專利名稱：陣列基板及其制造方法和寬視角液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和寬視角液晶顯不器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器的市場迅速成長，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)展，特別是大尺寸液晶電視的應(yīng)用， 要求液晶顯示器具有寬闊的視角范圍。液晶顯示器的主要部件液晶面板包括對盒設(shè)置的陣 列基板和彩膜基板，其間設(shè)置液晶層。液晶分子在電壓作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，通過控制電壓大小 即可控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)程度，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)整透過率，即調(diào)整顯示灰度的目的。由于液晶分子的光學(xué)各向異性，液晶顯示器存在屏幕視角過窄的缺陷，為此現(xiàn) 有技術(shù)提出了多種顯示模式以克服視角過窄缺陷。常見的幾種顯示模式包括90°扭曲 向列型液晶加補(bǔ)償膜(Twisted Nematic+film;以下簡稱TN+film)模式、多疇垂直排 列(Multi-domain Vertical Alignment ；以下簡稱MVA)模式、像素電極圖形化垂直排 列(Patterned Vertical Alignment ；以下簡稱PVA)模式、平面驅(qū)動模式(In-Plane Switching ；以下簡稱IPS)模式以及利用邊緣場的平面驅(qū)動(Fringe Field Switching ； 以下簡稱FFS)模式等。雖然上述顯示模式先后被提出并逐漸實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但實(shí)際使用表明，上述顯示模 式仍存在相應(yīng)缺陷。TN+film模式對視角的改善十分有限，視角改善限制在水平140°、垂 直100°的范圍內(nèi)，一般只應(yīng)用于筆記本電腦和臺式機(jī)監(jiān)視器，不適于大尺寸液晶電視的 應(yīng)用；MVA模式需要在彩膜基板的彩色濾光片一側(cè)制造復(fù)雜的凸起結(jié)構(gòu)，增加了制造成本； PVA模式需要將像素電極制作成復(fù)雜的狹縫結(jié)構(gòu)，影響了光利用效率；而IPS模式要求工藝 控制精度高，制造工藝難度大。FFS模式也因其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)存在著一定的缺陷。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種FFS模式液晶顯示器陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖 2為圖1中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1和圖2所示，F(xiàn)FS模式的陣列基板包括襯底 基板1、柵電極4、柵線2、公共電極線20、公共電極5、柵絕緣層6、半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層 8、源電極9、漏電極10、數(shù)據(jù)線3、鈍化層11和像素電極13，像素電極13通過鈍化層11上 的鈍化層過孔12與漏電極10連接。其中，柵電極4、半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、源電極9 和漏電極10可以統(tǒng)稱為薄膜晶體管(Thin Film Transistor ；以下簡稱TFT)開關(guān)，由柵絕 緣層6隔離絕緣，源電極9和漏電極10之間形成TFT溝道。FFS模式陣列基板的特點(diǎn)在于 每塊像素電極13的圖案上均具有多條縫隙，公共電極5的圖案對應(yīng)形成在像素電極13的 下方，且通常占據(jù)像素區(qū)域中間的整塊區(qū)域，具有較大面積，各塊公共電極5通過公共電極 線20相連。在FFS模式液晶顯示器工作時(shí)，可以在像素電極與公共電極之間形成水平電場。 因?yàn)橄袼仉姌O與公共電極之間較大的重疊區(qū)域，所以其間形成的存儲電容過大，這種固有 的電場形成方式，導(dǎo)致該液晶顯示器易于出現(xiàn)殘像現(xiàn)象?，F(xiàn)有技術(shù)往往采用提高鈍化層厚 度的手段來減小存儲電容以減少不利影響。但鈍化層厚度的增加要求增加等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition ；以下簡稱PECVD)設(shè)備和干法 刻蝕設(shè)備的數(shù)量，以保證生產(chǎn)線的工藝匹配，因此導(dǎo)致設(shè)備投資大幅增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法和寬視角液晶顯示器，以改善寬 視角液晶顯示器的顯示特性。