專利名稱：：成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡。本發(fā)明特別地涉及一種投影物鏡，所述投影物鏡在限制固有雙折射對成像特性的負(fù)面影響的情況下能夠應(yīng)用高折射率的晶體材料。現(xiàn)有技術(shù)在目前的顯微光刻物鏡、特別是數(shù)值孔徑(NA)的值大于1.0的浸沒物鏡中，日益增長地存在對應(yīng)用具有高折射率的材料的需求。這里，如果折射指數(shù)的值在給定波長的情況下超過石英的值(在波長為193nm的情況下具有值約為1.56),則該折射指數(shù)被視為"高的"。已知一系列材料，其折射指數(shù)在DUV和VUV波長(<250nm)的情況下大于1.6，例如在波長為193nm時折射指數(shù)約為1.87的鎂尖晶石、或者在193nm時其折射指數(shù)約為2.0的氧化鎂。在使用這種材料作為透鏡元件時問題在于，所述材料由于其立方晶體結(jié)構(gòu)而具有固有雙折射，所述固有雙折射隨著波長變短而增加，其中例如針對鎂尖晶石的IDB條件延遲的測量在波長為193nm的情況下得出了52nm/cm的值，針對氧化鎂的IDB條件延遲在193nm的情況下被估計約為72nm/cm。根據(jù)設(shè)計條件，這種延遲在圖像場中可能導(dǎo)致橫向的光線偏差，所述光線偏差是要成像的結(jié)構(gòu)寬度的3至5倍。為了減少氟化物晶體透鏡中固有雙折射對光學(xué)成像的負(fù)面影響，例如根據(jù)US2004/0105170Al和WO02/093209A2等已知，以相對旋轉(zhuǎn)的方式布置相同晶體切片的氟化物晶體透鏡(所謂的"定時(clocking)")，以及還附加將多組具有不同晶體切片的這種布置(例如由100透鏡和111透鏡組成)相互組合。盡管通過這種方法在上述高折射率的立方材料中也能夠?qū)崿F(xiàn)對固有雙折射的負(fù)面影響的一定補償，但另一問題在于，如果相應(yīng)"補償路徑"(例如在相同晶體切片的相對旋轉(zhuǎn)的區(qū)域中的發(fā)生干擾的光線的相應(yīng)光路)不同，則通過上述"定時"的補償就是不完全的，如特別是例如在圖像側(cè)在最后的平凸透鏡中在外軸光束的情況下是這樣的。固有雙折射的效應(yīng)越強，這種狀況的影響也越強，這恰恰使得難以在光刻物鏡的近圖像區(qū)域中例如作為最后的透鏡元件以在那里出現(xiàn)的大輻射角應(yīng)用上述高折射率材料，其中在所述大輻射角的情況下在(100)和(111)晶體切片中的固有雙折射也特別高。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡，所述成像系統(tǒng)能夠在限制固有雙折射的負(fù)面影響的情況下應(yīng)用高折射率的晶體材料。依照本發(fā)明的一個方面，根據(jù)本發(fā)明的成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡包括至少一個光學(xué)元件，所述光學(xué)元件包含在預(yù)定工作波長時折射率n大于1.6的立方晶體材料，并且所述成像系統(tǒng)具有圖像側(cè)的數(shù)值孔徑NA，其中在所述折射率n與成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑之間的差(n-NA)最大為0.2。本發(fā)明在此首先基于以下認(rèn)識，即固有雙折射的效應(yīng)隨著波長縮短不是線性增加，而是更確切地說首先緩慢地開始，然后隨著波長下降而劇烈地增加。相應(yīng)的工作波長越接近相關(guān)材料的吸收邊緣(在UV范圍內(nèi))，這種非線性越強烈地顯現(xiàn)出來。依照本發(fā)明，具有盡可能高的折射率的材料的潛能現(xiàn)在并沒有被充分利用，而是所述折射率被選擇得恰好如所需要的那樣高(并且不是更高)，以便即使在最大出現(xiàn)的輻射角的情況下還使投影光在幾何學(xué)上耦合穿過投影物鏡，并成像。同時，根據(jù)本發(fā)明，利用對折射率大小的適度要求，用以選擇這樣的材料(其吸收邊緣在UV中更深)，使得因此相比于在具有較高吸收邊緣的材料時的情況，固有雙折射在工作波長的范圍內(nèi)還更小低或更少地增加。