專利名稱：顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實施例涉及液晶顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般地，液晶顯示(LCD)面板可包括陣列基板、面對陣列基板的相對基板和插置 在陣列基板與相對基板之間的液晶層。用于驅(qū)動像素區(qū)的多個開關(guān)元件可形成于陣列基板 上。當(dāng)電壓施加到插置在兩個基板之間的液晶層時，LCD面板可通過控制透射率來顯示圖像。在圖案化垂直配向(patterned vertical alignment,PVA)模式的LCD器件中，通 過使用圖案化的透射電極，液晶分子可沿不同的方向排列以形成液晶域(domain)，從而可 增加IXD器件的視角。為了制造PVA模式的IXD器件，需要形成圖案化的透射電極的工藝。 此外，在另一類型的PVA模式中，突起可形成于相對基板上，公共電極層可形成于其上形成 有突起的相對基板上，從而可形成提供LCD器件的增強視角的液晶域。然而，需要用于形成 突起的分離的工藝。如上所述，為了在PVA模式的IXD中形成液晶域，可執(zhí)行圖案化透射電極的工藝和 /或形成突起的工藝，從而在LCD器件的制造工藝中導(dǎo)致更大量的步驟。另外，圖案化透射 電極和形成突起會降低LCD器件的開口率。此外，在顯示基板和相對基板的裝配工藝中，顯 示基板與相對基板的不對準(zhǔn)會使顯示基板的像素電極與相對基板的公共電極的圖案之間 產(chǎn)生不對準(zhǔn)，使得液晶域不適當(dāng)?shù)匦纬伞?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施例提供一種顯示器件以及制造該顯示器件的方法，該顯示器 件具有較高的制造效率和顯示品質(zhì)。以下將在說明書中闡述本發(fā)明的其它特征，部分特征通過說明書是顯而易見的， 或者可通過本發(fā)明的實踐而知悉。本發(fā)明的示例性實施例公開了一種顯示器件，該顯示器件包括第一基板、第二基 板和液晶層。該第一基板包括像素電極和域形成層，域形成層包括凹陷圖案以在像素區(qū)中 提供液晶域。第二基板面對第一基板。第二基板包括公共電極。液晶層設(shè)置在第一基板與 第二基板之間。液晶層包括活性液晶元(RM)以固定形成液晶域的液晶分子。本發(fā)明的其它示例性實施例公開了一種顯示器件，該顯示器件包括第一基板、第 二基板和液晶層。第一基板包括像素電極，該像素電極具有開口圖案以在像素區(qū)中形成液 晶域。第二基板面對第一基板。第二基板包括公共電極。液晶層設(shè)置在第一基板與第二基 板之間。液晶層包括活性液晶元以將液晶分子固定在液晶域中。本發(fā)明的其它示例性實施例公開了一種制造顯示器件的方法。該方法包括制造第 一基板，該第一基板包括域形成層和像素電極，該域形成層包括凹陷圖案以在像素區(qū)中形 成液晶域，該像素電極形成在域形成層上。該方法還包括制造面對第一基板的第二基板。第二基板包括公共電極。該方法還包括在第一基板與第二基板之間設(shè)置液晶組合物材料，該 液晶組合物材料包括液晶分子和活性液晶元單體。該方法還包括通過施加光到設(shè)置在第一 基板與第二基板之間的液晶分子和活性液晶元單體而形成液晶層。第一電壓施加到公共電 極，第二電壓施加到像素電極。 本發(fā)明的其它示例性實施例公開了一種制造顯示器件的方法。該方法包括制造包 括像素電極的第一基板，該像素電極具有開口圖案以在像素區(qū)中形成液晶域。該方法還包 括制造面對第一基板的第二基板。第二基板包括公共電極。該方法還包括通過施加光到設(shè) 置在第一基板與第二基板之間的液晶分子和活性液晶元單體而形成液晶層。第一電壓施加 到公共電極，第二電壓施加到像素電極。將理解，前述的一般性描述和以下的詳細描述兩者都是示例性的和解釋性的，且 旨在提供對所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。


附圖，包括于說明書中用于提供對本發(fā)明的進一步理解以及結(jié)合入說明書并構(gòu)成 該說明書的一部分，示出了本發(fā)明的示例性實施例，并與文字描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的平面圖；圖2A是沿圖1的線1-1’提取的截面圖；圖2B是沿圖1的線11-11’提取的截面圖；圖2C是示出其中電壓被施加到圖2B的顯示器件的狀態(tài)的截面圖；圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖2B的顯示 器件的制造方法的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的截面圖；圖5A、圖5B和圖5C是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖4的顯示器件的制造方 法的截面圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的平面圖；圖7是沿圖6的線III-III’提取的截面圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖7的顯示器件的制造方法的截面圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的截面圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖9的顯示器件的制造方法的截面圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的平面圖；圖12是沿圖11的線IV-IV’提取的截面圖；圖13A和圖13B是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖12的顯示器件的制造方法 的截面圖；圖14是示出具有圖11的結(jié)構(gòu)的透射模式的透射模式顯示器件的截面圖；圖15是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的平面圖；圖16是沿圖15的線V-V，提取的截面圖；圖17A、圖17B和圖17C是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖16的顯示器件的制 造方法的截面圖18是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的平面圖；圖19A是沿圖18的線VI-VI’提取的截面圖；圖19B是沿圖18的線VII-VII，提取的截面圖；圖20是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖19B的顯示器件的制造方法的流程 圖；圖21是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的制造方法的流程圖；圖22是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的截面圖；以及圖23是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的截面圖。
