專利名稱：環(huán)狀體、環(huán)狀體張緊裝置和成像設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及環(huán)狀體、環(huán)狀體張緊裝置和成像設(shè)備。

背景技術(shù)：
利用成像設(shè)備的常規(guī)的電子照相法通常包括在諸如電子照相感光體等圖像保持體上形成靜電潛像、用調(diào)色劑使所述靜電潛像顯影、將由此得到的調(diào)色劑圖像以靜電方式轉(zhuǎn)印至作為環(huán)狀帶的中間轉(zhuǎn)印帶(一次轉(zhuǎn)印步驟)以及進(jìn)一步將所述調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至諸如轉(zhuǎn)印紙等轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)上以形成圖像(二次轉(zhuǎn)印步驟)。在將多種顏色不同的調(diào)色劑圖像重疊以形成全色圖像的(串聯(lián)式)成像設(shè)備中，中間轉(zhuǎn)印帶已被合適地使用，尤其是，具有導(dǎo)電性的中間轉(zhuǎn)印帶已得到廣泛應(yīng)用。
為了長(zhǎng)期穩(wěn)定地獲得良好的輸出圖像，除了諸如可撓性、耐彎折性和拉伸破壞強(qiáng)度等機(jī)械強(qiáng)度之外，諸如表面電阻率和體積電阻率等電學(xué)特性對(duì)于中間轉(zhuǎn)印帶也是重要的。
已經(jīng)公開了使用金屬制的一次轉(zhuǎn)印輥的成像設(shè)備，其中，將表面電阻率(ρs)控制為9≤ρs≤12，中間轉(zhuǎn)印帶的內(nèi)表面的粗糙度和一次轉(zhuǎn)印輥的表面粗糙度的總和控制為1.2μm以下(例如日本特開2006-184547號(hào)公報(bào))。
此外，已經(jīng)公開了這樣的實(shí)例其中，帶的上層的厚度設(shè)定為5μm～50μm，下層(基層)的厚度設(shè)定為50μm～200μm，上層的表面電阻率(ρs)與下層的表面電阻率(ρs)的比率設(shè)定為1000以上，上層的表面電阻率設(shè)定為13.0LogΩ/□以上，由此改善具有雙層結(jié)構(gòu)的中間轉(zhuǎn)印帶的轉(zhuǎn)印性(例如日本特開2005-91789號(hào)公報(bào))。
此外，已經(jīng)公開了這樣的實(shí)例其中，在具有雙層結(jié)構(gòu)的中間轉(zhuǎn)印帶中，當(dāng)該帶的上層的體積電阻率(ρv)被控制為高于下層的體積電阻率(ρv)時(shí)，能夠抑制調(diào)色劑飛散(例如日本特開平11-45010號(hào)公報(bào))。


發(fā)明內(nèi)容
不過，在使用上述環(huán)狀體(中間轉(zhuǎn)印帶)的成像設(shè)備中，存在在輸出圖像上產(chǎn)生缺失調(diào)色劑圖像的區(qū)域(微小白點(diǎn))的問題。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，從與一次轉(zhuǎn)印裝置中的環(huán)狀體的內(nèi)表面?zhèn)冉佑|的一次轉(zhuǎn)印部件和從與二次轉(zhuǎn)印裝置中的環(huán)狀體的內(nèi)表面?zhèn)冉佑|的二次轉(zhuǎn)印部件流出而進(jìn)入環(huán)狀體的電子可能會(huì)導(dǎo)致微小白點(diǎn)現(xiàn)象。更具體而言，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)流入環(huán)狀體的電子流經(jīng)環(huán)狀體的內(nèi)部并到達(dá)其外周面時(shí)，于是正電荷與電子在環(huán)狀體的外周面發(fā)生配對(duì)湮滅，并形成從環(huán)狀體的內(nèi)表面?zhèn)戎疗渫獗砻鎮(zhèn)鹊姆烹婋娏魍ǖ?。結(jié)果，放電電流增大，產(chǎn)生微小白點(diǎn)。
此外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于放電電流增大而產(chǎn)生的微小白點(diǎn)隨著例如高處理速度等造成的輸入電壓的增大而變得更為顯著。
本發(fā)明提供一種環(huán)狀體，利用該環(huán)狀體能夠抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，從而能夠獲得良好的輸出圖像，本發(fā)明還提供使用該環(huán)狀體的環(huán)狀體張緊裝置和成像設(shè)備。
即，本發(fā)明的第一方案是<1>一種配置在成像設(shè)備中的環(huán)狀體，所述環(huán)狀體至少包括最外周層和最內(nèi)周層，這兩層均含有炭黑，并且所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量小于所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量。
本發(fā)明的第一方案的一個(gè)實(shí)施方式是<2>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A(重量％)與所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B(重量％)的比率(A/B)為約0.78～約0.99。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<3>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A(重量％)與所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B(重量％)的比率(A/B)為約0.80～約0.97。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<4>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A(重量％)與所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B(重量％)的比率(A/B)為約0.81～約0.92。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<5>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A(重量％)與所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B(重量％)的比率(A/B)為約0.83～約0.90。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<6>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層的膜厚du(μm)與所述最內(nèi)周層的膜厚d1(μm)滿足以下不等式(1)50≤du/(du+d1)×100≤80。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<7>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A(重量％)與所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B(重量％)的比率(A/B)為約0.78～約0.99；并且所述最外周層的膜厚du(μm)與所述最內(nèi)周層的膜厚d1(μm)滿足以下不等式(1)50≤du/(du+d1)×100≤80。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<8>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層的膜厚du(μm)與所述最內(nèi)周層的膜厚dl(μm)滿足以下不等式(4)55≤du/(du+d1)×100≤78。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<9>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A(重量％)與所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B(重量％)的比率(A/B)為約0.78～約0.99；并且所述最外周層的膜厚du(μm)與所述最內(nèi)周層的膜厚d1(μm)滿足以下不等式(4)55≤du/(du+d1)×100≤78。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<10>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層的膜厚du(μm)與所述最內(nèi)周層的膜厚d1(μm)滿足以下不等式(5)60≤du/(du+d1)×100≤76。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<11>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A(重量％)與所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B(重量％)的比率(A/B)為約0.78～約0.99；并且所述最外周層的膜厚du(μm)與所述最內(nèi)周層的膜厚d1(μm)滿足以下不等式(5)60≤du/(du+d1)×100≤76。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<12>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層的膜厚du(μm)與所述最內(nèi)周層的膜厚d1(μm)滿足以下不等式(6)63≤du/(du+d1)×100≤73。
