專(zhuān)利名稱(chēng)：在圖形元素的重復(fù)性陣列中生成不規(guī)則性的多步驟處理的制作方法
背景技術(shù)：
本公開(kāi)涉及印刷襯底。
可以使用各種光刻技術(shù)來(lái)印刷諸如那些限定微電子器件中的集成電路的圖形。例如，光學(xué)光刻、電子束光刻、UV和EUV光刻、x射線光刻以及壓印印刷技術(shù)都可用來(lái)形成微米和亞微米尺寸的特征。


圖1是晶片的頂視圖。
圖2是在處理期間晶片上的布圖塊(layout piece)的一部分的剖視圖。
圖3是為形成二維特征陣列而曝光并顯影之后的布圖塊的頂視圖。
圖4是圖3的布圖塊的剖視圖。
圖5、6和7是在額外的處理之后沿和圖4相同的平面的剖視圖。
圖8示出了為形成圖形而曝光并顯影之后的布圖塊的頂視圖。
圖9示出了圖8的布圖塊的剖視圖。
圖10和圖11是在額外的處理之后沿和圖9相同的平面的剖視圖。
圖12示出了去除犧牲層(sacrificial layer)之后的布圖塊的頂視圖。
圖13示出了圖12的布圖塊的剖視圖。
圖14示出了復(fù)合光學(xué)光刻系統(tǒng)。
圖15示出了圖14的復(fù)合光學(xué)光刻系統(tǒng)中的示例性圖形化系統(tǒng)。
在各個(gè)圖中，同樣的參考符號(hào)指示同樣的元素。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了晶片100的頂視圖。晶片(wafer)100是正被處理以便形成至少一個(gè)集成電路器件的半導(dǎo)體晶片，所述集成電路器件例如處理器、芯片組器件，或者存儲(chǔ)器器件。例如，可以使用晶片100形成一批SRAM存儲(chǔ)器器件。晶片100可以包括硅、砷化鎵或磷化銦。晶片100包括管芯(die)部分105的陣列。晶片100可以被切割或者以其他方式處理，以便形成一批可被封裝形成單個(gè)集成電路器件的芯片(dice)。每一個(gè)管芯部分105均包括一個(gè)或更多個(gè)布圖塊110。布圖塊110是管芯部分105的一部分(section)，它包括圖形。在布圖塊110中限定的所述圖形通常對(duì)由管芯部分105形成的集成電路器件的功能有貢獻(xiàn)。
圖2是晶片100上布圖塊110的一部分的剖視圖。在圖2中所示的處理階段，布圖塊110包括襯底(substrate)205、圖形層210、犧牲層215，以及印刷層220。襯底205可以是基底晶片，或者是在先前的處理期間形成的另一個(gè)層。圖形層210是布圖塊110要被圖形化的那部分?？梢詧D形化圖形層210，以便形成整個(gè)或部分微電子器件。例如，圖形層210可以是例如二氧化硅或氮化硅的電絕緣體，例如p或n摻雜硅的半導(dǎo)體材料，或者是例如銅或鋁的導(dǎo)電層。犧牲層215是可從圖形層210中選擇性地去除的臨時(shí)層。犧牲層215可以是例如氧化硅或氮化硅的層間電介質(zhì)(ILD)。印刷層220是對(duì)一種或更多種用于印刷圖形的技術(shù)敏感的材料。例如，印刷層220可以是正或負(fù)光致抗蝕劑。下面的描述假設(shè)印刷層220是正光致抗蝕劑。
抗蝕劑層220可以被曝光并顯影，以便形成圖形。圖3是為了形成重復(fù)性特征305的二維陣列300而曝光并顯影之后的布圖塊110的頂視圖，圖4是其剖視圖。特征305在陣列300中重復(fù)，因?yàn)槌酥圃烊毕莺驮诟鱾€(gè)特征305中的其他不規(guī)則性，陣列300包括各個(gè)特征305的重復(fù)順序或排列。陣列300可以是矩形或正方形的，具有占據(jù)布圖塊110的全部或一部分的長(zhǎng)度310和寬度315。陣列300中的特征305具有節(jié)距(pitch)320。特征的節(jié)距是特征的最小空間周期。例如，接觸體(contact)節(jié)距320是接觸體305的寬度325與到下一個(gè)最接近的接觸體305的最短距離330之和。只需單獨(dú)一對(duì)接觸體305具有節(jié)距320。因此，接觸體305的分離距離和寬度可以改變(例如沿水平和垂直方向)，并且陣列300仍可以具有節(jié)距320。
