專利名稱：具有寬視角的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)，更具體而言，涉及一種將像素劃分為多個域(domain)以增大視角的LCD。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是目前廣泛采用的平板顯示器類型。LCD包括兩個基板，所述基板配有諸如像素電極和公共電極的場發(fā)生電極，以及插入其間的液晶(LC)層。LCD將電壓施加到場發(fā)生電極以在LC層中產(chǎn)生電場，電場決定著LC層中LC分子的取向以調(diào)節(jié)穿過LC層的光的偏振，從而顯示圖像。
已經(jīng)提出了各種用于增大視角的技術(shù)。具體而言，有一項技術(shù)采用垂直配向(VA)LC分子，并在每一場發(fā)生電極處提供切口(cutout)和突起(protrusion)。
通過場發(fā)生電極內(nèi)的切口和場發(fā)生電極上的突起能夠?qū)崿F(xiàn)VA模式LCD的寬視角。由于所述切口和突起能夠決定LC分子的取向，因此，可以利用切口和突起使光沿不同方向傳播。通過控制光沿不同方向傳播，拓寬了基準視角。
也可以采用域劃分型LCD來拓寬視角。在域劃分型LCD中，將域劃分為多個組，并向相應(yīng)的域組施加不同的數(shù)據(jù)電壓。具體而言，將一個像素劃分為至少兩個域組，并向相應(yīng)的域組施加不同的數(shù)據(jù)電壓。
在這樣的常規(guī)LCD中，在域組之間存在縫隙。在這一縫隙和連接漏電極的耦合電極連接部分之間的交叉處電場沿不同的側(cè)面方向擾動液晶的取向。液晶配向中的擾動導致了不合要求的紋理(texture)和漏光。具體而言，當屏幕在常黑模式中從黑色轉(zhuǎn)換為白色時，所述交叉處保持黑色的時間比顯示器的其余部分長一會兒(被稱為瞬時余像)。
希望得到一種取得寬視角而沒有上述問題的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種能夠提供寬視角，同時避免紋理、漏光或形成瞬時余像的液晶顯示器(LCD)。
一方面，本發(fā)明提供了一種液晶顯示器(LCD)。所述LCD包括第一絕緣基板；形成于所述第一絕緣基板上的柵極線；與所述柵極線絕緣并基本垂直于所述柵極線延伸的數(shù)據(jù)線，其中所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線界定像素；以及連接至所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管(TFT)。第一子像素電極連接至TFT，第二子像素電極通過耦合電極電容耦合至所述第一子像素電極，所述第二子像素電極通過縫隙與所述第一子像素電極隔開。所述LCD還包括第二絕緣基板和公共電極，所述公共電極形成于所述第二絕緣基板上并包括域劃分部。在所述第一絕緣基板和第二絕緣基板之間插置液晶層。將所述TFT連接至所述耦合電極的耦合電極連接部分在沿所述像素的邊緣的區(qū)域與所述縫隙交叉。
另一方面，本發(fā)明提供了一種液晶顯示器(LCD)，包括第一絕緣基板；形成于所述第一絕緣基板上的柵極線；與所述柵極線絕緣并基本垂直于所述柵極線延伸的數(shù)據(jù)線，其中所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線界定像素；以及連接至所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管(TFT)。第一子像素電極連接至TFT，第二子像素電極通過耦合電極電容耦合至所述第一子像素電極，所述第二子像素電極通過縫隙與所述第一子像素電極隔開。所述LCD還包括第二絕緣基板和公共電極，所述公共電極形成于所述第二絕緣基板上并包括域劃分部。在所述第一絕緣基板和第二絕緣基板之間插置液晶層。耦合電極連接部分將所述TFT連接至所述耦合電極，所述耦合電極連接部分包括第一部分，所述第一部分沿所述耦合電極連接部分和所述縫隙的交叉處的縫隙延伸。