在例如NA-1.5的數(shù)值孔徑的情況下，依照本發(fā)明，盡管可用在193nm的典型工作波長時透明的、具有例如n=1.87(鎂尖晶石)及更高的高折射率的材料，但有意地放棄選擇盡可能高折射的晶體材料，而是根據(jù)本發(fā)明寧可搜尋和發(fā)現(xiàn)以下材料，即在所述材料的情況下，折射率n與成像系統(tǒng)的(位于更深處的)圖像側(cè)數(shù)值孔徑之間隔更小，但是恰好仍足以也在最大出現(xiàn)的輻射角的情況下還使投影光耦合穿過成像系統(tǒng)或著成像。依照另一方面，成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡包括至少一個光學(xué)元件，所述光學(xué)元件包含在預(yù)定工作波長時具有折射率n的立方晶體材料，并且所述成像系統(tǒng)具有至少為1.50的圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA，其中在所述折射率n與成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA之間的差(n-NA)最大為0.2。依照另一方面，成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡包括至少一個包含立方晶體材料的光學(xué)元件，所述立方晶體材料在預(yù)定工作波長時具有折射率n并且具有平的光出射面，并且所述成像系統(tǒng)具有小于折射率n的圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA，其中在所述折射率n與成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA之間的差(n-NA)最大為0.2。優(yōu)選地，在光學(xué)元件的折射率n與成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA之間的差(n-NA)處于0.05至0.20的范圍內(nèi)、優(yōu)選處于0.05至0.15的范圍內(nèi)、并且特別優(yōu)選地處于0.05至0.10的范圍內(nèi)。在此，通過如上述的折射率上限來實現(xiàn)對固有雙折射的限制，而通過折射率下限來實現(xiàn)對投影物鏡的總透鏡容積(Gesamtlinsenvolumen)的限制。由根據(jù)本發(fā)明應(yīng)用的材料優(yōu)選要滿足的其他準(zhǔn)則是相對于空氣濕度和UV光的足夠的穩(wěn)定性、高的硬度、和好的光學(xué)可加工性、以及盡可能無毒的組成部分。在一種優(yōu)選的實施方案中，所述立方晶體材料具有氧化物，對此在較高折射率的情況下獲得了足夠的透射。在一種優(yōu)選的實施方案中，所述立方晶體材料具有藍(lán)寶石(A1203)和氧化鉀或氧化鉤。特別地，所述立方晶體材料優(yōu)選地具有從組中選出的至少一種材料，所述組包含7A120312CaO、A1203K20、A12033CaO、A1203Si02KO、A1203Si022K和A12033Ca06H20。在此，藍(lán)寶石(A1203)的分量在同時提高折射率的情況下導(dǎo)致擴寬帶隙(Bandlticke)或者推移UV范圍內(nèi)的吸收邊緣，使得折射率下降的其他組成部分補充所述混合晶體，這導(dǎo)致固有雙折射的上述減小。在另一優(yōu)選的實施方案中，所述立方晶體材料具有鈣、鈉和氧化硅。特別地，所述立方晶體材料優(yōu)選地具有包含CaNa2SK)4和CaNa4Si309的組中的至少一種材料。在另一優(yōu)選的實施方案中，所述立方晶體材料具有包含Sr(N03)2、MgONa2O.Si02和Ca(N03)2的組中的至少一種材料。所述光學(xué)元件優(yōu)選地是所述成像系統(tǒng)的圖像側(cè)最后的折射透鏡。依照一種優(yōu)選的實施形式，所述光學(xué)元件由帶有折射力的第一分元件和基本上無折射力的第二分元件組成。優(yōu)選地，在此所述第一分元件是基本上平凸的透鏡，而所述第二分元件是平面平行板。所述光學(xué)元件的這種結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點，即特別有效地校正球面像差，所述球面像差典型地在高孔徑的情況下是對成像誤差的要克服的最大份額。