專利名稱：Tft-lcd陣列基板、多層圖形尺寸檢測方法和設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置制造領域，尤其涉及一種TFT-LCID陣列基板、多層圖形 尺寸檢測方法和設備。
背景技術：
TFT-LCD因其體積小、功耗低和無輻射等特點，占據(jù)了當前平板顯示器市場的主導 地位。TFT-LCD由陣列基板和彩膜基板對盒而成。其中，在陣列基板中相互交叉地配置有定 義像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，在各像素區(qū)域中配置有像素電極和薄膜晶體管。通過將驅動 信號施加到柵線上，圖像數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)線施加到像素電極，并通過像素電極施加電壓以控 制陣列基板和彩膜基板之間液晶的偏轉來控制光線的強弱，配合彩膜基板的功能，在基板 上顯示出所要表達的圖像。目前，在TFT-IXD生產流程中，都需要對TFT-IXD陣列基板上所形成的各層圖形的 尺寸進行檢測，以保證工藝參數(shù)的均勻性和產品參數(shù)的穩(wěn)定性。其檢測原理是通過將顯微 鏡移動到特定的檢測區(qū)域，對該區(qū)域的指定圖形進行拍攝，然后運用圖像處理程序，對圖片 中匹配圖形的線寬進行檢測。總體來說，該檢測流程包括將玻璃搬運到檢測基臺，玻璃對 位，定位檢測坐標系，對特定點進行拍照，線寬的灰度判斷和測量等等。經過上述這些步驟， 才可以測定出陣列基板上圖形的尺寸。發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的技術方案時發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術提供的TFT-LCD陣列基板的檢 測方法，由于檢測過程繁瑣，每張陣列基板的檢測時間從二十分鐘到三十分鐘不等，在大規(guī) 模量產中，會造成整個生產時間的延遲，影響生產效率。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種TFT-LCD陣列基板、多層圖形尺寸檢測 方法和設備，能夠提供更為快速和準確的測試結果，提高測試的效率和精確度。為解決上述技術問題，本發(fā)明TFT-LCD陣列基板、多層圖形尺寸檢測方法和設備 采用如下技術方案—種TFT-LCD陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的多層陣列圖形，在所 述基板上未設置所述多層陣列圖形的區(qū)域設置有用于分別檢測所述多層陣列圖形中各陣 列圖形的尺寸大小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的 檢測圖案，以及與所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底。所述檢測襯底包括位于所述檢測襯底中心區(qū)域的透光的檢測窗口，以及遮光的 窗口邊框。所述檢測圖案遮光，所述檢測襯底反光。所述檢測襯底與除被檢測陣列圖形以外的陣列圖形同層設置。一種在TFT-IXD陣列基板制備過程中檢測陣列圖形和光刻膠圖形尺寸的方法，包 括
在基板上未設置所述多層圖形的區(qū)域形成分別檢測所述多層圖形中各圖形的尺 寸大小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案，以 及與所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底；采用直線光在所述基板下方照射所述檢測標記；接收透過所述檢測標記的光線；計算出所述光線的透射率，若所述光線的透射率與標準透射率不符，則判定所檢 測的圖形不合格；若所述光線的透射率與標準透射率相符，則判定所檢測的圖形合格。所述檢測襯底包括位于所述檢測襯底中心區(qū)域的透光的檢測窗口，以及遮光的 窗口邊框。