可以使用很多不同的光刻技術(shù)中的任意技術(shù)形成特征305，例如電子束光刻、干涉光刻，以及使用相移掩模(mask)和光學(xué)鄰近校正(optical proximity correction)技術(shù)的光學(xué)光刻。這些光刻技術(shù)可能涉及使用干涉圖形來(lái)曝光晶片100。例如，可以通過(guò)使用兩組具有波長(zhǎng)λ1的正交干涉激光束曝光抗蝕劑220，使用干涉光刻形成特征305，以便形成具有接近1/2λ1的節(jié)距320的特征陣列。通過(guò)使用金字塔形棱鏡將單個(gè)源分為四路并使來(lái)自?xún)蓪?duì)正交的相反反射鏡對(duì)的反射干涉，能夠產(chǎn)生所述正交組。正交對(duì)可以以不同的照射角度照射襯底，或者正交對(duì)可以以相同的照射角度照射襯底。用相同的角度照射可以在兩個(gè)正交的方向上給予襯底相同的節(jié)距?？商鎿Q地，通過(guò)使晶片100在傳統(tǒng)的干涉光刻系統(tǒng)中經(jīng)過(guò)90度旋轉(zhuǎn)之后二次曝光抗蝕劑220，可以產(chǎn)生所述正交組。
特征305可以顯示表征用來(lái)形成特征305的光刻技術(shù)的特征。例如，當(dāng)使用干涉光刻形成特征305時(shí)，可以形成具有表征干涉光刻的清晰度(definition)以及接近1/2λ1的節(jié)距的特征305，具有最小的由于投影印刷系統(tǒng)和技術(shù)中的瑕疵而出現(xiàn)的那種類(lèi)型的特征畸變。例如，可以形成特征305而沒(méi)有因使用掩模、透鏡、投影光學(xué)裝置和/或電子后向散射而出現(xiàn)的瑕疵。特征305還能夠示出干涉光刻技術(shù)所提供的相對(duì)大的焦深的影響。例如，相對(duì)大的焦深可以提供對(duì)特征的尺度特性的精確控制，特別是相對(duì)于由光學(xué)系統(tǒng)提供的控制，在所述光學(xué)系統(tǒng)中，高數(shù)值孔徑既限制了視場(chǎng)深度，也限制了印刷真實(shí)世界的并非理想平坦的襯底的能力。
圖5、6和7是在額外的處理之后沿和圖4相同的平面的剖視圖。具體來(lái)說(shuō)，圖5示出了在蝕刻已經(jīng)限定了犧牲層215中的腔505之后的布圖塊110。例如，可以使用干法等離子體蝕刻限定腔505。腔505可以繼承特征305表征用來(lái)形成特征305的光刻技術(shù)的性質(zhì)。例如，當(dāng)使用干涉光刻曝光特征305時(shí)，腔505可以繼承表征干涉光刻的清晰度，在干涉光刻中，最小節(jié)距接近1/2λ1，具有最小的因投影印刷系統(tǒng)和技術(shù)中的瑕疵而出現(xiàn)的那種類(lèi)型的特征畸變。腔505通?？梢允菆A柱形的，其軸線取向垂直于晶片100的平面。可以將腔505限定成具有和特征305的節(jié)距基本相同的節(jié)距。腔505可以具有小于、大于或者和特征305的直徑基本相同的直徑，取決于被選擇來(lái)限定腔505的蝕刻工藝。
圖6示出了已經(jīng)剝離了抗蝕劑220之后的布圖塊110。圖7示出了已經(jīng)在犧牲層215上面形成了新的抗蝕劑層705之后的布圖塊110。抗蝕劑層705可以蓋住或者填充犧牲層215的腔505。例如，可以通過(guò)在晶片100上旋涂光致抗蝕劑來(lái)形成抗蝕劑層705。
圖8示出了在抗蝕劑層705已經(jīng)被曝光并顯影以形成圖樣(figure)805之后布圖塊110的頂視圖，并且圖9示出了其剖視圖。圖樣805可以是任意形狀，因?yàn)閳D樣805不需要包括重復(fù)性順序或者排列。圖樣805與腔505的二維陣列對(duì)準(zhǔn)，以便暴露(例如在810)或者覆蓋(例如在815)各個(gè)腔505。
圖樣805可以被形成為具有占據(jù)布圖塊110的全部或者一部分的長(zhǎng)度820和寬度825。圖樣805可以包括具有節(jié)距830的元素(element)。圖形元素節(jié)距830是元素840的寬度835與到下一個(gè)最接近的元素850的最短距離845之和。在圖樣805中只需單獨(dú)一對(duì)元素具有節(jié)距830。因此，元素的分離距離和寬度可以改變，并且圖樣805仍可以具有節(jié)距830。節(jié)距830可以是接觸體節(jié)距320的兩倍大或更多倍。