在所述光學(xué)元件區(qū)域內(nèi)的遠(yuǎn)心光程的情況下，特別地可以通過平面平行的分元件以有利的方式來實現(xiàn)對球面像差的在圖像場上均勻的校正。相比于帶有折射力的第一分元件(也就是特別是平凸的透鏡)，在基本上無折射力的第二分元件中，在由相同晶體切片的相對旋轉(zhuǎn)的部分區(qū)域構(gòu)造的情況下，對于相應(yīng)的部分區(qū)域分別出現(xiàn)基本上相同的補償路徑，使得就這點而言在"定時方案"的路徑中可以有效地校正固有雙折射。因此，有利的是，在基本上無折射力的第二分元件中設(shè)置比第一區(qū)域中的材料具有更大折射率的第二材料，其中該較大折射率特別地也可以超然于與數(shù)值孔徑的上述間隔。因此，在一種優(yōu)選的實施形式中，從4美尖晶石(MgAl204)、釔鋁石榴石(Y3A15012)、MgO和鈧鋁石榴石(Sc3Al5012)的組中選出第二材料。為了補償固有雙折射(為了實現(xiàn)所述定時方案)，第二分元件具有元件軸和至少兩個部分區(qū)域，所述部分區(qū)域具有相同的晶體切片并且以繞元件軸相對旋轉(zhuǎn)的方式布置。在一種實施方案中，第一部分區(qū)域和笫二部分區(qū)域分別具有(111)晶體切片，并且以繞元件軸相對旋轉(zhuǎn)60。+k*120°(k=0，l，2，...)的方式布置。在另一實施方案中，第一部分區(qū)域和第二部分區(qū)域分別具有(100)晶體切片，并且以繞元件軸相對旋轉(zhuǎn)45。+1*90°(1=0，1，2，...)的方式布置。在另一實施方案中，第二分元件具有元件軸和至少四個部分區(qū)域，其中第一部分區(qū)域和第二部分區(qū)域分別具有(111)晶體切片而且以繞元件軸相對旋轉(zhuǎn)60。+k*120°(k=0，l，2，...)的方式布置，并且其中第三部分區(qū)域和笫四部分區(qū)域分別具有(100)晶體切片，并且以繞元件軸相對旋轉(zhuǎn)45。+1*90°(1=0,1,2，...)的方式布置。此外，本發(fā)明涉及一種顯微光刻投影曝光設(shè)備、一種用于制造顯微光刻器件的方法和一種微結(jié)構(gòu)化器件。此外，本發(fā)明也涉及用于制造顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡中的光學(xué)元件的、作為原材料的材料的應(yīng)用，其中所述材料從以下組中選出，所述組包含7AI203.12CaO、A1203K20、Al2033CaO、A1203Si02KO、A1203Si022K、A12033Ca06H20、CaNa2Si04、CaNa4Si309、Sr(N03)2、MgONa2OSi02和Ca(N03)2。本發(fā)明的其他擴展可以從說明書以及從屬權(quán)利要求中得出。下面根據(jù)附圖中所示的實施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明。圖1示出了用于說明優(yōu)選實施形式中根據(jù)本發(fā)明的成像系統(tǒng)內(nèi)的光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的示意圖；并且圖2示出了顯微光刻投影啄光設(shè)備的原理性結(jié)構(gòu)的示意圖，所述顯微光刻投影啄光設(shè)備可以具有根據(jù)本發(fā)明的投影物鏡。具體實施方式圖1僅示意地示出根據(jù)本發(fā)明的成像系統(tǒng)中的光學(xué)元件100的結(jié)構(gòu)。所述光學(xué)元件100優(yōu)選地特別是顯微光刻投影物鏡中的圖像側(cè)的最后的透鏡，所述投影物鏡的基本結(jié)構(gòu)還將參考圖2加以說明。依照圖1，所述光學(xué)元件100由平凸透鏡形式的笫一分元件10和平面平行板形式的第二分元件20構(gòu)成，其中第二分元件20的光入射面以直接鄰接第一分元件10的光出射面的方式布置，并且優(yōu)選地在所述光出射面上打開(aufgesprengt)。同樣在圖1中示意示出了第二分元件20的結(jié)構(gòu)，所說第二分元件20由平面平行板20、22、23和24形式的總共四個部分區(qū)域組成。在此，第一部分板21和第二部分板22分別具有(111)晶體切片，并且以繞元件軸(在圖1中與光軸OA—致)相對旋轉(zhuǎn)60°(或者一般地60°+k*120。