通過參考附圖詳細描述其示范性實施例，本發(fā)明的以上和其他特征和益處將變得更加顯見，附圖中圖1A是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的LCD的薄膜晶體管(TFT)顯示器基板的布局圖，圖1B是沿圖1A的Ib-Ib′線得到的截面圖，圖1C是沿圖1A的Ic-Ic′線得到的截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的LCD的公共電極顯示器基板的布局圖；圖3A是圖1A的TFT-LCD和圖2的公共電極顯示器基板的布局圖，圖3B是沿圖3A的IIIb-IIIb′線得到的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的LCD的電路圖；圖5是圖1A的A部分的放大布局圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LCD的TFT基板的布局圖；圖7是包括圖6的TFT基板的LCD的布局圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明又一實施例的LCD的TFT基板的布局圖；圖9是包括圖8的TFT基板的LCD的布局圖；以及圖10是圖8的B部分的放大布局圖，其示出了像素電極和耦合電極連接部分(coupling electrode connecting portion)之間的關(guān)系。
具體實施例方式
參考以下的對優(yōu)選實施例的詳細說明和附圖可以更容易地理解本發(fā)明的優(yōu)點和特征以及實現(xiàn)方法。不過，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，不應(yīng)被視為受限于此處所述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使本公開透徹和完全，并將充分地把本發(fā)明的原理傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員，本發(fā)明僅由權(quán)利要求界定。在說明書中始終采用類似的附圖標記表示類似的元件。
在下文中將參照根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器的方法的圖示對本發(fā)明予以說明。
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器(LCD)包括包括TFT的薄膜晶體管(TFT)基板，基本上平行于所述TFT基板布置的公共電極基板，以及插置在所述TFT基板和公共電極基板之間的液晶層。由柵極線和數(shù)據(jù)線界定TFT。公共電極基板常常包括濾色器。通過對液晶分子配向，使得其主軸基本垂直于所述TFT基板和公共電極基板。
首先，將參照圖1A到圖1C對TFT基板予以詳細說明。圖1A是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的LCD的TFT基板的布局圖，圖1B是沿圖1A的Ib-Ib′線得到的橫截面圖，圖1C是沿圖1A的Ic-Ic′線得到的橫截面圖。
柵極線22在絕緣基板10上沿第一方向延伸，并形成從柵極線22分支出來的柵電極26。在柵極線22的末端形成柵極線端部24，以接收來自另一層或外電路的柵極信號，并將接收到的柵極信號傳輸至柵極線22。使柵極線端部24寬于柵極線22，從而便于與外電路的連接。柵極線22、柵電極26和柵極線端部24形成了柵極線(22，26，24)。在絕緣基板10上形成存儲電極線28。存儲電極線28基本平行于柵極線22沿第一方向延伸，沿像素中的第一和第二子像素電極82a和82b的邊緣形成存儲電極線28，在下文中將對其予以說明。為了提高LCD的開口率，可以以各種方式改變存儲電極線28的形狀和分布，只要其能夠結(jié)合第一和第二子像素電極82a、82b形成存儲電容器。
柵極線(22，24，26)和存儲電極線28優(yōu)選由下述材料構(gòu)成諸如Al和Al合金的含Al金屬、諸如Ag和Ag合金的含Ag金屬、諸如Cu和Cu合金的含Cu金屬、諸如Mo和Mo合金的含Mo金屬、Cr、Ti或Ta。此外，柵極線(22，24，26)和存儲電極線28具有多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理特性的兩個導電膜(未示出)。所述兩個膜中的一個優(yōu)選由諸如含Al金屬、含Ag金屬或含Cu金屬的低電阻率金屬構(gòu)成，從而降低柵極線(22，24，26)和存儲電極線28中的信號延遲或電壓降。另一個膜優(yōu)選由具有良好的物理、化學特性以及與諸如氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)的其他材料之間良好的電接觸特性的材料構(gòu)成，例如含Mo金屬、Cr、Ta或Ti。所述兩個膜的示范性組合為下部Cr膜結(jié)合上部Al膜。另一種組合為下部Al膜和上部Mo膜。但是，這些不是對本發(fā)明的限制，柵極線(22，24，26)和存儲電極線28可以由各種金屬或?qū)w組合構(gòu)成。