由于圖形節(jié)距830可以相對(duì)大于接觸體節(jié)距320，所以可以使用具有比用來(lái)形成特征305的系統(tǒng)和技術(shù)低的分辨率(resolution)的光刻系統(tǒng)和技術(shù)形成圖樣805。例如，如果使用具有波長(zhǎng)λ1的干涉光刻系統(tǒng)形成特征305，則可以使用具有比λ1大的波長(zhǎng)的光學(xué)光刻系統(tǒng)來(lái)形成圖樣805。作為另一個(gè)實(shí)施例，可以使用傳統(tǒng)的二元光學(xué)光刻(binary opticallithography)系統(tǒng)形成圖樣805，或者使用其他的光刻系統(tǒng)，例如能夠獲得較低分辨率的壓印和電子束光刻系統(tǒng)。
圖樣805暴露或者遮蔽腔505可以被用來(lái)在使抗蝕劑705硬化之后將不規(guī)則性引入腔505的重復(fù)性陣列。換句話(huà)說(shuō)，可以使用圖樣805的任意形狀來(lái)阻止布圖塊110中的特征的周期性再現(xiàn)。
圖10和圖11是在額外的處理之后沿和圖8相同的平面的剖視圖。具體來(lái)說(shuō)，圖10示出了在蝕刻已經(jīng)限定了圖形層210中的腔1005之后的布圖塊110。例如，可以使用干法等離子體蝕刻來(lái)限定腔1005。腔1005可以經(jīng)由腔505繼承特征305表征用來(lái)形成特征305的光刻技術(shù)的性質(zhì)。例如，當(dāng)使用干涉光刻來(lái)曝光特征305時(shí)，腔1005可以經(jīng)由腔505繼承表征干涉光刻的清晰度，以及最小的因節(jié)距接近λ1的投影印刷系統(tǒng)和技術(shù)中的瑕疵而出現(xiàn)的那種類(lèi)型的特征畸變。腔1005通?？梢允菆A柱形的，其軸線取向垂直于晶片100的平面?？梢詫⑶?005限定成具有和特征305的節(jié)距基本相同的節(jié)距320。腔505可以具有小于、大于或者和腔505的直徑基本相同的直徑。
圖11示出了為了暴露出先前被覆蓋的腔505而已經(jīng)將抗蝕劑705剝離之后的布圖塊110。圖12示出了已經(jīng)將犧牲層215去除之后的布圖塊110的頂視圖，并且圖13示出了其剖視圖。可以通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)或通過(guò)蝕刻來(lái)去除犧牲層215。在去除了犧牲層215并暴露出腔1005之后，布圖塊110中的圖形層210包括一批圖形特征1205?？梢栽谖㈦娮悠骷墓δ茉O(shè)計(jì)布圖中使用圖形特征1205。圖形特征1205可以具有節(jié)距320，所述節(jié)距320受可從用來(lái)形成接觸體305的光刻技術(shù)獲得的節(jié)距限制。此外，依賴(lài)于抗蝕劑圖樣805的幾何形狀，圖形特征1205在圖形層210中也可以具有任意排列，因?yàn)樵趯⒉灰?guī)則性引入重復(fù)性陣列300之后，至少一些小節(jié)距特征305對(duì)晶片100的影響已經(jīng)被消除了。
這種復(fù)合圖形化證明是有益的。例如，可以使用較高分辨率的系統(tǒng)或者技術(shù)，用特征圖形化單個(gè)布圖塊，并且可以使用較低分辨率的系統(tǒng)或者技術(shù)來(lái)修改或者甚至消除那些特征的功能影響。例如，較老的、分辨率通常較低的裝備可被用來(lái)修改較高分辨率特征的影響，給所述較老的裝備提供增加的壽命。通過(guò)將高分辨率的系統(tǒng)專(zhuān)用于高分辨率特征的生產(chǎn)而將不那么昂貴、較低分辨率的系統(tǒng)用于修改那些高分辨率特征的影響，可以降低圖形化成本。例如，高分辨率但是相對(duì)廉價(jià)的干涉系統(tǒng)可以與相對(duì)廉價(jià)的低分辨率系統(tǒng)組合，以便生成高質(zhì)量、高分辨率圖形而無(wú)需大的資本投資。由于可以使用較低分辨率的系統(tǒng)來(lái)改變使用干涉系統(tǒng)產(chǎn)生的圖形的排列，所以可以提高干涉系統(tǒng)的適用性。具體來(lái)說(shuō)，可以使用干涉系統(tǒng)形成基本任意的特征排列，所述排列不受干涉圖形的幾何形狀和排列的約束。
圖14示出了復(fù)合光學(xué)光刻系統(tǒng)1400。系統(tǒng)1400包括環(huán)境外殼1405。外殼1405可以是潔凈室或其他適于在襯底上印刷特征的地點(diǎn)。外殼1405還可以是專(zhuān)用環(huán)境系統(tǒng)，所述環(huán)境系統(tǒng)要被放置在潔凈室內(nèi)部，以便既提供環(huán)境穩(wěn)定性也提供對(duì)抗空氣傳播的粒子和其他印刷缺陷的成因的保護(hù)。