本發(fā)明的第一方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<13>如<1>所述的環(huán)狀體，其中，所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A(重量％)與所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B(重量％)的比率(A/B)為約0.78～約0.99；并且所述最外周層的膜厚du(μm)與所述最內(nèi)周層的膜厚d1(μm)滿足以下不等式(6)63≤du/(du+d1)×100≤73。
本發(fā)明的第二方案是<14>一種環(huán)狀體張緊裝置，所述裝置包括<1>～<13>中任一項(xiàng)所述的環(huán)狀體和多個(gè)在所述環(huán)狀體的內(nèi)表面以可旋轉(zhuǎn)的方式張緊所述環(huán)狀體的環(huán)狀體張緊單元。
本發(fā)明的第三方案是<15>一種成像設(shè)備，所述成像設(shè)備包括 圖像保持體； 充電裝置，該充電裝置用于使所述圖像保持體帶電； 曝光裝置，該曝光裝置用于在通過所述充電裝置而帶電的所述圖像保持體上形成靜電潛像； 顯影裝置，該顯影裝置用于將所述靜電潛像顯影為調(diào)色劑圖像； 一次轉(zhuǎn)印裝置，該一次轉(zhuǎn)印裝置用于將所述調(diào)色劑圖像從所述圖像保持體轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶； 二次轉(zhuǎn)印裝置，該二次轉(zhuǎn)印裝置用于將所述調(diào)色劑圖像從所述中間轉(zhuǎn)印帶轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)；和 定影裝置，該定影裝置用于將轉(zhuǎn)印的所述調(diào)色劑圖像定影在所述轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)上，并且 所述中間轉(zhuǎn)印帶是<1>～<13>中任一項(xiàng)所述的環(huán)狀體。
本發(fā)明的第三方案的一個(gè)實(shí)施方式是<16>如<15>所述的成像設(shè)備，其中，在所述一次轉(zhuǎn)印裝置中，一次轉(zhuǎn)印部件的與所述中間轉(zhuǎn)印帶的內(nèi)表面接觸的表面由金屬制成。
本發(fā)明的第三方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<17>如<15>所述的成像設(shè)備，其中，在所述二次轉(zhuǎn)印裝置中，二次轉(zhuǎn)印部件的與所述中間轉(zhuǎn)印帶的內(nèi)表面接觸的表面由金屬制成。
本發(fā)明的第三方案的另一個(gè)實(shí)施方式是<18>如<15>所述的成像設(shè)備，其中，二次轉(zhuǎn)印部件和一次轉(zhuǎn)印部件各自與所述中間轉(zhuǎn)印帶的內(nèi)表面接觸的表面分別由金屬制成。
根據(jù)<1>的發(fā)明，與不考慮環(huán)狀體的炭黑含量的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<2>的發(fā)明，與不考慮最外周層中含有的炭黑的含量與最內(nèi)周層中含有的炭黑的含量的比率的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<3>的發(fā)明，與不考慮最外周層中含有的炭黑的含量與最內(nèi)周層中含有的炭黑的含量的比率的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<4>的發(fā)明，與不考慮最外周層中含有的炭黑的含量與最內(nèi)周層中含有的炭黑的含量的比率的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<5>的發(fā)明，與不考慮最外周層中含有的炭黑的含量與最內(nèi)周層中含有的炭黑的含量的比率的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<6>的發(fā)明，與不考慮最外周層的膜厚與最內(nèi)周層的膜厚的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)和HT(半色調(diào))不均勻的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<7>的發(fā)明，與不考慮最外周層中含有的炭黑的含量與最內(nèi)周層中含有的炭黑的含量的比率和最外周層的膜厚與最內(nèi)周層的膜厚的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)和HT不均勻的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<8>的發(fā)明，與不考慮最外周層的膜厚與最內(nèi)周層的膜厚的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)和HT不均勻的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<9>的發(fā)明，與不考慮最外周層中含有的炭黑的含量與最內(nèi)周層中含有的炭黑的含量的比率和最外周層的膜厚與最內(nèi)周層的膜厚的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)和HT不均勻的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<10>的發(fā)明，與不考慮最外周層的膜厚與最內(nèi)周層的膜厚的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)和HT不均勻的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<11>的發(fā)明，與不考慮最外周層中含有的炭黑的含量與最內(nèi)周層中含有的炭黑的含量的比率和最外周層的膜厚與最內(nèi)周層的膜厚的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)和HT不均勻的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<12>的發(fā)明，與不考慮最外周層的膜厚與最內(nèi)周層的膜厚的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)和HT不均勻的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<13>的發(fā)明，與不考慮最外周層中含有的炭黑的含量與最內(nèi)周層中含有的炭黑的含量的比率和最外周層的膜厚與最內(nèi)周層的膜厚的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)和HT不均勻的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<14>的發(fā)明，與不提供本實(shí)施方式的構(gòu)成的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<15>的發(fā)明，與不提供本實(shí)施方式的構(gòu)成的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<16>的發(fā)明，與在采用常規(guī)成像設(shè)備的系統(tǒng)中傾向于容易在輸出圖像上產(chǎn)生微小白點(diǎn)的圖像缺陷的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<17>的發(fā)明，與在采用常規(guī)成像設(shè)備的系統(tǒng)中傾向于容易在輸出圖像上產(chǎn)生微小白點(diǎn)的圖像缺陷的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。
