專利名稱：：制造涂覆有具有改進的粘附性和耐磨性的抗反射涂層或反光涂層的光學(xué)制品的方法制造涂覆有具有改進的粘附性和耐磨性的抗反射涂層或反光涂層的光學(xué)制品的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種制造包含提供有包含底層的抗反射涂層或反光涂層的基底的光學(xué)制品的方法，所述涂層特別具有增加的耐磨性和良好的與基底的粘附性。在眼鏡光學(xué)領(lǐng)域中，傳統(tǒng)上為眼用透鏡提供各種涂層以賦予這些透鏡各種機械和/或光學(xué)性質(zhì)。由此通常在眼用透鏡上形成連續(xù)涂層，如耐沖擊涂層、耐磨涂層、抗反射和/或反光涂層。如下面所述，抗反射涂層是指已沉積在光學(xué)制品的表面上并確實改善光學(xué)終產(chǎn)品的抗反射性能的涂層。這可以減少可見光譜的較大范圍內(nèi)的光在制品-空氣界面區(qū)域的光反射。反光涂層具有相反的效果，即它是增加光線反射。這種類型涂層例如用于提供具有鏡面效果的太陽鏡。抗反射涂層是公知的，并且通常包括介電材料的單層或多層堆疊，所述介電材料例如為SiO、Si02、A1203、MgF2、LiF、Si3N4、Ti02、Zr02、Nb2Os、Y203、Hf02、Sc203、Ta2Os、？1"203或其混合物。還公知抗反射涂層優(yōu)選是包含交替的高折射率層和低折射率層的多層涂層。反光涂層由本質(zhì)上與抗反射涂層相同的層制成，不同的是選擇層的折射率值，數(shù)量和厚度使涂層反光，這是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員熟知的。即使以下描述是對抗反射涂層而言，但其對于反光涂層同樣適用。但是，本發(fā)明優(yōu)選涉及抗反射涂層。已知在基底與抗反射涂層的高折射率層和低折射率層之間插入相對厚的底層以改善所述涂層的耐磨性和/或耐刮性。但是，已觀察到插入這種底層在增加耐磨性的同時可能會減弱抗反射疊層并影響它與基底的粘附。特別是在底層/抗反射光學(xué)疊層界面已發(fā)現(xiàn)某些缺陷。本申請人的專利申請WO2005/059603描述了包含多層著色抗反射涂層的制品，該涂層包含至少2層在可見光區(qū)域吸收并基于亞化學(xué)計量的鈦氧化物TiOx(x<2)的高折射率層和優(yōu)選至少一層基于摻有入1203的Si02的低折射率層(LI),其中A1203的量相對A1203+Si02總重為1-5重量％。該文獻更特別描述了依次涂覆有100-110nm厚的二氧化硅底層、TiOx層、SKVAl203層、TiOx層、Si02/Al20j、TiOx層、Si02/Al2034和防污涂層的基底。在沉積抗反射涂層之前，處理基底表面以增加底層的粘附。該表面處理，即所謂的IPC(離子預(yù)清洗)包括通過用離子槍^f吏氬離子轟擊基底而進行離子預(yù)清洗。對于底層沒有進行表面處理。根據(jù)專利申請WO2005/059603的教導(dǎo)制造的光學(xué)制品具有良好的粘附性和耐磨性，但可能仍然需要改進。因此本發(fā)明的目的是提供一種制造包含由無機或有機玻璃制成的基底和提供有底層的抗反射涂層的透明光學(xué)制品，特別是眼用透鏡的方法，與現(xiàn)有技術(shù)光學(xué)制品相比，其有利地具有改進的耐磨性和粘附性。這種新型方法應(yīng)當(dāng)容易地與常規(guī)光學(xué)制品制造方法整合，并應(yīng)當(dāng)優(yōu)選避免任何對基底的加熱。制備的光學(xué)制品必須保留優(yōu)異的透明性，它們必須具有良好的抵抗熱水浸漬處理以及隨后的表面機械應(yīng)力的能力，應(yīng)沒有任何光學(xué)缺陷。本發(fā)明的另一個目的是提供一種制造另外具有抗靜電性的這種光學(xué)制品的方法。本發(fā)明尤其被認為解決了抗反射疊層與基底粘附困難的問題，確保解決該問題的同時增加了所述涂層的耐磨性的光學(xué)制品的方法，所述方法包括至少以下步驟-提供包含具有至少一個主表面的基底的光學(xué)制品；-在該基底主表面上沉積具有暴露表面的底層；-在底層的所述暴露表面上沉積包含至少一層高折射率層和至少一層低折射率層的多層抗反射疊層；-獲得包含具有主表面的基底的光學(xué)制品，所述主表面涂覆有包含所述底層和所述多層疊層的抗反射涂層，其中所述底層的暴露表面在沉積所述多層疊層之前已進行離子轟擊處理。當(dāng)光學(xué)制品在其表面包含一層或多層涂層時，本申請中所使用的短語"在制品上沉積層或涂層"指的是層或涂層沉積在制品外涂層未受保護(暴露)的表面上。本文所使用的"制品外涂層"指的是離基底最遠的涂層。在本文中，提到涂層在所述基底"上"或沉積在基底"上"時，是指這樣的涂層(i)位于基底上方，(ii)不必與基底接觸，即在基底和所述涂層之間可能有一層或多層中間涂層，和(iii)不必完全覆蓋基底，但是優(yōu)選全部覆蓋。本文所使用的當(dāng)"層1位于層2下方"時，指的是層2比層1距離基底遠。本文所使用的"多層抗反射疊層"指的是沉積在抗反射涂層底層上的抗反射涂層的多層疊層。在以下的描述中，它將簡稱為"多層疊層"。根據(jù)本發(fā)明制備的光學(xué)制品包含基底，優(yōu)選透明基底，由有機或無機玻璃制成，具有主前面和主后面，其中所述主面中的至少一個(優(yōu)選兩個主面均)提供有抗反射涂層，所述抗反射涂層具有被多層疊層覆蓋的內(nèi)涂層。另外優(yōu)選該多層疊層與所述底層直接接觸。一般而言，本發(fā)明光學(xué)制品的抗>^射涂層的所述底層和多層疊層可以沉積在任何基底上，優(yōu)選沉積在有機玻璃基底如熱塑性或熱固性材料上?？蛇m用于該基底的熱塑性材料包括(甲基)丙烯酸類(共)聚合物，尤其是聚(曱基丙烯酸甲酯)(PMMA)、硫代(甲基)丙烯酸類(共)聚合物、聚乙晞基縮丁醛(PVB)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、聚(石克氨酯)、多元醇烯丙基碳酸酯(共)聚合物、乙烯和乙酸乙烯酯的熱塑性共聚物、聚酯如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚環(huán)石克化物、聚環(huán)氧化物、聚碳酸酯和聚酯的共聚物、環(huán)烯烴共聚物如乙烯和降冰片烯共聚物或乙烯和環(huán)戊二烯共聚物，以及它們的組合。