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括襯底基板；所述襯底基板上形 成橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，所述數(shù)據(jù)線和柵線限定出矩陣形式排列的多個(gè)像素區(qū)域；每 個(gè)像素區(qū)域中包括公共電極線、公共電極、薄膜晶體管開關(guān)、鈍化層和像素電極，且各所述 像素區(qū)域中覆蓋有公共電極，且各塊公共電極通過所述公共電極線連通，所述像素電極的 圖案上具有多條縫隙，所述像素電極通過鈍化層上的鈍化層過孔與薄膜晶體管開關(guān)連接， 其中，還包括有機(jī)透明絕緣層，形成在所述鈍化層與所述像素電極之間。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的 圖案；在上述襯底基板上沉積鈍化層；在所述鈍化層上形成有機(jī)透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在所述有機(jī)透明絕緣層上 形成有機(jī)層過孔，在所述鈍化層上形成鈍化層過孔；在所述有機(jī)透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極 的圖案，所述像素電極的圖案上具有多條縫隙，且所述像素電極通過所述有機(jī)層過孔和所 述鈍化層上的鈍化層過孔與所述薄膜晶體管開關(guān)連接。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種包括本發(fā)明陣列基板的寬視角液晶顯示 器，其中還包括彩膜基板，所述彩膜基板與所述陣列基板對盒設(shè)置，其間填充有液晶層形 成液晶面板；所述液晶面板嵌設(shè)固定在框架之中。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明采用在像素電極和鈍化層之間增添有機(jī)透明絕緣層 的技術(shù)手段，增加了像素電極和公共電極之間的膜層厚度，能有效減小存儲電容，可以減少 圖像殘留現(xiàn)象的發(fā)生。由于無須增加制備較厚鈍化層所需的PECVD設(shè)備和干法腐蝕設(shè)備， 所以設(shè)備投資小，可以保持產(chǎn)品成本不變甚至降低成本。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種FFS模式液晶顯示器陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例所提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖；圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖；圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例所提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖一；圖7為圖6中的B-B向剖視結(jié)構(gòu)示 意圖一；圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例所提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
圖9為圖8中的C-C向剖視結(jié)構(gòu)示意圖二 ；圖10為本發(fā)明第三實(shí)施例所提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖三；圖11為圖10中的D-D向剖視結(jié)構(gòu)示意圖三；圖12為本發(fā)明第三實(shí)施例所提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖四；圖13為本發(fā)明第三實(shí)施例所提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖五；圖14為本發(fā)明第四實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖；圖15為本發(fā)明第五實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖。
具體實(shí)施例方式下面通過具體實(shí)施例并結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。第一實(shí)施例圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例所提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖，其局部俯視結(jié)構(gòu) 示意圖可參見圖1所示(本文俯視圖中未示出柵絕緣層、鈍化層和有機(jī)透明絕緣層)。該陣 列基板具體為FFS模式液晶顯示器中的陣列基板，如圖3所示，其具體結(jié)構(gòu)包括一襯底基 板1，通常采用玻璃制成；該襯底基板1上形成橫縱交叉的多條數(shù)據(jù)線3和柵線2，數(shù)據(jù)線3 和柵線2限定出矩陣形式排列的多個(gè)像素區(qū)域；每個(gè)像素區(qū)域中包括公共電極線20、公共 電極5、TFT開關(guān)、鈍化層11和像素電極13，且每個(gè)像素區(qū)域中均覆蓋有整塊的公共電極5， 與像素電極13對應(yīng)，各塊公共電極5通過公共電極線20相連通。