一種測(cè)試元件組、陣列基板、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是一種測(cè)試元件組、陣列基板、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示器的陣列基板中設(shè)置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，通過TFT實(shí)現(xiàn)顯示控制。為保證顯示器的良品率以及便于工藝的管控和后續(xù)的FA分析，在陣列基板制作完成后，需要對(duì)TFT的質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)。
[0003]目前的檢測(cè)方案是在陣列基板的非顯示區(qū)域上設(shè)置測(cè)試元件組(TestElementGroup，TEG)。該TEG與顯示區(qū)域一樣同樣形成有TFT陣列，但每個(gè)TFT的各個(gè)電極上分別引出用于檢測(cè)的連接端點(diǎn)。操作人員通過檢測(cè)設(shè)備上的探針與待檢測(cè)TFT的連接端點(diǎn)接觸，從而對(duì)待檢測(cè)TFT發(fā)送或接收檢測(cè)信號(hào)。通過對(duì)TEG中的TFT進(jìn)行檢測(cè)，可推斷顯示區(qū)域中的TFT質(zhì)量。
[0004]然而，由于現(xiàn)有的TEG結(jié)構(gòu)中，每個(gè)TFT的電極都分別對(duì)應(yīng)一個(gè)連接端點(diǎn)，在檢測(cè)一整個(gè)TFT陣列時(shí)，技術(shù)人員需要不斷控制探針移動(dòng)，因此目前的檢測(cè)方法效率較低，且工作量大，操作人員很容易將探針扎偏或者重復(fù)測(cè)試。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是針對(duì)測(cè)試元件組，提供一種操作更方便、效率更高的檢測(cè)方案。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種測(cè)試元件組，包括:
[0007]薄膜晶體管陣列；
[0008]在所述薄膜晶體管陣列中，每行薄膜晶體管的第一電極分別連接至一第一連接端，每列薄膜晶體管的第二電極分別連接至一第二連接端，所有薄膜晶體管的第三電極連接至同一第三連接端；
[0009]其中，所述第一電極、第二電極和第三電極分別為薄膜晶體管的源極、漏極和柵極中的一者。
[0010]優(yōu)選地，在所述薄膜晶體管陣列中，每個(gè)薄膜晶體管的第一電極、第二電極以及第三電極通過金屬引線連接至對(duì)應(yīng)的第一連接端、第二連接端和第三連接端。
[0011]優(yōu)選地，所述第三電極為柵極，所述第一電極和第二電極分別為漏極和柵極中的一者O
[0012]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種包括上述測(cè)試元件組的陣列基板，所述測(cè)試元件組設(shè)置于所述陣列基板的顯示區(qū)域之外。
[0013]另一方面.本發(fā)明實(shí)施例還提供一種應(yīng)用于上述測(cè)試元件組的檢測(cè)裝置，包括:
[0014]確定模塊，用于在所述薄膜晶體管陣列中確定一待檢測(cè)薄膜晶體管，以及該待檢測(cè)薄膜晶體管在所述薄膜晶體管陣列中對(duì)應(yīng)行序和列序；
[0015]檢測(cè)模塊，用于通過所述行序?qū)?yīng)的第一連接端、所述列序所對(duì)應(yīng)的第二連接端以及所述第三連接端，對(duì)所述待測(cè)量薄膜晶體管進(jìn)行電參數(shù)檢測(cè)。
[0016]優(yōu)選地，所述檢測(cè)模塊包括:
[0017]第一檢測(cè)子模塊，具有用于與每個(gè)第一連接端一一對(duì)應(yīng)接觸的第一探針，其中，所述第一檢測(cè)子模塊能夠通過其與所述行序?qū)?yīng)的第一連接端接觸的第一探針，對(duì)所述待測(cè)量薄膜晶體管的第一電極進(jìn)行電參數(shù)檢測(cè)；