本文所使用的"(共)聚合物"指的是共聚物或聚合物，(甲基)丙烯酸酯為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。本發(fā)明優(yōu)選的基底包括例如通過聚合以下物質(zhì)獲得的基底(甲基)丙烯酸烷基酯，尤其是(甲基)丙烯酸C廣C4烷基酯如(甲基)丙烯酸甲酯和(甲基)丙烯酸乙酯，聚乙氧基化芳族(甲基)丙烯酸酯如聚乙氧基化雙酚二(甲基)丙烯酸酯，烯丙基f;f生物如脂族或芳族、線性或支化多元醇烯丙基碳酸酯、硫代(甲基)丙烯酸酯、環(huán)硫化物，以及多元硫醇和多異氰酸酯的前體混合物(用于獲得聚硫氨酯)。本文所使用的"聚碳酸酯"(PC)指的是均聚碳酸酯和共聚碳酸酯及嵌段共聚碳酸酯。聚碳酸酯例如由GENERALELECTRICCOMPANY以商品名LEXAN⑧市售、由TEIJIN以商品名PANLITE⑧市售、由BAYER以商品名BAYBLEND③市售、由MOBAYCHEMICHALCorp.以商品名MAKROLON⑧市售，以及由DOWCHEMICALCo.以商品名CALIBRE市售。合適的多元醇烯丙基碳酸酯(共)聚合物的實例包括乙二醇雙(烯丙基碳酸酯)的共聚物、二甘醇雙2-甲基碳酸酯的共聚物、二甘醇雙(烯丙基碳酸酯)的共聚物、乙二醇雙(2-氯烯丙基碳酸酯)的共聚物、三甘醇雙(烯丙基碳酸酯)的共聚物、1，3-丙二醇雙(烯丙基碳酸酯)的共聚物、丙二醇雙(2-乙基烯丙基碳酸酯)的共聚物、1，3-丁二醇雙(烯丙基碳酸酯)的共聚物、1，4-丁二醇雙(2-溴烯丙基碳酸酯)的共聚物、二丙二醇雙(烯丙基碳酸酯)的共聚物、三亞甲基二醇雙(2-乙基烯丙基碳酸西旨)的共聚物、五亞甲基二醇雙(烯丙基碳酸酯)的共聚物、亞異丙基雙酚-A雙(烯丙基碳酸酯)的共聚物。特別推薦的基底為通過(共)聚合二甘醇的雙烯丙基碳酸酯獲得的那些基底，例如由PPGIndustries以商品名CR-39⑧市售(ESSILORORMA透鏡)。特別推薦的基底還包括通過聚合硫代(甲基)丙烯酸單體獲得的那些基底，如在法國專利申請FR2734827中描述的那些。當(dāng)然基底可以通過聚合上述單體的混合物獲得，或者它們也可以包括這種聚合物和(共)聚合物的混合物。一般而言，優(yōu)選的基底為由交聯(lián)材料(熱固性材料)制備的那些，尤其是烯丙型、(甲基)丙烯酸酯型、硫代(甲基)丙烯酸酯型或聚(硫)氨酯基底。本發(fā)明優(yōu)選的有機基底為熱膨脹系數(shù)為50.10-"C-M80.1(r6。C"，優(yōu)選IOO.I(T6。C"-180.1(T6。C"的那些。根據(jù)本發(fā)明一個實施方案，基底包括前面和后面，其中抗反射涂層可以沉積在兩個面的至少一個面上。優(yōu)選沉積在基底的前面和后面上。本文所使用的基底的"后面，，(通常是凹面)指的是當(dāng)佩戴該制品時，位于最接近佩戴者眼睛的那面。相反，基底的"前面"(通常是凸面)指的是當(dāng)佩戴該制品時，離佩戴者眼睛最遠的那面。在將任選涂有例如耐磨和/或耐刮層的底層沉積在基底上之前，所述基底的表面通常經(jīng)過處理以增加底層的粘附，所述處理通常在真空下如用能量物類如離子束("離子預(yù)清洗"或"IPC")轟擊、電暈放電、離子散裂處理或在真空下等離子體處理而進行。由于這些清洗處理，優(yōu)化了基底表面的清潔度。優(yōu)選離子轟擊處理，優(yōu)選使用氬、氧或其混合物作為電離氣體，在通常50-200V的加速電壓和通常l-4A的強度下進行。本文所使用的"能量物類"為定義為具有l(wèi)-150eV，優(yōu)選10-150eV,更優(yōu)選40-150eV的能量的物類。能量物類可以是化學(xué)物類如離子、自由基或者諸如光子或電子的物類。本文所用的"離子轟擊"定義為用具有高于或等于30eV，優(yōu)選高于或等于40eV的能量的離子進行轟擊。根據(jù)本發(fā)明，與多層疊層聯(lián)合使用的底層包含至少一層高折射率層和至少一層低折射率層。本文所使用的"底層"或結(jié)合層指的是在沉積本發(fā)明多層疊層之前沉積在(棵的或已涂覆的)基底上的涂層。底層必須足夠厚以促進抗反射涂層的耐磨性，但是優(yōu)選沒有達到產(chǎn)生顯著降低光透射率TV的光吸收的程度。因為底層較厚，所以它通常不參與抗反射光學(xué)作用，尤其是當(dāng)它具有與基底或涂覆基底類似的折射率時。底層優(yōu)選包括基于SK)2的層，其厚度優(yōu)選大于或等于75nm，更優(yōu)選大于或等于80nm，更優(yōu)選大于或等于100nm，最優(yōu)選大于或等于150nm。其厚度通常低于250nm，更優(yōu)選低于200nm。根據(jù)特定實施方案，底層由上述基于Si02的層組成。優(yōu)選地，底層的基于Si02的層(可以為SK)2層)直接與多層疊層接所述基于Si02的層除了二氧化硅，還可以包含通常用于制備底層的一種或多種其它材料，例如一種或多種選自上述介電材料的材料。這種基于Si02的層優(yōu)選不含A1203，更優(yōu)選由Si02層組成。本發(fā)明底層優(yōu)選包含至少70重量％，更優(yōu)選至少80重量％，最優(yōu)選至少90重量％的Si02。正如已提及的，在本發(fā)明最佳實施方案中，所述底層包含100重量％的二氧化硅。優(yōu)選使用單層型底層。然而，底層可以是層合的(多層)。此時，底層包括至少一層厚度優(yōu)選大于或等于75nm且優(yōu)選不含入1203并優(yōu)選直接與多層疊層接觸的基于Si02的層。多層底層優(yōu)選包括不含AM33且厚度優(yōu)選大于或等于75nm，更優(yōu)選大于或等于80nm，甚至更優(yōu)選大于或等于100nm,最優(yōu)選大于或等于150nm的Si02層，以及插在任選涂覆的基底和該不含Al203的Si02層之間的最多三層，優(yōu)選最多兩層。