具體實施例方式在以下文中，將參考其中顯示本發(fā)明的示例性實施例的附圖更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于這里闡述的示例性實施例。 而是，提供這些示例性實施例使得本公開充分和完整，且向那些本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地 傳達本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰夸大了層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。將理解當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦接到”另一元件 或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到、耦接到另一元件或?qū)?，或者可以存?中間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接”在另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直 接耦接到”另一元件或?qū)訒r，則沒有中間元件或?qū)哟嬖?。通篇相似的附圖標(biāo)記表示相似的元 件。這里所用的術(shù)語“和/或”包括一個或更多相關(guān)列舉項目的任何和所有組合。將理解雖然術(shù)語第一、第二和第三等可以用于此來描述各種元件、組件、區(qū)域、層 和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只用 于區(qū)分一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、 組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。在這里為了描述的方便，可以使用空間相對術(shù)語，諸如“下面”、“下方”、“下”、“上 方”、“上”等，來描述一個元件或特征與其他元件或特征如圖中所示的關(guān)系。將理解空間相 對術(shù)語旨在包含除了在圖中所繪的方向之外的器件在使用或操作中的不同方向。例如，如 果在圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向為 在其他元件或特征“上方”。因此，示范性術(shù)語“下方”可以包含下方和上方兩個方向。器件 也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對描述語。這里所使用的術(shù)語只是為了描述特別的示例性實施例的目的且不旨在限制本發(fā) 明。如這里所用，單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地指示另外的意思。將 進一步理解當(dāng)在此說明書中使用時術(shù)語“包括”和/或“包含”說明所述特征、整體、步驟、 操作、元件和/或組件的存在，但是不排除存在或添加一個或更多其他特征、整體、步驟、操 作、元件、組件和/或其組。參考截面圖在這里描述了本發(fā)明的示例性實施例，該截面圖是本發(fā)明的理想示例 性實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的 圖示的形狀的變化。因而，本發(fā)明的示例性實施例不應(yīng)解釋為限于這里所示的特別的區(qū)域 形狀，而是包括由于例如由制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)通常會具有 修圓或彎曲的特征和/或在其邊緣具有注入濃度的梯度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。相似地，由注入形成的埋入?yún)^(qū)會引起埋入?yún)^(qū)與通過其進行注入的表面之間的區(qū)域中的某些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，且它們的形狀不旨在示出器件的 區(qū)域的精確形狀且不旨在限制本發(fā)明的范圍。除非另有界定，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有本發(fā)明所 屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所共同理解的相同意思。還可以理解諸如那些在共同使用的字典中 定義的術(shù)語應(yīng)解釋為一種與它們在相關(guān)技術(shù)的背景中的涵義一致的涵義，而不應(yīng)解釋為理 想化或過度正式的意義，除非在這里明確地如此界定。在以下文中，將參考附圖和以下實例詳細解釋本發(fā)明的示例性實施例。實例1圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實施例的顯示器件的平面圖。圖2A是沿圖1的線1-1’提取的截面圖，圖2B是沿圖1的線11-11’提取的截面 圖。圖2A和圖2B示出了其中電壓沒有被施加在像素電極與公共電極之間的無電場的 活性液晶元(reactive mesogen, RM)和液晶分子的狀態(tài)。參照圖1、圖2A和圖2B，顯示器件可包括第一基板100、第二基板200和插置在第 一基板100與第二基板200之間的液晶層300。