外殼1405包圍著干涉光刻系統(tǒng)1410和圖形化系統(tǒng)1415。干涉光刻系統(tǒng)1410包括經(jīng)過(guò)準(zhǔn)直的電磁輻射源1420和干涉光學(xué)裝置1425，電磁輻射源1420和干涉光學(xué)裝置1425一起提供襯底的干涉圖形化。圖形化系統(tǒng)1415可以使用多種不同的圖形化襯底的方法中的任意方法。例如，圖形化系統(tǒng)1415可以是電子束投影系統(tǒng)、壓印印刷系統(tǒng)，或者光學(xué)投影光刻系統(tǒng)。圖形化系統(tǒng)1415也可以是無(wú)掩模模塊，例如電子束直寫(xiě)模塊、離子束直寫(xiě)模塊，或者光學(xué)直寫(xiě)模塊。
系統(tǒng)1410、1415可以共享公共掩模處理子系統(tǒng)1430、公共晶片處理子系統(tǒng)1435、公共控制子系統(tǒng)1440和公共工作臺(tái)1445。掩模處理子系統(tǒng)1430是用于在系統(tǒng)1400中定位掩模的設(shè)備。晶片處理子系統(tǒng)1435是用于在系統(tǒng)1400中定位晶片的設(shè)備。控制子系統(tǒng)1440是用于隨著時(shí)間調(diào)節(jié)系統(tǒng)1400的一個(gè)或更多個(gè)屬性或設(shè)備的設(shè)備。例如，控制子系統(tǒng)1440可以調(diào)節(jié)系統(tǒng)1400中設(shè)備的位置或操作，或者環(huán)境外殼1405內(nèi)的溫度或其他環(huán)境質(zhì)量。
控制子系統(tǒng)1440還可以在第一位置1450和第二位置1455之間平移工作臺(tái)1445。工作臺(tái)1445包括用于夾緊晶片的夾具(chuck)1460。在第一位置1450，工作臺(tái)1445和夾具1460可以將被夾緊的晶片呈送給圖形化系統(tǒng)1415進(jìn)行圖形化。在第二位置1455，工作臺(tái)1445和夾具1460可以將夾緊的晶片呈送給干涉光刻系統(tǒng)1410進(jìn)行干涉圖形化。
為了保證晶片被夾具1460和工作臺(tái)1445正確定位，控制子系統(tǒng)1440包括對(duì)準(zhǔn)傳感器1465。對(duì)準(zhǔn)傳感器1465可以傳感并控制晶片的位置(例如使用晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)，以便將使用干涉光刻系統(tǒng)1410形成的圖形與由圖形化系統(tǒng)1415形成的圖形對(duì)準(zhǔn)。如上所述，當(dāng)將不規(guī)則性引入特征的重復(fù)性陣列時(shí)，可以使用這種定位。
圖15示出了圖形化系統(tǒng)1415的示例性光學(xué)光刻實(shí)現(xiàn)。具體來(lái)說(shuō)，圖形化系統(tǒng)1415可以是步進(jìn)重復(fù)投影系統(tǒng)(step-and-repeat projection system)。這樣的圖形化系統(tǒng)1415可以包括照明裝置1505、掩模工作臺(tái)1510，以及投影光學(xué)裝置1515。照明裝置1505可以包括電磁輻射源1520和光闌/聚光器1525。源1520可以和源1420相同，或者，源1520可以是完全不同的設(shè)備。源1520可以在和源1420相同或者不同的波長(zhǎng)發(fā)射。光闌/聚光器1525可以包括一個(gè)或更多個(gè)用于收集、準(zhǔn)直、過(guò)濾和聚焦來(lái)自源1420的電磁發(fā)射，以便提高掩模工作臺(tái)1510上的照射均勻性的設(shè)備。
掩模工作臺(tái)1510可以支撐照射路徑中的掩模1530。投影光學(xué)裝置1515可以是用于減小圖像尺寸的設(shè)備。投影光學(xué)裝置1515可以包括濾光投影透鏡。當(dāng)工作臺(tái)1445反復(fù)地平移被夾緊以被照明裝置1505曝光的晶片通過(guò)掩模工作臺(tái)1510和投影光學(xué)裝置1515時(shí)，對(duì)準(zhǔn)傳感器1465可以保證曝光與干涉特征的重復(fù)性陣列對(duì)準(zhǔn)，以便將不規(guī)則性引入所述重復(fù)性陣列。