尤其是當(dāng)基底具有高折射率(即折射率大于或等于1.55，優(yōu)選大于或等于1.57)時，當(dāng)?shù)讓又苯映练e在基底上或者基底涂覆有具有高折射率(即大于或等于1.55，優(yōu)選大于或等于1.57)的耐磨和/或耐刮涂層(優(yōu)選基于環(huán)氧硅烷)時，以及當(dāng)?shù)讓又苯映练e在該耐磨和/耐刮涂層上時，底層優(yōu)選除了上述Si02層，還包含具有高折射率和低厚度，低于或等于80nm，更優(yōu)選低于或等于50nm，甚至更優(yōu)選低于或等于30nm的層。這種具有高折射率的層直接與高折射率基底或高折射率耐磨涂層接或者，除了上述Si02層和上述高折射率層之外，底層還包含由基于Si02、含或不含Al203的低折射率材料(即折射率低于或等于1.54，優(yōu)選低于或等于1.52，更優(yōu)選低于或等于1.50)制成的層，所述高折射率層沉積在其上。此時，底層通常包括25nm厚的Si02層，10nm厚的ZrO2層，160nm厚的Si02層，這些層以此順序從任選涂覆有一層或多層功能涂層的基底開始沉積。在該申請中，當(dāng)屬于抗反射涂層(AR)的多層疊層的層的折射率大于或等于1.6，優(yōu)選大于或等于1.7，更優(yōu)選大于或等于1.8,甚至更優(yōu)選大于或等于1.9時，其^L稱為高折射率層(HI)。當(dāng)屬于抗^Jt涂層的多層疊層的層的折射率低于或等于1.54，優(yōu)選低于或等于1.52，更優(yōu)選低于或等于1.50時，其被稱為低折射率層(LI)。除非另有說明，本發(fā)明所述折射率表達的是在25°C和550nm波長下的折射率。HI層通常為本領(lǐng)域熟知的高折射率層。它們通常包含一種或多種無機氧化物，例如但不限于，氧化鋯(ZrO;j)、二氧化鈦(TK)2)、五氧化二鉭(Ta2Os)、氧化釹(Nd20s)、氧化鐠。1*203)、鈦酸鐠(PrTi03)、La203、Dy205、Nb2Os、Y203。任選地，高折射率層可以另外包含二氧化硅或氧化鋁，條件是它們的折射率大于或等于1.6，優(yōu)選大于或等于1.7,更優(yōu)選大于或等于1.8。Ti02、PrTi03、ZK)2及其混合物是最優(yōu)選的材料。根據(jù)本發(fā)明的特定實施方案，多層疊層的至少一層HI層為基于Ti02的層，特別有利的是其高折射率。優(yōu)選通過離子輔助沉積(IAD)進行沉積，其增加了該層的壓縮從而增加了其折射率。根據(jù)本發(fā)明另一個特定實施方案，多層疊層的至少一層HI層為基于PrTi03的層，特別有利的是其高耐熱性。LI層也是熟知的并且可以包括，但不限于，Si02、MgF2、ZrF4、A1F3、錐水晶石(NasAl3F，4)、水晶石(Na3lAlF6)及其混合物，優(yōu)選Si02或摻雜有氧化鋁的&02，氧化鋁的貢獻是增加抗反射涂層的耐熱性。顯然，這類化合物與任選一種或多種選自該說明書先前描述的介電材料的其它材料的混合物使得所得層的折射率如上文所定義(51.54)。多層疊層的低折射率層的沉積優(yōu)選在真空室中，在所述沉積過程中沒有氣體供入該真空室，尤其是沒有氧氣加入，即沒有調(diào)節(jié)壓力的情況下進行。由此獲得的LI層的密度高于底層的基于&02的層(當(dāng)其在下文要描述的有氣體供應(yīng)的情況下沉積時)。該氣體供應(yīng)與稍后要描述的IAD處理不同，在IAD處理中所述層經(jīng)受活性物類束轟擊如用離子轟擊。當(dāng)使用包含SK)2和八1203組合的LI層時，它優(yōu)選包含基于該層中SK)2+A1203的總重為1-10重量％，更優(yōu)選1-8重量％，甚至更優(yōu)選1-5重量％的A1203。氧化鋁過量對AR涂層的粘著有害。例如，可以使用摻雜有4重量％或更少AM33的Si02，或者摻雜有8%入1203的Si()2?？梢允褂檬惺跾i(VAl203混合物，如由UmicoreMaterialsAG出售的LIMA(在550nm下折射率n=1.48-1.50),或者由MerckKGaA出售的！^^物質(zhì)(在500nm下折射率n=1.48)。根據(jù)一個優(yōu)選實施方案，多層疊層的至少一層LI層包含&02和AI203的混合物，優(yōu)選由Si02和八1203的混合物組成。根據(jù)另一個優(yōu)選實施方案，多層疊層的所有LI層包含SiO;j和Al203的混合物，優(yōu)選由Si02和A1203的混合物組成。在后一情況下，特別優(yōu)選所述底層包含至少一層厚度優(yōu)選大于或等于75nm的不含A1203的基于Si02的層。不希望被理論所束綽，本申請人認為，當(dāng)多層疊層的一些或甚至所有LI層包含Si02和A1203混合物時，將底層中純二氧化硅用氧化鋁摻雜的二氧化硅替代時，會4吏抗反射涂層整體的壓縮應(yīng)力過分增加，這通常導(dǎo)致粘附問題和耐磨性降低。通常，HI層的物理厚度為10-120nm，LI層的物理厚度為10-100nm。優(yōu)選地，抗反射涂層的總物理厚度低于1微米，更優(yōu)選低于或等于500nm，甚至更優(yōu)選低于或等于250nm。抗反射涂層的總物理厚度通常高于100nm，優(yōu)選高于150nm。除非另有說明，本申請中所述厚度值為物理厚度值。更優(yōu)選地，多層疊層包括至少兩層低折射率層(LI)和至少兩層高折射率層(HI)。優(yōu)選地，多層疊層總層數(shù)少于或等于8，更優(yōu)選少于或等于6。HI層和LI層不必在疊層中交替，盡管根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，它們可以交替。兩層(或更多層)HI層可以彼此沉積在彼此之上，兩層(或更多層)LI層也可以彼此沉積在彼此之上。因此，就耐磨性或即使從光學(xué)角度而言，可能有利的是彼此堆疊例如Zr02HI層和Ti02HI層，而不是4吏用一層Ti02層代替這兩層相鄰的HI層。