一種像素補(bǔ)償電路及像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素補(bǔ)償電路及像素結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示(Organic Light Emitting Display，0LED)的像素結(jié)構(gòu)如圖1所示，OLED像素100包括陽極11、有機(jī)材料層12、陰極13。其中，有機(jī)材料層12包括空穴傳輸層121、有機(jī)發(fā)光層122和電子傳輸層123。有機(jī)發(fā)光層122所在的區(qū)域形成發(fā)光區(qū)，且發(fā)光區(qū)與陽極11直接接觸。可以理解的是，在發(fā)光區(qū)之外的有機(jī)材料層12與陽極11之間有絕緣層。像素100的顯示原理為當(dāng)在陽極11和陰極13之間施加驅(qū)動電壓時，在陽極11和陰極13之間形成定向電場，在電場的作用下，陽極11的空穴通過空穴傳輸層121到達(dá)有機(jī)發(fā)光層122，陰極13的電子通過電子傳輸層123到達(dá)有機(jī)發(fā)光層122，到達(dá)有機(jī)發(fā)光層122的空穴和電子形成激子，由此有機(jī)發(fā)光層122產(chǎn)生可見光。有機(jī)發(fā)光層122的發(fā)光亮度與流過有機(jī)發(fā)光層122的電流成正比。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，像素100的發(fā)光亮度不隨環(huán)境亮度的變化而變化。假設(shè)人眼適應(yīng)的環(huán)境亮度值為A，此時像素100的發(fā)光亮度為A時，人眼可以感受最佳的顯示效果。在實(shí)際使用中，有時候環(huán)境亮度值大于A，此時若像素100的發(fā)光亮度仍為A，則人眼會覺得像素100顯示的亮度較暗;有時候環(huán)境亮度值小于A，此時若像素100的發(fā)光亮度仍為A，則人眼會覺得像素100顯示的亮度太亮，用戶會覺得刺眼。也就是說在使用環(huán)境變化時，像素100的顯示亮度值不會隨環(huán)境亮度值改變而改變，人眼感受的顯示效果受環(huán)境亮度的干擾大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，期望提供驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光電流隨著環(huán)境亮度變化而變化的解決方案，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請?zhí)岢鲆环N像素補(bǔ)償電路及像素結(jié)構(gòu)。
[0005]本申請一方面提供了一種像素補(bǔ)償電路，包括有機(jī)發(fā)光二極管、驅(qū)動單元以及感光單元，所述驅(qū)動單元用于生成驅(qū)動所述有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流;所述感光單元用于基于所述感光單元感測到的環(huán)境光亮度調(diào)節(jié)所述驅(qū)動電流以使任意第一亮度下的驅(qū)動電流大于任意第二亮度下的驅(qū)動電流，其中，所述第一亮度大于所述第二亮度。
[0006]本申請另一方面提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括第一電極，第二電極，位于所述第一電極和所述第二電極之間的感光層，其中，所述感光層在第一亮度下的電阻值小于在第二亮度下的電阻值，所述第一亮度大于所述第二亮度。
[0007]本申請?zhí)峁┑南袼匮a(bǔ)償電路及像素結(jié)構(gòu)，通過在像素電路中設(shè)置感光單元，感光單元的電阻值隨環(huán)境亮度變化而變化:在環(huán)境亮度較低時感光單元的電阻值大于環(huán)境亮度較高時感光單元的電阻值，因此，當(dāng)環(huán)境亮度較低時驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光電流降低，環(huán)境亮度較高時驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光電流提高，使得有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度隨環(huán)境亮度的改變而改變，改善了不同環(huán)境亮度下的顯示效果。
【附圖說明】
[0008]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會變得更明顯:
[0009]圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是本申請?zhí)峁┑囊环N像素補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖3A是本申請?zhí)峁┑牧硪环N像素補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖3B是圖3A提供的像素補(bǔ)償電路的驅(qū)動時序示意圖；