已經(jīng)描述了很多實(shí)現(xiàn)。盡管如此，但是要理解可以做出各種修改。例如，正抗蝕劑和負(fù)抗蝕劑都可以被用于抗蝕劑層220、705中的任意一個(gè)。使用不同波長(zhǎng)的光刻技術(shù)可被用來(lái)處理相同的襯底?？梢詧D形化除了半導(dǎo)體晶片以外的襯底。因此，其他實(shí)現(xiàn)在所附權(quán)利要求書(shū)的范圍以?xún)?nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括通過(guò)將不規(guī)則性引入特征的重復(fù)性陣列，用特征的基本任意的排列來(lái)圖形化襯底。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，引入不規(guī)則性的操作包括在所述重復(fù)性陣列中的所述特征中的一些上面形成任意圖樣。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，圖形化所述襯底的操作還包括通過(guò)所述重復(fù)性陣列的未被所述任意圖樣覆蓋的部分來(lái)蝕刻襯底。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，引入不規(guī)則性的操作包括將不規(guī)則性引入由干涉圖形導(dǎo)致的特征的重復(fù)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，引入不規(guī)則性的操作包括將不規(guī)則性引入由干涉光刻形成的所述干涉圖形的重復(fù)。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，引入不規(guī)則性的操作包括將不規(guī)則性引入由投影光刻形成的所述干涉圖形的重復(fù)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，引入不規(guī)則性的操作包括將不規(guī)則性引入接觸體的二維陣列的重復(fù)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，圖形化所述襯底的操作還包括使用所述基本任意的排列來(lái)指引蝕刻的方式來(lái)蝕刻所述襯底。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，圖形化所述襯底的操作還包括用所述基本任意的排列來(lái)圖形化所述襯底，所述基本任意的排列具有接近圖形化電磁輻射的波長(zhǎng)的二分之一的節(jié)距。
10.一種器件，包括特征的基本任意的排列，所述特征由表征干涉光刻的清晰度來(lái)限定。
11.如權(quán)利要求10所述的器件，其中，特征的所述基本任意的排列包括以接近圖形化電磁輻射的波長(zhǎng)的二分之一的節(jié)距印刷的特征。
12.如權(quán)利要求10所述的器件，其中，特征的所述基本任意的排列包括沒(méi)有因透鏡瑕疵和掩模瑕疵中的一項(xiàng)或更多項(xiàng)而出現(xiàn)的缺陷的特征。
13.如權(quán)利要求10所述的器件，其中，特征的所述基本任意的排列包括沒(méi)有因電子的反向散射而出現(xiàn)的缺陷的特征。
14.如權(quán)利要求10所述的器件，其中，特征的所述基本任意的排列包括微電子器件的一部分。
15.如權(quán)利要求14所述的器件，其中，所述微電子器件的所述部分包括SRAM存儲(chǔ)器器件的一部分。
16.一種系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)處理器；與所述數(shù)據(jù)處理器進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的SRAM，所述SRAM包括特征的基本任意的排列，所述特征包括表征干涉光刻的清晰度。
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，所述SRAM包括接觸體的基本任意的排列，所述接觸體包括表征干涉光刻的清晰度。
