專利名稱：用于對工件構(gòu)圖的方法和裝置以及制造該裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及光刻(lithography)。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)的光刻系統(tǒng)中，空間光調(diào)制器(SLM)可以用于圖案形成。傳統(tǒng)的SLM可包括傾斜平面微鏡。為了在工件上形成圖案，微鏡可被傾斜。傳統(tǒng)光刻系統(tǒng)的寫入質(zhì)量可取決于微鏡的平面度。例如，微鏡的平面度降低，寫入質(zhì)量可隨著降低。一個或多個微鏡的平面度的提高可提供更高質(zhì)量的圖案形成。例如，一個或多個微鏡具有更高的平面度，寫入質(zhì)量可以提高。然而，較高的平面度(例如，極高或理想的平面度)難以實現(xiàn)和/或成本不合適。
傳統(tǒng)的傾斜微鏡也可有降低的負振幅(negative amplitude)的量。負振幅是有用的，因為能提高分辨率。例如，全部或基本全部的負振幅可以用于例如在步進器技術(shù)的掩模上的無鉻相位光刻。全部或基本全部的負振幅能夠有更強的相移效果，其可以導致分辨率提高。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的實施例中，在電磁輻射中從傾斜微鏡引入的相位差可以將可尋址振幅范圍擴大到例如除了全部或基本全部正振幅之外也包括全部和基本全部負振幅。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)全部或基本全部的相移分辨率提高技術(shù)。
在本發(fā)明的實施例中，在傾斜軸周圍的平均形式作為傾斜微鏡的非平面性的缺陷。這種平均形式會造成光刻系統(tǒng)內(nèi)對比度的降低。本發(fā)明的實施例引入相位差，可以增加為平均形式(even form)的非平面微鏡的對比度。
本發(fā)明的實施例提供一種空間光調(diào)制器，其包括襯底、至少包括至少兩部分的一反射面。至少兩部分在由至少兩部分反射的輻射之間引起相位差。相位差由相位板和至少兩部分之間的相位階躍高差(step height difference)中的至少之一引起。
本發(fā)明的另一實施例提供一種制造對工件構(gòu)圖的裝置的方法。在襯底上形成傳導層，傳導層包括具有非傳導區(qū)設(shè)置在其之間的多個傳導區(qū)。在多個傳導區(qū)和非傳導區(qū)上形成臨時層，其可包括至少一個非傳導阻止器(stopper)。在臨時層上形成反射層。在反射層的至少兩部分上形成材料層。
本發(fā)明的另一實例提供一種制造用于空間光調(diào)制器的反射層的方法。在反射面上形成臨時層。一部分臨時層對輻射曝露，臨時層的其余部分不被曝露。去除未曝露或已曝露(根據(jù)抗蝕劑的類型，即，負的或正的)的臨時層，反射面和臨時層的其余部分被覆蓋轉(zhuǎn)移材料(shifting material)。從一部分反射面去除臨時層和所述轉(zhuǎn)移材料的相關(guān)部分。
本發(fā)明的另一實例提供一種對工件構(gòu)圖的方法。該方法包括產(chǎn)生輻射，在所產(chǎn)生的輻射的至少第一部分和第二部分之間引起相位差，將所述輻射的至少第一部分和第二部分照射在工件上，利用所述輻射的第一和第二部分在工件上形成圖案。
本發(fā)明的另一實例提供一種用于對工件構(gòu)圖的裝置。該裝置包括源和至少一反射器件。所述源可產(chǎn)生輻射，所述至少一反射器件可以在工件上形成圖案并且引起輻射的相位差。相位差由相移板和階躍高差中的至少之一引起。
在本發(fā)明的實施例中，在工件上的所述至少兩部分的輻射之間的相位差例如是輻射的波長的一半或λ/2±n*λ，其中λ是電磁輻射的波長，n是自然數(shù)(例如，0，1，2，...)。