在柵極線(22，24，26)和存儲電極線28上形成柵極絕緣層30。
在柵極絕緣層30上形成由氫化非晶硅或多晶硅構(gòu)成的半導體層40?？梢詫Π雽w層40構(gòu)形(shaped)，使得從平面上看像島狀或者為線狀。例如，在圖1A的示范性實施例中，形成作為島的半導體層40。在形成作為直線的半導體層40的不同實施例中，其可以位于數(shù)據(jù)線62之下，并延伸至柵電極26。
在半導體層40上形成由硅化物或者摻有高濃度n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層55和56。歐姆接觸層55和56可以形成島或線。例如，在圖1B的示范性實施例中，在漏電極66和源電極65之下形成作為島的歐姆接觸層55和56。可以將線狀歐姆接觸層布置為在數(shù)據(jù)線62之下延伸。
在歐姆接觸層55和56以及柵極絕緣層30上形成數(shù)據(jù)線62和漏電極66。數(shù)據(jù)線62沿第二方向延伸，并與柵極線22(從平面上看)交叉，以界定像素。數(shù)據(jù)線62可以基本垂直于柵極線22延伸。源電極65從數(shù)據(jù)線62開始在半導體層40上延伸。在數(shù)據(jù)線62的末端處形成數(shù)據(jù)線端部68，以接收來自另一層或外電路的數(shù)據(jù)信號，并將接收到的數(shù)據(jù)信號傳輸至數(shù)據(jù)線62。使數(shù)據(jù)線端部68寬于數(shù)據(jù)線62，從而便于與外電路的連接。將漏電極66與源電極65隔開，漏電極66位于半導體層40之上，從而使它們跨過柵電極26相互面對。
將漏電極66構(gòu)造為條，以及從所述條延伸的延伸圖案。所述條位于所述半導體層40上。所述延伸圖案具有大面積和接觸孔76。在與漏電極66相同的層上形成由與漏電極66相同的材料構(gòu)成的耦合電極69，耦合電極69通過耦合電極連接部分67連接至漏電極66。耦合電極69寬于耦合電極連接部分67，從而與第二子像素電極82b交疊，并形成耦合電容器。耦合電極連接部分67包括參照圖1A沿數(shù)據(jù)線62縱向延伸的第一部分67a和參照圖1A斜向延伸的第二部分67b。第二部分67b連接第一部分67a和耦合電極69。提供耦合電極69和耦合電極連接部分67的目的在于防止產(chǎn)生紋理、漏光和瞬時余像等不合要求的效應(yīng)，在下文中將參照圖5對其予以說明。
數(shù)據(jù)線62、數(shù)據(jù)線端部68、源電極65、漏電極66、耦合電極69和耦合電極連接部分67形成了數(shù)據(jù)線(62，68，65，66，69，67)。
數(shù)據(jù)線(62，68，65，66，69，67)優(yōu)選由難熔金屬構(gòu)成，例如Cr、Mo、Ti、Ta或其合金。而且，數(shù)據(jù)線(62，68，65，66，69，67)可以具有多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括低電阻率膜(未示出)和接觸增強膜(未示出)。多層結(jié)構(gòu)的例子包括具有下部Cr膜和上部Al膜的的雙層結(jié)構(gòu)，具有下部Al膜和上部Mo膜的雙層結(jié)構(gòu)，以及具有下部Mo膜、中間Al膜和上部Mo膜的三層結(jié)構(gòu)。
源電極65與半導體層40的至少一部分交疊。漏電極66跨過柵電極26與源電極65相對，并與所述半導體層40的至少一部分交疊。這里，歐姆接觸層55和56插置在半導體層40和源電極65和漏電極67每者之間，以降低半導體層40和源電極/漏電極65、67之間的接觸電阻。
在數(shù)據(jù)線62、漏電極66和半導體層40的暴露部分上形成由有機絕緣層構(gòu)成的鈍化層70。這里，鈍化層70優(yōu)選由諸如氮化硅或氧化硅的無機絕緣體、具有良好平坦度特征的感光有機材料、或者諸如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介電絕緣材料構(gòu)成，鈍化層70通過等離子增強化學氣相淀積(PECVD)形成?；蛘?，鈍化層70可以是具有下部無機膜和上部有機膜的雙層結(jié)構(gòu)，以保護暴露的半導體層40，同時保持作為有機層的良好特性。
在鈍化層70上形成暴露漏電極66和數(shù)據(jù)線端部68的接觸孔76和78，在鈍化層70和柵極絕緣層30上形成暴露柵極線端部24的接觸孔74。