根據(jù)<18>的發(fā)明，與在采用常規(guī)成像設(shè)備的系統(tǒng)中傾向于容易在輸出圖像上產(chǎn)生微小白點(diǎn)的圖像缺陷的情況相比，可以抑制輸出圖像上微小白點(diǎn)的圖像缺陷的發(fā)生，并獲得良好的輸出圖像。



將基于下列附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明，其中 圖1是描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成像設(shè)備的一個(gè)例子的示意性截面圖； 圖2是描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的在用于形成中間轉(zhuǎn)印帶的圓筒成形管的最內(nèi)周層的表面進(jìn)行涂布的涂布裝置的一個(gè)例子的示意性截面圖； 圖3是描述現(xiàn)有技術(shù)的圖像保持體和一次轉(zhuǎn)印輥之間的位置關(guān)系的一個(gè)例子的示意圖； 圖4是描述本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式中的圖像保持體和一次轉(zhuǎn)印輥之間的位置關(guān)系的優(yōu)選例的示意圖； 圖5是描述用于測(cè)定本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式中的中間轉(zhuǎn)印帶的表面電阻率的表面電阻率測(cè)定裝置的一個(gè)例子的示意圖； 圖6是描述用于測(cè)定本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式中的中間轉(zhuǎn)印帶的體積電阻率的體積電阻率測(cè)定裝置的一個(gè)例子的示意圖；和 圖7是用于測(cè)定本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式中的中間轉(zhuǎn)印帶的表面電阻率和體積電阻率的表面電阻率測(cè)定裝置和體積電阻率測(cè)定裝置中所用電極的平面示意圖。

具體實(shí)施例方式 下面，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明優(yōu)選的示例性實(shí)施方式。
圖1是顯示涉及本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式的成像設(shè)備的構(gòu)成的示意圖。涉及該示例性實(shí)施方式的成像設(shè)備100是所謂的串聯(lián)式設(shè)備。在均由電子照相感光體構(gòu)成的四個(gè)圖像保持體101a至101d的周圍，沿著該設(shè)備的旋轉(zhuǎn)方向依次配置充電裝置102a至102d、曝光裝置114a至114d、顯影裝置103a至103d、一次轉(zhuǎn)印裝置(一次轉(zhuǎn)印輥)105a至105d以及圖像保持體清潔裝置104a至104d。所述成像設(shè)備還可以配置用于除去在轉(zhuǎn)印后殘留在圖像保持體101a至101d的表面上的殘余電勢(shì)的除電器。
中間轉(zhuǎn)印帶107是本發(fā)明的環(huán)狀體的一個(gè)示例性實(shí)施方式，其在用作環(huán)狀體張緊單元的張緊輥106a至106d、驅(qū)動(dòng)輥111和支撐輥108上張緊，從而形成環(huán)狀體張緊裝置(帶張緊裝置)107b。由于張緊輥106a至106d、驅(qū)動(dòng)輥111和支撐輥108的緣故，中間轉(zhuǎn)印帶107可以按箭頭A所示的方向在各圖像保持體101a至101d和一次轉(zhuǎn)印輥105a至105d之間移動(dòng)，同時(shí)與各圖像保持體101a至101d的表面接觸。一次轉(zhuǎn)印輥105a至105d的隔著中間轉(zhuǎn)印帶107與圖像保持體101a至101d接觸的部位是一次轉(zhuǎn)印部。將一次轉(zhuǎn)印電壓施加至圖像保持體101a至101d和一次轉(zhuǎn)印輥105a至105d的接觸部。
作為二次轉(zhuǎn)印裝置，支撐輥108和二次轉(zhuǎn)印輥109隔著中間轉(zhuǎn)印帶107和二次轉(zhuǎn)印帶116相對(duì)配置。諸如紙等轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)115按箭頭B的方向通過中間轉(zhuǎn)印帶107和二次轉(zhuǎn)印輥109之間，同時(shí)與中間轉(zhuǎn)印帶107的表面接觸，之后，通過定影裝置110。二次轉(zhuǎn)印輥109的隔著中間轉(zhuǎn)印帶107及二次轉(zhuǎn)印帶116與支撐輥108接觸的部位是二次轉(zhuǎn)印部。將二次轉(zhuǎn)印電壓施加至二次轉(zhuǎn)印輥109和支撐輥108的接觸部。此外，配置中間轉(zhuǎn)印帶清潔裝置112和113以接觸轉(zhuǎn)印后的中間轉(zhuǎn)印帶107。
在全色成像設(shè)備100中，隨著圖像保持體101a按箭頭C的方向旋轉(zhuǎn)，圖像保持體101a的表面被充電裝置102a均勻充電。之后，通過使用諸如激光等曝光裝置114a在圖像保持體101a的表面形成第一色的靜電潛像。利用容納對(duì)應(yīng)于第一色的調(diào)色劑的顯影裝置103a以調(diào)色劑使所形成的靜電潛像顯影(可視化)，從而形成具有第一色的調(diào)色劑圖像。每一個(gè)顯影裝置103a至103d容納有對(duì)應(yīng)于每一種顏色(如黃色、品紅色、青色或黑色)的靜電潛像的調(diào)色劑。
圖像保持體101a上形成的調(diào)色劑圖像在通過一次轉(zhuǎn)印部時(shí)，利用一次轉(zhuǎn)印輥105a以靜電方式將其轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶107上(一次轉(zhuǎn)印)。之后，在保持有第一色的調(diào)色劑圖像的中間轉(zhuǎn)印帶107上，使用一次轉(zhuǎn)印輥105b至105d依次地對(duì)第二色的調(diào)色劑圖像、第三色的調(diào)色劑圖像和第四色的調(diào)色劑圖像進(jìn)行一次轉(zhuǎn)印以進(jìn)行疊加，從而最終得到全色的多重調(diào)色劑圖像。
形成于中間轉(zhuǎn)印帶107上的多重調(diào)色劑圖像通過二次轉(zhuǎn)印部時(shí)，以靜電方式將其整體轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)115上。將其上轉(zhuǎn)印有多重調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)115傳送至定影裝置110以在加熱和/或壓力下對(duì)多重調(diào)色劑圖像進(jìn)行定影，隨后將轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)115排出至成像設(shè)備100之外。
通過使用圖像保持體清潔裝置104a至104d，從一次轉(zhuǎn)印后的圖像保持體101a至101d上除去殘留調(diào)色劑。另一方面，通過使用中間轉(zhuǎn)印帶清潔裝置112和113從二次轉(zhuǎn)印后的中間轉(zhuǎn)印帶107上除去殘留調(diào)色劑。由此，成像設(shè)備100為下一次成像過程做好準(zhǔn)備。
中間轉(zhuǎn)印帶 中間轉(zhuǎn)印帶中的炭黑含量 在示例性實(shí)施方式中，中間轉(zhuǎn)印帶107至少具有最外周層和最內(nèi)周層這兩層。所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量小于所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量。
當(dāng)控制所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量以使其小于所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量時(shí)，可以抑制微小白點(diǎn)在輸出圖像上的出現(xiàn)。也就是說，在一次轉(zhuǎn)印裝置中與中間轉(zhuǎn)印帶107的內(nèi)表面?zhèn)冉佑|的一次轉(zhuǎn)印部件(即一次轉(zhuǎn)印輥105a至105d)和在二次轉(zhuǎn)印裝置中與中間轉(zhuǎn)印帶107的內(nèi)表面?zhèn)冉佑|的二次轉(zhuǎn)印部件(即支撐輥108)中，電子流入中間轉(zhuǎn)印帶107中。流入的電子到達(dá)中間轉(zhuǎn)印帶107的外周表面。可以預(yù)計(jì)，在本發(fā)明示例性實(shí)施方式中，由于具有上述構(gòu)成而可以控制電子的量，因此抑制了放電電流的增大，并由此抑制微小白點(diǎn)的發(fā)生。
盡管其機(jī)制仍不清楚，不過推測(cè)原因如下。也就是說，根據(jù)最外周層中炭黑的分散狀態(tài)與最內(nèi)周層中炭黑的分散狀態(tài)之間的差異，中間轉(zhuǎn)印帶內(nèi)表面?zhèn)鹊碾姾傻囊苿?dòng)發(fā)生變化。此外，由于最外周層中炭黑的含量較少，其中的電荷移動(dòng)變得較慢，導(dǎo)致外周表面的放電影響較小，因此，可推測(cè)抑制了放電電流的增大。