在本發(fā)明的實施例中，相位階躍高差是輻射的波長的四分之一或λ/4±(n*λ/2)，其中λ是電磁輻射的波長，n是自然數(shù)(例如，0，1，2，...)。
在本發(fā)明的實施例中，至少一反射面是反射鏡。
在本發(fā)明的實施例中，至少一反射鏡是平面或非平面反射鏡。
在本發(fā)明的實施例中，多個反射面是可傾斜的。
在本發(fā)明的實施例中，輻射是電磁輻射和/或紫外輻射和極紫外輻射的至少之一。
在本發(fā)明的實施例中，至少一相位板是透射的或反射的。
在本發(fā)明的實施例中，多個反射面中的至少之一的至少兩部分是相鄰的。
在本發(fā)明的實施例中，臨時層包括光致抗蝕劑材料。
在本發(fā)明的實施例中，未曝露或已曝露(其根據(jù)抗蝕劑的類型，即，負的或正的)敏感層的去除還包括應(yīng)用液體溶劑和溶解未曝露或已曝露(根據(jù)抗蝕劑的類型，即，負的或正的)的臨時層。
在本發(fā)明的實施例中，臨時層還包括電磁敏感材料。
在本發(fā)明的實施例中，輻射是光波形式。
在本發(fā)明的實施例中，至少一反射器件還包括反射所述輻射的第一部分和第二部分，由第一部分所反射的輻射與由第二部分所反射的輻射相位不同。
在本發(fā)明的實施例中，第一部分和第二部分具有不同的相位階躍高差。
在本發(fā)明的實施例中，第一部分的階躍高度與第二部分的階躍高度的值不同，其例如等于或基本等于輻射的波長的四分之一。


參照附圖，本發(fā)明的實施例將更清楚，其中圖1表示根據(jù)本發(fā)明用于對工件構(gòu)圖的裝置的實施例；圖2A-2D表示根據(jù)本發(fā)明的改型反射器件的實施例；圖3表示根據(jù)本發(fā)明的反射器件的另一實施例；圖4表示根據(jù)本發(fā)明的反射器件的另一實施例，其中包括階躍高差；圖5A-5E表示沿圖3的剖面線A的剖面圖所示的制造方法的實施例；圖6A-6G表示沿圖3的剖面線B的剖面圖所示的制造方法的實施例；和圖7A-7E表示制造方法的實施例的頂視圖。
具體實施例方式
參照表示本發(fā)明實施例的附圖更完整地描述本發(fā)明的實施例。但是，應(yīng)該理解，不脫離本發(fā)明的精神和范圍，可以就形式和內(nèi)容修改在此描述的本發(fā)明的實施例。因此，在此描述的實施例作為實例被提供，而不作為限制，本發(fā)明的范圍不限于在此描述的具體實施例。
具體地說，為了清楚起見，層或區(qū)域的相對厚度和定位可以縮小或放大。另外，當直接在參考層或襯底的任一個形成時，或在覆蓋參考層的另一層或圖案上形成時，層被認為是“在”另一層或襯底上形成。
參照圖1，用于在工件上形成圖案的系統(tǒng)包括根據(jù)本發(fā)明實施例的圖案發(fā)生器。圖案發(fā)生器包括SLM 1，其包括單獨和/或多值像素尋址，源2，成像系統(tǒng)3(例如，成像光學系統(tǒng))、和硬件和/或軟件數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)4。系統(tǒng)還包括例如帶有控制系統(tǒng)6的臺架5。
SLM 1包括反射器件(即，微型機械鏡或微鏡)。例如，反射SLM依靠微型機械鏡。微型機械鏡利用壓電和/或電致伸縮驅(qū)動。
SLM 1被源2照射。源2可以是KrF受激準分子激光器，其提供在248納米波長的UV區(qū)域的10-20納秒的長輻射閃光，具有對應(yīng)于受激準分子激光器自然線寬的帶寬。為了減小在襯底上的圖案變形，來自源2的輻射分布(例如，均勻地分布)在SLM 1表面的表面上，并且光具有在襯底5上不產(chǎn)生激光光斑的相干長度。
