專利名稱：一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片的清洗液，特別是一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液。
背景技術(shù)：
在集成電路加工過程中，需要使用光刻膠，加工過程完成后，再將光刻膠去除。集成電路光刻膠的去除，通常先進(jìn)行等離子灰化，然后再采用濕式清洗，以便清除由于等離子灰化產(chǎn)生的有機(jī)物和聚合物殘留。目前濕式清洗使用的清洗液有兩種SPM和SPM。SPM清洗液是硫酸和過氧化氫的混合物；APM清洗液是氫氧化銨、過氧化氫和水的混合物。清洗設(shè)備一般采用批處理沉浸設(shè)備或批處理噴霧設(shè)備；采用上述設(shè)備清洗時，清洗液通常經(jīng)過過濾后循環(huán)使用。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，在適應(yīng)器件設(shè)計的多變性、低成本和無環(huán)境污染等方面，對清洗液提出了更高的要求。以半導(dǎo)體器件為例，在設(shè)計65納米及其以下節(jié)點(diǎn)的集成電路時，需要更薄的柵介電層，目前正朝著高介電材料的方向發(fā)展，這就要求更高的清洗效果，特別是極少的的金屬離子污染物。而傳統(tǒng)的清洗液，無論是SPM清洗液還是APM清洗液，都含有金屬離子，它們對新式柵結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能有負(fù)面影響，清洗后金屬離子污染物的含量，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)的要求；同時傳統(tǒng)的清洗液還會造成較多的氧化物損失和硅損失。此外，由于清洗液經(jīng)過濾后循環(huán)使用，從開始使用到被替換時其組分在不斷變化，對清洗效果和器件電學(xué)性能均會產(chǎn)生不利影響。傳統(tǒng)的清洗液在去除集成電路光刻膠的清洗中，消耗水量極大，其含有的化學(xué)試劑成分會造成環(huán)境污染。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是針對上述傳統(tǒng)清洗液的缺點(diǎn)，提供一種具有高性能、不含金屬離子、無污染和良好清洗效果的用于去除集成電路光刻膠的清洗液本發(fā)明的技術(shù)方案一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，其特征在于由復(fù)合型螯合劑、雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比為復(fù)合型螯合劑5～10％；雙氧水3～8％；去離子水為余量。
本發(fā)明所述復(fù)合型螯合劑為羥胺和醇胺的混合物；其混合比例為(2～10)∶1。
本發(fā)明所述雙氧水的濃度為3～30％。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是1、該清洗液使用的螯合劑不含金屬離子，不會造成金屬離子污染，而對金屬離子有較強(qiáng)的去除功能；2、減少了氧化物損失和硅損失；3、清洗液成分穩(wěn)定，確保良好的清洗效果4、降低水耗，有利于環(huán)保；5、工藝簡單，成本低。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，由乙羥基乙二胺與三乙醇胺混合而成的復(fù)合型螯合劑、濃度為10％的雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比復(fù)合型螯合劑占8％；雙氧水6％；去離子水為余量；復(fù)合型螯合劑中，乙羥基乙二胺與三乙醇胺混合比例為4∶1。使用該清洗液去除集成電路光刻膠，清洗效果良好。
實(shí)施例2一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，由四羥基乙基乙二胺與二乙醇胺混合而成的復(fù)合型螯合劑，濃度為15％的雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比復(fù)合型螯合劑5％；雙氧水8％；去離子水為余量；復(fù)合型螯合劑中，四羥基乙基乙二胺與二乙醇胺混合比例為8∶1。使用該清洗液去除集成電路光刻膠，清洗效果良好。
權(quán)利要求
1.一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，其特征在于由復(fù)合型螯合劑、雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比為復(fù)合型螯合劑5～10％；雙氧水3～8％；去離子水為余量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于去除集成電路光刻膠的清洗液，其特征在于復(fù)合型螯合劑為羥胺和醇胺的混合物；其混合比例為(2～10)∶1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于去除集成電路光刻膠的清洗液，其特征在于雙氧水的濃度為3～30％。
全文摘要
一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，由復(fù)合型螯合劑、雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比為復(fù)合型螯合劑5～10％；雙氧水3～8％；去離子水為余量。復(fù)合型螯合劑為羥胺和醇胺的混合物；其混合比例為(2～10)∶1；雙氧水的濃度為3～30％。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是1.該清洗液使用的螯合劑不含金屬離子，不會造成金屬離子污染，而對金屬離子有較強(qiáng)的去除功能；2.減少了氧化物損失和硅損失；3.清洗液成分穩(wěn)定，確保良好的清洗效果；4.降低水耗，有利于環(huán)保；5.工藝簡單，成本低。
文檔編號G03F7/42GK101093363SQ20061001441
公開日2007年12月26日 申請日期2006年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月23日
發(fā)明者仲躋和, 李家榮, 周云昌, 李薇薇, 楊文靜 申請人:天津晶嶺電子材料科技有限公司