一種在TFT-IXD陣列基板制備過程中檢測陣列圖形和光刻膠圖形尺寸的方法，包 括在基板上未設置所述多層圖形的區(qū)域形成分別檢測所述多層圖形中各圖形的尺 寸大小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案，以 及與所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底；采用直線光在所述基板上方照射所述檢測標記；接收經過所述檢測標記反射回的光線；計算出所述光線的反射率，若所述光線的反射率與標準反射率不符，則判定所檢 測的圖形不合格；若所述光線的反射率與標準反射率相符，則判定所檢測的圖形合格。所述檢測襯底包括透光的檢測窗口，以及不反射光線的窗口邊框；所述檢測圖 案反射光線。所述檢測襯底反射光線，所述檢測圖案不反射光線。一種采用上述方法的設備，包括光發(fā)射器和光接收器，其中，在基板上未設置所 述多層陣列圖形的區(qū)域設置有用于分別檢測所述多層圖形中各圖形的尺寸大小的檢測標 記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案，以及與所述檢測圖 案非同層設置的檢測襯底；所述光發(fā)射器用于向TFT-LCD陣列基板的檢測標記發(fā)射光線， 所述光接收器用于接收所述光發(fā)射器發(fā)射的，透過所述檢測標記或經過所述檢測標記反射 回的光線。還包括與所述光接收器電性連接的數(shù)據(jù)處理模塊。所述光發(fā)射器為激光發(fā)射器。本發(fā)明實施例提供的TFT-IXD陣列基板、多層圖形尺寸檢測方法和設備，通過在 未設置多層圖形的區(qū)域設置用于檢測各層圖形的尺寸大小的檢測標記，在生產流程中，通 過對該檢測標記進行直射光線的照射，通過對與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖 案的光線透射率或反射率的變化的檢測，實時地實現(xiàn)對各層圖形線寬的監(jiān)控，該陣列基板 制備簡單，易于實現(xiàn)，為陣列基板的檢測提供更為快速和準確的測試結果，提高測試的效率 和精確度。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例描述 中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些
5實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附 圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例一 TFT-IXD陣列基板的結構示意圖；圖2為本發(fā)明實施例二檢測標記的結構示意圖之一；圖3為本發(fā)明實施例二檢測標記的結構示意圖之二 ；圖4為本發(fā)明實施例三檢測標記的結構示意圖之一；圖5為本發(fā)明實施例四的方法流程圖；圖6為本發(fā)明實施例四中檢測標記的結構示意圖之一；圖7為采用本發(fā)明實施例四的方法的檢測示意圖；圖8為本發(fā)明實施例四檢測標記的結構示意圖之二 ；圖9為本發(fā)明實施例五的方法流程圖；圖10為本發(fā)明實施例五中檢測標記的結構示意圖；圖11為采用本發(fā)明實施例五的方法的檢測示意圖之一；圖12為采用本發(fā)明實施例五的方法的檢測示意圖之二 ；圖13為本發(fā)明實施例七中檢測標記的結構示意圖。附圖標記說明1-基板；2-圖形；3-檢測標記；31-檢測圖案；32-檢測襯底；321-檢測窗口；322-窗口邊框；4-光發(fā)射器；5_光接收器。