第一基板100可包括第一底板(base substrate) 110、第一柵極線GLl和第二柵極 線GL2、存儲線STL、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2、在某些情形下可以 是開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)SW、鈍化層140、域形成層150、像素電極PE和第一配向?qū)?(alignment layer)ALl0第一柵極線GLl和第二柵極線GL2可沿第一方向Dl在第一底板110上延伸。在 某些情形下，第一柵極線GLl和第二柵極線GL2可平行于第二方向D2布置，第二方向D2不 同于第一方向D1。第二方向D2可基本垂直于第一方向D1。存儲線STL可設(shè)置在第一柵極 線GLl和第二柵極線GL2之間，且可沿第一方向Dl延伸。柵極絕緣層120可形成于第一底 板110上，以覆蓋第一柵極線GLl和第二柵極線GL2以及存儲線STL。在某些情形下，第一 數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2可沿第二方向D2在柵極絕緣層120上延伸。在某些情形下， 第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2可沿第一方向Dl彼此平行地布置。第一數(shù)據(jù)線DLl和 第二數(shù)據(jù)線DL2可與第一柵極線GLl和第二柵極線GL2以及存儲線STL的每一個交叉。第 一基板100可包括通過第一柵極線GLl和第二柵極線GL2與第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線 DL2交叉而形成的多個像素區(qū)P。像素電極PE可形成于像素區(qū)P上。TFT SW可包括連接到第一柵極線GLl的第一柵極電極GE ；形成于柵極絕緣層 120上的有源圖案AP ；與有源圖案AP至少部分交疊且連接到第一數(shù)據(jù)線DLl的源極電極 SE ；與像素區(qū)P至少部分交疊且與源極電極SE分隔開的漏極電極DE ；以及從漏極電極DE 延伸到像素區(qū)P的接觸電極CNT。TFT SW可包括順序形成在柵極絕緣層120上的半導(dǎo)體層 130a和歐姆接觸層130b。接觸電極CNT可從漏極電極DE延伸到存儲線STL。接觸電極CNT 可與存儲線STL交疊。鈍化層140可形成于柵極絕緣層120上以覆蓋第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2、 源極電極SE、漏極電極DE和接觸電極CNT。域形成層150可形成于鈍化層140上。域形成層150可平坦化第一基板100。域形成層150可包括凹陷圖案(expression pattern) 152，該凹陷圖案152從域形成層150的 表面朝第一底板110凹陷。凹陷圖案152可形成于像素區(qū)P中以產(chǎn)生像素區(qū)P的液晶域。 凹陷圖案152可以點(dot)形狀形成于域形成層150中。凹陷圖案152可延伸到接觸電極 CNT。凹陷圖案152可以是點形孔，其可暴露接觸電極CNT的一部分。雖然凹陷圖案152形 成為點形孔，但是也可防止在凹陷圖案152形成處的光泄露。在某些情形下，域形成層150 可包括有機材料。在某些情形下，域形成層150可包括無機材料。在某些情形下，域形成層 150可包括由有機材料形成的有機層、由無機材料形成的無機層以及形成在有機層或無機 層上的凹陷圖案152。
像素電極PE可形成于像素區(qū)P中的域形成層150上。像素電極PE可包括透光且 導(dǎo)電的材料。像素電極PE可形成為覆蓋凹陷圖案152。在某些情形下，整個凹陷圖案152 可被像素電極PE覆蓋。像素電極PE可通過凹陷圖案152接觸接觸電極CNT，從而電連接像 素電極PE到TFT SW。像素電極PE在凹陷圖案152上的區(qū)域可相對地寬于像素電極PE形 成在域形成層150的平坦區(qū)上的區(qū)域。因此，當(dāng)電場形成于第一基板100與第二基板200 之間時，鄰近凹陷圖案152的區(qū)域的電場強度可相對地大于其中沒有形成凹陷圖案152的 平坦區(qū)的電場強度。在某些情形下，第一配向?qū)覣Ll可形成于包括像素電極PE的第一底板110的整個 表面上。在某些情形下，第一配向?qū)覣Ll可形成于包括像素電極PE的第一底板110的表面 的一部分上。第二基板200可包括面對第一基板100的第二底板210、黑矩陣圖案220、第一濾 色器232、第二濾色器234、第三濾色器236、覆蓋層240、公共電極層250以及第二配向?qū)?AL2。在某些情形下，可從第二基板200省略覆蓋層240。黑矩陣圖案220可在一區(qū)域中形成于第二底板210上，該區(qū)域相應(yīng)于其中形成第 一柵極線GLl和第二柵極線GL2、第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2以及TFT Sff的區(qū)域。 第一濾色器232、第二濾色器234和第三濾色器236可形成于第二底板210上。黑矩陣圖案 220可置于第一濾色器232、第二濾色器234和第三濾色器236之間。例如，第一濾色器232 可在相應(yīng)于其上形成像素電極PE的像素區(qū)P的區(qū)域中形成于第二底板210上。第二濾色 器234可沿第一方向Dl形成，第三濾色器236可沿第一方向Dl的相反方向形成。覆蓋層 240可形成于其上形成有黑矩陣圖案220以及第一濾色器232、第二濾色器234和第三濾色 器236的第二底板210上。覆蓋層240可平坦化第二基板200。公共電極250可形成于覆蓋層240上。公共電極250可包括透光且導(dǎo)電的材料。 公共電極250可形成于第二底板210上，而并沒有分離的凹陷圖案形成于其上。在某些情 形下，公共電極250可覆蓋第二基板200的整個表面。第二配向?qū)覣L2可形成于公共電極250上，在某些情形下，可形成于第二基板200 的整個表面上。液晶層300可設(shè)置于第一基板100與第二基板200之間。液晶層300可包括液晶 分子310和RM固化(curing)材料320。電場可在像素電極PE與公共電極250之間產(chǎn)生。 液晶分子310的布置可通過電場經(jīng)由像素電極PE和凹陷圖案152而改變，從而可調(diào)整透射 率。