優(yōu)選地，底層與多層疊層的高折射率層(HI)相鄰。根據(jù)另一個優(yōu)選的特征，多層疊層的外層(即距離基底最遠的涂層)為包含二氧化硅和氧化鋁混合物的層。形成多層疊層的各層，所謂的"光學(xué)層"，以及底層，優(yōu)選通過真空沉積根據(jù)以下方法中的任何方法沉積i)蒸發(fā)，任選離子束輔助；ii)離子束濺射；iii)陰極濺射；iv)等離子體輔助化學(xué)氣相沉積。在"ThinFilmProcesses"和"ThinFilmProcessesII，，Vossen&Kern編輯,AcademicPress,1978和1991中分別描述了這些不同方法。所述真空下蒸發(fā)是特別推薦的方法。所有抗反射涂層的層優(yōu)選通過真空下蒸發(fā)進行沉積。這種方法的優(yōu)點是避免加熱基底，這對有機玻璃是特別有利的?？梢杂弥岸x的能量物類，特別是用離子進行處理步驟，同時伴隨著沉積抗反射涂層的一層或不同的多層，優(yōu)選除了底層的基于Si02的層。特別是可以在離子輔助("IAD法"=離子輔助沉積(IonAssistedDeposition))下進行多層疊層和底層的一層或多層的沉積，底層的基于Si02的層(其可以是SK)2層)優(yōu)選不在離子輔助下沉積。離子輔助法包括用重離子壓實所述層，同時將它們成型以增加它們的密度。除了致密化，它能夠改進沉積層的粘附性，以及能夠增加所述層的折射率。根據(jù)本發(fā)明方法的一個重要特性，在沉積多層疊層之前使底層的暴露表面經(jīng)受離子轟擊處理。在多層底層的情況下，經(jīng)受這種處理的表面當(dāng)然是將在最終光學(xué)制品中接觸本發(fā)明多層疊層的那個表面。該處理通常在真空下通過使用例如借助離子槍產(chǎn)生的氬離子束進行。本發(fā)明發(fā)明人驚訝地觀察到，這通常一方面改進了抗反射涂層的耐磨性，另一方面增加了它的粘附性，尤其是多層疊層與底層的粘附性。這些耐磨性可以使用將在實驗部分描述的BAYER測試進行評估?？筨low(nxlO吹打)"的測試進行評估。對于實驗部分，可使用包括將最終光學(xué)制品在熱水中浸漬處理和隨后表面機械應(yīng)變的測試，評估多層疊層的外層與抗反射涂層其余部分的粘附性。多層疊層(即抗反射涂層)的外層為最可能遇到粘附性問題的光學(xué)制品層。然而，有時觀察到底層的存在可能會導(dǎo)致抗反射涂層的一些層的粘附性損失，盡管改進了耐磨性。令人驚訝地，本發(fā)明發(fā)明人發(fā)現(xiàn)粘附性問題可以通過在底層在真空室中的沉積步驟中供應(yīng)氣體而解決。具體地，在沉積底層過程中，將諸如稀有氣體的氣體如氬氣、氪氣、氙氣、氖氣，諸如氧氣、氮氣的氣體或者兩種氣體或更多種這些氣體的混合物引入真空沉積室中。優(yōu)選地，在該步驟中使用的氣體不是活性氣體，更優(yōu)選不是電離氣體。該氣體供應(yīng)使可調(diào)節(jié)壓力并且與離子轟擊處理，如離子輔助不同。底層的沉積不涉及^f壬何離子轟擊處理，如離子輔助。底層的沉積優(yōu)選不涉及任何用等離子體(其物類具有高于或等于30eV的能量)處理。更優(yōu)選地，底層的沉積不涉及任何等離子體處理。還優(yōu)選地，底層的沉積不涉及任何用具有低于或等于30eV的能量的離子處理。通常，在供應(yīng)所述一種或多種氣體過程中的壓力可以為5.10-5至2.10-4毫巴，優(yōu)選8.10-5至2.10-4毫巴，8.10-5至1.5.104毫巴更好。改變沉積方法(在沉積底層過程中供應(yīng)氣體)能夠改進特別是底層和多層疊層之間的界面處的粘附性及外層與多層疊層的粘附性。不希望受任何特定理論束綽，本發(fā)明發(fā)明人認為沉積底層時不供應(yīng)氣體得到更致密的層，這可能會導(dǎo)致抗反射涂層的過大應(yīng)力(壓縮)并由此破壞其粘附性。在氣體壓力調(diào)節(jié)下沉積底層，即同時伴隨著向沉積室供應(yīng)氣體，能夠限制壓縮應(yīng)力升高并避免抗反射涂層的結(jié)構(gòu)減弱。可以想象這種程序可得到產(chǎn)生較少應(yīng)力的更多孔的底層?？梢越柚x子槍(例如CommonwealthMarkII型)進行基底和/或底層的IAD和離子處理表面準備操作；其中離子為由已失去一個或多個電子的氣體原子組成的粒子。所述操作優(yōu)選包括用氬離子(Ar+)轟擊待處理表面，其中活化表面上的電流密度為10-100nA/cm2，真空室中殘余壓力通常為8.105-5.104毫巴，優(yōu)選為8.10-5-2.104毫巴。公知的是，光學(xué)制品具有帶靜電趨勢，特別在干燥條件下通過用布、合成泡沫件或聚酯摩擦其表面對其清洗時。于是它們可以吸引附近的小粒子如灰塵并使其固定，并且這持續(xù)在電荷保持在制品上的所有時間里。本領(lǐng)域公知，制品因在其表面上存在導(dǎo)電層而可獲得抗靜電性。這種方法在專利申請WO01/55752和專利EP0834092中都有應(yīng)用。當(dāng)制品具有不保留和/或形成大量靜電荷的能力時，認為其"抗靜電"。當(dāng)制品在用合適布摩擦其一個表面之后不吸引和固定灰塵和小粒子時，一般被視為具有可接受的抗靜電性。存在各種量化材料抗靜電性的方法。一種方法是考慮材料的靜電勢。當(dāng)材料的靜電勢(在制品仍不帶電時測得)是0KV+Z-0.1KV(絕對值)時，認為該材料抗靜電；相反，如果其靜電勢不是0KV+A0.1KV(絕對值)時，認為該材料是產(chǎn)生靜電的。根據(jù)另一方法，玻璃釋放通過用布摩擦或任何其它適合靜電荷產(chǎn)生的方法(電暈施加電荷)而形成的靜電荷的能力可以通過測量所述電荷的消散時間來量化。因此，抗靜電玻璃具有約100毫秒的放電時間，而靜電玻璃的放電時間為約幾十秒。本發(fā)明制品可以通過在多層疊層中引入至少一層導(dǎo)電層而抗靜電。導(dǎo)電層可以位于抗反射涂層的任何位置，條件是不會損害涂層的抗反射性。導(dǎo)電層可以沉積在例如本發(fā)明的底層上并形成多層疊層的第一層。它優(yōu)選位于多層疊層的^^斤射率層下方。導(dǎo)電層必須足夠薄以不損害抗反射涂層的透明度。