，k=0，l，2，...)的方式布置。第三部分板"和第四部分板24分別具有(100)晶體切片，并且以繞元件軸相對旋轉(zhuǎn)45°(或一般地45°+1*90°，1=0，1，2，...)的方式布置。在另一實施方案中，第二分元件20總共具有兩個部分區(qū)域，所述部分區(qū)域具有相同的晶體切片并以繞元件軸相對旋轉(zhuǎn)的方式布置。例如這些部分區(qū)域可以分別具有(100)晶體切片并以繞元件軸相對旋轉(zhuǎn)45°+1*90°(1=0,1,2，...)的方式布置，或者所述部分區(qū)域可以分別具有(111)晶體切片，并且以繞元件軸相對旋轉(zhuǎn)60。+k*120°(k=0，l，2，...)的方式布置。第一分元件10由具有這種折射率的立方晶體材料制成，所述折射率根據(jù)成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA如此來選擇，使得該折射率n與成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA之間的差(n-NA)最大為0.2。如果基于投影物鏡的示范性數(shù)值孔徑NA-1.5,則因此第一分元件的立方晶體材料的折射率n最大為n=1.7。下面的表1給出了關(guān)于依照本發(fā)明特別適當(dāng)?shù)牟牧系牧斜?。在此，在?列中分別說明了在波長X=589nm時屬于晶體材料的折射率nd;在此要指明，在入-193nm的常見工作波長時折射率典型地約大0.1。表1:<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>依照圖2,投影爆光設(shè)備200具有照明裝置201和投影物鏡202。投影物鏡202包括帶有孔徑光闌AP的透鏡裝置203,其中通過僅示意說明的透鏡裝置203來定義光軸OA。在照明裝置201與投影物鏡202之間布置有掩模204，所述掩模204借助于掩模支架205被保持在光程中。用于顯微光刻中的這種掩模204具有微米至納米范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)借助于投影物鏡202例如以縮小4或5倍的方式被成像到圖像面IP上。在圖像面IP中保持有由襯底支架207所定位的光敏襯底206或晶片。仍可分辨的最小結(jié)構(gòu)依賴于為照明所采用的光的波長入以及投影物鏡202的圖像側(cè)數(shù)值孔徑，其中投影曝光設(shè)備200的最大可達(dá)分辨率隨著照明裝置201的波長入的減少、并且隨著投影物鏡202的圖像側(cè)數(shù)值孔徑的增加而增加。所述投影物鏡202被設(shè)計為依照本發(fā)明的成像系統(tǒng)。在圖2中僅僅示意地用虛線指明了本發(fā)明光學(xué)元件100的可能的大概位置，其中所述光學(xué)元件在這里依照一種優(yōu)選的實施形式是投影物鏡202的圖像側(cè)的最后的光學(xué)元件，并且因此被布置在較高的孔徑角的范圍內(nèi)。所述光學(xué)元件具有根據(jù)圖1所闡明的結(jié)構(gòu)，并因此依照上面描述的實施形式特別是由平凸透鏡形式的第一分元件10和平面平行板形式的第二分元件20構(gòu)成。如果本發(fā)明也根據(jù)特定的實施形式予以說明，則對于技術(shù)人員來說推斷出各種變型和可替代的實施形式，例如通過組合和/或交換單個實施形式的特征。據(jù)此，對于技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，這類變型和可替代實施形式一起被包括在本發(fā)明內(nèi)，并且本發(fā)明的作用范圍僅按照所附的權(quán)利要求及其等價物中來限制。權(quán)利要求1.成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡，具有·至少一個光學(xué)元件(100)，所述光學(xué)元件(100)具有立方晶體材料，所述立方晶體材料在預(yù)定的工作波長的情況下具有大于1.6的折射率n；·和圖像側(cè)的數(shù)值孔徑，所述數(shù)值孔徑小于所述折射率n；·其中在所述折射率n與所述成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA之間的差(n-NA)最大為0.2。