考慮到更有效地抑制微小白點(diǎn)的發(fā)生時(shí)，所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A(重量％)與所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B(重量％)的比率(A/B)優(yōu)選為約0.78～約0.99，更優(yōu)選為約0.80～約0.97，進(jìn)而更優(yōu)選為約0.81～約0.92，特別優(yōu)選為約0.83～約0.90。
當(dāng)比率(A/B)設(shè)定為約0.78以上時(shí)，當(dāng)調(diào)色劑在一次轉(zhuǎn)印過程和二次轉(zhuǎn)印過程中被轉(zhuǎn)印時(shí)，由于轉(zhuǎn)印電場(chǎng)的干擾導(dǎo)致調(diào)色劑沒有轉(zhuǎn)印到預(yù)定位置而飛散到周邊所造成的粒狀性的惡化可以得到良好的抑制。另一方面，當(dāng)比率(A/B)設(shè)定為約0.99以下時(shí)，因?yàn)樵谝淮无D(zhuǎn)印和二次轉(zhuǎn)印時(shí)可以充分控制因轉(zhuǎn)印電壓所致而到達(dá)中間轉(zhuǎn)印帶107的外周表面的電子的量，因此可抑制微小白點(diǎn)的發(fā)生。
中間轉(zhuǎn)印帶的最外周層和最內(nèi)周層的膜厚 此外，在示例性實(shí)施方式中，中間轉(zhuǎn)印帶107滿足以下不等式(1)。
50≤du/(du+d1)×100≤80 不等式(1) 不等式(1)中，du表示最外周層的膜厚(μm)，d1表示最內(nèi)周層的膜厚(μm)。
此處，在二次轉(zhuǎn)印時(shí)，來自與中間轉(zhuǎn)印帶107的內(nèi)表面?zhèn)冉佑|的二次轉(zhuǎn)印部件(也就是支撐輥108)的電子注入到最外周層。當(dāng)如同本示例性實(shí)施方式中那樣最外周層中炭黑的含量較少時(shí)，電子局部蓄積于中間轉(zhuǎn)印帶107的最外周層中而產(chǎn)生局部電場(chǎng)。當(dāng)局部電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度超過閾值時(shí)，電荷一舉流入中間轉(zhuǎn)印帶107的外周面，導(dǎo)致在中間轉(zhuǎn)印帶107和二次轉(zhuǎn)印輥109之間的空間發(fā)生放電。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于放電區(qū)域中的調(diào)色劑帶有相反極性的電而不能轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)，可能導(dǎo)致在輸出圖像上產(chǎn)生無調(diào)色劑圖像的區(qū)域(HT不均勻)。
滿足不等式(1)時(shí)，可以抑制HT不均勻的產(chǎn)生。也就是說，當(dāng)所述最外周層的膜厚du與所述最內(nèi)周層的膜厚d1的比率控制在du/(du+d1)×100≤80的范圍內(nèi)時(shí)，可以抑制蓄積在最外周層內(nèi)部的電子的量，可以抑制一舉流入中間轉(zhuǎn)印帶107的外周面的電子的量，并由此可以抑制HT不均勻的發(fā)生。
此外，滿足不等式(1)時(shí)，可以抑制微小白點(diǎn)的發(fā)生。也就是說，當(dāng)所述最外周層的膜厚du與所述最內(nèi)周層的膜厚d1的比率控制為50≤du/(du+d1)×100時(shí)，流入中間轉(zhuǎn)印帶107后到達(dá)中間轉(zhuǎn)印帶107的外周面的電子的量可以得到控制，可以抑制放電電流的增加，因此可抑制微小白點(diǎn)的發(fā)生。
此外，滿足不等式(1)時(shí)，在一次轉(zhuǎn)印和二次轉(zhuǎn)印時(shí)可形成為轉(zhuǎn)印間隙(transfer gap)所必需的充足的轉(zhuǎn)印電場(chǎng)，從而可抑制因轉(zhuǎn)印電場(chǎng)不足所導(dǎo)致的轉(zhuǎn)印不良(濃度降低)，由此可獲得良好的輸出圖像。
所述最外周層的膜厚(du)與所述最內(nèi)周層的膜厚(d1)的比率更優(yōu)選滿足55≤du/(du+d1)×100≤78)(不等式(4))，進(jìn)而更優(yōu)選滿足60≤du/(du+d1)×100≤76)(不等式(5))，特別優(yōu)選滿足63≤du/(du+d1)×100≤73)(不等式(6))。
本示例性實(shí)施方式的中間轉(zhuǎn)印帶107優(yōu)選具有的總膜厚為約50μm～約130μm。當(dāng)總膜厚為約50μm以上時(shí)，可以維持足夠的機(jī)械強(qiáng)度，即使在成像設(shè)備中長(zhǎng)期使用時(shí)也可獲得更優(yōu)異的輸出圖像。另一方面，當(dāng)總膜厚為約130μm以下時(shí)，可以維持足夠的可撓性，即使在成像設(shè)備中長(zhǎng)期處于被張緊的狀態(tài)時(shí)也可以獲得更良好的輸出圖像而不會(huì)在上面形成張緊痕跡。
中間轉(zhuǎn)印帶107的材料的實(shí)例包括通過將導(dǎo)電劑溶解或分散在諸如聚碳酸酯樹脂、聚偏二氟乙烯樹脂、聚苯二甲酸亞烷基酯樹脂、聚碳酸酯/聚苯二甲酸亞烷基酯混合物或乙烯-四氟乙烯共聚物等熱塑性樹脂，或諸如聚酰亞胺或聚酰亞胺和聚酰胺的共聚物等熱固性樹脂中得到的材料。
炭黑作為導(dǎo)電劑包含在本示例性實(shí)施方式的中間轉(zhuǎn)印帶的最外周層和最內(nèi)周層中。盡管任何公知的炭黑可以用作所述炭黑，不過優(yōu)選使用具有經(jīng)氧化的表面的炭黑。
當(dāng)本示例性實(shí)施方式的中間轉(zhuǎn)印帶107具有其他中間層時(shí)，其他中間層可優(yōu)選包含炭黑作為導(dǎo)電劑。
涉及示例性實(shí)施方式的中間轉(zhuǎn)印帶107的制造方法不作具體限定。例如，中間轉(zhuǎn)印帶107可優(yōu)選通過圖2所示的旋轉(zhuǎn)涂布法使用聚酰亞胺前體溶液制造。
旋轉(zhuǎn)涂布法中，準(zhǔn)備圓筒成形管11，其外徑對(duì)應(yīng)于中間轉(zhuǎn)印帶107的長(zhǎng)度。在沿圓筒成形管11的外周表面的位置配置用于將涂布液16排出在圓筒成形管11的外周表面上的噴嘴15。噴嘴15經(jīng)管道與涂布液容器14連接。涂布液容器14經(jīng)管道與壓力裝置17連接。此外，在噴嘴15的下面，配置用于將排出的涂布液16涂平在圓筒成形管11的外周表面上的刮刀。
圓筒成形管11沿圓筒成形管的旋轉(zhuǎn)方向(箭頭D)旋轉(zhuǎn)，將涂布液(最內(nèi)周層涂布液)16從噴嘴15排出至圓筒成形管11的外周表面，使用刮刀18使排出的涂布液16涂平在圓筒成形管11的外周表面。噴嘴15和刮刀18以恒定的速度在這樣的方向(箭頭E)上移動(dòng)噴嘴15和刮刀18移動(dòng)以將涂布液16涂布于圓筒成形管11的外周表面，從而使由溶液16形成的層的厚度保持恒定。此處，使用加壓裝置17進(jìn)行控制，以使恒定量的涂布液16由噴嘴15排出。由此，在圓筒成形管11的外周表面上設(shè)置由涂布液16形成的膜。
具有所需構(gòu)成的膜可以通過在加熱干燥上述獲得的涂膜而形成最內(nèi)周層后在最內(nèi)周層上反復(fù)涂布作為最外周層涂布液的涂布液16并干燥而獲得。之后，冷卻后將具有所需構(gòu)成的膜從圓筒成形管11剝離，隨后切割為預(yù)定的寬度，由此可以得到中間轉(zhuǎn)印帶107。
當(dāng)聚酰亞胺前體用作涂布液(即，最內(nèi)周層涂布液和最外周層涂布液)16的樹脂材料時(shí)，可以將涂布液16涂布在圓筒成形管11的外周表面上以形成涂布液膜，隨后在80℃～170℃的溫度干燥所述涂布液膜以除去涂布液中的溶劑(干燥步驟)，進(jìn)而再于約250℃～約350℃的溫度加熱經(jīng)干燥的膜以使聚酰亞胺前體酰亞胺化(煅燒步驟)從而形成聚酰亞胺樹脂膜。在示例性實(shí)施方式中，具有所需構(gòu)成的膜可以通過形成最內(nèi)周層和最外周層(即，通過反復(fù)涂布和干燥)并進(jìn)一步進(jìn)行煅燒而得到。
在要得到的膜具有三層以上的構(gòu)成的情況中，可以通過反復(fù)涂布及干燥步驟得到所述膜。
涂布液16的固體物的濃度例如可以為約10重量％～約40重量％，其粘度例如可以為約1Pa·s～約100Pa·s。根據(jù)所需的中間轉(zhuǎn)印帶的表面電阻率可以在涂布液16中分散一定量的導(dǎo)電性顆粒，如炭黑。分散導(dǎo)電性顆粒的方法的實(shí)例包括使用噴磨機(jī)、輥磨機(jī)、球磨機(jī)、振動(dòng)球磨機(jī)、超微磨碎機(jī)、砂磨機(jī)、膠體磨或涂料振搖器的公知方法。
中間轉(zhuǎn)印帶107的厚度可以通過涂布液16的排出量、噴嘴15和刮刀18的移動(dòng)速度和/或涂布液16的固體物的濃度而調(diào)整?？紤]到即使反復(fù)進(jìn)行圖像輸出時(shí)也要維持尺寸精度，中間轉(zhuǎn)印帶107的厚度優(yōu)選為約50μm～約130μm。