一般地，根據(jù)其性質(zhì)，其厚度為0.1-150nm，更優(yōu)選0.1-50nm。當(dāng)其厚度低于0.1nm時，一般不能獲得足夠的導(dǎo)電性，相反當(dāng)其厚度高于150nm時，一般不能獲得所需的透明度和低吸收特性。導(dǎo)電層優(yōu)選由導(dǎo)電且高度透明的材料制得。在這種情況下，其厚度優(yōu)選為0.1-30nm，更優(yōu)選為1-20nm，甚至更優(yōu)選為1-10nm。導(dǎo)電層優(yōu)選包含選自銦氧化物、錫氧化物、鋅氧化物及其混合物的金屬氧化物。優(yōu)選銦-錫氧化物(In203:Sn，即摻有錫的銦氧化物)和錫氧化物(111203)。根據(jù)最佳實施方案，導(dǎo)電且透光的層是銦-錫氧化物層，稱作ITO層。通常，導(dǎo)電層確實對獲得抗反射性有貢獻且構(gòu)成抗反射涂層的高折射率層。當(dāng)導(dǎo)電層由導(dǎo)電且高度透明的材料制得時如此，如ITO層。導(dǎo)電層也可以是由厚度通常小于1nm，更優(yōu)選小于0.5nm的非常薄的貴金屬制得的層。特別有利地，抗反射涂層多層疊層包括至少4層介電層(優(yōu)選4層或5層)，和任選賦予制品抗靜電性的一層導(dǎo)電層。根據(jù)一個優(yōu)選的實施方案，從基底表面開始依次沉積厚度優(yōu)選大于或等于75nm的Si02底層，厚度通常為10-40nm、優(yōu)選15-35nm的Zr02層，厚度通常為10-40nm、優(yōu)選15-35nm的SiO;t層或8102/入1203層、優(yōu)選Si(VAl203層，厚度通常為40-150nm、優(yōu)選50-120nm的Ti02層，厚度通常為8-30nm、優(yōu)選10-25nm的Zr02層，厚度通常為0.1-30nm、優(yōu)選l-20nm的任選導(dǎo)電層、優(yōu)選ITO層，以及厚度通常為40-150nm、優(yōu)選50-100nm的SiO;j層或8102/入1203層、優(yōu)選8102/入1203層。優(yōu)選本發(fā)明多層疊層包括導(dǎo)電層，更優(yōu)選本發(fā)明制品包括疊層Ti02/ZKV導(dǎo)電層，先提到的層離基底最近。根據(jù)一個特別優(yōu)選的實施方案，從基底表面開始依次沉積厚度大于或等于120nm的SK)2底層，厚度為20-30nm的Zr02層，厚度為20-40nm的SiO;j/Al203層，厚度為75-110nm的1102層，厚度為8-20nm的ZrOz層，厚度為2-20nm的ITO層，以及厚度為60-卯nm的Si02/Al203層。導(dǎo)電層(其通常為抗反射疊層的高折射率層)可以根據(jù)任何合適方法沉積，例如真空沉積、蒸發(fā)，優(yōu)選離子束輔助沉積(IAD)或陰極'減射或離子束法。當(dāng)存在時，Ti02/ZKV導(dǎo)電層(優(yōu)選ITO)這三個相繼層優(yōu)選均在離子輔助下沉積(IAD)。底層和多層疊層可以直接沉積在棵露的基底上。在一些應(yīng)用中，優(yōu)選基底主表面涂覆有抗沖擊底涂層、耐磨和/或耐刮層，或者首先涂覆有抗沖擊底涂層，然后涂覆有耐磨和/或耐刮層。也可以利用其它在光學(xué)領(lǐng)域中通常使用的涂層，例如偏振涂層、光致變色涂層或有色涂層。底層和多層疊層優(yōu)選沉積在耐磨和/或耐刮涂層上。耐磨和/或耐刮涂層可以是眼用透鏡領(lǐng)域中通常用作耐磨和/或耐刮涂層的任何層。耐磨和/或耐刮涂層優(yōu)選為基于聚(甲基)丙烯酸酯或硅烷的硬涂層。耐磨和/或耐刮硬涂層優(yōu)選由包含至少一種烷氧基硅烷和/或(例如通過用鹽酸溶液水解得到的)其一種水解產(chǎn)物的組合物制得。在持續(xù)時間通常為2-24h,優(yōu)選2-6h的水解步驟之后，可以任選加入催化劑。優(yōu)選也加T^面活性劑化合物以優(yōu)化沉積物的光學(xué)質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的推薦涂層包括基于環(huán)氧硅烷水解產(chǎn)物的涂層如專利FR2,702,486(EP0,614,957)、US4,211,823和US5,015,523中描述的那些。優(yōu)選的耐磨和/或耐刮涂層組合物是本申請人的法國專利FR2,702,486中公開的那種。其包含環(huán)氧基三烷氧基硅烷和二烷基二烷氧基硅烷的水解產(chǎn)物、硅膠和催化量的基于鋁的固化催化劑如乙酰丙酮鋁，組合物的余下部分大部分是通常用于配制這種組合物的溶劑。優(yōu)選所用的水解產(chǎn)物是，環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷(GLYMO)和二甲基二乙氧基眭烷(DMDES)的水解產(chǎn)物。耐磨和/或耐刮涂層組合物可以通過浸涂或旋涂沉積在基底的主表面上。然后根據(jù)合適方法(優(yōu)選熱方法或紫外方法)固化。耐磨和/或耐刮涂層的厚度通常為2-10nm，優(yōu)選3-5nm。在沉積耐磨和/或耐刮涂層之前，可以在基底上沉積底涂層以改進抗沖擊性和/或最終產(chǎn)品中后續(xù)層的粘附性。該涂層可以是通常用于由透明聚合物材料制得的制品如眼用透鏡的任何抗沖擊底涂層。優(yōu)選的底涂層組合物包括基于熱塑性聚氨酯的組合物，如在日本專利JP63-141001和JP63-87223中描述的那些；聚(甲基)丙烯酸類底涂層組合物，如在美國專利US5，015，523中描述的那些；基于熱固性聚氨酯的組合物，如在歐洲專利EP0404111中描述的那些；以及基于聚(曱基)丙烯酸類膠乳或聚氨酯類膠乳的組合物，如在專利US5,316,791和EP0680492中描述的那些。優(yōu)選的底涂層組合物是基于聚氨酯的組合物，以及基于膠乳，尤其是聚氨酯類膠乳的組合物。聚(甲基)丙烯酸類膠乳是主要基于(曱基)丙烯酸酯如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯或(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯與通常次要量的至少一種其它共聚單體如苯乙烯的共聚物膠乳。