18.一種方法，包括使電磁輻射干涉以用干涉圖形照射襯底，所述干涉圖形給予所述襯底重復(fù)性的第一特征；以及將不規(guī)則性引入所述干涉圖形的重復(fù)，以給予所述襯底基本任意的特征排列。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，引入不規(guī)則性的操作包括在所述干涉圖形的某些部分上面形成基本任意的圖樣。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括使用基本任意的圖樣來(lái)圖形化所述襯底，以限定所述基本任意的特征排列。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，使電磁輻射干涉的操作包括給予所述襯底第一特征，所述第一特征具有接近圖形化電磁輻射的波長(zhǎng)的二分之一的節(jié)距。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，使電磁輻射干涉的操作包括使用干涉光刻，以用所述干涉圖形來(lái)照射所述襯底。
23.一種方法，包括使用第一光刻技術(shù)圖形化襯底，所述圖形化提供具有第一節(jié)距的第一特征，所述第一節(jié)距接近圖形化電磁輻射的波長(zhǎng)的二分之一；以及使用第二光刻技術(shù)消除至少一些所述第一特征對(duì)所述襯底的影響，所述第二光刻技術(shù)提供具有第二節(jié)距的第二特征，所述第二節(jié)距是所述第一節(jié)距的兩倍或更多倍。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，使用所述第一光刻技術(shù)圖形化所述襯底的操作包括使用干涉光刻來(lái)圖形化所述襯底。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，使用干涉光刻圖形化所述襯底的操作包括用干涉圖形對(duì)來(lái)曝光所述襯底。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，曝光所述襯底的操作包括用基本相同的干涉圖形對(duì)來(lái)曝光所述襯底。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，曝光所述襯底的操作包括用所述干涉圖形對(duì)來(lái)同時(shí)曝光所述襯底。
28.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，消除至少一些所述第一特征對(duì)所述襯底的影響的操作包括使用二元掩模來(lái)圖形化。
29.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，消除至少一些所述第一特征對(duì)所述襯底的影響的操作包括在所述第一特征的某些上面印刷任意圖樣。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中，消除至少一些所述第一特征對(duì)所述襯底的影響的操作還包括通過(guò)未被所述任意圖樣覆蓋的所述第一特征來(lái)蝕刻所述襯底的一部分。
31.一種裝置，包括干涉曝光模塊，用于產(chǎn)生導(dǎo)致光敏介質(zhì)中的重復(fù)性接觸體陣列的第一曝光；以及第二圖形化模塊，用于減小所述陣列中的所述特征的規(guī)則性。
32.如權(quán)利要求31所述的裝置，其中，所述干涉曝光模塊包括金字塔形分束器，用于將電磁輻射分為四路；以及兩組被設(shè)置成通過(guò)反射所述被分開(kāi)的電磁輻射來(lái)生成干涉圖形的相反的反射鏡對(duì)。
全文摘要
用于印刷襯底的系統(tǒng)和技術(shù)。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，一種方法包括，通過(guò)將不規(guī)則性引入特征的重復(fù)性陣列，用特征的基本任意的排列來(lái)圖形化襯底。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1894627SQ200480037754
公開(kāi)日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2004年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月17日
發(fā)明者亞恩·博羅多夫斯基 申請(qǐng)人:英特爾公司