液晶分子310可具有負的介電各向異性(dielectric anisotropy) 0當(dāng)電壓沒有被施加到像素電極PE和公共電極250時，鄰近第一基板100和/或第二基板200的液晶分子310的長軸可基本垂直于第一底板110的表面和/或第二底板210 的表面布置。對于域形成層150的形成凹陷圖案152的側(cè)壁的表面，鄰近凹陷圖案152的 液晶分子310的長軸可垂直于該側(cè)壁的表面布置。RM固化材料320可沿鄰近像素電極PE和/或公共電極250的液晶分子310布置。 例如，RM固化材料320可沿鄰近第一配向?qū)覣Ll和/或第二配向?qū)覣L2的液晶分子310布 置。即使電場沒有被施加到像素電極PE和公共電極250，RM固化材料320也可保持相 對于第一底板110的表面和/或第二底板210的表面的預(yù)傾斜狀態(tài)。多個RM單體330 (參 見圖3E)可在顯示器件的制造工藝期間被外部光聚合，從而可形成RM固化材料320。圖2C是示出其中電壓被施加到圖2B的顯示器件的狀態(tài)的截面圖。參見圖2C，當(dāng)電場形成于像素電極PE與公共電極250之間時，在像素區(qū)P內(nèi)的電 場的方向可垂直于第一基板100的表面和/或第二基板200的表面。在某些情形下，電場的方向會在像素電極PE的端部與公共電極250之間彎曲。電 場的方向還會在鄰近像素電極PE的另一像素電極的端部與公共電極250之間彎曲。因此， 在鄰近像素電極PE的區(qū)域中，液晶分子310可布置為朝公共電極250的相鄰部分散布，從 而可劃分在相鄰的像素區(qū)P之間的液晶域。由于凹陷圖案152的側(cè)壁引起的預(yù)傾斜，所以鄰近凹陷圖案152的區(qū)域中的電場 可具有朝公共電極250的第一位置(例如，公共電極250的相應(yīng)于凹陷圖案152的區(qū)域) 會聚的形狀。圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是沿圖1的線11_11，提取的截面圖，示出了根據(jù) 本發(fā)明示例性實施例的圖2B的顯示器件的制造工藝?？蓞⒖紙D1、圖2B和圖2C來詳細解 釋圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E。參考圖3A，柵極金屬層(未示出)可形成于第一底板110上。柵極金屬層可通過 光刻工藝被圖案化以形成包括第一柵極線GLl和第二柵極線GL2、柵極電極GE以及存儲線 STL的柵極圖案。柵極絕緣層120可設(shè)置在其上形成有柵極圖案的第一底板110上。柵極絕緣層 120可包括硅氧化物(SiOx)和/或硅氮化物(SiNx)。一般地，可使用任何適當(dāng)?shù)牟牧蟻硇?成柵極絕緣層120。有源圖案AP可包括半導(dǎo)體層130a和歐姆接觸層130b。半導(dǎo)體層130a和歐姆接 觸層130b可依次形成于柵極絕緣層120上。半導(dǎo)體層130a可包括非晶硅(a_Si)，歐姆接 觸層130b可包括由高濃度的η型摻雜劑摻雜的N+非晶硅。應(yīng)該理解的是，可僅使用或組 合使用任何合適的材料來形成半導(dǎo)體層130a和/或歐姆接觸層130b。數(shù)據(jù)金屬層(未示出)可形成于有源圖案AP上。數(shù)據(jù)金屬層可通過光刻工藝被 圖案化以形成包括第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2、源極電極SE、漏極電極DE以及接觸 電極CNT的源極圖案。鈍化層140和域形成層150可依次形成于源極圖案上。形成鈍化層140的材料可 以是例如硅氧化物(SiOx)和/或硅氮化物(SiNx)。形成域形成層150的材料可以是例如 有機材料諸如正性光致抗蝕劑組合物、負性光致抗蝕劑組合物和/或無機材料諸如硅氧化 物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)。應(yīng)該理解的是，可以僅使用或組合使用各種合適的材料來形成鈍化層140和域形成層150。參見圖3B，域形成層150可被圖案化以形成凹陷圖案152。凹陷圖案152可形成于接觸電極CNT上。接觸電極CNT可與存儲線STL交疊。凹陷圖案152可形成為暴露接觸 電極CNT上的鈍化層140的孔形。然后，通過凹陷圖案152暴露的鈍化層140可被去除以形成鈍化孔142。鈍化孔 142可形成于接觸電極CNT上。接觸電極CNT的一部分可通過鈍化孔142和凹陷圖案152暴露。參見圖3C，透射電極層(未示出)可形成于域形成層150上且形成于凹陷圖案152 中。透射電極層可被圖案化以形成像素電極PE。透射電極層可包括銦錫氧化物(ITO)和/ 或銦鋅氧化物(IZO)。第一配向?qū)覣Ll可設(shè)置在像素電極PE上。第一配向?qū)覣Ll可包括可垂直配向液 晶分子310的垂直配向材料。因此，可制造包括柵極絕緣層120、有源圖案AP、源極圖案、鈍化層140、凹陷圖案 152、像素電極PE和第一配向?qū)覣Ll的第一基板100。圖3D是示出制造圖2B的第二基板的方法的截面圖。參見圖3D，黑矩陣圖案220可形成于第二底板210上。黑矩陣圖案220可通過噴 涂有機墨或通過光蝕刻工藝來圖案化金屬層而形成。第一濾色器232、第二濾色器234和第三濾色器236可形成于第二底板210和黑矩 陣圖案220上。例如，第一濾色器232可形成于第二底板210上，第二濾色器234可形成于 第一濾色器232上，第三濾色器236可形成于第一濾色器232和第二濾色器234上。第一 濾色器232、第二濾色器234和第三濾色器236可通過光蝕刻工藝來圖案化顏色光致抗蝕劑 層或通過噴涂顏色墨而形成。覆蓋層240可設(shè)置在黑矩陣圖案220以及第一濾色器232、第二濾色器234和第三 濾色器236上?？墒褂帽┧針渲瑏硇纬筛采w層240。透射電極層(未示出)可設(shè)置在覆蓋層240上以形成公共電極250。在某些情形 下，公共電極250可覆蓋第二底板210的整個表面，而不用圖案化透射電極層。公共電極 250可包括銦錫氧化物(ITO)和/或銦鋅氧化物(IZO)。第二配向?qū)覣L2可設(shè)置在公共電極250上。在某些情形下，第二配向?qū)覣L2可覆 蓋公共電極250的整個表面。因此，可制成包括黑矩陣圖案220、第一濾色器232、第二濾色器234和第三濾色器 236、覆蓋層240、公共電極250以及第二配向?qū)覣L2的第二基板200。圖3E是示出形成圖2B中的液晶層的步驟的截面圖。參見圖3E，第一基板100和第二基板200可相互組裝在一起。