在鈍化層70上基本循著像素輪廓形成像素電極82。如上所述，像素電極82包括第一和第二子像素電極82a和82b。通過與偏振板的透射軸1成大約45度或-45度角的縫隙83分隔第一和第二子像素電極82a、82b。第二子像素電極82b形成尖端部分削平的旋轉(zhuǎn)“V”形并位于像素區(qū)中間。在未形成第二子像素電極82b的像素區(qū)部分上形成第一子像素電極82a。這里，可以在第一和第二子像素電極82a和82b中或上沿相對于圖1A的斜向形成多個切口(未示出)或突起(未示出)。
第一子像素電極82a之一通過接觸孔76電連接到漏電極66，第二子像素電極82b通過從漏電極66延伸的耦合電極67耦合(非直接耦合)至漏電極66。
輔助柵極線端部86和輔助數(shù)據(jù)線端部88形成于鈍化層70上，并分別通過接觸孔74和78連接至柵極線端部24和數(shù)據(jù)線端部68。像素電極82以及輔助柵極線端部86和輔助數(shù)據(jù)線端部88優(yōu)選由諸如ITO或IZO的透明導體，或者諸如Al的反射導體構(gòu)成。分別采用輔助柵極線端部86和輔助數(shù)據(jù)線端部88將柵極線端部24和數(shù)據(jù)線端部68連接至外部裝置。
第一子像素電極82a通過接觸孔76電連接到漏電極66。第二子像素電極82b未直接連接至漏電極66，但是其通過耦合電極連接單元67和從漏電極66延伸的耦合電極69耦合至漏電極66。
第一子像素電極82a之一通過接觸孔76從物理和電的角度連接至漏電極66，漏電極66向第一子像素電極82a施加數(shù)據(jù)電壓。第二子像素電極82b處于電浮置狀態(tài)，并且通過耦合電極67電容耦合至第一子像素電極82a，第一子像素電極82a連接至漏電極66并與第二子像素電極82b交疊。換言之，第二子像素電極82b的電壓根據(jù)連接至漏電極66的第一子像素電極82a的電壓而變化。第二子像素電極82b的電壓的絕對值可以總是小于第一子像素電極82a的電壓的絕對值。但是，本發(fā)明不局限于該實施例。例如，在另一個實施例中，可以將數(shù)據(jù)電壓施加到第二子像素電極82b上，第一子像素電極82a可以電容耦合至第二子像素電極82b。
在以上述方式在像素區(qū)內(nèi)布置時，補償了施加到第一和第二子像素電極82a和82b上的數(shù)據(jù)電壓之間的差異，以降低伽瑪(gamma)曲線的畸變，并拓寬基準視角。在下文中將參照圖4對第一子像素電極82a和第二子像素電極82b之間的耦合關(guān)系予以更為詳細的說明。
可以在像素電極82、輔助柵極線端部86、輔助數(shù)據(jù)線端部88和鈍化層70上形成用于對液晶層配向的配向?qū)?未示出)。
在下文中，將參照圖2到圖3B對根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD的公共電極基板以及包括所述公共電極基板的LCD予以說明。圖2是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的LCD的公共電極顯示器基板的布局圖，圖3A是圖1A的TFT-LCD和圖2的公共電極顯示器基板的布局圖，圖3B是沿圖3A的IIIb-IIIb′線得到的截面圖。
參照圖2到圖3B，在由諸如玻璃的透明絕緣材料構(gòu)成的絕緣基板96上形成用于防止光泄漏的黑矩陣94和依次布置在像素中的紅色、綠色和藍色濾色器98。所述黑矩陣優(yōu)選含有諸如鉻或氧化鉻的金屬或金屬氧化物，或者有機黑色抗蝕劑。
公共電極90包括諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料。在濾色器98上形成切口92。為了有效調(diào)整切口92之下的液晶的方向，優(yōu)選在切口92的預定部分內(nèi)形成缺口2，如圖2所示。
公共電極90基本平行于像素電極82，公共電極90包括切口92，切口92相對于偏振板的透射軸1成大約45度或-45度的角。公共電極90可以包括突起(未示出)而不是切口92。在本文中，將切口92或突起稱為域劃分部(domain divider)。
如上所述，像素電極82和切口92相對于偏振板的透射軸1傾斜45度或-45度角。在形成突出部分而不是切口92的情況下，可以在與切口92相同的位置處形成突出部分。
可以在公共電極90上涂覆配向?qū)?未示出)，在所述配向?qū)又袑σ壕Х肿优湎颉?br> 如圖3A所示，可以通過布置公共電極90的切口92，將劃分像素電極82的縫隙83布置在兩個切口92之間。