圖1的系統(tǒng)具有臺架5(例如，精確定位的襯底臺架)，并且包括控制系統(tǒng)6(例如，干涉儀位置控制系統(tǒng))。在第一方向(例如，y方向(未示出))，機械系統(tǒng)(例如，伺服系統(tǒng))可以保持臺架在一位置，在垂直于第一方向的第二方向(例如，x方向)，臺架例如可以用持續(xù)的速度移動(例如，機械移動)。用于沿x方向觸發(fā)所述曝光激光閃光的控制系統(tǒng)6可以提供均勻或基本均勻的在襯底5上的SLM 1的圖像之間的位置。當襯底5上的一行SLM圖像被曝光時，襯底沿x方向返回到原始位置和沿y方向移動一個SLM圖像的增量，曝光襯底5上的另一行SLM圖像。重復這個程序，一直到襯底5上的全部或基本上全部圖像被曝光。例如，該表面被寫入多次并且可以求出平均誤差值。
SLM 1包括多個反射器件(例如，微鏡)。操縱(例如，電操縱)反射器件，以根據(jù)施加(例如，單獨施加)到反射器件的電壓，反射和/或衍射沿多個方向進入的輻射。
本發(fā)明的實施例提供改變反射器件(例如，微鏡)的形狀、例如實現(xiàn)相移尋址的方法。改型的反射器件用于圖1所述的SLM 1的實施例。例如，本發(fā)明的實施例提供在SLM 1的實施例的反射器件內(nèi)的階躍高差的制造方法。
圖2A-2D表示改型反射器件400、406、408、410的實施例，其被包括在SLM 1的實施例中，其還被包括在根據(jù)本發(fā)明的用于對工件構(gòu)圖的裝置的實施例中。關(guān)于圖2A，反射器件400是平面微鏡器件，其包括至少兩部分400A和400B。部分400A和/或400B的每一個具有底層電極404。部分400A和部分400B每一個是反射器件400的一半，電極404是尋址電極和/或反電極。
電極404以多種方式操縱(例如，傾斜和/或變形)反射器件400，如這里所述。反射器件可反射源2照射在反射器件400上的輻射(例如，電磁輻射，光波等)。例如，源2是受激準分子激光器，如圖1所示。例如，相移板402位于反射器件400和襯底5之間，襯底5例如可以是用于構(gòu)圖的工件。相移板402導致由部分400A反射的輻射的相移和由部分400B反射的輻射的相移。所反射的輻射之間的相位差等于或基本等于相對于另一個的輻射的波長的一半λ/2。相移板402例如由石英玻璃組成。
圖2B表示本發(fā)明的另一實施例，其與圖2A所描述的反射器件相似，但是，圖2B包括反射器件406。反射器件406是非平面鏡或類似的反射面。反射器件406例如是彎曲的，如圖2B所示。例如，相移板402位于反射器件406和襯底(未示出)之間，并且導致在反射器件406的部分反射的輻射之間的相位差。例如，相位差與圖2A所述的相位差相似或基本相似。盡管相移板可以由任何合適的材料組成，例如，相移板402由石英玻璃組成。
圖2C表示本發(fā)明的另一實施例，其與圖2B所描述的反射器件相似，但是，圖2C包括反射器件408，其是傾斜的非平面鏡或類似的反射器件。例如，反射器件408可以彎曲并傾斜，如上所述，另外，以任何合適的方式實現(xiàn)期望的相位差。例如，相移板402位于反射器件408和襯底(未示出)之間，并且導致在反射器件408的兩部分反射的輻射之間的相位差。相位差與上述圖2B的相位差相似或基本相似。
對于反射鏡的部分相干反射光例如可以用復雜振幅反射系數(shù)來表示，對于傾斜微鏡，復雜振幅反射系數(shù)通過在給定傾斜的偏轉(zhuǎn)表面積分獲得R=c∫Sr(x,y)·e-14πh(x,y)λdxdy]]>其中S是反射鏡的表面，λ是波長，h是局部高度，r是局部反射。反射鏡的亮度分布可以用給定偏轉(zhuǎn)的復雜振幅反射系數(shù)的平方得出。在復雜振幅間隔中的復雜振幅軌跡通過結(jié)合用于反射鏡偏轉(zhuǎn)角的、全部或基本上全部復雜振幅反射系數(shù)來獲得。例如，對于具有平衡狀態(tài)(即，在反射鏡的中心)的傾斜軸的平面傾斜反射鏡，當以類似或基本類似于正相位方向的任何相位調(diào)制與相等或基本相等的負相位方向的相位調(diào)制抵消的方式被偏轉(zhuǎn)時，反射鏡可以具有對稱性，其可以使平均相位平衡。平均相位可以保持全部或基本上全部的傾斜角度，該傾斜角度在復雜振幅間隔的實際值軸線導致復雜振幅軌跡。