具體實施例方式下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā) 明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施 例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供一種TFT-LCD陣列基板、多層圖形尺寸檢測方法和設備，能夠 提供更為快速和準確的測試結果，提高測試的效率和精確度。實施例一本發(fā)明實施例提供一種TFT-IXD陣列基板，如圖1所示，該陣列基板包括基板1 以及形成在所述基板1上的多層陣列圖形2，在所述基板1上未設置所述多層陣列圖形2的 區(qū)域設置有用于分別檢測所述多層陣列圖形2中各陣列圖形的尺寸大小的檢測標記3，所 述檢測標記3包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案，以及與所述檢測圖案 非同層設置的檢測襯底。為便于對TFT-LCD陣列基板的各層陣列圖形的檢測以及對位檢測，本發(fā)明實施例 提供上述結構的陣列基板。具體地，將采用上述結構的陣列基板進行直射光線的照射，通過 對光線透射率或反射率的變化的檢測，實時地實現(xiàn)對各層圖形線寬的監(jiān)控。由于在TFT-LCD陣列基板與彩膜基板對盒后會分割成若干個液晶顯示模塊，將檢 測標記設置在未設置各層陣列圖形的區(qū)域，即非圖形區(qū)域，在實現(xiàn)TFT-IXD陣列基板檢測 功能的同時，亦不會影響到對盒后形成的液晶顯示模塊的正常顯示功能。
其中，上述陣列圖形包括柵線、柵電極、數(shù)據(jù)線、公共電極線、源電極圖形、漏電極 圖形、TFT溝道圖形等。本發(fā)明實施例提供的TFT-IXD陣列基板，通過在未設置多層陣列圖形的區(qū)域設置 用于檢測各層陣列圖形的尺寸大小的檢測標記，在生產流程中，通過對該檢測標記進行直 射光線的照射，通過對與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案的光線透射率或反射 率的變化的檢測，實時地實現(xiàn)對各層陣列圖形線寬的監(jiān)控，該陣列基板制備簡單，易于實 現(xiàn)，為陣列基板的檢測提供更為快速和準確的測試結果，提高測試的效率和精確度。實施例二在陣列基板的生產流程中，針對不同層陣列圖形的結構，可以形成多個用于檢測 不同層陣列圖形的不同的檢測標記。在實施例一的基礎上，進一步地，檢測標記可以為透射式檢測標記，如圖2所示， 檢測襯底32包括位于所述檢測襯底32中心區(qū)域的透光的檢測窗口 321，以及遮光的窗口 邊框322。下面以傳統(tǒng)TFT-LCD陣列結構中，檢測數(shù)據(jù)線的線寬為例，說明本發(fā)明實施例的 技術方案。如圖2所示，檢測標記包括與數(shù)據(jù)線同層設置且尺寸相同的檢測圖案31，以及 與檢測圖案31非同層設置的檢測襯底32。檢測襯底32包括位于檢測襯底32中心區(qū)域的 透光的檢測窗口 321，以及遮光的窗口邊框322。檢測圖案31與檢測襯底32垂直疊放設置， 使檢測圖案31位于所述檢測窗口 321的中心位置。其中，檢測襯底32可以與除數(shù)據(jù)線以外的陣列圖形同層設置，也可以采用單獨的 制備工藝，與陣列圖形非同層設置，在本實施例中，以檢測襯底32與柵線同層設置為例，加 以說明。則在形成該矩形的檢測圖案31之前，在形成第一層柵線圖形的同時，在基板的非 圖形區(qū)域的特定位置形成襯于該矩形的檢測圖案31下方位置的檢測襯底32，即該檢測襯 底32是與柵線同層設置的，檢測襯底32包括與柵線相同材質的遮光的窗口邊框322，以及 由該窗口邊框322圍設出的透光的檢測窗口 321，并使檢測圖案31位于該檢測窗口 321上 方位置，進一步地，要求檢測圖案31的尺寸略小于檢測窗口 321的尺寸。檢測時，采用直射光線從陣列基板的背面照射檢測標記，檢測窗口 321的面積為S =ab，其中a和b是矩形的檢測窗口 321的長和寬，由于檢測窗口 321是采用預先設定的標 準窗口，因此S為定值。則光線的透射率可以由Ι-cd/S來表示，其中c和d是矩形的檢測圖 案31的長和寬。進一步地，可以在檢測窗口 321上方設置η個檢測圖案31，如圖3所示，η 為檢測窗口 321中檢測圖案31的個數(shù)，則從該區(qū)域背面照射的光線的透射率為Ι-ncd/S，在 TFT-LCID的曝光、顯影和刻蝕工藝中，圖形的邊界縮小和放大的大小基本上是一致的。也 就是說，當c變化1微米的時候，d也同樣會變化1微米。