[0013]圖3C是在本申請的圖3A所示的像素補(bǔ)充電路中感光單元的電阻值以及流過有機(jī)發(fā)光二極管的電流隨著環(huán)境亮度的變化而變化的示意圖；
[0014]圖4是本申請?zhí)峁┑囊环N像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖5是本申請?zhí)峁┑挠忠环N像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖6是本申請?zhí)峁┑挠忠环N像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖7是本申請?zhí)峁┑挠忠环N像素結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本申請作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關(guān)發(fā)明相關(guān)的部分。
[0019]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請。
[0020]圖2是本申請?zhí)峁┑囊环N像素補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，像素補(bǔ)償電路200包括PVDD電壓源、PVEE電壓源、驅(qū)動單元、有機(jī)發(fā)光二極管0LED，以及在PVDD、有機(jī)發(fā)光二極管OLED、PVEE構(gòu)成的回路上的感光單元R。
[0021]感光單元R的電阻值隨著環(huán)境亮度的變化而變化。具體而言，感光單元R的電阻值隨著環(huán)境亮度的增加而減小，隨著環(huán)境亮度的降低而增加。
[0022]在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，感光單元R例如可以為光敏電阻。光敏電阻的電阻值隨著環(huán)境亮度的增加而減小，隨著環(huán)境亮度的降低而增加。
[0023]在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，感光單元R可以包括在可見光線照射下電阻值隨著照射光線的亮度的增大而減小的材料。在這些材料中，由于光線照射而產(chǎn)生的載流子全部參與導(dǎo)電，在外加電場的作用下作漂移運(yùn)動，電子流向電源的正極，空穴流向電源的負(fù)極。照射光線的亮度越大，這些材料中參與導(dǎo)電的載流子越多，材料的電阻越小。具體地，感光單元R例如可以包括以下至少一種材料:硫化鎘、砸、硫化鋁、硫化鉛、硫化鉍和有機(jī)半導(dǎo)體材料。
[0024]在有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光階段，由于感光單元R的電阻值隨著環(huán)境的亮度增加而減小，因此PVDD、有機(jī)發(fā)光二極管OLED、PVEE回路上的總電阻減小，使得在PVDD、PVEE作用下流過驅(qū)動單元、感光單元R以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流隨著環(huán)境的亮度的增加而增加。感光單元R的電阻值隨著環(huán)境的亮度減小而增加，因此PVDD、有機(jī)發(fā)光二極管0LED、PVEE回路上的總電阻增加，使得在PVDD、PVEE作用下流過驅(qū)動單元、感光單元R以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流隨著環(huán)境的亮度的降低而增加減小。因此，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的發(fā)光亮度隨著環(huán)境亮度的增加而提高，隨著環(huán)境亮度的減小而降低。需要指出的是，本申請?zhí)峁┑南袼匮a(bǔ)償電路并不局限于圖2所示的像素補(bǔ)償電路，只要是在PVDD、有機(jī)發(fā)光二極管0LED、PVEE之間的回路上設(shè)置感光單元R都是本申請所要保護(hù)的范圍。
[0025]請繼續(xù)參考圖3A和圖3B，圖3A是本申請?zhí)峁┑牧硪环N像素補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)示意圖，圖3B示出了該像素補(bǔ)償電路的驅(qū)動時序圖。
[0026]如圖3六中所示，在該像素電路300中包括晶體管祖、]?2、]\0、]\14、]\15和]\16，電容(:，感光單元R，有機(jī)發(fā)光二極管OLED。
[0027]在圖3B中所示的階段SI中，低電位的Scanl信號使得M5導(dǎo)通，同時在階段SI中Scan2信號及Emit信號位于高電位使得M2、M4及M1、M6截止。由于M5導(dǎo)通，NI點(diǎn)的電位降低為Vref0
[0028]在階段S2，Scanl信號位于高電位、Emit仍保持高電位，M5、M1和M6保持截止。Scan2由高電位變?yōu)榈碗娢?，使得M2和M4導(dǎo)通，此時，Vdata經(jīng)過M2、M3及M4對電容C充電，使得NI點(diǎn)的電位升高，直至Vn1-Vn2 = Vth(VNi^Nl點(diǎn)的電位，Vn2為N2點(diǎn)的電位，Vth為M3的閾值電壓)，NI點(diǎn)的電位Vn1不再變化。
[0029]在階段S3，Em