圖像保持體 任何公知的電子照相感光體可以用作圖像保持體101a～101d。電子照相感光體的實(shí)例包括其感光層由無機(jī)材料構(gòu)成的無機(jī)感光體和其感光層由有機(jī)材料構(gòu)成的有機(jī)感光體。所述有機(jī)感光體的實(shí)例包括功能分離型有機(jī)感光體，其中層積有曝光時(shí)產(chǎn)生電荷的電荷產(chǎn)生層和輸送電荷的電荷輸送層；和單層型有機(jī)感光體，其中同一層產(chǎn)生電荷并輸送電荷。此外，無機(jī)感光體的實(shí)例包括感光層由無定形硅構(gòu)成的感光體。
圖像保持體的形狀不作具體限定。圖像保持體的形狀的實(shí)例包括諸如圓筒鼓狀、片狀或板狀等公知形狀。
充電裝置 充電裝置102a至102d不作具體限定。可以廣泛采用公知的充電裝置，例如使用導(dǎo)電性或半導(dǎo)電性輥、刷、膜或橡膠板的接觸式充電裝置；使用電暈放電的柵極電暈管(scorotron)充電裝置；或電暈管充電裝置。(此處，“導(dǎo)電性”是指體積電阻率小于約107Ω·cm，除非另作說明。此外，“半導(dǎo)電性”此處是指體積電阻率為約107Ω·cm～約1013Ω·cm，除非另作說明)。其中，接觸式充電裝置由于產(chǎn)生較少的臭氧并且可以進(jìn)行有效的充電而優(yōu)選。
充電裝置102a至102d通常將直流電流施加至圖像保持體101a至101d。充電裝置102a至102d還可以將交流電流疊加至圖像保持體101a至101d。
曝光裝置 曝光裝置114a至114d不作具體限定。任何公知的曝光裝置，如光源(諸如半導(dǎo)體激光、LED光或液晶光閘光(liquid crystal shutter light))，或者將來自光源的光通過多棱鏡以所需方式進(jìn)行成像曝光的光學(xué)設(shè)備都可以廣泛用于對(duì)圖像保持體101a至101d的表面曝光。
顯影裝置 可以根據(jù)目的選擇顯影裝置103a至103d。其實(shí)例包括通過使用刷或輥以接觸或非接觸的方式將單組分顯影劑或雙組分顯影劑提供給圖像保持體而進(jìn)行顯影的公知的顯影裝置。
用于示例性實(shí)施方式的成像設(shè)備100的調(diào)色劑(顯影劑)的構(gòu)成不作具體限定。其實(shí)例包括至少含有粘合劑樹脂和著色劑的調(diào)色劑。
粘合劑樹脂的實(shí)例包括苯乙烯、單烯烴、乙烯基酯、α-亞甲基脂肪族單羧酸酯、乙烯基醚和/或乙烯基酮的均聚物和共聚物。特別具有代表性的粘合劑樹脂的實(shí)例包括聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物、苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚乙烯和聚丙烯。其實(shí)例還包括聚酯、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、聚酰胺、改性松香和固體石蠟。
著色劑的實(shí)例包括諸如磁鐵礦或鐵氧體等磁性粉末、炭黑、苯胺藍(lán)、calcoil藍(lán)、鉻黃、群青藍(lán)、杜邦油紅、喹啉黃、氯化亞甲藍(lán)、酞菁藍(lán)、孔雀綠草酸鹽、燈黑、孟加拉玫瑰紅、C.I.顏料紅48:1、C.I.顏料紅122、C.I.顏料紅57:1、C.I.顏料黃97、C.I.顏料黃17、C.I.顏料藍(lán)15:1和C.I.顏料藍(lán)15:3。
諸如電荷控制劑、防粘劑和/或所述導(dǎo)電性顆粒之外的其他顆粒等公知添加劑也可以以內(nèi)部添加或外部添加的方式添加至調(diào)色劑中。
防粘劑的實(shí)例包括低分子量聚乙烯、低分子量聚丙烯、費(fèi)托蠟、褐煤蠟、巴西棕櫚蠟、米蠟和小燭樹蠟。
作為電荷控制劑，可以使用公知物。其實(shí)例包括偶氮金屬絡(luò)合物、金屬水楊酸鹽絡(luò)合物和含有極性基團(tuán)的樹脂型電荷控制劑。
平均一次粒徑為40μm以下的無機(jī)微?？捎米魉銎渌w粒以控制調(diào)色劑的粉末流動(dòng)性和帶電控制。此外，根據(jù)需要，可以組合使用粒徑大于所述無機(jī)微粒的粒徑的其他無機(jī)顆粒或有機(jī)顆粒以減小附著力。公知的顆?？梢杂米魉銎渌w粒。
考慮到改善無機(jī)微粒的分散性和粉末流動(dòng)性時(shí)，對(duì)所述無機(jī)微粒進(jìn)行表面處理是有效的。
從獲得較高的形狀控制性的角度考慮時(shí)，調(diào)色劑的制造方法的實(shí)例包括諸如乳化聚合凝集法或溶解懸浮法等聚合方法。此外，可以采用這樣的方法將通過這些方法中任一種得到的調(diào)色劑作為芯，使凝集顆粒附著到所述芯上，并加熱融合以使調(diào)色劑具有芯-殼結(jié)構(gòu)。
向調(diào)色劑添加外添劑的方法的實(shí)例包括通過使用Henschel混合機(jī)或V型攪拌機(jī)使調(diào)色劑與外添劑混合的方法。此外，當(dāng)使用濕法制造調(diào)色劑時(shí)，可以在濕法中向調(diào)色劑添加外添劑。
一次轉(zhuǎn)印輥 一次轉(zhuǎn)印輥105a至105d可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)一次轉(zhuǎn)印輥具有單層結(jié)構(gòu)時(shí)，一次轉(zhuǎn)印輥可通過在發(fā)泡或不發(fā)泡的硅酮橡膠、聚氨酯橡膠或EPDM(三元乙丙橡膠)中適當(dāng)混合諸如炭黑等導(dǎo)電性顆粒而形成。
作為選擇，具有金屬制表面的輥可用作一次轉(zhuǎn)印輥105a至105d。從優(yōu)異的耐環(huán)境波動(dòng)性、抑制輥電阻隨時(shí)間增大、電源容量和電流值的控制性考慮時(shí)，具有由金屬制成的表面的一次轉(zhuǎn)印輥是優(yōu)選的。
關(guān)于這點(diǎn)，在常規(guī)條件下使用具有金屬制表面的輥?zhàn)鳛橐淮无D(zhuǎn)印輥時(shí)，微小白點(diǎn)的圖像缺陷由于放電電流的增大而傾向于發(fā)生。
另一方面，采用涉及示例性實(shí)施方式的中間轉(zhuǎn)印帶107時(shí)，即使當(dāng)一次轉(zhuǎn)印輥105a至105d分別具有金屬制成的表面時(shí)也能夠抑制微小白點(diǎn)的發(fā)生。
形成一次轉(zhuǎn)印輥105a至105d的各自的表面的金屬的實(shí)例包括諸如不銹鋼、鐵和鋁等公知金屬。其優(yōu)選例包括在所述金屬的表面進(jìn)行鎳、銅或鉻電鍍處理而得到的材料。
圖像保持體清潔裝置 圖像保持體清潔裝置104a至104d用于除去一次轉(zhuǎn)印后附著和殘留在每一個(gè)圖像保持體101a至101d的表面上的調(diào)色劑。清潔刮刀、清潔刷和/或清潔輥可以用作所述圖像保持體清潔裝置。其中，可優(yōu)選使用清潔刮刀。清潔刮刀的材料的實(shí)例包括聚氨酯橡膠、氯丁橡膠和硅酮橡膠。
二次轉(zhuǎn)印輥 二次轉(zhuǎn)印輥109的層結(jié)構(gòu)不作具體限定。例如，當(dāng)二次轉(zhuǎn)印輥109具有三層結(jié)構(gòu)時(shí)，該結(jié)構(gòu)可具有芯層、中間層和被覆二次轉(zhuǎn)印輥表面的涂層。芯層可含有例如由其中分散有導(dǎo)電性顆粒的硅酮橡膠、聚氨酯橡膠或EPDM形成的發(fā)泡體，中間層可含有這些物質(zhì)中的任一種的非發(fā)泡體。涂層的材料的實(shí)例包括四氟乙烯-六氟丙烯共聚物和全氟烷氧基樹脂。二次轉(zhuǎn)印輥109的體積電阻率優(yōu)選為約107Ω·cm以下。二次轉(zhuǎn)印輥109的層結(jié)構(gòu)可以為從三層結(jié)構(gòu)的構(gòu)成中除去中間層而得到的兩層結(jié)構(gòu)。
支撐輥 支撐輥108構(gòu)成了二次轉(zhuǎn)印輥109的對(duì)電極。支撐輥108的層結(jié)構(gòu)可以是單層，也可以是多層。例如，當(dāng)支撐輥108具有單層結(jié)構(gòu)時(shí)，所述單層結(jié)構(gòu)可以通過在硅酮橡膠、聚氨酯橡膠或EPDM中適當(dāng)混合諸如炭黑等導(dǎo)電性顆粒而形成。當(dāng)支撐輥108形成為雙層結(jié)構(gòu)時(shí)，該結(jié)構(gòu)可由具有由諸如上述橡膠材料構(gòu)成的彈性層的外周表面并被覆有高電阻率的層的輥形成。
作為選擇，具有由金屬制成的表面的輥可用作支撐輥108。從優(yōu)異的耐環(huán)境波動(dòng)性、抑制輥電阻隨時(shí)間增大、電源容量和電流值的控制性考慮時(shí)，具有金屬制表面的支撐輥是優(yōu)選的。
關(guān)于這點(diǎn)，在常規(guī)條件下使用具有金屬制表面的輥?zhàn)鳛橐淮沃屋仌r(shí)，微小白點(diǎn)的圖像缺陷由于放電電流的增大而傾向于發(fā)生。
另一方面，采用涉及示例性實(shí)施方式的中間轉(zhuǎn)印帶107時(shí)，即使當(dāng)支撐輥108具有金屬制成的表面時(shí)也能夠抑制微小白點(diǎn)的發(fā)生。
形成支撐輥108表面的材料的實(shí)例包括諸如不銹鋼、鐵和鋁等公知金屬。其優(yōu)選例包括在所述金屬的表面施用鎳、銅或鉻電鍍處理而得到的材料。