那么當二者同時增加1微米的時 候，檢測標記的透射率為l_n(c+l) (d+1)/S，則透射率的變化為l-n(c+l) (d+1)/S-(1-ncd/ S) = -n(c+d+l)/S。以S = 400，η = 4, c = d = 6微米為例，透射率會產生13%的變化。 當線寬變化2微米時，透射率會發(fā)生78%的變化。通過對透射率的監(jiān)控，可以得到檢測圖案尺寸的變化，進而反映出圖形區(qū)域陣列 圖形尺寸的變化。本發(fā)明實施例提供的TFT-IXD陣列基板，通過在未設置多層陣列圖形的區(qū)域設置 用于檢測各層陣列圖形的尺寸大小的檢測標記，在生產流程中，通過對該檢測標記進行直射光線的照射，通過對與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案的光線透射率的變化 的檢測，實時地實現(xiàn)對各層陣列圖形線寬的監(jiān)控，該陣列基板制備簡單，易于實現(xiàn)，為陣列 基板的檢測提供更為快速和準確的測試結果，提高測試的效率和精確度。實施例三在實施例一的基礎上，進一步地，該檢測標記可以為反射型檢測標記，如圖4所 示，即檢測圖案31遮光，檢測襯底32反光。其中，檢測襯底32可以與被檢測的陣列圖形以外的陣列圖形同層設置，也可以采 用單獨的制備工藝，與陣列圖形非同層設置，在本實施例中，以檢測襯底32與柵線同層設 置為例，加以說明。形成與被檢測的陣列圖形同層設置且尺寸大小一致的遮光的檢測圖案 31，則在形成該檢測圖案31之前，在形成第一層柵線圖形的同時，在基板的非圖形區(qū)域的 特定位置形成襯于該檢測圖案31下方位置的檢測襯底32，即該檢測襯底32是與柵線同層 設置的。檢測時，采用直射光線從陣列基板的正面垂直照射檢測標記，通過對反射率的監(jiān) 控，可以得到檢測圖案尺寸的變化，進而反映出圖形區(qū)域陣列圖形尺寸的變化。本發(fā)明實施例提供的TFT-IXD陣列基板，通過在未設置多層陣列圖形的區(qū)域設置 用于檢測各層陣列圖形的尺寸大小的檢測標記，在生產流程中，通過對該檢測標記進行直 射光線的照射，通過對與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案的光線反射率的變化 的檢測，實時地實現(xiàn)對各層陣列圖形線寬的監(jiān)控，該陣列基板制備簡單，易于實現(xiàn)，為陣列 基板的檢測提供更為快速和準確的測試結果，提高測試的效率和精確度。實施例四本發(fā)明實施例提供一種在TFT-LCD陣列基板制備過程中檢測陣列圖形和光刻膠 圖形尺寸的方法，如圖5所示，該方法包括步驟S11、在基板上未設置所述多層圖形的區(qū)域形成分別檢測所述多層圖形中各 圖形的尺寸大小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢 測圖案，以及與所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底；步驟S12、采用直線光在所述基板上方照射所述檢測標記；步驟S13、接收透過所述檢測標記的光線；步驟S14、計算出所述光線的透射率，若所述光線的透射率與標準透射率不符，則 判定所檢測的圖形不合格；若所述光線的透射率與標準透射率相符，則判定所檢測的圖形 合格。進一步地，如圖6所示，該檢測標記為透射型檢測標記，所述檢測襯底32包括位 于所述檢測襯底32中心區(qū)域的透光的檢測窗口 321，以及遮光的窗口邊框322。下面以制備傳統(tǒng)結構的TFT-LCD流程中，檢測用于形成過孔的光刻膠圖形的尺寸 為例，說明本發(fā)明實施例的技術方案。如圖6所示，當需要檢測形成過孔的光刻膠圖形的尺寸時，首先需要在形成該過 孔的曝光工藝中所使用的掩膜版上形成一系列圓形圖案，該圓形圖案完全不透光，與被檢 測的過孔大小一致。也就是說，在掩膜版的圖形區(qū)域上，沉積有一層不透光的金屬層，在其 上分布有許多透光的圓形圖形。而在掩膜版上的檢測圖形區(qū)域上，則是與上述圓形圖形大 小相同的不透光金屬圖形。則在陣列基板的制備過程中，玻璃基板的圖形區(qū)域是形成過孔的光刻膠圖形，該圖形是透光的圓孔圖形。