對于任何非平面的反射鏡，對稱性被破壞，并且復雜振幅軌跡偏離(例如，部分偏離)復雜振幅間隔的實際軸。對于非平面反射鏡來說，到達的復雜振幅間隔的點R＝0+0i(即，原點)不可能沒有相位階躍。復雜振幅軌跡的虛成分(imaginary contribution)與導致光刻系統(tǒng)的性能降低的最終圖像中保留的相位信息相同或基本相同?？色@得的對比度也受影響，因為復雜振幅反射系數(shù)達不到0+0i(即，原點)，對于任何反射鏡偏轉(zhuǎn)角度的亮度達不到零(＝黑)，例如，當沒有相位階躍的鏡是子非平面(例如，當反射鏡是彎曲的)時。
如圖2B和2C所示，例如，引入相位階躍可以改變具有相對于傾斜軸可以用數(shù)學平均形式描述的形狀的非傾斜非平面的狀態(tài)，相位對稱可以重建，反射鏡兩側(cè)的虛成分相互抵消。即，復雜振幅反射系數(shù)達到0+0i(即，原點)，同時保持較高的圖像對比度。相位階躍進一步減小在整個復雜振幅軌跡例如從最小到最大亮度的最終圖像的相位量，其導致提高的光刻性能。
圖2D表示本發(fā)明的另一實施例，其與圖2A所描述的反射器件相似。圖2D表示傾斜的反射器件410，其可以是平面鏡或類似的反射面。反射器件410被傾斜，如上所述，而且，以適于實現(xiàn)理想的相位差的在任何角度方向和大小傾斜。相移板402例如位于反射器件410和襯底(未示出)之間，并且導致在被反射器件410的兩部分反射的輻射之間的相位差。該相位差與圖2A所述的相位差相似或基本相似。相移板402例如由石英玻璃組成。
圖3表示根據(jù)本發(fā)明的可移動微型元件800的實施例，其可以利用上述的方法實施例制造，并且包含在圖1的SLM 1中。例如，可移動微型元件800是微型機械元件。例如，可移動微型元件800是SLM 1中的反射元件111。反射元件111例如用于模擬模式，以改變反射元件111的偏轉(zhuǎn)程度作為電輸入函數(shù)，或用于數(shù)字模式，其表示反射元件111的ON和/或OFF狀態(tài)。ON或OFF狀態(tài)通過增加(例如，最大)偏轉(zhuǎn)和/或不偏轉(zhuǎn)或基本上不偏轉(zhuǎn)來限定。在本發(fā)明的實施例中，與上述區(qū)域100相似和基本相似的區(qū)域111是矩形反射元件，其沿由至少一個(例如，一對)鉸鏈60(例如，扭轉(zhuǎn)鉸鏈)的至少一個中部被支撐。
反射元件111例如是多邊形、圓形、或橢圓形、或它們的任意組合。鉸鏈60限定其中的軸線(例如，扭轉(zhuǎn)軸)。鉸鏈60從反射元件111延伸并且被支撐50支撐。支撐50擱在在襯底20和反射元件111上。鉸鏈60、支撐50和/或襯底20由相同或基本相同的材料組成。該材料例如是硅、鋁、其它金屬或任何合金或它們的其它組合，例如可以利用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員期望的蝕刻技術(shù)由襯底蝕刻。襯底20還包括電極(例如，導電尋址電極)40和/或電極(例如，任意的導電反電極)30。電極40和電極30與襯底20(未示出)中包括的底層電路(例如，CMOS和/或?qū)ぶ冯娐?連接。電極30和/或電極40與存儲尋址電極30和/或40的電壓(例如，尋址電壓)的電容器連接。
電極30和/或40在襯底20上間隔開(例如，橫向)，并且靜電吸引反射元件111。鉸鏈60相對于反射元件旋轉(zhuǎn)和/或扭轉(zhuǎn)并且提供例如機械能形式的恢復力。當相同或基本相同的電壓(例如用于接地)通過電極和/或40施加到反射元件111上時，反射元件111是在平的(例如，底層)位置，其被稱為電排斥狀態(tài)。電壓從電極40移到電極30，反射元件111沿多個角度方向旋轉(zhuǎn)。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明的改型反射器件904的實施例。