液晶分子310和RM 單體330可設(shè)置在第一基板100與第二基板200之間。在某些情形下，液晶分子310和RM 單體330可隨機設(shè)置在第一基板100與第二基板200之間。然后，可施加第一電壓Vcom到公共電極250，可施加不同于第一電壓Vcom的第二 電壓Vdata到像素電極PE。所施加的電壓(例如，Vdata，Vcom)可以是正電壓、負電壓和/ 或零電壓(例如，接地電勢)。通過施加不同的電壓到公共電極250和像素電極PE，電場可 形成于像素電極PE與公共電極250之間。當(dāng)電場形成于像素電極PE與公共電極250之間時，液晶分子310的長軸可垂直于電場方向。在某些情形下，第一電壓Vcom可具有高于第二電壓Vdata的電平。例如，第一電 壓Vcom可以是約0V，第二電壓Vdata可以是負值。第二電壓Vdata可以是約-5V。當(dāng)電場形成在第一基板100與第二基板200之間從而預(yù)傾斜液晶分子310時，光 照射到第一基板100和第二基板200。例如，光可以是紫外(UV)光。RM單體330可與光反 應(yīng)，且可被聚合，從而在液晶分子310之間形成RM固化材料320。因此，可形成根據(jù)實例1 的液晶層300。液晶域可通過域形成層150中的凹陷圖案152形成，而不用分離地在公共電極250 上形成圖案。因而，可改善像素區(qū)P的開口率和IXD的視角。此外，由于沒有在公共電極 250上形成分離的圖案，所以原則上由第一基板100和第二基板200的不對準(zhǔn)而引起的問題 會不再存在。另外，省略了用于圖案化公共電極250的分離的圖案化工藝，從而可簡化制造 工藝。因此，可提高顯示器件的產(chǎn)量和顯示質(zhì)量。實例2圖4是根據(jù)本發(fā)明一些示例性實施例的顯示器件的截面圖。根據(jù)圖4中所示的實施例的顯示器件的結(jié)構(gòu)與在圖1中所示的顯示器件的結(jié)構(gòu)基 本相同。因而，可參見圖1來解釋圖4的平面圖，在以下文中省略了任何重復(fù)的詳細解釋。參見圖1和圖4，顯示器件可包括第一基板100、第二基板200和液晶層300。第一基板100可包括第一底板110、存儲線STL、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DL1、 第二數(shù)據(jù)線DL2、鈍化層140、域形成層150、像素電極PE和第一配向?qū)覣L1。存儲線STL可 形成于第一底板110上。柵極絕緣層120可設(shè)置在存儲線STL上方。第一數(shù)據(jù)線DLl和第 二數(shù)據(jù)線DL2可形成于柵極絕緣層120上。鈍化層140可被圖案化且可暴露接觸電極CNT 的一部分。域形成層150可設(shè)置在鈍化層140上，凹陷圖案152可形成為暴露接觸電極CNT 的一部分。像素電極PE可形成在域形成層150上，且可通過凹陷圖案152接觸接觸電極 CNT。第一配向?qū)覣Ll可覆蓋像素電極PE。域形成層150可形成于鈍化層140上，以平坦化第一基板100。域形成層150可形 成于第一底板110的像素區(qū)P中。域形成層150可包括一個或多個濾色器。例如，域形成 層150可包括正型顏色光致抗蝕劑和/或負型顏色光致抗蝕劑。例如，第一濾色器層CFl 和第二濾色器層CF2可分別形成于鄰近形成有域形成層150的像素區(qū)P的區(qū)域上。域形成 層150可使用不同于形成第一濾色器CFl和第二濾色器CF2的材料形成。域形成層150可 提供第一顏色，第一濾色器層CFl可提供不同于第一顏色的第二顏色，第二濾色器層CF2可 提供不同于第一顏色和第二顏色的第三顏色。在某些情形下，例如，域形成層150以及第一 濾色器CFl和第二濾色器CF2可提供紅色、綠色和藍色。域形成層150可包括凹陷圖案152，該凹陷圖案152可延伸至與存儲線STL的交疊 區(qū)域。凹陷圖案152可形成像素區(qū)P的液晶域。第一濾色器層CFl和第二濾色器層CF2的 每一個都可包括凹陷圖案152。凹陷圖案152可與以上參考圖2A和圖2B所描述的凹陷圖 案基本相同，因而以下將省略任何重復(fù)的詳細描述。域形成層150可包括顏色層(未示出)和形成在顏色層上的圖案層(未示出)，該 顏色層包括顯示不同顏色的濾色器。顏色層可包括第一濾色器、第二濾色器和第三濾色器。 圖案層可包括凹陷圖案152，其可在像素區(qū)P中形成液晶域。圖案層可包括有機材料和/或無機材料。第二基板200可包括公共電極250和第二配向?qū)覣L2，如以上參考圖2A和圖2B所 述的。圖5A、圖5B和圖5C是示出制造圖4的顯示器件的方法的截面圖。圖5A和圖5B是示出制造在圖4中示出的第一基板的工藝的截面圖。在圖5A中， 存儲線STL、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2以及鈍化層140可以與參 考圖3A所述的基本相同的方式形成，因而以下可省略任何重復(fù)的詳細解釋。參見圖5A，第一顏色光致抗蝕劑層(未示出)可由包括顯示第一顏色的顏料的有機材料而形成于鈍化層140上。第一顏色光致抗蝕劑層可通過光刻工藝被圖案化以形成在 像素區(qū)P中形成的域形成層150。域形成層150可與第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2的 部分交疊。參見圖4和圖5B，第二顏色光致抗蝕劑層(未示出)可形成于域形成層150和鈍 化層140上，可隨后通過光刻工藝被圖案化以形成第一濾色器層CF1。第一濾色器層CFl可 形成于域形成層150的第一側(cè)。即，第一濾色器層CFl可形成于鄰近像素區(qū)P的區(qū)域中。第 一濾色器層CFl可以是鄰近像素區(qū)P的第一像素區(qū)的域形成層。第三顏色光致抗蝕劑層(未示出)可設(shè)置在域形成層150和第一濾色器層CFl上。 然后，第三顏色光致抗蝕劑層可通過光刻工藝被圖案化以形成第二濾色器層CF2。第二濾色 器層CF2可以是實質(zhì)上鄰近像素區(qū)P的第二像素區(qū)的域形成層。然后，凹陷圖案152可形成于域形成層150上。凹陷圖案152可形成于接觸電極 CNT上。凹陷圖案152可暴露接觸電極CNT上的鈍化層140。與凹陷圖案152基本相同的 多個凹陷圖案可形成于第一濾色器層CFl和第二濾色器層CF2中。鈍化層140的通過凹陷圖案152暴露的部分可被去除以形成鈍化孔142，從而暴露 接觸電極CNT。透射電極層(未示出)可形成于鈍化孔142上。然后，透射電極層可通過光 刻工藝被圖案化以形成像素電極PE。