優(yōu)選的聚(甲基)丙烯酸類膠乳是基于丙烯酸酯-苯乙烯共聚物的膠乳。這種丙烯酸酯-苯乙埽共聚物膠乳由ZENECARESINS以商品名NEOCRYL⑧市售。聚氨酯類膠乳也是已知的并可市購。作為例子，具有聚酯單元的聚氨酯類膠乳是合適的。這種膠乳也由ZENECARESINS以商品名NEOREZ市售，以及由BAXENDENCHEMICALS以商品名WITCOBOND⑧市售。這些膠乳的混合物也可以用在底涂層組合物中，尤其是聚氨酯類膠乳和聚(曱基)丙烯酸類膠乳。這些底涂層組合物可以通過浸涂或旋涂沉積在制品面上，然后在至少70。C至最多100°C，優(yōu)選約90。C的溫度下干燥2分鐘至2小時，通常約15分鐘，直至形成固化后厚度為0.2-2.5jim,優(yōu)選0.5-1.5nm的底涂層。當(dāng)然，才艮據(jù)本發(fā)明的光學(xué)制品還可以包括形成在抗反射涂層上可能能夠改變其表面性質(zhì)的涂層，如疏水涂層和/或疏油涂層(防污頂涂層)。這些涂層優(yōu)選沉積在抗反射涂層的外層上。其厚度一般小于或等于10nm，優(yōu)選1-10腿，更優(yōu)選l-5nm。它們一般是氟硅烷或氟硅氮烷類涂層。它們可以通過沉積氟硅烷或氟硅氮烷前體得到，所述氟硅烷或氟硅氮烷前體優(yōu)選每分子含至少2個可水解基團。氟硅烷前體優(yōu)選具有氟聚醚結(jié)構(gòu)部分，更優(yōu)選全氟聚醚結(jié)構(gòu)部分。這些氟珪烷是公知的并尤其在專利US5，081，192、US5,763,061、US6，183，872、US5,739，639、US5，922，787、US6，337，235、US6,277,485和EP0933377中有描述。通常，根據(jù)本發(fā)明方法獲得的光學(xué)制品包括依次涂有抗沖擊底涂層、耐磨和/或耐刮層、本發(fā)明底層、本發(fā)明多層疊層和疏水和/或疏油涂層的基底。本發(fā)明制品優(yōu)選為光學(xué)透鏡，更優(yōu)選眼鏡用眼用透鏡，或者光學(xué)或眼用透鏡坯(lensblank)。透鏡可以是偏振透鏡或光致變色透鏡或有色透鏡。著色可以通過將顏料摻入透鏡本體、通過浸漬、通過沉積在可見光區(qū)域吸收的有色層獲得。尤其是，根據(jù)本發(fā)明方法獲得的抗反射涂層的一層或多層可以是吸收性的，例如基于亞化學(xué)計量鈦氧化物TiOx(x〈2)的層，如在本申請人的專利申請WO2005/059603中描述的那些。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明方法獲得的光學(xué)制品在可見光區(qū)域不吸收或僅輕微吸收，這意味著對于本申請，其可見光透射系數(shù)Tv(也稱為可見光透射率)高于90%，更優(yōu)選高于95%，甚至更優(yōu)選高于96%，最優(yōu)選高于97%。系數(shù)Ty具有國際標準定義(ISO標準13666:1998)，并根據(jù)ISO標準8980-3測量。其限定在380-780nm的波長范圍內(nèi)。優(yōu)選地，本發(fā)明涂覆制品的光吸收低于或等于1%。更優(yōu)選地，涂覆有本發(fā)明抗反射涂層的制品在可見光區(qū)域(400-700nm)內(nèi)的平均反射系數(shù)(Rm)低于2.5%/制品面，更優(yōu)選低于2%/制品面，甚至更優(yōu)選低于1%/制品面。在最佳實施方案中，該制品包括其兩個主表面均涂覆有本發(fā)明抗反射涂層并且Rm總值(兩個面的累積反射值)低于1%，優(yōu)選為0.7-0.8o/q的基底。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知獲得該Rm值的方法。在該申請中，"平均反射系數(shù)"為如ISO標準13666:1998中所定義，并且根據(jù)ISO標準8980-4測量，即400-700nm可見光語總體上的光i普反射平均值。以下實施例更詳細地但非限制性地解釋本發(fā)明。實施例1.一般程序?qū)嵤├兴霉鈱W(xué)制品包括直徑為65mm、屈光度為-2.00且厚度為1.2mm的ORMAESSILOR透鏡基底，其在兩面均涂覆有專利EP0614957中實施例3所公開的基于GLYMO和DMDES、珪膠和乙酰丙酮鋁的水解產(chǎn)物的耐磨和/或耐刮涂層^更涂層，折射率1.50),抗反射涂層，以及最后的防污涂層。通過沉積和固化包含224重量份GLYMO、80.5重量份HCI0.1N、120重量份DMDES、718重量份在甲醇中的30重量％的硅膠、15重量份乙酰丙酮鋁和44重量份乙基溶纖劑的組合物獲得耐磨涂層。該組合物還包含相對該組合物總重為0.1重量％的表面活性劑FLUORADTMFC-430(3M)。耐磨涂層直接沉積在基底上。在不加熱基底的情況下通過在真空下蒸發(fā)而在透鏡的兩面(凹面和凸面)沉積抗反射涂層的底層和多層疊層；根據(jù)需要，該蒸發(fā)任選由離子束輔助進行(蒸發(fā)源電子槍)。在一些實施例中使用的Si02/Al203混合物為MerckKGaA出售的物質(zhì)L5。用于蒸發(fā)的二氧化硅Si02由OPTRON供應(yīng)且呈粒度為l-2mm的粒子形式。通過在真空下蒸發(fā)DaikinIndustries出售的OptoolDSX⑧化合物獲得防污涂層(厚度2-5nm)。沉積架為Leybold1104設(shè)備(除了實施例6)，其帶有電子槍ESV14(8kV)用于蒸發(fā)氧化物，帶有焦耳效應(yīng)罐用于沉積頂涂層，以及帶有離子槍(CommonwealthMarkII)用于用氬離子制備基底表面(IPC)和底層的預(yù)備階段以及用于在離子輔助(IAD)下沉積各層。在實施例6中，沉積架為SATIS1200DLF設(shè)備，其帶有WeecoMarkII離子槍。層厚用石英微量天平控制。在玻璃制備一小時之后使用Zeiss出售的分光光度計進行透過玻璃的光透射測量。