例如，相移尋址通過在SLM 1上操縱反射器件的形狀來實現(xiàn)。例如，反射元件904通過形成材料層906來改型，其對應(yīng)于由一部分反射器件或器件904反射的輻射的理想相移180度或λ/2。例如，材料層利用沉積方法或任何其它合適的方法形成。在本發(fā)明的另一實施例中，材料層用另一種方法(例如，光刻、處理、或任何其它合適的處理)被去除一部分反射器件904，以獲得期望的相移(未示出)。形成反射器件904，使得反射器件904的表面部分900例如高于另一部分902λ/4。
例如，相移尋址能夠增加圖案分辨率，而不改變光刻系統(tǒng)或任何其它合適的系統(tǒng)的其它參數(shù)。當利用尋址系統(tǒng)例如在-λ/4至+λ/4之間移動(例如，傾斜)部分(例如，邊緣)反射器件904或410時，得到增加(例如，全部)的相移。尋址系統(tǒng)沿多個(例如，相反)方向傾斜反射器件，從反射鏡的不同部分輻射的光或電磁輻射在相位上差λ/2±n*λ，其中n是自然數(shù)(例如，0，1，2，...)。反射鏡不同部分的高度差是λ/4±(n*λ/2)，其中n是自然數(shù)(例如，0，1，2，...)，雖然n也可以是任何合適的數(shù)。沒有相位階躍的傾斜反射鏡允許負振幅高達大約-0.2，其對應(yīng)于大約-0.05的負亮度。這樣足以實現(xiàn)類似或基本類似于步進器中的衰減相移的特征分辨率提高，但不能實現(xiàn)類似或基本類似于改變的相移掩模的相移。
關(guān)于相位階躍反射鏡，相位階躍可消除例如來自于兩個反射鏡表面的振幅，并對于非偏轉(zhuǎn)可導致降低(例如，很少或沒有)的亮度(黑)。傾斜相位階躍反射鏡的一種方法沿正的實振幅方向提供振幅軌跡，例如，高達大約+0.7的振幅，對應(yīng)于大約+0.5的亮度。沿另一方向傾斜相位階躍反射鏡例如提供大約-0.7的負振幅，對應(yīng)于大約-0.5的亮度。因此，例如，相位階躍反射鏡需要沒有相位階躍反射鏡的兩倍大的輻射，但是允許更大的相移保持灰度。
圖5A-5E表示制造微電機械系統(tǒng)(MEMS)的方法實例。圖5A-5E是沿圖3中的剖面線A獲得的剖面圖的實例。
關(guān)于圖5A，襯底230由半導體材料(例如，硅)組成。襯底230包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)電路和區(qū)域210、212、214，其可以是金屬(例如，鋁、鋁的其它合金、或任何合適的金屬原素)，和區(qū)域220，其例如是二氧化硅。位于區(qū)域210、212、214之間的區(qū)域220可以分開(例如，隔離)區(qū)域210、212、214。例如，區(qū)域210形成與SLM1中的反射元件的連接(例如，電連接)。區(qū)域212和/或214形成與電極(例如，尋址電極)的連接(例如，電連接)，或它們自己可以構(gòu)成電極。
關(guān)于圖5B，在區(qū)域210、212、214和/或區(qū)域220上可以形成層240(例如，臨時層)。層240由感輻射材料(例如，電磁輻射敏感材料)組成。阻止器250設(shè)置在層240之內(nèi)并且對反射元件起絕緣(例如，電絕緣)作用。阻止器250將反射元件與區(qū)域210、212、214和/或電極分開，可減小短路的可能性。阻止器由非傳導或絕緣材料組成，例如，二氧化硅。阻止器也可以由任何合適的絕緣材料組成。
設(shè)置在層240之間的區(qū)域245形成反射元件的支撐。例如，區(qū)域245可以是圓形、橢圓形、矩形或任何其它合適形狀。在層240之間的區(qū)域245例如可以通過光刻方法或任何其它合適的方法提供。
關(guān)于圖5C，在層240、在區(qū)域245、和/或區(qū)域210上形成層(例如，反射層)260。
可以施加層280，在SLM 1中的至少一個反射元件內(nèi)形成階躍高差。