通過凹陷圖案152和鈍化孔142暴露的接觸電極CNT 可接觸像素電極PE。像素電極PE可覆蓋像素區(qū)P的整個表面。然后，第一配向?qū)覣Ll可形成于像素電極PE上。圖5C是示出制造在圖4中示出的第二基板的步驟的截面圖。參見圖5C，透射電極層(未示出)可形成于第二底板210上，從而可形成公共電極 250。在某些情形下，公共電極250可形成為覆蓋第二底板210的整個表面，而不用圖案化 透射電極層的工藝。第二配向?qū)覣L2可形成于公共電極250上。然后，可將第一基板100和第二基板彼此裝配在一起，液晶層300可形成于第一基 板100與第二基板200之間。形成液晶層300的工藝可與以上參考圖3E所述的形成液晶 層的工藝基本相同，以下可省略任何重復(fù)的詳細解釋。因而，可制造根據(jù)實例2的顯示器件。可形成凹陷圖案152，而不用在公共電極250中形成分離的圖案，從而可形成液晶 域。因而，可改善像素區(qū)P的開口率以及顯示器件的視角。此外，由于沒有在公共電極250 上形成分離的圖案，所以原則上可去除第一基板100和第二基板200的不對準(zhǔn)。另外，可省 略用于圖案化公共電極250的分離的圖案化工藝，從而可簡化顯示器件的制造工藝。另外， 可使用顏色光致抗蝕劑層來形成域形成層150，從而可簡化顯示器件的制造工藝。
實例3圖6是示出根據(jù)本發(fā)明一些示例性實施例的顯示器件的平面圖。圖7是沿圖6的線III-III’提取的截面圖。參見圖6和圖7，根據(jù)一些示例性實施例的顯示器件可包括第一基板100、第二基 板200和液晶層300。第一基板100可包括第一底板110、第一柵極線GL1和第二柵極線GL2、存儲線 STL、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2、可以是開關(guān)元件的薄膜晶體管 (TFT) SW、鈍化層140、域形成層150、像素電極PE和第一配向?qū)覣L1。第一基板100可與參 見圖1、圖2A和圖2B所述的第一基板基本相同，除了 TFT SW和域形成層150之外。以下將 省略第一基板的任何重復(fù)的詳細解釋。TFT SW可包括連接到第一柵極線GL1的柵極電極GE、形成于柵極電極GE上的有 源圖案(未示出)、連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的源極電極SE、與源極電極SE分隔開的漏極電 極DE、以及連接到漏極電極DE以接觸像素電極PE的接觸電極CNT。接觸電極CNT可朝存 儲線STL延伸。接觸電極CNT可形成于第一底板110的像素區(qū)P上，且可不與存儲線STL交疊。域形成層150可形成于第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2、源極電極SE及漏極電 極DE上。域形成層150可包括凹陷圖案152，該凹陷圖案152可形成在相應(yīng)于存儲線STL 的區(qū)域中或可相應(yīng)于除了存儲線STL之外的由不透明金屬形成的圖案而形成。存儲線STL 之外的由不透明金屬形成的圖案可包括例如第一柵極線GL1和第二柵極線GL2和/或第一 數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2。域形成層150可被(至少部分地)去除預(yù)定厚度，從而可形 成凹陷圖案152。凹陷圖案152可形成為孔形以暴露鈍化層140。凹陷圖案152可形成像 素區(qū)P的液晶域。存儲線STL和/或形成在凹陷圖案152下方的由不透明金屬形成的其它 圖案可防止產(chǎn)生由凹陷圖案152引起的光泄露。在圖6和圖7中，域形成層150可包括一個凹陷圖案152。在某些情形下，至少兩 個凹陷圖案可形成于像素區(qū)P上。凹陷圖案152的數(shù)量可確定液晶域的數(shù)量。域形成層150還可包括暴露部分接觸電極CNT的接觸孔154。像素電極PE可通過 接觸孔154接觸接觸電極CNT，從而可將像素電極PE電連接到TFTSW。第二基板200和液晶層300可與參考圖2A和圖2B所述的第二基板和液晶層基本 相同，從而以下將省略任何重復(fù)的詳細解釋。在以下文中，可參考圖7和圖8來描述根據(jù)一些示例性實施例的顯示器件的制造 方法。圖8是示出制造圖7的顯示器件的方法的截面圖。在圖8中，分別形成存儲線STL、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線 DL2以及鈍化層140的步驟可與參考圖3A所解釋的步驟基本相同。因而，以下將省略任何 重復(fù)的詳細解釋。參考圖8，域形成層150可形成于鈍化層140上，域形成層150可使用第一掩模A 被圖案化以形成凹陷圖案152。域形成層150可由正型光致抗蝕劑組合物形成。第一掩?！瓵’可包括可以阻擋光 的光阻擋部分1以及可以允許至少部分光透過的半透明(translucent)部分2。第一掩?！瓵’可允許照射到第一掩?！瓵’的上部分上的光的大約0%至30%通過半透明部分2。當(dāng)光照射到第一掩?！瓵’的上部分上并顯影域形成層150時，與光阻擋部分‘1’相 應(yīng)(即，對準(zhǔn))的域形成層150可保留在鈍化層140上，域形成層150的與半透明部分‘2’ 相應(yīng)的一部分可被去除以形成凹陷圖案152。像素電極PE和第一配向?qū)覣L1可依次形成在包括凹陷圖案152的域形成層150 上。像素電極PE和第一配向?qū)覣L1可形成為覆蓋像素區(qū)P的整個表面。因而，可制造根據(jù) 實例3的第一基板100。再次參見圖7，第二基板200可被制造，第一基板100和第二基板200可彼此裝配 在一起以生產(chǎn)液晶層300，從而可制造根據(jù)本發(fā)明一些示例性實施例的顯示器件。在圖7中，制造第二基板200的工藝和制造液晶層300的工藝可分別與參考圖3A 和圖3E所述的工藝基本相同。因而，以下將省略任何重復(fù)的詳細解釋。如上所述，液晶域可通過形成凹陷圖案152而形成，而不用在公共電極250上形成 分離的圖案。因而，可改善視角和像素區(qū)P的開口率。此外，由于可不在公共電極250上形 成分離的圖案，所以原則上可去除第一基板100與第二基板200的不對準(zhǔn)。此外，可省略用 于圖案化公共電極250的分離的圖案化工藝，從而可簡化顯示器件的制造工藝。實例4圖9是根據(jù)本發(fā)明一些示例性實施例的顯示器件的截面圖。