在非圖形區(qū)域中，則可以形成一系列的非透光的 圓形的檢測圖案31，該檢測圖案31與圖形區(qū)域的用于形成過孔圖形的光刻膠圓孔圖形的 尺寸相同。在形成該圓形的檢測圖案31之前，可以在形成第一層柵線圖形的同時，在基板的 特定位置形成襯于該圓形的檢測圖案31下方位置的檢測襯底32，即該檢測襯底32是與柵 線同層設置的，檢測襯底32包括與柵線相同材質的遮光的窗口邊框322，以及由該窗口邊 框322圍設出的透光的檢測窗口 321，并使檢測圖案31位于該檢測窗口 321上方位置，進一 步地，要求檢測圖案31的尺寸略小于檢測窗口 321的尺寸。在進行檢測時，如圖7所示，采用光發(fā)射器4在陣列基板的背面對該陣列基板上的 檢測標記3進行直線光照射，光發(fā)射器4發(fā)射的一部分光線被圓形的檢測圖案31遮擋，另 一部分光線穿過檢測窗口 321被光接收器4接收，根據(jù)接收到的光線得出不透光的面積，從 而得到圓形的檢測圖案31的尺寸，繼而得到被檢測的形成該過孔的光刻膠圖形的尺寸，從 而判斷出在曝光和顯影工藝步驟之后，該過孔的尺寸是否符合標準。具體地，如圖6所示，圓形的檢測圖案31半徑為R，則從該區(qū)域背面照射的光線的 透射率為l-JiR2/S，其中S為檢測窗口 321的面積，S = ab,由于檢測窗口 321是采用預先 設定的標準窗口，因此S為定值。當檢測圖案31符合制作標準時，則R與所檢測的過孔的 半徑相等，則透射率H R2/S不變。若檢測圖案31的半徑R發(fā)生變化，則透射率H R2/ S的值也隨之改變，從而檢測出該過孔的尺寸不合格。其中，也可以在檢測窗口 321上方設 置η個檢測圖案31，如圖8所示，η即為檢測窗口 321中檢測圖案31的個數(shù)，檢測圖案31 的總面積為η π R2，，則從該區(qū)域背面照射的光線的透射率為1-η π R2/S,則當圖形半徑增加 1微米的時候，檢測標記的透射率為l-ηπ (！？+丨尸/^，則光線透射率的變化為!^ (2R+1)/S0 以R = 5微米，檢測窗口的面積為40微米X 10微米，N = 4為例，當半徑變化1微米的時 候，透射率產生34. 的變化。通過設置在基板正面的光接收器的觀察，就可以從光線透 射率的變化得出R的大小。本發(fā)明實施例提供的在TFT-LCD陣列基板制備過程中檢測多層圖形尺寸的方法， 通過在未設置多層圖形的區(qū)域設置用于檢測各層圖形的尺寸大小的檢測標記，在生產流程 中，通過對該檢測標記進行直射光線的照射，通過對與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的 檢測圖案的光線透射率的變化的檢測，實時地實現(xiàn)對各層圖形線寬的監(jiān)控，該方法易于實 現(xiàn)，為陣列基板制備過程中各層圖形尺寸的實時檢測提供更為快速和準確的測試結果，提 高測試的效率和精確度。實施例五本發(fā)明實施例一種在TFT-LCD陣列基板制備過程中檢測陣列圖形和光刻膠圖形 尺寸的方法，如圖9所示，該方法包括步驟S21、在基板上未設置所述多層圖形的區(qū)域形成分別檢測所述多層圖形中各 圖形的尺寸大小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢 測圖案，以及與所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底；步驟S22、采用直線光在所述基板上方照射所述檢測標記；步驟S23、接收經過所述檢測標記反射回的光線；步驟S24、計算出所述光線的反射率，若所述光線的反射率與標準反射率不符，則判定所檢測的圖形不合格；若所述光線的反射率與標準反射率相符，則判定所檢測的圖形 合格。在本實施例中，檢測標記為反射型檢測標記，進一步地，如圖10所示，所述檢測襯 底32包括位于檢測襯底32中心區(qū)域的透光的檢測窗口 321，以及不反射光線的窗口邊框 322，檢測窗口 321暴露出位于所述檢測襯底32下方的檢測圖案31，檢測圖案31反射光線。以檢測用于形成柵線的光刻膠圖形的尺寸為例，說明本實施例的技術方案。由于 柵線層通常由AINd，Al，Cu等金屬組成，該類型的金屬具有較高的光線反射率。