通?？梢詫?kV～6kV的電壓施加于支撐輥108的軸與二次轉(zhuǎn)印輥109的軸之間。也可以不將電壓施加至支撐輥108的軸，而是將電壓施加至與支撐輥108接觸的導(dǎo)電性電極部件與二次轉(zhuǎn)印輥109之間。所述電極部件的實(shí)例包括金屬輥、導(dǎo)電性橡膠輥、導(dǎo)電性刷、金屬板和導(dǎo)電性樹脂板。
定影裝置 定影裝置110的實(shí)例包括諸如熱輥定影裝置、壓輥定影裝置和閃光定影裝置(flash fixing device)等公知定影裝置。
中間轉(zhuǎn)印帶清潔裝置 清潔刮刀、清潔刷和/或清潔輥可以用作中間轉(zhuǎn)印帶清潔裝置112和113。其中，可優(yōu)選使用清潔刮刀。清潔刮刀的材料的實(shí)例包括聚氨酯橡膠、氯丁橡膠和硅酮橡膠。
圖像保持體和一次轉(zhuǎn)印輥之間的位置關(guān)系 當(dāng)使用如圖3所示的小直徑的圖像保持體101S時(shí)，在圖像保持體101S與一次轉(zhuǎn)印輥105之間配置中間轉(zhuǎn)印帶107，由此使得圖像保持體101S與一次轉(zhuǎn)印輥105不直接接觸。不過，隨著成像設(shè)備的處理速度變高，圖像保持體101L的直徑變大，其曲率半徑變小。在這樣的情況中，圖像保持體101L可與一次轉(zhuǎn)印輥105(隔著中間轉(zhuǎn)印帶107)直接接觸。特別是，當(dāng)一次轉(zhuǎn)印輥105的表面由金屬制成時(shí)，圖像保持體101L與一次轉(zhuǎn)印輥105的接觸變成剛體之間的接觸。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)長(zhǎng)期使用具有金屬表面的一次轉(zhuǎn)印輥105時(shí)，圖像保持體101L的表面會(huì)因諸如載體等異物的夾入而發(fā)生擦傷，由此可能在輸出圖像上產(chǎn)生色點(diǎn)。
在示例性實(shí)施方式中，如圖4所示，偏移距離L1(圖像保持體101L的軸與一次轉(zhuǎn)印輥105的軸之間的在中間轉(zhuǎn)印帶107的驅(qū)動(dòng)方向上的偏離距離)可能大于中間轉(zhuǎn)印帶的吸著距離L2(中間轉(zhuǎn)印帶107與圖像保持體101L接觸的區(qū)域的長(zhǎng)度)。
中間轉(zhuǎn)印帶的吸著距離L2取決于圖像保持體101L的直徑。圖像保持體101L的直徑越大，吸著距離L2變得越大。此外，中間轉(zhuǎn)印帶107的張力越小，一次轉(zhuǎn)印輥105所受的荷重就越大，而一次轉(zhuǎn)印輥105與圖像保持體101L的距離越近，中間轉(zhuǎn)印帶的吸著距離L2就變得越大。當(dāng)如所述構(gòu)成來配置一次轉(zhuǎn)印輥105時(shí)，無論圖像保持體101L的直徑如何，一次轉(zhuǎn)印輥105都不與圖像保持體101L直接接觸。因此。即使在長(zhǎng)期使用后，也可抑制圖像保持體101L表面上的擦傷。
當(dāng)如圖4所示設(shè)置較大的偏移距離L1并降低一次轉(zhuǎn)印輥105的荷重時(shí)，轉(zhuǎn)印電壓可能變大從而增大放電電流，由此微小白點(diǎn)傾向于發(fā)生。另一方面，采用涉及示例性實(shí)施方式的中間轉(zhuǎn)印帶107時(shí)，可抑制微小白點(diǎn)的發(fā)生。
盡管在前述的示例性實(shí)施方式中描述了由多個(gè)圖像保持體構(gòu)成的所謂串聯(lián)型成像設(shè)備，不過所述成像設(shè)備也可以是所謂的多循環(huán)設(shè)備(如四循環(huán)方式)，其中設(shè)置一個(gè)圖像保持體，根據(jù)待形成的顏色的數(shù)目由中間轉(zhuǎn)印帶執(zhí)行旋轉(zhuǎn)/成像步驟。
實(shí)施例 下面將參考實(shí)施例和比較例對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式進(jìn)行具體說明，不過應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1 中間轉(zhuǎn)印帶的制造 用于最內(nèi)周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體溶液的制備 首先，將炭黑(商品名SPECIAL BLACK 4，由Degussa制造)加入由3，3’，4，4’-聯(lián)苯四羧酸二酐和4，4’-二氨基二苯基醚制成的聚酰胺酸的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶液(酰亞胺化之后的固形物比率為18重量％)，以使炭黑的含量相對(duì)于100重量份的聚酰胺酸的固形物為80重量份，隨后利用噴射磨分散機(jī)(商品名GEANUS PY(沖擊部的最小截面積0.032mm2)，由Geanus Co.，Ltd.制造)，在200MPa的壓力下使其通過分散單元部5次來進(jìn)行分散混合，由此得到分散液(A)。
然后，將由3，3’，4，4’-聯(lián)苯四羧酸二酐和4，4’-二氨基二苯基醚制成的聚酰胺酸的NMP溶液(酰亞胺化之后的固形物比率為18重量％)加入得到的分散液(A)中，以使炭黑的含量相對(duì)于100重量份的聚酰胺酸變?yōu)?2重量份，隨后使用行星式混合機(jī)(商品名G-AIKO MIXER，由愛工舍制作所制造)進(jìn)行混合攪拌，由此制得用于最內(nèi)周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體溶液。
用于最外周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體溶液的制備 接著，以與制備用于最內(nèi)周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體溶液的相同的方法制備用于最外周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體溶液，不同之處在于將由3，3’，4，4’-聯(lián)苯四羧酸二酐和4，4’-二氨基二苯基醚制成的聚酰胺酸的NMP溶液(酰亞胺化之后的固形物比率為18重量％)加入分散液(A)中，以使炭黑的含量相對(duì)于100重量份的聚酰胺酸變?yōu)?6重量份。
最內(nèi)周層的形成 作為圖2所示的圓筒成形管11，準(zhǔn)備了外徑為366mm和長(zhǎng)度為650mm的鋁制圓筒體。鋁制圓筒體已進(jìn)行表面磨削而具有366mm的外徑，然后通過使用球形玻璃顆粒的噴砂處理進(jìn)行表面粗糙化，以使表面粗糙度Ra可以為0.40μm。將硅酮防粘劑(商品名KS700，由信越化學(xué)社制造)涂布在圓筒成形管11的表面，隨后于300℃烘焙1小時(shí)從而提供鋁制圓筒體。此外，如圖2所示，使圓筒成形管11在圓筒成形管11的軸向水平的情況下沿箭頭D的方向以40rpm旋轉(zhuǎn)(旋轉(zhuǎn)涂布)。刮刀18由不銹鋼制成，具有20mm的寬度和0.5mm的厚度，并具有彈性。作為聚酰亞胺前體溶液16，將用于最內(nèi)周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體溶液從容器14經(jīng)口徑為2mm的噴嘴15擠出并且同時(shí)使刮刀18壓在圓筒成形管11上從而涂布在圓筒成形管11上。當(dāng)聚酰亞胺前體溶液16通過刮刀18時(shí)，刮刀18展開以在刮刀18和圓筒成形管11之間形成間隙。然后，噴嘴15和刮刀18沿箭頭E的方向以120mm/min的速度移動(dòng)。涂布時(shí)，在圓筒成形管11的兩端各設(shè)置20mm的不涂布區(qū)域。接著，將其上涂布有用于最內(nèi)周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體溶液的圓筒成形管11在保持水平狀態(tài)并以6rpm旋轉(zhuǎn)的同時(shí)于120℃加熱干燥25分鐘，由此得到用于最內(nèi)周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體的干燥膜。通過控制涂布時(shí)從噴嘴15擠出的液體量來控制用于最內(nèi)周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體的膜厚，以使酰亞胺化之后的涂膜的膜厚變?yōu)?3μm。
最外周層的形成 以與形成最內(nèi)周層的方法相同的方式，在其上形成有用于最內(nèi)周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體的干燥膜的圓筒成形管11的表面上涂布用于最外周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體溶液。
接著，將其上涂布有用于最外周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體溶液的圓筒成形管11在保持水平狀態(tài)并以6rpm旋轉(zhuǎn)的同時(shí)于120℃加熱干燥25分鐘，由此得到用于最外周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體的干燥膜?？刂仆坎紩r(shí)從噴嘴15擠出的液體量來控制用于最外周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體的膜厚，以使酰亞胺化之后的涂膜的膜厚變?yōu)?7μm。