公共電極線20可以采用 金屬材料制成，與柵線2平行，可以從公共電極5的邊緣穿過以連通各塊公共電極5。像素 電極13的圖案上具有多條縫隙，像素電極13通過鈍化層11上的鈍化層過孔12與TFT開 關(guān)連接；還包括一有機(jī)透明絕緣層14，形成在鈍化層11與像素電極13之間。具體的，TFT開關(guān)可以包括柵電極4、半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、源電極9和漏電 極10，像素電極13通過鈍化層過孔12連接到漏電極10上。有機(jī)透明絕緣層14上可以形成有有機(jī)層過孔15，有機(jī)層過孔15與鈍化層過孔12 完全重疊，也可以是部分重疊，使像素電極13可以穿過有機(jī)層過孔15和鈍化層過孔12連 接到漏電極10上。或者，有機(jī)透明絕緣層的圖案也可以對應(yīng)像素電極的圖案形成，且露出鈍化層過 孔的位置。在本實(shí)施例中，在像素電極和鈍化層之間增添了有機(jī)透明絕緣層，相當(dāng)于增加了 像素電極和公共電極之間的膜層厚度，即增大了距離。根據(jù)電容的形成原理，兩者之間的距 離增大，則相應(yīng)形成的電容減小，因此可以有效降低像素電極和公共電極間存儲電容的值， 因此可以降低對TFT開態(tài)電流的要求，進(jìn)而可以設(shè)計(jì)較小的TFT，從而提高開口率。上述技 術(shù)方案還可以減少圖像殘留現(xiàn)象的發(fā)生。FFS模式液晶顯示器在具有周圍多個(gè)方向的寬視 角特性的同時(shí)，還可以克服殘像和高存儲電容的問題，改善了顯示特性。較佳的是形成0.5-2微米(ym)厚度的有機(jī)透明絕緣層，則鈍化層的厚度可以相 應(yīng)減小，較佳的是形成0.05-0. 2微米厚度的鈍化層。增加了有機(jī)透明絕緣層，可以不必制 備較厚的鈍化層，也就可以減少價(jià)格昂貴的PECVD設(shè)備和干法腐蝕設(shè)備的使用，從而達(dá)到 減少設(shè)備投資，保持成本不變甚至降低的目的。在本實(shí)施例中，有機(jī)透明絕緣層較佳的是采用有機(jī)感光材料制成，則有機(jī)透明絕緣層可以代替用于刻蝕鈍化層過孔的光刻膠來使用，在刻蝕鈍化層過孔之后，光刻膠本應(yīng) 灰化去除，但是制造本發(fā)明陣列基板時(shí)可以保留有機(jī)感光材料作為有機(jī)透明絕緣層，一方 面達(dá)到減小存儲電容的效果，另一方面也簡化了灰化去除的工序，提高了生產(chǎn)效率，能夠進(jìn) 一步降低成本。本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，可以用于制造FFS模式液晶顯示器中 的陣列基板，也適用于制造本發(fā)明的陣列基板，該方法包括如下步驟在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的 圖案；在上述襯底基板上沉積鈍化層；在鈍化層上形成有機(jī)透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在有機(jī)透明絕緣層上形成有機(jī) 層過孔，在鈍化層上形成鈍化層過孔；在有機(jī)透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極的圖 案，像素電極的圖案上具有多條縫隙，且像素電極通過有機(jī)層過孔和鈍化層上的鈍化層過 孔與薄膜晶體管開關(guān)連接。上述構(gòu)圖工藝通常包括涂覆光刻膠、曝光顯影、刻蝕、灰化去除光刻膠的操作。上 述具體流程按照構(gòu)圖工藝的順序和數(shù)量可以有多種實(shí)現(xiàn)方式，下面通過具體實(shí)施例詳細(xì)介 紹。第二實(shí)施例圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖，該方法具體包括 如下步驟步驟100、在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體 管開關(guān)的圖案；步驟200、在上述襯底基板上可以采用PECVD法沉積鈍化層；步驟300、在鈍化層上形成有機(jī)透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在有機(jī)透明絕緣層上 刻蝕形成有機(jī)層過孔，同時(shí)在鈍化層上刻蝕形成鈍化層過孔，該有機(jī)層過孔與鈍化層過孔
完全重疊；步驟400、在有機(jī)透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素 電極的圖案，像素電極的圖案上具有多條縫隙，且像素電極通過有機(jī)層過孔和鈍化層上的 鈍化層過孔與薄膜晶體管開關(guān)連接。采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，在鈍化層上增加有機(jī)透明絕緣層，可以增加像素電極 與公共電極之間的膜層厚度，減小存儲電容，減少殘像現(xiàn)象發(fā)生，增加了有機(jī)透明絕緣層可 以不必制備較厚的鈍化層，因此可以減少PECVD和干法腐蝕等設(shè)備投資。