相比較而 言，光刻膠的光線反射率就低得多。應用這一現(xiàn)象，就可以實現(xiàn)檢測用于形成柵線的光刻膠 圖形的尺寸的檢測。首先，在基板之上沉積一層柵極金屬，柵極金屬分布于整個基板之上。 然后通過曝光和顯影，與形成用于形成柵線的光刻膠圖形同層的光刻膠形成檢測襯底32， 該檢測襯底32中心區(qū)域開口，開口區(qū)域露出下面的金屬層，即檢測襯底32包括位于檢測 襯底32中心區(qū)域的透光的檢測窗口 321，以及遮光的窗口邊框322，檢測窗口 321暴露出位 于檢測襯底32下方的檢測圖案31。其中，開口的尺寸，即檢測窗口 321的尺寸，也即檢測圖 案31的尺寸與用于形成柵線的光刻膠圖形的尺寸大小一致。在進行檢測時，如圖11所示，通過光發(fā)射器4發(fā)出的直線光光線從陣列基板的正 面照射該檢測標記，光接收器5接收檢測圖案31中心區(qū)域開口處暴露出檢測圖案31反射 回的光線，反射光線的強度隨著線寬的變化而變化。通過檢測反射光的強度，就可以得到用 于形成柵線的光刻膠圖形的尺寸的變化趨勢。另外，本實施例還可以提供一種反射型檢測標記，如圖4所示，即檢測襯底32反射 光線，檢測圖案31不反射光線。以檢測形成數(shù)據(jù)線的光刻膠圖形的尺寸為例，其中，檢測襯 底32可以與被檢測的圖形以外的圖形同層設置，也可以采用單獨的制備工藝，與各層圖形 非同層設置。檢測時，如圖12所示，通過光發(fā)射器4發(fā)出的直線光光線從陣列基板的正面 照射該檢測標記，光接收器5接收檢測襯底32反射的光線，通過對反射率的監(jiān)控，可以得到 檢測圖案尺寸的變化，進而反映出圖形區(qū)域圖形尺寸的變化。本發(fā)明實施例提供的在TFT-LCD陣列基板制備過程中檢測多層圖形尺寸的方法， 通過在未設置多層圖形的區(qū)域設置用于檢測各層圖形的尺寸大小的檢測標記，在生產流程 中，通過對該檢測標記進行直射光線的照射，通過對與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的 檢測圖案的光線反射率的變化的檢測，實時地實現(xiàn)對各層圖形線寬的監(jiān)控，該方法易于實 現(xiàn)，為陣列基板制備過程中各層圖形尺寸的實時檢測提供更為快速和準確的測試結果，提 高測試的效率和精確度。實施例六本發(fā)明實施例還提供一種采用上述實施例在TFT-LCD陣列基板制備過程中檢測 多層圖形尺寸的方法的設備，包括光發(fā)射器和光接收器，其中，在基板上未設置所述多層 陣列圖形的區(qū)域設置有用于分別檢測所述多層圖形中各圖形的尺寸大小的檢測標記，所述 檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案，以及與所述檢測圖案非同 層設置的檢測襯底；所述光發(fā)射器用于向TFT-LCD陣列基板的檢測標記發(fā)射光線，所述光 接收器用于接收所述光發(fā)射器發(fā)射的，透過所述檢測標記或經過所述檢測標記反射回的光 線。進一步，還包括與所述光接收器電性連接的數(shù)據(jù)處理模塊。該數(shù)據(jù)處理模塊用于計算光線的透射率和反射率。進一步地，所述光發(fā)射器優(yōu)選為激光發(fā)射器。實施例七上述實施例是針對各層圖形尺寸進行檢測。在TFT-LCD陣列基板的生產流程中， 對于對位精度的要求是十分嚴格的。對位的偏差會引起像素區(qū)域各層結構之間的偏離，進 而造成TFT像素特性的異常。因此，進一步地，還可以實現(xiàn)對于各層之間對位偏差的測量和 監(jiān)控。和上述實施例相同，需要形成檢測標記的結構，首先在第一層先形成一個檢測襯底， 該檢測襯底包括中心區(qū)域完全透光的檢測窗口，后續(xù)層在成形的時候，在與窗口圖形中心 重合的位置上設計出相應的完全不透光的檢測圖案。因此，當?shù)谝粚雍推渌鼘訉ξ粵]有偏 差的時候，透過檢測標記的光線應該為一個定值。當圖形的偏差處于控制范圍之內時，即上 下左右的偏差都小于控制基準，那么透射率不會產生變化。當兩層之間的對位偏差超出控 制基準的時候，透射率會有增加的趨勢，如圖13所示。