如圖3B所示，組合TFT基板100和公共電極基板200并將其相互耦合，在所述TFT基板100和公共電極基板200之間形成液晶層300。對液晶層300垂直配向，由此形成根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD的基本結(jié)構(gòu)。
對液晶層300中的液晶分子配向，使得它們的主軸的取向在沒有電場時垂直于TFT基板100和公共電極基板200。液晶層300中的液晶分子具有負介電常數(shù)各相異性。布置TFT基板100和公共電極基板200，使得像素電極82與濾色器98交疊。之后，通過公共電極90的切口92和像素電極82的縫隙83將像素劃分為多個域。將像素劃分為左側(cè)域和右側(cè)域。但是，由于在像素的彎曲區(qū)域的第一部分和第二部分之間液晶分子的配向方向不同，因此，將像素劃分為第一域和第二域。換言之，根據(jù)在施加電場時包含在液晶層中的液晶分子的主定向子(main director)的配向方向?qū)⑾袼貏澐譃槎鄠€域。
通過將偏振板、背光、補償板等與上述基本結(jié)構(gòu)組合完成LCD的制作。
可以將偏振板(未示出)安裝在具有所述基本結(jié)構(gòu)的任一基板上，在安裝時采用這樣的方式使得第一透射軸平行于柵極線22，第二透射軸垂直于柵極線22。
憑借具有上述結(jié)構(gòu)的LCD，對像素的每一域內(nèi)的液晶配向，使得在向液晶施加電場時其主軸垂直于縫隙83或切口92。因此，所述域中的液晶相對于所述偏振板的透射軸1形成了大約45度或-45度角?？p隙83或切口92中的橫向電場有助于對所述域中的液晶配向。
在這一LCD中，從TFT將圖像信號電壓施加到第一子像素電極82a上，第二子像素電極82b電容耦合至第一子像素電極82a。于是，第二子像素電極82b的電壓根據(jù)施加到第一子像素電極82a上的圖像信號電壓而變化。第二子像素電極82b的電壓的絕對值小于第一子像素電極82a的電壓的絕對值。因此，如上所述，有可能通過在像素中布置具有不同電壓的第一和第二子像素電極82a和82b而降低伽瑪曲線畸變的可能性，如上所述，布置第一和第二子像素電極82a和82b的方式是使它們互補。
將參照圖4說明使第二子像素電極82b的電壓保持在低于第一子像素電極82a的電壓的電平上的原因。圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD的電路圖。
在圖3A和圖4中，Clca表示在第一子像素電極82a和公共電極90之間形成的液晶電容，Cst表示在第一子像素電極82a和存儲電極線28之間形成的維持電容，Clcb表示在第二子像素電極82b和公共電極90之間形成的液晶電容，Ccp表示在第一子像素電極82a和第二子像素電極82b之間形成的，即通過第二子像素電極82b和耦合電極69之間的耦合形成的耦合電容。
參考圖4，每一個像素的TFTQ為三端子器件，其具有連接至柵極線G22的控制端子(或柵電極26)，連接至數(shù)據(jù)線D62的輸入端子(或源電極65)，以及連接至液晶電容器Clca和Clcb以及存儲電容器Cst的輸出端子(或漏電極66)。
分別由Va和Vb表示跨越所述第一和第二子像素電極82a和82b的電壓。由所述電壓分布規(guī)律可得Vb＝Va×[Ccp/(Ccp+Clcb)]。
由于根據(jù)分壓器法則Vb＝Va×[Ccp/(Ccp+Clcb)]，并且Ccp/(Ccp+Clcb)始終小于1，因此Vb始終小于Va?？梢酝ㄟ^調(diào)整Ccp調(diào)整Vb與Va的比率，可以通過調(diào)整第二子像素電極82b和耦合電極69之間的交疊面積或距離調(diào)整Ccp。因此，可以改變耦合電極69的分布。
在下文中，將參照圖3A到圖5對根據(jù)本發(fā)明的LCD中防止產(chǎn)生紋理、漏光或瞬時余像的原理予以說明。圖5是圖1A的A部分的局部放大布局圖，便于解釋像素電極82和耦合電極連接部分67之間的關(guān)系。
如上所述，漏電極66和耦合電極69通過耦合電極連接部分67耦合，像素電極82包括由縫隙83分隔的第一子像素電極82a和第二子像素電極82b?？p隙83相對于偏振板的透射軸1成大約45度或-45度的角。在工作于常黑模式的垂直配向LCD中，當屏幕從黑色變?yōu)榘咨珪r，向連接至漏電極66的第一子像素電極82a上施加數(shù)據(jù)電壓V1。通過耦合電極連接部分67將數(shù)據(jù)電壓V1傳遞至耦合電極69，耦合電極連接部分67還連接至漏電極66。通過耦合電極69和第二子像素電極82b之間的電容耦合將絕對值小于數(shù)據(jù)電壓V1的數(shù)據(jù)電壓V2傳遞至第二子像素電極82b。