第三實(shí)施例圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖，該方法具體包括 如下步驟步驟100、在襯底基板1上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極5、公共電極線20和薄 膜晶體管開關(guān)的圖案；步驟100的一種具體實(shí)現(xiàn)方式為步驟101a、在襯底基板1上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電極5的圖案，如圖6和圖7所示；步驟102a、在上述襯底基板1上沉積柵金屬層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電 極線20、柵線2和柵電極4的圖案，如圖8和圖9所示；步驟103a、在上述襯底基板1上沉積柵絕緣層6 ；步驟104a、在柵絕緣層6上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采 用構(gòu)圖工藝刻蝕形成半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、數(shù)據(jù)線3、源電極9和漏電極10的圖案， 如圖10和圖11所示，具體可以采用半曝光方法來形成TFT溝道；步驟200、在上述襯底基板1上沉積鈍化層11 ；步驟300、在鈍化層11上形成有機(jī)透明絕緣層14，并采用構(gòu)圖工藝在有機(jī)透明絕 緣層14上刻蝕形成有機(jī)層過孔15 ；上述步驟300的一種具體實(shí)現(xiàn)形式為步驟301、在鈍化層11上涂覆有機(jī)感光材料作為有機(jī)透明絕緣層14 ；步驟302、采用掩模板對有機(jī)透明絕緣層14進(jìn)行曝光顯影操作，形成完全去除區(qū) 域16和完全保留區(qū)域17，完全去除區(qū)域16對應(yīng)待形成的鈍化層過孔的位置，如圖12所示；步驟303、對鈍化層11進(jìn)行刻蝕操作，刻蝕形成鈍化層過孔12，有機(jī)透明絕緣層14 上的完全去除區(qū)域16作為有機(jī)層過孔15 ；步驟400、在有機(jī)透明絕緣層14上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成 像素電極13的圖案，像素電極13的圖案上具有多條縫隙，且像素電極13通過有機(jī)層過孔 15和鈍化層11上的鈍化層過孔12與薄膜晶體管開關(guān)連接，具體與漏電極10相連，如圖13 所示。在本實(shí)施例中，采用有機(jī)感光材料的有機(jī)透明絕緣層作為光刻膠，一方面完成了 光刻膠本身的作用，即刻蝕鈍化層過孔，另一方面增加了有機(jī)透明絕緣層，加大了像素電極 和公共電極之間的膜層厚度，能夠減小存儲電容，減少殘像現(xiàn)象。同時(shí)，在工藝方面，減少了 將作為光刻膠的有機(jī)透明絕緣層灰化去除的步驟，因此可以簡化工藝，降低成本。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，鈍化層的厚度較佳的是為0. 05 0. 2微米，有機(jī)透明絕 緣層的厚度較佳的是0. 5 2微米，為使有機(jī)透明絕緣層的厚度達(dá)到優(yōu)選值，也可以在有機(jī) 透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層之前執(zhí)行下述操作干法灰化去除設(shè)定厚度的有機(jī)透明絕 緣層，進(jìn)一步減薄有機(jī)透明絕緣層的厚度達(dá)到優(yōu)選范圍內(nèi)，獲得合適的存儲電容值。第四實(shí)施例圖14為本發(fā)明第四實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖，該方法與上述 實(shí)施例的區(qū)別在于，步驟100具體包括如下步驟步驟101b、在襯底基板上沉積柵金屬層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電極線、柵 線和柵電極的圖案；步驟102b、在上述襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共 電極的圖案；步驟103b、在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；步驟104b、在柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用 構(gòu)圖工藝刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。本實(shí)施例具體采用了先制備公共電極線、柵線和柵電極的圖案，再制備公共電極
