及公共總線/靜電放電(combus/esd)，本

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
涉及圖中1所示的de-mux。

圖2所示為已有l(wèi)cd中使用的demux電路。該demux電路包括三個(gè)薄膜晶體管，該三個(gè)薄膜晶體管的柵極分別輸入信號(hào)sw1，sw2及sw3，源極/漏極分別連接databus(數(shù)據(jù)總線)n，漏極/源極分別連接dataline(數(shù)據(jù)線)3n，3n+1以及3n+2；信號(hào)sw1，sw2及sw3按照預(yù)設(shè)時(shí)序控制各個(gè)薄膜晶體管的打開與關(guān)閉，當(dāng)薄膜晶體管打開時(shí)，databusn可與相應(yīng)的dataline連通并向其充電。該種demux電路通常搭配ltps制程，由于ltps制程的電子遷移率比較高，使用該種de-mux電路仍然可以維持比較高的數(shù)據(jù)線(dataline)充電率。隨著液晶顯示器向低成本方向發(fā)展，igzo制程和amorphoussilicon制程也有使用demux的需求，但是由于igzo制程和amorphoussilicon制程制作的器件，電子遷移率比ltps低很多，使用demux后影響面板的充電率。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種demux電路，提升igzo和amorphoussilicon制程demux的充電率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種demux電路，包括：

數(shù)據(jù)總線，第一、第二及第三數(shù)據(jù)線，分別連接于數(shù)據(jù)總線和相應(yīng)的第一、第二及第三數(shù)據(jù)線之間的第一、第二及第三單元；

每個(gè)單元分別包括第一薄膜晶體管，第二薄膜晶體管，第三薄膜晶體管以及電容，并且輸入相應(yīng)的第一、第二及第三開關(guān)信號(hào)；第一薄膜晶體管的柵極輸入第一開關(guān)信號(hào)，其源極和漏極分別輸入第一開關(guān)信號(hào)和連接第二薄膜晶體管的柵極；第二薄膜晶體管的源極和漏極分別連接數(shù)據(jù)總線和對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線；電容的一端連接第二薄膜晶體管的柵極，另一端輸入第二開關(guān)信號(hào)；第三薄膜晶體管的柵極輸入第三開關(guān)信號(hào)，其源極和漏極分別連接第二薄膜晶體管的柵極和恒壓低電位；

對(duì)于每個(gè)單元，工作時(shí)，當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)信號(hào)打開時(shí)，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管打開，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線預(yù)充電；然后當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)信號(hào)關(guān)閉，第二開關(guān)信號(hào)打開時(shí)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線充電至預(yù)設(shè)電位。

其中，用于輸入該第一、第二及第三單元的開關(guān)信號(hào)共有四個(gè)，每個(gè)單元選擇其中適合的三個(gè)開關(guān)信號(hào)作為對(duì)應(yīng)該單元的第一、第二及第三開關(guān)信號(hào)。

其中，該四個(gè)開關(guān)信號(hào)為占空比為0.25的直方波，相互之間相位相差四分之一周期。

其中，工作時(shí)，通過(guò)控制每個(gè)單元對(duì)應(yīng)的開關(guān)信號(hào)的時(shí)序，使得當(dāng)?shù)谝粏卧獙?duì)第一數(shù)據(jù)線充電至預(yù)設(shè)電位時(shí)，第二單元同步對(duì)第二數(shù)據(jù)線做預(yù)充電，當(dāng)?shù)诙卧獙?duì)第二數(shù)據(jù)線充電至預(yù)設(shè)電位時(shí)，第三單元同步對(duì)第三數(shù)據(jù)線做預(yù)充電，當(dāng)?shù)谌龁卧獙?duì)第三數(shù)據(jù)線充電至預(yù)設(shè)電位時(shí)，第一單元同步對(duì)第一數(shù)據(jù)線做預(yù)充電。

其中，其為氧化銦鎵鋅制程中的demux電路。

其中，其為非晶硅制程中的demux電路。

其中，其連接rgb三基色顯示面板以輸出rgb數(shù)據(jù)信號(hào)。

其中，該數(shù)據(jù)總線每4個(gè)時(shí)間段為一個(gè)循環(huán)，連續(xù)輸出rgb數(shù)據(jù)信號(hào)后，空置一個(gè)時(shí)間段。

綜上所述，本發(fā)明的demux電路可以提高tft柵極驅(qū)動(dòng)電壓，進(jìn)而提高igzo和amorphoussilicon制程tft的電子遷移率，提升數(shù)據(jù)線充電率。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有l(wèi)cd驅(qū)動(dòng)架構(gòu)示意圖；

圖2為已有l(wèi)cd中使用的demux電路示意圖；

圖3為本發(fā)明demux電路的示意圖；

圖4為本發(fā)明demux電路的時(shí)序圖；

圖5為本發(fā)明demux電路和已有demux電路充電波形的比較示意圖。

具體實(shí)施方式

圖3所示為本發(fā)明demux電路的示意圖。該demux電路包括數(shù)據(jù)總線(databus)n，第一、第二及第三數(shù)據(jù)線(dataline)3n，3n+1及3n+2，分別連接于數(shù)據(jù)總線n和對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線之間的第一、第二及第三單元。