如圖5所示，施加到第一子像素電極82a和耦合電極連接部分67上的數(shù)據(jù)電壓V1越高，施加到第二子像素電極82b上的數(shù)據(jù)電壓V2越小。由于向第一子像素電極82a和耦合電極連接部分67施加了相同的電壓，因此，在第一子像素電極82a中的液晶配向方面不存在問題。但是，由于向第二子像素電極82b和耦合電極連接部分67施加了不同電壓，因此，擾動了第二子像素電極82b中的液晶配向。更具體地說，位于與縫隙83鄰接的第二子像素電極82b的周圍區(qū)域②中的液晶通過配向使得它們的主軸垂直于縫隙83的長向。但是，由于施加到耦合電極連接部分67的數(shù)據(jù)電壓V1高于施加到第二子像素電極82b的電壓，因此，位于耦合電極連接部分67的周圍區(qū)域①內(nèi)的液晶沿垂直于耦合電極連接部分67的方向瞬時傾斜，并逐漸像其他液晶一樣沿傾斜(oblique)方向傾斜。因此，當平面從黑色變?yōu)榘咨珪r，可能殘留瞬時黑色余像(瞬時余像)，或者在縫隙83和耦合電極連接部分67之間的交叉處可能產(chǎn)生紋理或漏光。
為了解決瞬時余像、紋理或漏光問題，如圖3A所示，根據(jù)本發(fā)明的耦合電極連接部分67包括第一部分67a和第二部分67b，第一部分67a從與數(shù)據(jù)線62鄰接的漏電極66開始并沿數(shù)據(jù)線62延伸，第二部分67b從第一部分67a延伸至耦合電極69。第二部分67b與公共電極90的切口92交疊。照此，耦合電極連接部分67，具體而言，第一部分67a和縫隙83之間的交叉處位于沿著像素邊緣的區(qū)域，在該處亮度未受到很大影響，由此改善了LCD的顯示特性。此外，如圖3A所示，第一部分67a和縫隙83之間的交叉處與公共電極90的切口92交疊，由此減少了可能產(chǎn)生紋理的區(qū)域。
此外，在第一部分67a和縫隙83之間的交叉處形成黑矩陣94，由此防止產(chǎn)生瞬時余像和/或漏光。
由于耦合電極連接部分67的第二部分67b位于傾斜方向，以交疊公共電極90的切口92，因此能夠提高開口率。
在下文中，將參照圖6和圖7對根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LCD予以說明。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LCD的TFT基板的布局圖，圖7是包括圖6的TFT基板的LCD的布局圖。在圖6和圖7中采用相同的附圖標記標示與圖1A到圖5所示的實施例中起相同作用的部件，將省略重復說明。如圖6和圖7所示，根據(jù)本發(fā)明當前實施例的LCD具有與根據(jù)本發(fā)明的上述實施例的LCD相似的結(jié)構(gòu)，除了下述特征。
如圖6到圖7所示，根據(jù)本發(fā)明的耦合電極連接部分567包括第一部分567a和第二部分567b。第一部分567a與公共電極90的切口92交疊，并從漏電極66開始沿相對于圖6的斜向延伸。第二部分567b從第一部分567a沿數(shù)據(jù)線62延伸至耦合電極69。因此，由于耦合電極連接部分567，具體而言，對應(yīng)于第二部分567b和縫隙83之間的交叉處的部分，位于亮度未受很大影響的像素邊緣，因此，能夠改善LCD的顯示特性。
此外，如圖7所示，在第二部分567b和縫隙83之間的交叉處形成黑矩陣94，由此防止瞬時余像或漏光。
此外，由于與公共電極90的切口92交疊的耦合電極連接部分567的第一部分567a沿斜向布置，因此，能夠提高開口率。
在下文中，將參照圖8到圖10對根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LCD予以說明。
圖8是根據(jù)本發(fā)明又一實施例的LCD的TFT基板的布局圖，圖9是包括圖8的TFT基板的LCD的布局圖，圖10是圖8的部分B的放大布局圖，便于解釋像素電極和耦合電極連接部分767之間的關(guān)系。在圖8、圖9和圖10中采用相同的附圖標記標示與圖1A到圖5所示的實施例中起相同作用的部件，將省略重復說明。如圖8和圖10所示，根據(jù)本發(fā)明當前實施例的LCD具有與根據(jù)本發(fā)明的上述實施例的LCD相似的結(jié)構(gòu)，除了下述特征。
如圖8到圖9所示，根據(jù)本發(fā)明的耦合電極連接部分767包括第一部分767a和第二部分767b。第一部分767a沿關(guān)于圖8的縱向，從漏電極66延伸至耦合電極69。第二部分767b沿相對于圖8的斜向，在第一部分767a和縫隙83的交叉處，從第一部分767a開始沿縫隙83延伸。雖然耦合電極連接部分767在像素的中央?yún)^(qū)與縫隙83交疊，但是，第二部分767b形成于耦合電極連接部分767的第二部分767b和縫隙83之間的交叉處，由此防止了不合要求的紋理、漏光或瞬時余像的產(chǎn)生。