[0018]第二檢測(cè)子模塊，具有用于與每個(gè)第二連接端一一對(duì)應(yīng)接觸的第二探針，其中，所述第二檢測(cè)子模塊能夠通過其與所述列序?qū)?yīng)的第二連接端接觸的第二探針，對(duì)所述待測(cè)量薄膜晶體管的第二電極進(jìn)行電參數(shù)檢測(cè)。
[0019]優(yōu)選地，所述檢測(cè)裝置還包括:
[0020]第三檢測(cè)子模塊，具有用于與所述第三連接端接觸的第三探針，其中，所述第三檢測(cè)子模塊能夠通過其與所述第三連接端接觸的第三探針，對(duì)所述待測(cè)量薄膜晶體管的第三電極進(jìn)行電參數(shù)檢測(cè)。
[0021 ]優(yōu)選地，所述第一檢測(cè)子模塊還包括:
[0022]第一邏輯開關(guān)，能夠開啟用于與所述行序?qū)?yīng)的第一連接端接觸的第一探針，并關(guān)閉剩余的第一探針；
[0023]所述第二檢測(cè)子模塊還包括:
[0024]第二邏輯開關(guān)，能夠開啟用于與所述列序?qū)?yīng)的第一連接端接觸的第二探針，并關(guān)閉剩余的第二探針。
[0025]優(yōu)選地，所述第一邏輯開關(guān)包括:
[0026]第一譯碼器和與所述第一探針一一對(duì)應(yīng)串接的第一繼電器，其中，所述第一譯碼器的輸出端與每個(gè)第一繼電器的控制端連接；
[0027]所述第二邏輯開關(guān)包括:
[0028]第二譯碼器和與所述第二探針一一對(duì)應(yīng)串接的第二繼電器，其中，所述第二譯碼器的輸出端與每個(gè)第二繼電器的控制端連接。
[0029]此外，本發(fā)明另一實(shí)施例還提供一種應(yīng)用于上述測(cè)試元件組檢測(cè)方法，包括:
[0030]在所述薄膜晶體管陣列中確定一待檢測(cè)薄膜晶體管，以及該待檢測(cè)薄膜晶體管在所述薄膜晶體管陣列中對(duì)應(yīng)行序和列序；
[0031]通過所述行序所對(duì)應(yīng)的第一連接端、所述列序所對(duì)應(yīng)的第二連接端以及所述第三連接端，對(duì)該待測(cè)量薄膜晶體管進(jìn)行電參數(shù)檢測(cè)。
[0032]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0033]在本發(fā)明的方案中，測(cè)試元件組各個(gè)行向上的薄膜晶體管的一種電極共用一個(gè)連接端，各個(gè)列項(xiàng)的薄膜晶體管陣的另一種電極共用另一個(gè)連接端，剩下一種電極全都引一個(gè)連接端。在進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，檢測(cè)設(shè)備的探針只需要選擇待檢測(cè)薄膜晶體管對(duì)應(yīng)行向上和列向上的連接端，即可對(duì)其發(fā)送或接收檢測(cè)信號(hào)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中，更易操作，且測(cè)試元件組所需要制作的連接端也得到了大幅縮減。
【附圖說明】
[0034]圖1為本發(fā)明的測(cè)試元件組的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2為本發(fā)明的檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖3為本發(fā)明的檢測(cè)設(shè)備應(yīng)用于本發(fā)明的測(cè)試元件組時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖4為本發(fā)明的檢測(cè)設(shè)備所使用的邏輯開關(guān)的原理示意圖；