8圖案的工藝，后續(xù)仍形成有機(jī)透明絕緣層來降低存儲電容，簡化工藝流程。第五實(shí)施例圖15為本發(fā)明第五實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖，該方法與上述 實(shí)施例的區(qū)別在于，步驟100具體包括如下步驟步驟101c、在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，再沉積柵金屬層；步驟102c、在柵金屬層上涂覆光刻膠；步驟103c、采用灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成完全 去除區(qū)域、半保留區(qū)域和完全保留區(qū)域，半保留區(qū)域?qū)?yīng)公共電極的圖案，完全保留區(qū)域?qū)?應(yīng)公共電極線、柵電極和柵線的圖案，完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，半保留區(qū)域的光 刻膠保留部分厚度，完全保留區(qū)域的光刻膠完全保留；步驟104c、進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域的柵金屬層和透明導(dǎo)電膜層，形 成公共電極線、柵電極和柵線的圖案；步驟105c、灰化去除半保留區(qū)域的光刻膠，完全保留區(qū)域的光刻膠去除掉部分厚 度；步驟106c、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域的柵金屬層，形成公共電極的圖 案；步驟107c、去除剩余的光刻膠；步驟108c、在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；步驟109c、在柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用 構(gòu)圖工藝刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。本實(shí)施例具體采用了半曝光法進(jìn)行一次曝光顯影兩次刻蝕來形成柵線、柵電極、 公共電極線和公共電極的圖案，進(jìn)一步簡化了工序，后續(xù)仍形成有機(jī)透明絕緣層來降低存 儲電容，改善顯示特性。本發(fā)明陣列基板的制造方法可以用于制造本發(fā)明的陣列基板，進(jìn)一步可以采用有 機(jī)感光材料代替刻蝕鈍化層過孔的光刻膠，既增加了像素電極和公共電極之間的膜層厚 度，又省略了一次灰化去除光刻膠的工序，減少了設(shè)備和工序成本，提高了生產(chǎn)效率，并且 能夠減小存儲電容，減少殘像現(xiàn)象發(fā)生，改善FFS模式液晶顯示器的顯示特性。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種包括本發(fā)明任一實(shí)施例陣列基板的寬視角液晶顯示 器，還包括彩膜基板，彩膜基板與陣列基板對盒設(shè)置，其間填充有液晶層形成液晶面板；液 晶面板嵌設(shè)固定在框架之中。在框架之中還可以設(shè)置其他液晶顯示器所需配件，例如背光 模組、控制電路等。本發(fā)明的寬視角液晶顯示器具有周圍多個(gè)方向的寬視角，且存儲電容小，克服了 殘像問題，適用于幀反轉(zhuǎn)、行反轉(zhuǎn)、列反轉(zhuǎn)、點(diǎn)反轉(zhuǎn)等各種驅(qū)動模式的液晶顯示器，具有廣泛 的應(yīng)用前景。由于該顯示器的工序簡化、設(shè)備投資小，所以生產(chǎn)效率提高，成本降低。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
一種陣列基板，包括襯底基板；所述襯底基板上形成橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，所述數(shù)據(jù)線和柵線限定出矩陣形式排列的多個(gè)像素區(qū)域；每個(gè)像素區(qū)域中包括公共電極線、公共電極、薄膜晶體管開關(guān)、鈍化層和像素電極，且各所述像素區(qū)域中覆蓋有公共電極，且各塊公共電極通過所述公共電極線連通，所述像素電極的圖案上具有多條縫隙，所述像素電極通過鈍化層上的鈍化層過孔與薄膜晶體管開關(guān)連接，其特征在于，還包括有機(jī)透明絕緣層，形成在所述鈍化層與所述像素電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述有機(jī)透明絕緣層采用有機(jī)感光 材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于所述有機(jī)透明絕緣層上形成有 有機(jī)層過孔，所述有機(jī)層過孔與所述鈍化層過孔完全重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于所述有機(jī)透明絕緣層的厚度為 0. 5-2微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于所述鈍化層的厚度為0.05-0. 2微米。
6.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案；在上述襯底基板上沉積鈍化層；在所述鈍化層上形成有機(jī)透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在所述有機(jī)透明絕緣層上形成 有機(jī)層過孔，在所述鈍化層上形成鈍化層過孔；在所述有機(jī)透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極的圖 案，所述像素電極的圖案上具有多條縫隙，且所述像素電極通過所述有機(jī)層過孔和所述鈍 化層上的鈍化層過孔與所述薄膜晶體管開關(guān)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述鈍化層上形成有 機(jī)透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在所述有機(jī)透明絕緣層上形成有機(jī)層過孔，在所述鈍化層 上形成鈍化層過孔包括在所述鈍化層上涂覆有機(jī)感光材料作為有機(jī)透明絕緣層；采用掩模板對所述有機(jī)透明絕緣層進(jìn)行曝光顯影操作，形成完全去除區(qū)域和完全保留 區(qū)域，完全去除區(qū)域?qū)?yīng)鈍化層過孔的位置；對所述鈍化層進(jìn)行刻蝕操作，刻蝕形成所述鈍化層過孔，有機(jī)透明絕緣層上的完全去 除區(qū)域作為有機(jī)層過孔。