具體而言，如圖10所示，位于與縫隙83鄰接的第二子像素電極82b的周圍區(qū)域③和④內(nèi)的液晶沿垂直于縫隙83的方向傾斜，形成相對于柵極線的角度。位于第二部分767b和縫隙83之間的交叉處的周圍區(qū)域①和②內(nèi)的液晶在由第二子像素電極82b和第二部分767b引起的橫向電場的作用下，通過配向使其主軸的取向相對于柵極線成某一角度。
耦合電極連接部分767的第二部分767b處于關(guān)于柵極線成某一角度的方向，并與縫隙83交疊，由此提高了開口率。
如上所述，本發(fā)明防止了紋理、漏光或瞬時余像的產(chǎn)生，同時提高了開口率。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理解，在基本不背離本發(fā)明的原理的情況下，可以對優(yōu)選實施例做出很多改變和修改。因此，僅在一般和說明性的意義上采用所公開的本發(fā)明的優(yōu)選實施例，而不是出于限制的目的。
本申請要求于2005年7月9日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2005-0061967的優(yōu)先權(quán)，在此將其全文引入以供參考。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括第一絕緣基板；形成于所述第一絕緣基板上的柵極線；與所述柵極線絕緣并基本垂直于所述柵極線延伸的數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線界定像素；連接至所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；連接至所述薄膜晶體管的第一子像素電極；通過耦合電極電容耦合至所述第一子像素電極的第二子像素電極，所述第二子像素電極通過縫隙與所述第一子像素電極隔開；第二絕緣基板；形成于所述第二絕緣基板上的公共電極，其包括域劃分部；以及插置在所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板之間的液晶層，其中，將所述薄膜晶體管連接至所述耦合電極的耦合電極連接部分在沿所述像素的邊緣的區(qū)域與所述縫隙交叉。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述耦合電極連接部分包括平行于所述數(shù)據(jù)線的第一部分和相對于所述柵極線基本形成大約45度或-45度角的第二部分。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，所述第一部分從所述薄膜晶體管沿所述數(shù)據(jù)線延伸，所述第二部分從所述第一部分延伸至所述耦合電極。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中，所述第一部分和所述縫隙彼此交叉。
5.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中，所述耦合電極連接部分和所述縫隙之間的交叉處與所述域劃分部交疊。
6.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，所述第二部分相對于所述數(shù)據(jù)線沿一角度延伸，所述第一部分與所述數(shù)據(jù)線鄰接且沿著所述數(shù)據(jù)線從所述第二部分延伸至所述耦合電極。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中，所述第一部分和所述縫隙彼此交叉。
8.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，還包括形成于所述第二絕緣基板上的黑矩陣，其中，所述耦合電極連接部分和所述縫隙之間的交叉處與所述黑矩陣交疊。
9.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，所述第二部分與所述域劃分部交疊。