[0038]圖5為本發(fā)明的測(cè)試元件組的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0040]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明提供一種測(cè)試元件組以及對(duì)應(yīng)的檢測(cè)裝置，能夠以更便捷的方式選中需要檢測(cè)的薄膜晶體管，并進(jìn)行相關(guān)檢測(cè)。
[0041 ] 一方面，如圖1所示，本發(fā)明的測(cè)試元件組包括:
[0042]薄膜晶體管陣列(橢圓形虛線處為一個(gè)薄膜晶體管)；
[0043]在該薄膜晶體管陣列中，每行薄膜晶體管的第一電極分別連接至一第一連接端(即圖1中，陰影方格Y1-Y5)，每列薄膜晶體管的第二電極分別連接至一第二連接端(即圖1中，陰影方格X1-X5)，所有薄膜晶體管的第三電極連接至同一第三連接端(即圖1中，陰影方格Z);
[0044]需要給予說明的是，上述第一電極、第二電極和第三電極分別為薄膜晶體管的源極、漏極和柵極中的一者。即，參考圖1，本實(shí)施例可以是漏極都連接在一個(gè)連接端Z，也可以是源極或者柵極都連接在一個(gè)連接端Z。
[0045]在對(duì)本發(fā)明的測(cè)試元件組進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，只需要確定待檢測(cè)薄膜晶體管的行序和列序，之后通過該行序和列序?qū)?yīng)的第一連接端和第二連接端，以及唯一的第三連接端，即可對(duì)待檢測(cè)薄膜晶體的三種電極進(jìn)行電參數(shù)檢測(cè)。相比于現(xiàn)有技術(shù)中，測(cè)試元件組所需要制作的連接端也得到了大幅縮減，從而有效降低了檢測(cè)難度。
[0046]此外，作為優(yōu)選方案，在本實(shí)施例的測(cè)試元件組中，每個(gè)薄膜晶體管的第一電極、第二電極以及第三電極通過低阻抗的金屬引線連接至對(duì)應(yīng)的第一連接端、第二連接端和第三連接端，從而減小引線對(duì)檢測(cè)結(jié)果所帶來影響。
[0047]另一方面，如圖所2示，本發(fā)明的檢測(cè)裝置包括:
[0048]確定模塊，用于在薄膜晶體管陣列中確定一待檢測(cè)薄膜晶體管，以及該待檢測(cè)薄膜晶體管在薄膜晶體管陣列中對(duì)應(yīng)行序和列序；
[0049]檢測(cè)模塊，用于通過上述行序?qū)?yīng)的第一連接端、上述列序所對(duì)應(yīng)的第二連接端以及所述第三連接端，對(duì)待測(cè)量薄膜晶體管進(jìn)行電參數(shù)檢測(cè)。
[0050]本發(fā)明的檢測(cè)裝置可以對(duì)上述測(cè)試元件組進(jìn)行快速檢測(cè)。以圖1為例，若對(duì)第2行第3列的薄膜晶體管進(jìn)行檢測(cè)，只需要選中連接端Y2、X3和Z即可對(duì)向其三個(gè)電極加載檢測(cè)信號(hào)。若切換到第3行第4列的薄膜晶體管，則只需要重新選中連接端Υ3、Χ4，而連接端Z不需要變動(dòng)。
[0051]具體地，與現(xiàn)有技術(shù)一樣，本發(fā)明的檢測(cè)裝置通過探針向薄膜晶體管發(fā)送或接收測(cè)量信號(hào)。
[0052]即上述檢測(cè)模塊進(jìn)步一步包括:
[0053]第一檢測(cè)子模塊，具有用于與每個(gè)第一連接端一一對(duì)應(yīng)接觸的第一探針。其中，當(dāng)?shù)谝粰z測(cè)子模塊的第一探針與待測(cè)量薄膜晶體管行序?qū)?yīng)的第一連接端接觸后，第一檢測(cè)子模塊能夠?qū)Υ郎y(cè)量薄膜晶體管的第一電極進(jìn)行電參數(shù)檢測(cè)；
[0054]第二檢測(cè)子模塊，具有用于與每個(gè)第二連接端一一對(duì)應(yīng)接觸的第二探針。其中，當(dāng)?shù)诙z測(cè)子模塊的第二探針與待測(cè)量薄膜晶體管列序?qū)?yīng)的第二連接端接觸后，第二檢測(cè)子模塊能夠?qū)Υ郎y(cè)量薄膜晶體管的第二電極進(jìn)行電參數(shù)檢測(cè)；
[0055]第三檢測(cè)子模塊，具有用于與第三連接端接觸的第三探針。其中，第三檢測(cè)子模塊能夠通過其