第一單元包括第一薄膜晶體管tfta1，第二薄膜晶體管tfta2，第三薄膜晶體管tfta3，以及電容cap1；第二單元包括tftb1，tftb2，tftb3，以及電容cap2；第三單元包括tftc1，tftc2，tftc3，以及電容cap3。

現(xiàn)以第一單元為例對(duì)各單元結(jié)構(gòu)和功能加以詳細(xì)說(shuō)明，第一單元中：

第一薄膜晶體管tfta1的柵極輸入第一開關(guān)信號(hào)sw1，其源極和漏極分別輸入第一開關(guān)信號(hào)sw1和連接第二薄膜晶體管tfta2的柵極；

第二薄膜晶體管tfta2的源極和漏極分別連接數(shù)據(jù)總線n和對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線3n；

電容cap1的一端連接第二薄膜晶體管tfta2的柵極，另一端輸入第二開關(guān)信號(hào)sw2；

第三薄膜晶體管tfta3的柵極輸入第三開關(guān)信號(hào)sw3，其源極和漏極分別連接第二薄膜晶體管tfta2的柵極和恒壓低電位vgl；

對(duì)于第一單元，工作時(shí)，當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)信號(hào)sw1打開時(shí)，第一薄膜晶體管tfta1和第二薄膜晶體管tfta2打開，對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線3n預(yù)充電；然后當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)信號(hào)sw1關(guān)閉，第二開關(guān)信號(hào)sw2打開時(shí)，對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線3n充電至預(yù)設(shè)電位。

對(duì)于其他單元，工作時(shí)，當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)信號(hào)打開時(shí)，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管打開，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線預(yù)充電；然后當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)信號(hào)關(guān)閉，第二開關(guān)信號(hào)打開時(shí)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線充電至預(yù)設(shè)電位。其他單元的各開關(guān)信號(hào)區(qū)別于第一單元的各開關(guān)信號(hào)。

此外，恒壓低電位vgl可用于各電容的放電回復(fù)。例如對(duì)于第一單元，當(dāng)開關(guān)信號(hào)sw2關(guān)閉，開關(guān)信號(hào)sw3打開時(shí)，電容cap1可通過(guò)恒壓低電位vgl放電回復(fù)。

進(jìn)一步，本發(fā)明可以通過(guò)提供開關(guān)信號(hào)sw1，sw2，sw3及sw4并設(shè)置適合的時(shí)序來(lái)同時(shí)控制第一、第二及第三單元的工作；每個(gè)單元選擇其中適合的三個(gè)開關(guān)信號(hào)作為對(duì)應(yīng)該單元的第一、第二及第三開關(guān)信號(hào)。該四個(gè)開關(guān)信號(hào)可以為占空比為0.25的直方波，相互之間相位相差四分之一周期(可參見圖4)。

圖4所示為本發(fā)明demux電路的時(shí)序圖。結(jié)合圖3及圖4可以理解本發(fā)明demux電路的工作原理。當(dāng)sw1打開時(shí)，tfta1和tfta2被打開，dataline3n做預(yù)充電；然后sw1關(guān)閉，sw2打開，通過(guò)電容cap1的耦合作用，使tfta2的柵極電位進(jìn)一步提升，dataline3n充電至預(yù)設(shè)電位，同步dataline3n+1做預(yù)充電；然后sw2關(guān)閉，sw3打開，通過(guò)電容cap2的耦合作用，使tftb2的柵極電位進(jìn)一步提升，dataline3n+1充電至預(yù)設(shè)電位，同步dataline3n+2做預(yù)充電，此時(shí)tfta3打開，tfta2關(guān)閉；以此循環(huán)。

參見demux電路的時(shí)序圖，可以將本發(fā)明的demux電路連接rgb三基色顯示面板以輸出rgb數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)總線databus每4個(gè)時(shí)間段為一個(gè)循環(huán)，連續(xù)輸出rgb數(shù)據(jù)信號(hào)后，空置一個(gè)時(shí)間段。此時(shí)相應(yīng)的顯示面板的掃描線(gateline)每4個(gè)時(shí)間段為一個(gè)循環(huán)，其中三個(gè)處于開啟狀態(tài)，一個(gè)處于關(guān)閉狀態(tài)。開關(guān)信號(hào)sw1～sw4，每4個(gè)時(shí)間段為一個(gè)循環(huán)，其中只有一個(gè)時(shí)間段處于開啟狀態(tài)，其余時(shí)間段處于關(guān)閉狀態(tài)。

圖5所示為本發(fā)明demux電路和已有demux電路充電波形的比較，橫軸為時(shí)間(單位秒)，縱軸為電壓(單位伏特)，由圖可以看出，使用本發(fā)明demux電路后，dataline充電率得到大幅提升。

綜上所述，本發(fā)明的demux電路可以提高tft柵極驅(qū)動(dòng)電壓，進(jìn)而提高igzo和amorphoussilicon制程tft的電子遷移率，提升數(shù)據(jù)線充電率。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。