關(guān)于圖5D，例如，在層260和/或?qū)?80上形成光致抗蝕劑的層270。間隔285將反射元件相互分開。間隔285例如利用包括曝光、顯影和/或蝕刻的任何光刻方法或其它合適的方法形成。
圖5E表示SLM 1的實施例的實例。例如，利用液體溶解方法、干蝕刻方法、和任何其它合適的方法可以去除層270和/或240。
圖6A-6G是沿圖3的剖面線B獲得的剖面圖的實例。剖面圖涉及驅(qū)動器。
關(guān)于圖6A，例如，圖示在形成階躍高差之前，層260的反射區(qū)100的剖面圖。
關(guān)于圖6B，在層260上可以形成層(例如，材料層)710。例如，在層710和層260之間可以提供蝕刻阻擋層。蝕刻阻擋層可以是二氧化硅或任何其它的蝕刻阻擋材料。例如，通過濺射或本領(lǐng)域普通技術(shù)人員期望的任何其它傳統(tǒng)的方法在層260上形成層710。
關(guān)于圖6C，在層710上可以形成對輻射(例如，電磁輻射)敏感的層(例如，臨時層)720。例如，層720可以是抗蝕劑或光致抗蝕劑。關(guān)于圖6D，層720的一部分(例如，一半)722被曝露，層720的一部分(例如，一半)724沒有被曝露，如上所述。
關(guān)于圖6E，層720的部分724(其是沒有被曝露的部分)保留在層710上，層720的部分722被去除，一部分反射區(qū)100具有未涂敷的材料層。
關(guān)于圖6F，例如層710的未涂敷部分被蝕刻去除，層720從區(qū)域100去除。蝕刻方法可以是干基的、濕基的、或本領(lǐng)域普通技術(shù)人員想要任何其它蝕刻方法。
關(guān)于圖6G，區(qū)域100包括一部分在其上形成層710的層260。在部分724上的未曝露層被液體溶劑溶解。
關(guān)于圖7A，襯底230包括多個區(qū)域100(例如，反射區(qū)或像素)，其可以形成SLM 1的實施例。例如，襯底5包括在1百萬與1千百萬之間的區(qū)域100。區(qū)域100的邊在8微米與16微米之間。在區(qū)域100之內(nèi)形成階躍高差，多個區(qū)域100彼此分開。如圖7A所示，區(qū)域100用對輻射(例如，電磁輻射)敏感的層110覆蓋。例如，層110可以是抗蝕劑。例如，根據(jù)任何合適的方法可以在層260上形成層110。
關(guān)于圖7B，區(qū)域100的一部分(例如，一半)120對層110敏感的波長曝露。區(qū)域1000的另一部分(例如，一半)130沒有被曝露。例如，利用電子束圖案發(fā)生器或激光圖案發(fā)生器，其中電子束(e-束)或激光束可以在襯底的表面上掃描，或利用光掩模的步進器，根據(jù)任何合適的方法進行曝露。
關(guān)于圖7C，層110被曝露并且保留在區(qū)域100的部分120，層110從區(qū)域100的部分130去除。例如，可以使用正抗蝕劑，例如，使得層110在顯影過程中保留在區(qū)域100的部分130。
關(guān)于圖7D，部分150和部分160可以用材料層(用六角形瑪賽克表示)覆蓋。材料層例如通過濺射或任何合適的方法形成。在區(qū)域100的部分150中，材料層可以在曝露層110上形成。在反射區(qū)的另一部分160中，材料層在層260上形成。材料層具有一厚度，其等于或基本等于輻射的波長的四分之一λ/4。材料層厚度也可以是任何合適的厚度。例如，如果SLM 1的實施例是用作圖案發(fā)生器中的調(diào)制器，例如，波長可以是248nm，濺射到區(qū)域100上的材料層的厚度例如是62nm。如果使用不同波長，可以使用在部分、例如區(qū)域100的部分150和160之間的另一階躍高差。
關(guān)于圖7E，在層110上形成的材料層例如用揭開方法(lift-off process)或任何其它合適的方法去除。區(qū)域100的部分170可以是區(qū)域100的未覆蓋部分，部分160覆蓋有材料層。在反射區(qū)100的部分160和部分170之間的階躍高度可以根據(jù)產(chǎn)生階躍高差的材料的需要變化。