通過對于光線透射率的監(jiān)控，就可以 實現(xiàn)不同層之間的對位偏差的監(jiān)控。對于這類監(jiān)控而言，檢測圖形和檢測窗口的形狀不僅 僅局限于圖中所示，也包括矩形，橢圓形等各類形狀。對于同一層，由于基板上的圖形是由同一個掩膜版經過幾次相同的曝光而得到 的。對于TFT-IXD工藝而言，這幾次曝光工藝之間的精度控制也十分的重要。因此，在前一 個掩膜版曝光中，首先形成檢測窗口的圖形，然后在同一個基板上的隨后的曝光中，在檢測 窗口上形成檢測圖案。這樣，就可以實現(xiàn)同一張玻璃基板上不同曝光次數(shù)之間對位精度的 監(jiān)控。另外，以上設計的圖形，都是在窗口之上再形成相應的圖形來進行監(jiān)控。該設計可 以實現(xiàn)對于曝光、顯影和刻蝕，剝離等不同工藝流程的監(jiān)控。同樣的，也可以直接形成用來 監(jiān)控的透光的檢測圖形。圖形變大時，透射率增加，反之則透射率減小，從而實現(xiàn)上述對于 尺寸，偏移等的監(jiān)控。為了避免周邊雜散光對于檢測結果的影響，可以將不透光的區(qū)域設計 的盡可能大，然后利用方向性優(yōu)秀的激光進行照射，光接收器也盡可能的靠近玻璃基板，以 減少進入檢測裝置的背景光線。本發(fā)明實施例提供的TFT-IXD陣列基板以及對位檢測方法，通過在未設置多層圖 形的區(qū)域設置用于檢測各層圖形的尺寸大小的檢測標記，在生產流程中，通過對該檢測標 記進行直射光線的照射，通過對光線透射率或反射率的變化的檢測，實時的實現(xiàn)對各層對 位的監(jiān)控，該陣列基板制備簡單，易于實現(xiàn)，提高了對位的效率和精確度。本領域普通技術人員可以意識到，結合本文中所公開的實施例描述的各示例的單 元及算法步驟，能夠以電子硬件、計算機軟件或者二者的結合來實現(xiàn)，為了清楚地說明硬件 和軟件的可互換性，在上述說明中已經按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這 些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術方案的特定應用和設計約束條件。專 業(yè)技術人員可以對每個特定的應用來使用不同方法來實現(xiàn)所描述的功能，但是這種實現(xiàn)不 應認為超出本發(fā)明的范圍。結合本文中所公開的實施例描述的方法或算法的步驟可以用硬件、處理器執(zhí)行的 軟件模塊，或者二者的結合來實施。軟件模塊可以置于隨機存儲器(RAM)、內存、只讀存儲器 (ROM)、電可編程ROM、電可擦除可編程ROM、寄存器、硬盤、可移動磁盤、CD-ROM、或技術領域 內所公知的任意其它形式的存儲介質中。
以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應所述以權利要求的保護范圍為準。
權利要求
1.一種TFT-LCD陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的多層陣列圖形，其特征 在于，在所述基板上未設置所述多層陣列圖形的區(qū)域設置有用于分別檢測所述多層陣列圖 形中各陣列圖形的尺寸大小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺 寸相同的檢測圖案，以及與所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底。
2.根據(jù)權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述檢測襯底包括位于所 述檢測襯底中心區(qū)域的透光的檢測窗口，以及遮光的窗口邊框。
3.根據(jù)權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述檢測圖案遮光，所述檢 測襯底反光。
4.根據(jù)權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述檢測襯底與除被檢測陣 列圖形以外的陣列圖形同層設置。