在圖9中示出的顯示器件的平面結(jié)構(gòu)可以與參考圖1所述的顯示器件的平面結(jié)構(gòu) 基本相同。因而，可以省略圖9的平面圖的詳細描述。圖9的顯示器件與圖2B的顯示器件基本相同，除了主間隔體340和子間隔體350 之外，以下將省略任何重復(fù)的詳細解釋。參見圖9，顯示器件可包括第一基板100、第二基板200和液晶層300。第一基板100可包括存儲線STL ；形成在存儲線STL上的柵極絕緣層120 ；形成 在柵極絕緣層120上的第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2 ；TFTSW的接觸電極CNT ；形成在 第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2上的鈍化層140 ；包括凹陷圖案152的域形成層150，用 于形成像素區(qū)P的液晶域；像素電極PE ；以及第一配向?qū)覣L1。第二基板200可包括形成在第二底板210上的黑矩陣圖案220 ；第一濾色器232、 第二濾色器234和第三濾色器236 ；覆蓋層240 ；公共電極250 ；第二配向?qū)覣L2 ；主間隔體 340以及子間隔體350。主間隔體340可形成于第二基板200上，以保持第一基板100與第二基板200之 間的間隔。主間隔體340的高度可基本等于液晶層300的單元間隙(cell gap)。主間隔體 340可設(shè)置在第一配向?qū)覣L1上。子間隔體350可形成于第二基板200上。當(dāng)顯示器件被外力下壓(suppress)時， 子間隔體350可緩沖第一基板100與第二基板200之間的間隔，從而可不損傷液晶層300 的液晶分子310。子間隔體350的高度可小于主間隔體340的高度。主間隔體340和/或子間隔體350可相應(yīng)于其中形成凹陷圖案152的區(qū)域而形成 在第二底板210上。液晶分子310的長軸可垂直于主間隔體340和/或子間隔體350的表 面布置，使得位于凹陷圖案152中的液晶分子310被預(yù)傾斜。即，液晶分子310可相對于凹 陷圖案152以及主間隔體340和子間隔體350的其中之一被預(yù)傾斜。
在以下文中，可參考以下的圖9和圖10來描述根據(jù)實例4的顯示器件的制造方法。參見圖9，可制造第一基板100。第一基板100可通過與參考圖3A、圖3B和圖3C 所描述的工藝基本相同的工藝來制造。然后，第二基板200可以與參考圖3D所述的第二基板基本相同的方式被制造，除 了制造主間隔體340和子間隔體350之外。因而，以下將省略任何重復(fù)的詳細解釋。圖10是示出圖9的顯示器件的制造方法的截面圖。參見圖10，光敏層(photo layer)(未示出)可形成于第二配向?qū)覣L2上。光敏層 可使用設(shè)置在光敏層上的第二掩模B被顯影，從而形成主間隔體340和子間隔體350。光敏層可包括正性光致抗蝕劑組合物。第二掩模B可包括光阻擋部分1、半透明部 分2和光透過部分(light-permeating portion) 3 光透過部分3可以是照射在第二掩模 B的上部分上的大部分光可通過其的區(qū)域。光可照射在第二掩模B的上部分上，然后，可顯影光敏層。光敏層的相應(yīng)于光阻擋 部分1的部分可保留以形成主間隔體340。光敏層的相應(yīng)于光透過部分3的部分可被去除， 光敏層的剩余部分可保留以形成子間隔體350。光敏層的相應(yīng)于光透過部分3的部分可被 去除，從而暴露第二配向?qū)覣L2。因而，可制造根據(jù)一些示例性實施例的第二基板200。液晶層300可形成在第一基板100與第二基板200之間。形成液晶層300的步驟 可與參考圖3E所述的步驟基本相同。因而，以下將省略任何重復(fù)的詳細描述。因此，可制造根據(jù)實例4的顯示器件，其可包括第一基板100、第二基板200和液晶 層 300。在圖9和圖10中，子間隔體350可相對于凹陷圖案152形成。在某些情形下，主 間隔體340可相對于凹陷圖案152形成，從而可預(yù)傾斜液晶分子310。因此，在參考圖9和圖10所描述的顯示器件中，可增加像素區(qū)P的開口率，且可增 加視角。此外，可改善制造工藝的可靠性，且可簡化制造工藝。實例5圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的實例5的顯示器件的平面圖。圖12是沿圖11的線IV-IV’的截面圖。參考圖11和圖12，顯示器件可包括第一基板100、第二基板200和液晶層300。第一基板100可包括第一底板110、第一柵極線GL1和第二柵極線GL2、存儲線 STL、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2、可以是開關(guān)元件的TFT SW、鈍化層 140、域形成層150、像素電極PE、反射電極RFE和第一配向?qū)覣L1。第一基板100可與參考 圖1、圖2A和圖2B所述的第一基板基本相同，除了 TFT SW、域形成層150和反射電極RFE 之外。以下將省略任何重復(fù)的詳細描述。TFT SW可包括連接到第一柵極線GL1的柵極電極GE、形成在柵極電極GE上的有源 圖案(未示出)、連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的源極電極SE、與源極電極SE分隔開的漏極電極 DE、連接到漏極電極DE以接觸像素電極PE的第一接觸圖案CT1、以及連接到在像素區(qū)P中 延伸的第一接觸圖案CT1的第二接觸圖案CT2。第二接觸圖案CT2還可接觸反射電極RFE。域形成層150可覆蓋第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2。域形成層150可包括形 成像素區(qū)P的液晶域的凹陷圖案152。凹陷圖案152可包括暴露部分第一接觸圖案CT1的第一孔圖案HI和暴露部分第二接觸圖案CT2的第二孔圖案H2。第一液晶域可通過第一孔 圖案HI形成，第二液晶域可通過第二孔圖案H2形成。即，一個像素區(qū)P可被分成兩個液晶 域。像素電極PE可形成在域形成層150上，在某些情形下，可形成在像素區(qū)P的一個 區(qū)域中。像素電極PE可使用IT0和/或IZ0形成。反射電極RFE可在像素區(qū)P的另一區(qū) 域中形成在域形成層150上。反射電極RFE可(至少部分地)由鋁(A1)形成。第一配向 層AL1可設(shè)置在像素電極PE和反射電極RFE上。