本發(fā)明的實施例例如可以提高微光刻系統(tǒng)的寫入質(zhì)量，微光刻系統(tǒng)可以使用空間光調(diào)制器(SLM)。例如，本發(fā)明的實施例也可以提高微光刻系統(tǒng)的寫入質(zhì)量，微光刻系統(tǒng)包括非平面的反射器件(例如，反射鏡，微鏡等)。本發(fā)明的實施例還提高任何其它合適的系統(tǒng)的寫入質(zhì)量。
本發(fā)明的實施例，應(yīng)該理解，在此所述的襯底由任何合適的材料(例如，玻璃、陶瓷、金屬、合金等)，正如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所期望的。
盡管針對紫外(UV)光描述了本發(fā)明的實施例，應(yīng)該理解，具有任何合適波長、包括極紫外(EUV)的任何合適的光可以被本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員利用。
盡管參照本發(fā)明的實施例具體示出和描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在沒有脫離由下列權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以就形式和內(nèi)容做出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種空間光調(diào)制器，包括襯底；至少一反射面，包括至少兩部分，適于在由所述至少兩部分反射的輻射之間引起相位差；其中所述相位差由相位板和所述至少兩部分之間的階躍高差中的至少之一引起。
2.如權(quán)利要求1所述的空間光調(diào)制器，其中所述至少兩部分之間的相位差是λ/2±n*λ，其中λ是所述輻射的波長，n是自然數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的空間光調(diào)制器，其中所述階躍高差是λ/4±(n*λ/2)，其中λ是所述輻射的波長，n是自然數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的空間光調(diào)制器，其中所述至少一反射面是反射鏡。
5.如權(quán)利要求4所述的空間光調(diào)制器，其中所述至少一反射鏡是平面鏡。
6.如權(quán)利要求4所述的空間光調(diào)制器，其中所述至少一反射鏡是非平面鏡。
7.如權(quán)利要求1所述的空間光調(diào)制器，其中所述多個反射面是可傾斜的。
8.如權(quán)利要求1所述的空間光調(diào)制器，其中所述輻射是電磁輻射。
9.如權(quán)利要求1所述的空間光調(diào)制器，其中所述輻射是紫外輻射和極紫外線輻射的至少之一。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少一相位板是透射的或反射的。
11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個反射面中的至少之一的至少兩部分是相鄰的。
12.一種制造對工件構(gòu)圖的裝置的方法，該方法包括在襯底上形成傳導層，所述傳導層包括具有非傳導區(qū)設(shè)置在其之間的多個傳導區(qū)；在所述多個傳導區(qū)和非傳導區(qū)上形成臨時層；在所述臨時層上形成反射層；和在至少一部分所述反射層上形成材料層。