2.成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡，具有-至少一個光學(xué)元件(100)，所述光學(xué)元件(100)具有立方晶體材料，所述立方晶體材料在預(yù)定的工作波長的情況下具有折射率n;和圖像側(cè)的至少為1.50的數(shù)值孔徑；-其中在所述折射率n與所述成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA之間的差(n-NA)最大為0.2。3.成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻投影曝光設(shè)備的投影物鏡，具有至少一個光學(xué)元件(100)，所述光學(xué)元件(100)具有立方晶體材料，所述立方晶體材料在預(yù)定的工作波長的情況下具有折射率n并且具有平的光出射面；-和圖像側(cè)的數(shù)值孔徑，所述數(shù)值孔徑小于所述折射率n;-其中在所述折射率n與所述成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA之間的差(n-NA)最大為0.2。4.按照權(quán)利要求1至3之一的成像系統(tǒng)，其特征在于，在所述折射率n與所述數(shù)值孔徑NA之間的差(n-NA)位于0.05至0.20的范圍內(nèi)，優(yōu)選地位于0.05至0.15的范圍內(nèi)，并且特別優(yōu)選地位于0.05至0.10的范圍內(nèi)。5.按照上述權(quán)利要求之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述立方晶體材料具有氧化物。6.按照權(quán)利要求5所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述立方晶體材料具有藍(lán)寶石(A1203)和氧化鉀或氧化鈣。7.按照上述權(quán)利要求之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述立方晶體材料具有從以下組中選出的至少一種材料，所述組包含7A120312CaO、A1203K20、A12033CaO、A1203Si02KO、A1203Si022K和A12033Ca06H20。8.按照上述權(quán)利要求之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述立方晶體材料具有釣、鈉和氧化硅。9.按照上述權(quán)利要求之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述立方晶體材料具有從包含CaNa2Si04和CaNa4Si309的組中選出的至少一種材料。10.按照上述權(quán)利要求之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述立方晶體材料具有從包含Sr(N03)2、MgONa2O.Si02和Ca(N03)2的組中選出的至少一種材料。11.按照上述權(quán)利要求之一的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)元件(100)是所述成像系統(tǒng)的圖像側(cè)的最后的折射透鏡。12.按照上述權(quán)利要求之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)元件(100)由帶有折射力的第一分元件(10)和基本上無折射力的第二分元件(20)組成。13.按照權(quán)利要求12所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第一分元件(10)是基本上平凸的透鏡。14.按照權(quán)利要求12或13所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第二分元件(20)是平面平行板。15.按照權(quán)利要求12至14之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述立方晶體材料被設(shè)置在所述第一分元件(10)中，其中在基本上無折射力的第二分元件(20)中設(shè)置第二材料，所述第二材料與第一分元件(10)中的材料相比具有較大的折射率。