得到的圓筒成形管11具有設(shè)置在獲得的用于最內(nèi)周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體的干燥膜上的用于最外周層的分散有炭黑的聚酰亞胺前體的干燥膜，將得到的圓筒成形管11在200℃加熱30分鐘，進(jìn)而在260℃加熱30分鐘，進(jìn)一步在300℃加熱30分鐘，最后在320℃加熱20分鐘以形成分散有炭黑的聚酰亞胺的薄膜。之后，將圓筒成形管11冷卻至室溫(25℃)后，將聚酰亞胺樹脂膜從圓筒成形管11剝離。將由此得到的聚酰亞胺樹脂膜切割為362mm的寬度，從而得到中間轉(zhuǎn)印帶部件。使兩個(gè)中間轉(zhuǎn)印帶部件連接而得到周長(zhǎng)為2111mm的中間轉(zhuǎn)印帶。
所述中間轉(zhuǎn)印帶的表面電阻率為12.02LogΩ/□，所述中間轉(zhuǎn)印帶的體積電阻率為11.72LogΩ·cm。表面電阻率和體積電阻率如下獲得測(cè)定80個(gè)位置的這些參數(shù)的值，這80個(gè)位置由相對(duì)于中間轉(zhuǎn)印帶的處理方向改變的20個(gè)點(diǎn)和相對(duì)于與處理方向垂直的方向改變的4個(gè)點(diǎn)來進(jìn)行坐標(biāo)定位，然后對(duì)測(cè)定值求取平均值。
實(shí)施例2～40和比較例1～6 以與形成實(shí)施例1的中間轉(zhuǎn)印帶的方法相同的方式制造實(shí)施例2～40和比較例1～6的中間轉(zhuǎn)印帶，不同之處在于最外周層的膜厚(du)、最內(nèi)周層的膜厚(dl)、最外周層中炭黑的含量(CB)和最內(nèi)周層中炭黑的含量(CB)分別變?yōu)楸?或表2中所示的值。每一個(gè)中間轉(zhuǎn)印帶的表面電阻率和體積電阻率顯示在表1和表2中。
表面電阻率ρs的測(cè)定 表面電阻率測(cè)定裝置的截面示意圖顯示在圖5中。在與GND(地)連接的背面電極23上配置絕緣板24，并在絕緣板24上放置待測(cè)樣品27。在待測(cè)樣品27上配置表面電極21和保護(hù)電極22以形成夾持結(jié)構(gòu)，其中將待測(cè)樣品27隔著絕緣板24配置在背面電極23與正面電極21及保護(hù)電極22之間。通過與保護(hù)電極22相連的直流(DC)電源25施加直流電壓，并使用與表面電極21相連的微電流計(jì)26測(cè)定流過的電流量，山此算出其表面電阻率，從而獲得測(cè)定樣品27的表面電阻率。
圖7顯示了用于表面電阻率測(cè)定裝置的電極的平面示意圖。表面電極21處于中心，保護(hù)電極22以同心圓環(huán)狀的方式配置。此處，d1至d3分別表示中心電極21的直徑、保護(hù)電極22的內(nèi)周圓的直徑和保護(hù)電極22的外周圓的直徑。這些值可根據(jù)待測(cè)樣品的大小和形狀任意設(shè)定。測(cè)定各實(shí)施例的表面電阻率時(shí)，使用UR PROBE(商品名，由三菱化學(xué)社制造)，并將d1至d3分別設(shè)定為下述值。
d1＝16mm d2＝30mm d3＝40mm 表面電阻率ρs由以下公式(2)計(jì)算。
ρs＝[π(d2+d1)/(d2-d1)]×(V/I) (2) 公式(2)中，V表示施加至中心電極21的電壓值(V)。I表示由微電流計(jì)26檢測(cè)到的電流值(A)。測(cè)定各實(shí)施例的表面電阻率時(shí)，將施加至中心電極21的電壓設(shè)定為500V。此外，電流值I是施加電壓V10秒后的值。表面電阻率在20℃和40％相對(duì)濕度的環(huán)境下測(cè)定。
體積電阻率ρv的測(cè)定 圖6顯示了體積電阻率測(cè)定裝置的截面示意圖。在經(jīng)由DC電源25與GND連接的背面電極23上配置待測(cè)樣品27。在待測(cè)樣品27上配置表面電極21和保護(hù)電極22以形成夾持結(jié)構(gòu)，其中待測(cè)樣品27配置在背面電極23與表面電極21及保護(hù)電極22之間。保護(hù)電極22與GND連接。通過與背面電極23相連的直流(DC)電源25施加直流電壓，并使用與表面電極21相連的微電流計(jì)26測(cè)定流過的電流量，由此算出其體積電阻率，從而獲得待測(cè)樣品27的體積電阻率。
圖7顯示了用于體積電阻率測(cè)定裝置的電極的平面示意圖。表面電極21處于中心，保護(hù)電極22以同心圓環(huán)狀的方式配置。此處，d1至d3分別表示中心電極21的直徑、保護(hù)電極22的內(nèi)周圓的直徑和保護(hù)電極22的外周圓的直徑。這些值可根據(jù)待測(cè)樣品的大小和形狀任意設(shè)定。測(cè)定各實(shí)施例的體積電阻率時(shí)，使用UR PROBE(商品名，由三菱化學(xué)社制造)，并將d1至d3分別設(shè)定為下述值。
d1＝16mm d2＝30mm d3＝40mm 體積電阻率ρv由以下公式(3)計(jì)算。
ρv＝[(π×d12)/4]×(V/I)×(1/t)(3) 公式(3)中，V表示施加至中心電極21的電壓值(V)。I表示由微電流計(jì)26檢測(cè)到的電流值(A)。t表示待測(cè)樣品的膜厚。測(cè)定各實(shí)施例的體積電阻率時(shí)，將施加至中心電極21的電壓設(shè)定為500V。此外，電流值I是施加電壓V達(dá)10秒后的值。當(dāng)測(cè)定待測(cè)樣品的膜厚時(shí)，可優(yōu)選使用采用測(cè)微計(jì)或渦電流膜厚計(jì)的任一種公知方法。在各實(shí)施例中，渦電流膜厚計(jì)(商品名ISOSCOPE MP30，由Fischer Co.，Ltd.制造)用于測(cè)定。體積電阻率在20℃和40％相對(duì)濕度的環(huán)境下測(cè)定。
評(píng)價(jià) 將各實(shí)施例和比較例的中間轉(zhuǎn)印帶安裝在圖像評(píng)價(jià)機(jī)上。以如下方式改造具有圖1所示基本構(gòu)成的彩色打印機(jī)(商品名DOCUCOLOR 8000DIGITAL PRESS，由富士施樂株式會(huì)社制造)制得圖像評(píng)價(jià)機(jī)將二次轉(zhuǎn)印輥與包含在圖像評(píng)價(jià)機(jī)本體中的電源分離，與外部電源(商品名MODEL 610D，由Trek Co.，Ltd.制造)連接，從而能夠直接從外部向二次轉(zhuǎn)印輥施加電壓。印刷時(shí)施加至二次轉(zhuǎn)印輥的轉(zhuǎn)印電壓設(shè)定為4.0kV。用青色實(shí)地圖像(濃度100％)評(píng)價(jià)微小白點(diǎn)、粒狀性和轉(zhuǎn)印不良，用青色半色調(diào)圖像(濃度30％)評(píng)價(jià)半色調(diào)不均勻(HT不均勻)。評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)如下所示。評(píng)價(jià)結(jié)果顯示在表1和2中。
微小白點(diǎn)的評(píng)價(jià)等級(jí) G0未發(fā)生微小白點(diǎn)。
G1觀察到微小白點(diǎn)的輕微發(fā)生(容許的水平內(nèi))。
G2觀察到微小白點(diǎn)的發(fā)生(容許的水平內(nèi))。
G3容易觀察到微小白點(diǎn)的發(fā)生(容許的水平內(nèi))。
G4觀察到微小白點(diǎn)的發(fā)生，超出容許的水平。
G5微小白點(diǎn)的發(fā)生明顯，大大超出容許的水平。
G6微小白點(diǎn)的個(gè)數(shù)和尺寸大于容許水平，且遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出。
粒狀性等級(jí)的評(píng)價(jià) G0未觀察到點(diǎn)的模糊。
G1觀察到輕微的點(diǎn)的模糊(容許的水平內(nèi))。
G2觀察到點(diǎn)的模糊(容許的水平內(nèi))。
G3容易觀察到點(diǎn)的模糊(容許的水平內(nèi))。
G4點(diǎn)的模糊處于容許的極限水平。
G5點(diǎn)的模糊變得明顯，大大超出容許的水平。
G6由于模糊未能觀察到點(diǎn)的形狀。
轉(zhuǎn)印不良的評(píng)價(jià)等級(jí) G0未觀察到濃度降低。
G1觀察到輕微的濃度降低(容許的水平內(nèi))。
G2觀察到濃度降低(容許的水平內(nèi))。
G3容易觀察到濃度降低(容許的水平內(nèi))。
G4濃度降低處于容許的極限水平。
G5濃度降低變得明顯，大大超出容許的水平。
G6由于濃度降低未能觀察到圓點(diǎn)的形狀。
HT不均勻的評(píng)價(jià)等級(jí) G0未觀察到HT不均勻。
G1觀察到輕微的HT不均勻(容許的水平內(nèi))。
G2觀察到HT不均勻(容許的水平內(nèi))。
G3容易觀察到HT不均勻(容許的水平內(nèi))。
G4觀察到HT不均勻，處于容許的極限水平。
G5HT不均勻變得明顯，大大超出容許的水平。
G6HT不均勻的數(shù)量和尺寸大于容許水平，且遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出。
權(quán)利要求