經(jīng)一周后進行第二次測量時的檢查表明，獲得的xv值穩(wěn)定。2.程序?qū)嵤├?-6制造光學(xué)制品的方法包括將提供有耐磨涂層的基底引入真空沉積室中，進行抽吸步驟直到產(chǎn)生高真空，隨后使用氬離子束(IPC)在2.10"毫巴的壓力下轟擊進行基底表面活化步驟(離子^ri殳定為3.0A-150V)，停止離子照射，接著蒸發(fā)所需量的抗反射涂層，以0.1-0.2nm/s的速率沉積防污涂層(頂涂層)，最后通風(fēng)。形成抗反射涂層包括以lnm/s的速率(實施例6例外1.2nm/s)，任選0艮據(jù)需要)在02氣氛下，在1.10"毫巴的壓力(實施例6例外，1.3.10-4毫巴)沉積SK)2底層的沉積步驟，使用氬離子束在1.7.10"毫巴的壓力下持續(xù)30秒的對底層的表面活化步驟(與已直接在基底上進行的IPC相同的處理)，停止離子照射，以0.3nm/s的速率和任選在6.10-5毫巴的氧氣壓力(僅對實施例6)沉積第一HI層(ZrO。，以0.7nm/s的速率沉積第一LI層(Si02或Si02/Al203)，在1.10"毫巴的壓力(實施例6例外氧氣壓力6.10—5毫巴)下以0.3-0.5nm/s的速率并在對應(yīng)于3.5A-140V的氧離子輔助(實施例6例外，沒有離子輔助)下沉積第二HI層(ZK)2或Ti02)，以0.3nm/s的速率沉積第三HI層(ZK)2)(僅實施例5)，以0.3-0.5nm/s的速率并在對應(yīng)于3.5A-140V(實施例6例外2.0A-120V)的氧離子輔助下沉積ITO層，最后以lnm/s的速率沉積第二LI層(SiO;j或Si02/Al203)。沒有通過將氣體供入室中進行的壓力調(diào)節(jié)，尤其是在沉積LI層過程中沒有氧氣。對比例C1-C5對比例中使用的程序相似。對比例1和2(實施例CI和C2)的制品不包含任何底層。實施例3-5(實施例C3-C5)的制品的底層在氧氣氣氛下沉積但是在沉積多層疊層之前未經(jīng)歷任何離子預(yù)清洗步驟。3.表征a.耐磨性的表征通過在提供有底層(實施例Cl和C2例外)和多層疊層的基底上測定BAYER值而評估耐磨性。BAYER砂試驗根據(jù)ASTM標準F735.81測定BAYER值。BAYER試驗值越高，耐磨性越強。該試驗包括在包含限定粒度的摩擦粉末(砂)的罐中經(jīng)2分鐘以100次/分鐘的頻率以交替運動同時攪拌玻璃樣品和玻璃試樣。將玻璃樣品"之前/之后，，的H散射測量值與玻璃試樣的值比較，在此玻璃試樣是基于CR-39的棵玻璃，其BAYER值設(shè)定為1。BAYER砂值對應(yīng)于R=H玻璃試樣/H玻璃樣品。ISTMBayer試驗(Bayer氧化鋁)根據(jù)ASTM標準F735-81測定這種BAYER值，具有如下改變使用CeramicGrains(前身是NortonMaterials,NewBondStreet,POBox15137Worcester,Mass.01615-00137)提供的約500g氧化鋁(氧化鋁A1203)ZF152412代替砂而進行300次摩擦周期。通過PacificScientific制造的XL-211型Hazeguard系統(tǒng)測量散射。當(dāng)R大于或等于3.4且小于4.5時，ASTMBayer值(Bayer砂)視為令人滿意。當(dāng)R大于或等于3且小于4.5時，ISTMBayer值視為令人滿意。Bayer妙'值或ISTM值為4.5以上時視為優(yōu)異。b.基底上抗反射疊層粘附性的表征(nx10blow試驗)已知為"nx10blow"試驗的定性試驗可以評估沉積在基底上的膜的粘附性，特別是抗反射涂層與眼用透鏡基底的粘附性。根據(jù)國際專利申請WO99/49097中描述的程序使用等于50的應(yīng)變數(shù)在透鏡凸面上進行。應(yīng)力(或循環(huán))包括將擦除器前后移動10次。操作者每3次應(yīng)力至12次應(yīng)力、然后每20、30、40和50次應(yīng)力目測被檢驗透鏡的情況。評估取決于直到出現(xiàn)缺陷時透鏡可以承受的應(yīng)力次數(shù)。因此，該nxl0blow試驗獲得的值越高，抗反射涂層與基底的粘附性越強。4.結(jié)果在下文的表1中詳細給出了實施例1-6和對比例1-5中獲得的光學(xué)制品的組成。該表還包括粘附性、透射性和耐磨性的測量結(jié)果。對比例1和2的透鏡沒有任何底層。它們的耐磨性低。對比例C3的光學(xué)制品具有底層，在沉積多層疊層之前未經(jīng)過任何離子轟擊。對比例4和5的具有底層的制品，在"nxl0blow"試驗中獲得的粘附性值有限。比較實施例C3和2、C4和4或者C5和5，能夠觀察到從耐磨性角度來看，在沉積多層疊層之前在底層表面上進行離子轟擊的積極效應(yīng)。這種處理通常增加了本發(fā)明底層和多層疊層之間的結(jié)合力。實施例2、4、5和6中的透鏡具有在02壓力調(diào)節(jié)下沉積的二氧化珪底層并在底層表面進行了離子轟擊，獲得了優(yōu)異的ISTMBayer值并在"nx10blow"試驗中獲得了優(yōu)異的粘附性值。實施例1和6或2和3獲得的結(jié)果的比g明，在真空室中進行底層沉積，其中在所述沉積過程中供應(yīng)氣體，改進了抗反射疊層的機械性能(粘附性和/或耐磨性)。此外，實施例4和5之間的對比揭示了使用兩層班比鄰的Ti02/Zr02HI層而不是單層Ti02層，增加了耐磨性。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>(b)在沉積過程中供應(yīng)氧氣,表l(續(xù))<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>權(quán)利要求1.