16.按照權(quán)利要求15所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第二材料從包含鎂尖晶石(MgAl204)、釔鋁石榴石(Y3A15012)、氧化鎂(MgO)和鈧鋁石榴石(Sc3Al5012)的組中選出。17.按照權(quán)利要求12至16之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第二分元件(20)具有元件軸和至少兩個部分區(qū)域(21,22)，所述部分區(qū)域(21，22)具有相同的晶體切片并且以繞所述元件軸相對旋轉(zhuǎn)的方式來布置。18.按照權(quán)利要求17所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第一部分區(qū)域(21)和第二部分區(qū)域(22)分別具有(111)晶體切片并且以繞所述元件軸相對旋轉(zhuǎn)60。+k*120°(k=0，l，2，...)的方式布置。19.按照權(quán)利要求17所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第一部分區(qū)域和第二部分區(qū)域分別具有(100)晶體切片并且以繞所述元件軸相對旋轉(zhuǎn)45。+1*90°(1=0,1,2，...)的方式布置。20.按照權(quán)利要求12至19之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第二分元件具有元件軸和至少四個部分區(qū)域(21-24),其中第一部分區(qū)域(21)和第二部分區(qū)域(22)分別具有(111)晶體切片并且以繞所述元件軸相對旋轉(zhuǎn)60。+k*120°(k=0，l，2，...)的方式布置，并且其中第三部分區(qū)域(23)和第四部分區(qū)域(24)分別具有(100)晶體切片并且以繞所述元件軸相對旋轉(zhuǎn)45。+1*90°(1=0,1,2,...)的方式布置。21.按照上述權(quán)利要求之一所述的成像系統(tǒng)，其特征在于，所述工作波長小于250nm、優(yōu)選地小于200nm、并且還更優(yōu)選地小于160nm。22.具有投影物鏡的顯微光刻投影曝光設(shè)備，所述投影物鏡是按照上述權(quán)利要求之一所述的成像系統(tǒng)。23.用于以顯微光刻方式制造微結(jié)構(gòu)化器件的方法，具有以下步驟.提供襯底(206),在所述襯底(206)上至少部分地涂覆由光敏材料組成的層；提供掩模(204)，所述掩模(204)具有要成像的結(jié)構(gòu)；提供按照權(quán)利要求22所述的投影曝光設(shè)備(200);-借助于所述投影啄光設(shè)備(200)將所述掩模(204)的至少一部分投影到所述層的區(qū)域上。24.微結(jié)構(gòu)化器件，所述微結(jié)構(gòu)化器件按照根據(jù)權(quán)利要求23的方法來制造。25.用于制造顯微光刻投影曝光設(shè)備(200)的投影物鏡中的光學(xué)元件的、作為原材料的材料的應(yīng)用，其中所述材料從包含7A120312CaO、Al203K20、A12033CaO、Al203Si02KO、Al203.Si022K、A12033Ca06H20、CaNa2Si04、CaNa4Si309、Sr(N03)2、MgONa20Si02和Ca(N03)2的組中選出。全文摘要本發(fā)明涉及一種成像系統(tǒng)、特別是顯微光刻的投影曝光設(shè)備的投影物鏡，具有至少一個光學(xué)元件(100)，所述光學(xué)元件包含在預(yù)定工作波長情況下折射率n大于1.6的立方晶體材料，并且具有圖像側(cè)的小于折射率n的數(shù)值孔徑NA，其中在所述折射率n與成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑之間的差(n-NA)最大為0.2。文檔編號G02B1/00GK101243359SQ200680029609公開日2008年8月13日申請日期2006年8月4日優(yōu)先權(quán)日2005年8月10日發(fā)明者K·-H·舒斯特申請人:卡爾蔡司Smt股份公司