10.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括分別形成于所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板上的第一和第二偏振板，其中，所述縫隙關(guān)于所述偏振板的透射軸基本形成大約45度或-45度的角。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中，所述耦合電極連接部分與鄰接所述數(shù)據(jù)線的所述縫隙的端部交疊。
12.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括分別形成于所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板上的第一和第二偏振板，其中，所述域劃分部關(guān)于所述偏振板的透射軸基本形成大約45度或-45度的角。
13.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，在所述域劃分部的預定部分形成缺口。
14.一種液晶顯示器，包括第一絕緣基板；形成于所述第一絕緣基板上的柵極線；與所述柵極線絕緣并基本垂直于所述柵極線延伸的數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線界定像素；連接至所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；連接至所述薄膜晶體管的第一子像素電極；通過耦合電極電容耦合至所述第一子像素電極的第二子像素電極，所述第二子像素電極通過縫隙與所述第一子像素電極隔開，所述縫隙沿與所述數(shù)據(jù)線成一角度的方向延伸；第二絕緣基板；形成于所述第二絕緣基板上的公共電極，其包括域劃分部；以及插置在所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板之間的液晶層，其中，將所述薄膜晶體管連接至所述耦合電極的耦合電極連接部分包括第一部分，所述第一部分在所述耦合電極連接部分和所述縫隙的交叉處沿所述縫隙延伸。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其中，耦合電極連接部分包括基本沿所述數(shù)據(jù)線方向從所述薄膜晶體管延伸至所述耦合電極的第二部分，其中，所述第一部分從所述第二部分分支出來，并沿基本平行于所述縫隙的方向延伸。
16.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，還包括分別形成于所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板上的第一和第二偏振板，其中，所述縫隙相對于所述偏振板的透射軸基本形成大約45度或-45度的角。
17.如權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其中，所述耦合電極連接部分在所述像素的中央部分與所述縫隙交疊。
18.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，還包括分別形成于所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板上的第一和第二偏振板，其中，所述域劃分部相對于所述偏振板的透射軸基本形成大約45度或-45度的角。
19.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其中，在所述域劃分部的預定部分形成缺口。
全文摘要
提出了一種能夠防止產(chǎn)生紋理、漏光和/或瞬時余像，同時提高開口率的液晶顯示器。所述LCD包括第一絕緣基板；形成于第一絕緣基板上的柵極線；與柵極線絕緣并基本垂直于柵極線延伸的數(shù)據(jù)線，其中柵極線和數(shù)據(jù)線界定像素；以及連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管。第一子像素電極連接至TFT，第二子像素電極通過耦合電極電容耦合至第一子像素電極，第二子像素電極通過縫隙與第一子像素電極隔開。所述LCD還包括第二絕緣基板；形成于第二絕緣基板上的公共電極，其包括域劃分部；以及插置在第一絕緣基板和第二絕緣基板之間的液晶層。耦合電極連接部分將TFT連接至耦合電極并在沿像素的邊緣的區(qū)域與縫隙交叉。
文檔編號G02F1/133GK1892388SQ200610103079
公開日2007年1月10日 申請日期2006年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月9日
發(fā)明者安順一 申請人:三星電子株式會社