8 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述有機(jī)透明絕緣層 上沉積透明導(dǎo)電膜層之前，還包括干法灰化去除設(shè)定厚度的有機(jī)透明絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上采用構(gòu) 圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案包括在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成所述公共電極的圖案； 在上述襯底基板上沉積柵金屬層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電極線、柵線和柵電 極的圖案；在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用構(gòu)圖工藝 刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上采用 構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案包括在襯底基板上沉積柵金屬層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電極線、柵線和柵電極的 圖案；在上述襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成所述公共電極的圖案；在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用構(gòu)圖工藝 刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上采用 構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案包括在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，再沉積柵金屬層； 在所述柵金屬層上涂覆光刻膠；采用灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成完全去除區(qū)域、 半保留區(qū)域和完全保留區(qū)域，半保留區(qū)域?qū)?yīng)公共電極的圖案，完全保留區(qū)域?qū)?yīng)公共電 極線、柵電極和柵線的圖案；進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域的柵金屬層和透明導(dǎo)電膜層，形成公共電極線、 柵電極和柵線的圖案；灰化去除半保留區(qū)域的光刻膠；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域的柵金屬層，形成所述公共電極的圖案；去除剩余的光刻膠；在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用構(gòu)圖工藝 刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。
12.一種包括權(quán)利要求1 5任一所述的陣列基板的寬視角液晶顯示器，其特征在于 還包括彩膜基板，所述彩膜基板與所述陣列基板對盒設(shè)置，其間填充有液晶層形成液晶面 板；所述液晶面板嵌設(shè)固定在框架之中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法和寬視角液晶顯示器。該陣列基板包括襯底基板和多個(gè)像素區(qū)域，還包括有機(jī)透明絕緣層，形成在鈍化層與像素電極之間。該制造方法包括在襯底基板上形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案；沉積鈍化層；在鈍化層上形成有機(jī)透明絕緣層，并形成有機(jī)層過孔和鈍化層過孔；在有機(jī)透明絕緣層上形成像素電極的圖案，像素電極的圖案上具有多條縫隙，且像素電極通過有機(jī)層過孔和鈍化層過孔與薄膜晶體管開關(guān)連接。本發(fā)明的液晶顯示器包括本發(fā)明的陣列基板。本發(fā)明采用在像素電極和鈍化層之間增添有機(jī)透明絕緣層的技術(shù)手段，增加了像素電極和公共電極之間的膜層厚度，能有效減小存儲電容，減少殘像。
文檔編號H01L27/12GK101847641SQ20091008100
公開日2010年9月29日 申請日期2009年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者張麗蕾, 邵喜斌, 金哲雄, 齊悅 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司