一種制造具有抗反射性或反光性的光學(xué)制品的方法，包括至少以下步驟-提供包含具有至少一個主表面的基底的光學(xué)制品；-在所述基底的主表面上沉積具有暴露表面的底層；-在底層的所述暴露表面上沉積包含至少一層高折射率層和至少一層低折射率層的多層抗反射或反光疊層，-獲得包含具有主表面的基底的光學(xué)制品，所述主表面涂覆有包含所述底層和所述多層疊層的抗反射或反光涂層，其中所述底層的暴露表面在沉積所述多層疊層之前進行離子轟擊處理，并且其中底層的沉積在真空室中進行，在所述沉積過程中向真空室中供應(yīng)氣體。2.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中光學(xué)制品為具有抗反射性的制品。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中所述氣體選自氬氣、氪氣、氤氣、氖氣、氧氣、氮氣及其混合物。4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中在沉積底層之前處理基底表面以增加底層粘附，所述處理選自在真空下的等離子體處理、用能量物類轟擊、電暈放電處理或離子散裂。5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中增加底層粘附的處理為離子轟擊。6.根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的方法，其中底層包括厚度優(yōu)選大于或等于75nm,更優(yōu)選大于或等于80nm，更優(yōu)選大于或等于100nm，甚至更優(yōu)選大于或等于150imi的基于Si02的層。7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中底層由所述基于Si02的層組成，優(yōu)選由Si02層組成。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的方法，其中所述基于Si02的層不含Al203。9.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中底層包括厚度大于或等于75nm且不含入1203的Si02層，以及插在基底與該不含八1203的Si02層之間的最多三層。210.根據(jù)權(quán)利要求6-9中任一項的方法，其中底層的基于Si()2的層或Si02層直接與所述多層疊層接觸。11.根據(jù)權(quán)利要求6-10中任一項的方法，其中在不伴隨用能量物類處理，優(yōu)選在沒有任何離子輔助的情況下進行底層的基于SK)2的層或Si02層的沉積。12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中在用能量物類進行處理步驟的同時沉積抗反射涂層或反光涂層的各層中的一層或多層。13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中在真空室中沉積多層疊層的低折射率層，其中在所述沉積涂覆過程中不向真空室供應(yīng)氣體。14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中多層疊層的所有低折射率層包含SK)2和A1203的混合物，優(yōu)選由Si02和A1203的混合物組成。15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中包含SK)2和八1203混合物的層含有基于這些層中Si02+A1203總重為1-10重量％,優(yōu)選1-5重量％的A1203。16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中通過真空下蒸發(fā)而沉積所有抗反射或反光涂層。17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中多層疊層的高折射率層包含至少一種選自TK)2、PrTi03、Zr02及其混合物的材料。18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中多層疊層包含至少一層導(dǎo)電層。19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中所述導(dǎo)電層包含選自銦氧化物、錫氧化物或鋅氧化物及其混合物的金屬氧化物，優(yōu)選銦-錫氧化物。20.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述基底為有機或無機玻璃。21.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述基底為由交聯(lián)材料制成的基底。22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中基底為烯丙型、(曱基)丙烯酸酯型、硫代(甲基)丙烯酸酯型或聚(硫)氨酯型基底。23.根據(jù)前iii又利要求中任一項的方法，其中基底的主表面涂覆有抗沖擊底涂層、耐磨和/或耐刮層，或者涂有耐磨和/或耐刮層的抗沖擊底涂層。24.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述光學(xué)制品為光學(xué)透鏡，優(yōu)選為眼用透鏡。25.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中多層疊層與底層直接接觸。全文摘要本發(fā)明涉及一種制造具有抗反射性或反光性并包含具有至少一個主表面的基底的光學(xué)制品的方法，該方法包括在基底主表面上沉積底層的步驟，通過離子轟擊處理底層的步驟和在所述底層上沉積包含至少一層高折射率層和和至少一層低折射率層的多層疊層的步驟。根據(jù)優(yōu)選實施方案，底層的沉積在真空室中進行，其中在沉積步驟中向真空室中供應(yīng)氣體。文檔編號G02B1/10GK101617248SQ200880005797公開日2009年12月30日申請日期2008年2月22日優(yōu)先權(quán)日2007年2月23日發(fā)明者M·托馬斯,P·魯瓦松申請人:埃西勒國際通用光學(xué)公司