5.一種在TFT-LCD陣列基板制備過程中檢測陣列圖形和光刻膠圖形尺寸的方法，其特 征在于，包括在基板上未設置所述多層圖形的區(qū)域形成分別檢測所述多層圖形中各圖形的尺寸大 小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案，以及與 所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底；采用直線光在所述基板下方照射所述檢測標記；接收透過所述檢測標記的光線；計算出所述光線的透射率，若所述光線的透射率與標準透射率不符，則判定所檢測的 圖形不合格；若所述光線的透射率與標準透射率相符，則判定所檢測的圖形合格。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述檢測襯底包括位于所述檢測襯底中 心區(qū)域的透光的檢測窗口，以及遮光的窗口邊框。
7.—種在TFT-LCD陣列基板制備過程中檢測陣列圖形和光刻膠圖形尺寸的方法，其特 征在于，包括在基板上未設置所述多層圖形的區(qū)域形成分別檢測所述多層圖形中各圖形的尺寸大 小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案，以及與 所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底；采用直線光在所述基板上方照射所述檢測標記；接收經過所述檢測標記反射回的光線；計算出所述光線的反射率，若所述光線的反射率與標準反射率不符，則判定所檢測的 圖形不合格；若所述光線的反射率與標準反射率相符，則判定所檢測的圖形合格。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于，所述檢測襯底包括透光的檢測窗口，以 及不反射光線的窗口邊框；所述檢測圖案反射光線。
9.根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于，所述檢測襯底反射光線，所述檢測圖案不 反射光線。
10.一種采用權利要求5-9任一權利要求所述方法的設備，其特征在于，包括光發(fā)射 器和光接收器，其中，在基板上未設置所述多層陣列圖形的區(qū)域設置有用于分別檢測所述 多層圖形中各圖形的尺寸大小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且 尺寸相同的檢測圖案，以及與所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底；所述光發(fā)射器用于向 TFT-LCD陣列基板的檢測標記發(fā)射光線，所述光接收器用于接收所述光發(fā)射器發(fā)射的，透過所述檢測標記或經過所述檢測標記反射回的光線。
11.根據(jù)權利要求10所述設備，其特征在于，還包括與所述光接收器電性連接的數(shù)據(jù) 處理模塊。
12.根據(jù)權利要求10所述的設備，其特征在于，所述光發(fā)射器為激光發(fā)射器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT-LCD陣列基板、多層圖形尺寸檢測方法和設備，涉及液晶顯示裝置制造領域，能夠提供更為快速和準確的測試結果，提高測試的效率和精確度。一種TFT-LCD陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的多層陣列圖形，在所述基板上未設置所述多層陣列圖形的區(qū)域設置有用于分別檢測所述多層陣列圖形中各陣列圖形的尺寸大小的檢測標記，所述檢測標記包括與被檢測圖形同層設置且尺寸相同的檢測圖案，以及與所述檢測圖案非同層設置的檢測襯底。本發(fā)明應用于TFT-LCD陣列基板的制備。
文檔編號G02F1/13GK102116978SQ20091024461
公開日2011年7月6日 申請日期2009年12月31日 優(yōu)先權日2009年12月31日
發(fā)明者周偉峰, 明星, 郭建 申請人:北京京東方光電科技有限公司