1.一種配置在成像設(shè)備中的環(huán)狀體，所述環(huán)狀體至少包括最外周層和最內(nèi)周層，這兩層均含有炭黑，并且所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量小于所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量。
2.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，以重量％表示的所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A與以重量％表示的所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B的比率A/B為0.78～0.99。
3.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，以重量％表示的所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A與以重量％表示的所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B的比率A/B為0.80～0.97。
4.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，以重量％表示的所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A與以重量％表示的所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B的比率A/B為0.81～0.92。
5.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，以重量％表示的所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A與以重量％表示的所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B的比率A/B為0.83～0.90。
6.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，單位為μm的所述最外周層的膜厚du與單位為μm的所述最內(nèi)周層的膜厚d1滿足以下不等式(1)
50≤du/(du+d1)×100≤80。
7.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，以重量％表示的所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A與以重量％表示的所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B的比率A/B為0.78～0.99；并且單位為μm的所述最外周層的膜厚du與單位為μm的所述最內(nèi)周層的膜厚d1滿足以下不等式(1)50≤du/(du+d1)×100≤80。
8.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，單位為μm的所述最外周層的膜厚du與單位為μm的所述最內(nèi)周層的膜厚d1滿足以下不等式(4)
55≤du/(du+d1)×100≤78。
9.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，以重量％表示的所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A與以重量％表示的所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B的比率A/B為0.78～0.99；并且單位為μm的所述最外周層的膜厚du與單位為μm的所述最內(nèi)周層的膜厚d1滿足以下不等式(4)55≤du/(du+d1)×100≤78。
10.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，單位為μm的所述最外周層的膜厚du與單位為μm的所述最內(nèi)周層的膜厚d1滿足以下不等式(5)
60≤du/(du+d1)×100≤76。
11.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，以重量％表示的所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A與以重量％表示的所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B的比率A/B為0.78～0.99；并且單位為μm的所述最外周層的膜厚du與單位為μm的所述最內(nèi)周層的膜厚d1滿足以下不等式(5)60≤du/(du+d1)×100≤76。
12.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，單位為μm的所述最外周層的膜厚du與單位為μm的所述最內(nèi)周層的膜厚d1滿足以下不等式(6)
63≤du/(du+d1)×100≤73。
13.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀體，其中，以重量％表示的所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量A與以重量％表示的所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量B的比率A/B為0.78～0.99；并且單位為μm的所述最外周層的膜厚du與單位為μm的所述最內(nèi)周層的膜厚d1滿足以下不等式(6)63≤du/(du+d1)×100≤73。
14.一種環(huán)狀體張緊裝置，所述裝置包括權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的環(huán)狀體和多個(gè)在所述環(huán)狀體的內(nèi)表面以可旋轉(zhuǎn)的方式張緊所述環(huán)狀體的環(huán)狀體張緊單元。
15.一種成像設(shè)備，所述成像設(shè)備包括
圖像保持體；
充電裝置，該充電裝置用于使所述圖像保持體帶電；
曝光裝置，該曝光裝置用于在通過所述充電裝置而帶電的所述圖像保持體上形成靜電潛像；
顯影裝置，該顯影裝置用于將所述靜電潛像顯影為調(diào)色劑圖像；
一次轉(zhuǎn)印裝置，該一次轉(zhuǎn)印裝置用于將所述調(diào)色劑圖像從所述圖像保持體轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶；
二次轉(zhuǎn)印裝置，該二次轉(zhuǎn)印裝置用于將所述調(diào)色劑圖像從所述中間轉(zhuǎn)印帶轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)；和
定影裝置，該定影裝置用于將轉(zhuǎn)印的所述調(diào)色劑圖像定影在所述轉(zhuǎn)印接收介質(zhì)上，并且
所述中間轉(zhuǎn)印帶是權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的環(huán)狀體。
16.如權(quán)利要求15所述的成像設(shè)備，其中，在所述一次轉(zhuǎn)印裝置中，一次轉(zhuǎn)印部件的與所述中間轉(zhuǎn)印帶的內(nèi)表面接觸的表面由金屬制成。
17.如權(quán)利要求15所述的成像設(shè)備，其中，在所述二次轉(zhuǎn)印裝置中，二次轉(zhuǎn)印部件的與所述中間轉(zhuǎn)印帶的內(nèi)表面接觸的表面由金屬制成。
18.如權(quán)利要求15所述的成像設(shè)備，其中，二次轉(zhuǎn)印部件和一次轉(zhuǎn)印部件各自與所述中間轉(zhuǎn)印帶的內(nèi)表面接觸的表面分別由金屬制成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種配置在成像設(shè)備上的環(huán)狀體，所述環(huán)狀體至少包括最外周層和最內(nèi)周層，這兩層均含有炭黑，并且所述最外周層中每單位體積含有的炭黑的含量小于所述最內(nèi)周層中每單位體積含有的炭黑的含量。本發(fā)明也提供一種環(huán)狀體張緊裝置，該裝置至少具有所述環(huán)狀體和多個(gè)在所述環(huán)狀體的內(nèi)表面的可旋轉(zhuǎn)地張緊所述環(huán)狀體的環(huán)狀體張緊單元。本發(fā)明還提供一種成像設(shè)備，該設(shè)備至少具有圖像保持體、充電裝置、曝光裝置、顯影裝置、一次轉(zhuǎn)印裝置、二次轉(zhuǎn)印裝置和定影裝置，其中中間轉(zhuǎn)印帶是所述環(huán)狀體。
文檔編號(hào)G03G15/16GK101546164SQ20081017635
公開日2009年9月30日 申請(qǐng)日期2008年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月26日
發(fā)明者宮本昌彥, 一澤信行, 堤洋介, 福原琢 申請(qǐng)人:富士施樂株式會(huì)社