13.一種制造用于空間光調(diào)制器的反射層的方法，該方法包括在反射面上形成臨時層；將所述臨時層的一部分對輻射曝露，使得部分所述反射面被曝露而所述臨時層的其余部分不被曝露；去除所述未曝露或所述已曝露的臨時層；用轉(zhuǎn)移材料覆蓋所述反射面和所述臨時層的其余部分；和從一部分所述反射面去除所述臨時層和所述轉(zhuǎn)移材料的相關(guān)部分。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述臨時層包括光致抗蝕劑材料。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述未曝露或已曝露敏感層的去除還包括應(yīng)用液體溶劑，和溶解所述未曝露或已曝露的臨時層。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述臨時層還包括電磁敏感材料。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移材料是透明材料。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移材料是反射材料。
19.一種用于對工件構(gòu)圖的方法，包括產(chǎn)生輻射，包括至少第一部分和至少第二部分，朝工件反射至少所述第一部分和所述第二部分的輻射；在至少所述第一部分和所述第二部分的輻射之間引起相位差；將至少所述第一部分和所述第二部分的輻射照射在所述工件上；和利用所述第一和第二部分的輻射在所述工件上形成圖案。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一部分的相位與所述第二部分的相位相差λ/2±n*λ，其中λ是所述輻射的波長，n是自然數(shù)。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一部分的相位與所述第二部分的相位相差λ/4±(n*λ/2)，其中λ是所述輻射的波長，n是自然數(shù)。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述輻射是電磁輻射。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述輻射是光波的形式。
24.一種用于對工件構(gòu)圖的裝置，該裝置包括適于產(chǎn)生輻射的源；至少一反射器件，適于在工件上形成圖案并且引起輻射的相位差；其中所述相位差由相移板和階躍高差中的至少之一引起。
25.如權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述至少一反射器件還包括，適于反射所述輻射的第一部分和第二部分，由所述第一部分所反射的輻射與由所述第二部分所反射的輻射相位不同。
26.如權(quán)利要求25所述的裝置，其中由所述第一部分所反射的輻射的相位與由所述第二部分所反射的輻射的相位相差λ/2±n*λ，其中λ是所述輻射的波長，n是自然數(shù)。
27.如權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述第一部分和所述第二部分具有不同的階躍高度
28.如權(quán)利要求27所述的裝置，其中所述第一部分的階躍高度與所述第二部分的階躍高度的差值等于λ/4±(n*λ/2)，其中λ是所述輻射的波長，n是自然數(shù)。
全文摘要
一種用于對工件構(gòu)圖的裝置包括源、適于利用相移板和階躍高差中的至少之一來引起相位差的至少一反射傾斜表面。一種對應(yīng)于對工件構(gòu)圖的裝置的方法。一種制造對工件構(gòu)圖的裝置和其中所包括的空間光調(diào)制器的方法。
文檔編號G02B26/00GK1890609SQ200480036884
公開日2007年1月3日 申請日期2004年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月11日
發(fā)明者烏爾里克·揚布拉德 申請人:麥克羅尼克激光系統(tǒng)公司