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      一種補(bǔ)償電路及含有其的e類功率放大器的制造方法

      文檔序號(hào):10058089閱讀:838來(lái)源:國(guó)知局
      一種補(bǔ)償電路及含有其的e類功率放大器的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本實(shí)用新型屬于功率放大器領(lǐng)域,特別涉及一種補(bǔ)償電路及含有其的E類功率放 大器。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 目前,移動(dòng)通信服務(wù)的快速發(fā)展對(duì)低能耗、高效率的器件設(shè)計(jì)提出了更高的要求。 而射頻功率放大器恰恰是無(wú)線發(fā)射終端中耗能最大的模塊。因此功率放大器的效率直接決 定了整個(gè)發(fā)射終端的能耗量級(jí)。所以,提高功率放大器的工作效率成為功率放大器研究領(lǐng) 域的熱點(diǎn)。
      [0003] E類功率放大器因其理想工作效率能夠達(dá)到100%而結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容易實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn), 近年來(lái),在射頻微波領(lǐng)域受到了廣泛的研究和應(yīng)用。然而,在實(shí)際情況中,E類功率放大器 的高效率特性很大程度上依賴于晶體管的特性。其中,晶體管內(nèi)部的輸出電容是限制E類 功率放大器工作頻率最重要的一個(gè)因素。如何解決晶體管內(nèi)部輸出電容多余而帶來(lái)的工作 頻率的限制,是近年來(lái)E類功率放大器領(lǐng)域內(nèi)研究的一個(gè)熱點(diǎn)。
      [0004] 由于給定的晶體管內(nèi)部的參數(shù)都是固定的,所以解決此問(wèn)題的最流行的方法是利 用外部電路來(lái)補(bǔ)償多余的電容,來(lái)拓展E類功率放大器的工作頻率。現(xiàn)有技術(shù)采用下述補(bǔ) 償電路:鏈接晶體管漏極、短路分支線和開(kāi)路分支線的第一微帶傳輸線;鏈接短路分支線、 開(kāi)路分支線和漏極偏置電源的第二微帶傳輸線;鏈接于第一微帶傳輸線和第二微帶傳輸 線連接處的短路分支線;以及鏈接于第一微帶傳輸線和第二微帶傳輸線連接處的開(kāi)路分支 線。
      [0005] 現(xiàn)有技術(shù)具有以下缺陷:在頻率相對(duì)較低時(shí),微帶尺寸相對(duì)過(guò)大。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0006] 本實(shí)用新型提供了一種補(bǔ)償電路及含有其的E類功率放大器,旨在解決現(xiàn)有的補(bǔ) 償電路在頻率相對(duì)較低時(shí)微帶尺寸相對(duì)過(guò)大的技術(shù)問(wèn)題。
      [0007] 本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種補(bǔ)償電路,包括:
      [0008] 連接晶體管漏接和漏極偏置電源的第一電感;
      [0009] 與所述第一電感并聯(lián)連接,并連接于所述晶體管漏極和第二電容之間的第二電 感;
      [0010] 連接于所述第二電感和所述漏極偏置電源之間的所述第二電容。
      [0011] 另一方面,本實(shí)用新型還提供了一種的E類功率放大器,所述E類功率放大器包括 上述的補(bǔ)償電路。
      [0012] 本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
      [0013] 從上述本實(shí)用新型可知,由于包括連接晶體管漏接和漏極偏置電源的第一電感; 與第一電感并聯(lián)連接,并連接于晶體管漏極和第二電容之間的第二電感;連接于第二電感 和漏極偏置電源之間的第二電容,使用分立元件實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償電路,因此,在頻率較低時(shí)減小了 補(bǔ)償電路中的微帶尺寸。
      【附圖說(shuō)明】
      [0014] 為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需 要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí) 施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖 獲得其他的附圖。
      [0015] 圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的補(bǔ)償電路的示例電路圖;
      [0016] 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的補(bǔ)償電路的等效電路圖;
      [0017] 圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的補(bǔ)償電路的完整的電路原理圖;
      [0018] 圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的補(bǔ)償電路的仿真波形。
      【具體實(shí)施方式】
      [0019] 為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新 型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
      [0020] 本實(shí)用新型實(shí)施例提供補(bǔ)償電路Lnex的一種結(jié)構(gòu),如圖1所示,包括連接晶體管 漏接和漏極偏置電源Vdd的第一電感L1 ;與第一電感L1并聯(lián)連接,并連接于晶體管漏極和 第二電容C2之間的第二電感L2 ;連接于第二電感L2和漏極偏置電源Vdd之間的第二電容 C2〇
      [0021] 具體實(shí)施中,所述第一電感、所述第二電感和所述第二電容組成的補(bǔ)償電路可以 等效于基波和二次諧波并聯(lián)電感。
      [0022] -種的E類功率放大器,E類功率放大器包括上述的補(bǔ)償電路。
      [0023] 如圖1所示,E類功率放大器還包括晶體管Q、輸出電容Cout、漏極偏置電源Vdd、 柵極偏置電源Vgg、輸入電壓Vin、負(fù)載電阻R0、串聯(lián)濾波電容C0以及串聯(lián)濾波電感L0,晶 體管Q包括輸出電容Cout,輸出電容Cout連接于晶體管Q的漏極和晶體管Q的源極之間。
      [0024] 晶體管Q的漏極與串聯(lián)濾波電感L0的第一端連接,晶體管Q的柵極與輸入電壓 Vin的正極連接,晶體管Q的源極與負(fù)載電阻R0的第一端和漏極偏置電源Vdd的負(fù)極連接, 輸入電壓Vin的負(fù)極與柵極偏置電源Vgg的正極連接,串聯(lián)濾波電感L0的第二端與串聯(lián)濾 波電容C0的第一端連接,負(fù)載電阻R0的第二端與串聯(lián)濾波電容C0的第二端連接。
      [0025] 其中,輸出電容Cout由選擇的晶體管決定;漏極偏置電源Vdd和柵極偏置電源 Vgg由選擇晶體管的所需輸出功率決定,負(fù)載電阻R0、串聯(lián)濾波電容C0和串聯(lián)濾波電感L0 由工作頻率和E類功放工作模式?jīng)Q定。
      [0026] 本實(shí)用新型實(shí)施例提供補(bǔ)償電路的器件參數(shù)獲取方法,包括以下步驟:
      [0027] 101 :確定E類功率放大器的設(shè)計(jì)參數(shù),設(shè)計(jì)參數(shù)包括E類功率放大器的理論所需 電感值和電容系數(shù),電容系數(shù)為多余的電容和理論所需電容的比值。
      [0028] 102 :使用下述公式分別計(jì)算第一電感、第二電感和第二電容的參數(shù):

      [0033] 其中Q為第一電感L1的電感值,L2為第二電感L2的電感值,C2為第二電容C2的 電容值,a為第一參數(shù),b為第二參數(shù),L為E類功率放大器的理論所需電感值,..3:為電容系 數(shù),ω。為基波的角頻率。
      [0034] 優(yōu)選的,在步驟102之前還包括步驟101-2。
      [0035] 101-2 :預(yù)設(shè)第二參數(shù)。
      [0036] 具體實(shí)施中,第二參數(shù)的取值可以為大于0. 25且小于1。例如,可先在b的取值范 圍內(nèi)確定具體的數(shù)值0.5,再求解第一電感L1、第二電感L2、第二電容C2的參數(shù)。
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