第二基板200和液晶層300可與參考圖1、圖2A和圖2B所述的第二基板和液晶層 基本相同，因而以下將省略任何重復(fù)的詳細描述。如在圖11和圖12中所示的，在某些情形下，存儲線STL可位于第一接觸圖案CT1 與第二接觸圖案CT2之間。在某些情形下，存儲線STL可與第一接觸圖案CT1和/或第二 接觸圖案CT2交疊。在某些情形下，凹陷圖案152可具有兩個孔圖案HI和H2。在某些情形下，凹陷圖 案152可具有多個孔圖案以形成多個液晶域。在某些情形下，第二孔圖案H2可不形成在凹陷圖案152中。在某些情形下，像素電極PE和反射電極RFE可通過橋(bridge)彼此電連接。在 某些情形下，為了改善側(cè)部可視性(例如，寬視角)，像素電極PE和反射降低RFE可通過使 用連接到像素電極PE的第一晶體管和連接到反射電極RFE的第二晶體管被驅(qū)動，或可通 過使用其中施加到公共電極的公共電壓可相對于數(shù)據(jù)電壓而改變的通用搖擺方法(common swing method)被驅(qū)動。圖13A和圖13B是示出圖12的顯示器件的制造方法的截面圖。參見圖12和圖13A，存儲線STL可形成于第一底板110上，柵極絕緣層120可形成 于存儲線STL上。第一接觸圖案CT1和第二接觸圖案CT2可形成于柵極絕緣層120上。鈍 化層140和域形成層150可依次形成于第一接觸圖案CT1和第二接觸圖案CT2上。域形成 層150可被圖案化以形成具有第一孔圖案HI和第二孔圖案H2的凹陷圖案152。然后，通過凹陷圖案152暴露的鈍化層140可被去除以分別暴露第一接觸圖案CT1 和第二接觸圖案CT2，從而形成透射電極層(未示出)。透射電極層可通過第一孔圖案HI 接觸第一接觸圖案CT1以及通過第二孔圖案H2接觸第二接觸圖案CT2。然后，鄰近第一孔 圖案HI的透射電極層可被圖案化以形成接觸第一接觸圖案CT1的像素電極PE。參見圖13B，不透明的電極層(未示出)可形成于其上形成有像素電極PE的第一 底板110上。鄰近第二孔圖案H2的不透明電極層可被圖案化以形成接觸第二接觸圖案CT2 的反射電極RFE。然后，第一配向?qū)覣L1可形成于像素電極PE和反射電極RFE上。像素電極PE和 第一配向?qū)覣L1可形成為不具有分離的圖案，從而覆蓋像素區(qū)P的整個表面。因而，可制造 根據(jù)一些示例性實施例的第一基板100。面對第一基板100的第二基板200可被制造，液晶層300可形成于第一基板100 與第二基板200之間，從而可制造根據(jù)實例5的顯示器件。形成第二基板200的步驟和形 成液晶層300的步驟可分別與在圖3D和圖3E中所解釋的步驟基本相同，因而以下將省略 任何重復(fù)的詳細解釋。
圖14是示出具有圖11的結(jié)構(gòu)的透射模式的顯示器件的截面圖。圖14的透射模式的顯示器件的平面結(jié)構(gòu)可以與圖11的平面結(jié)構(gòu)基本相同。此外， 圖14的顯示器件可與圖12的顯示器件基本相同，除了透射電極TE之外，因而以下將省略 任何重復(fù)的詳細解釋。參見圖14，像素電極PE和透射電極TE可形成于域形成層150上。透射電極TE可 通過第二孔圖案H2接觸第二接觸圖案CT2。透射電極TE可包括IT0和IZ0，可與用于形成 像素電極PE的材料相同。在圖14中，像素電極PE和透射電極TE可被物理地彼此分開。在某些情形下，透 射電極TE可連接到像素電極PE。根據(jù)在實例5中對顯示器件的描述，可增加像素區(qū)P的開口率，且可改善視角。例 如，多個液晶域可形成在一個像素區(qū)P中，從而可進一步改善視角。此外，可改善制造工藝 的可靠性，且可簡化制造工藝，從而可提高顯示器件的生產(chǎn)率。實例6圖15是示出根據(jù)本發(fā)明一些示例性實施例的顯示器件的平面圖。圖16是沿圖15的線V-V，提取的截面圖。參見圖15和圖16，顯示器件可包括第一基板100、第二基板200和液晶層300。第一基板100可包括第一底板110、第一柵極線GL1和第二柵極線GL2、存儲線 STL、底電極BE、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2、可以是開關(guān)元件的TFT SW、域形成層150、像素電極PE和第一配向?qū)覣L1。除了底電極BE之外，第一基板100可與 在圖1、圖2A和圖2B中所述的第一基板基本相同，因而以下將省略任何重復(fù)的詳細描述。底電極BE可形成在像素區(qū)P中以交疊像素電極PE。柵極絕緣層120和TFT SW的 接觸電極CNT可形成在底電極BE與像素電極PE之間。底電極BE可形成在存儲線STL上。 底電極BE可直接接觸存儲線STL，且可電連接到存儲線STL。底電極BE和像素電極PE可在不同電壓下被充電。結(jié)果，電場可跨越柵極絕緣層 120出現(xiàn)。因此，像素區(qū)P的整個區(qū)域可用作存儲電容器Cst。第二基板200和液晶層300與在圖1、圖2A和圖2B中所述的第二基板和液晶層基 本相同，因而以下將省略任何重復(fù)的詳細描述。圖17A、圖17B和圖17C是示出圖16的顯示器件的制造方法的截面圖。參見圖16和圖17，柵極金屬層(未示出)可形成在第一底板110上，被圖案化以 形成包括第一柵極線GL1和第二柵極線GL2、柵極電極GE以及存儲線STL的柵極圖案。柵極圖案可包括形成在第一底板110上的透射電極層TEL。透射電極層TEL可包 括透明導(dǎo)電材料。透明導(dǎo)電材料可以是銦錫氧化物(IT0)和/或銦錫氧化物(IZ0)。一般 地，任何合適的材料及其組合都可用于透明導(dǎo)電材料。參見圖17B，透射電極層TEL可被圖案化以形成底電極BE。底電極BE可直接接觸 存儲線STL。然后，柵極絕緣層120可形成在底電極BE上。參見圖17C，TFT SW的有源圖案AP可形成在柵極絕緣層120上，可形成包括第一 數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2、源極電極SE、漏極電極DE和接觸電極CNT的源極圖案。鈍化層140可形成在源極圖案上，域形成層150可形成在鈍化層140上。暴露部分接觸電極CNT的凹陷圖案152可形成在域形成層150上。像素電極PE 和第一配向?qū)覣L1可依次形成在凹陷圖案152上。在一些情形下，像素電極PE和第一配向 層AL1可形成為覆蓋像素區(qū)P的整個表面，而不用分離的圖案。因而，可制造根據(jù)實例6的 第一基板100。可制造面對第一基板100的第二基板，液晶層300可形成在第一基板100與第二 基板200之間，從而可制造根據(jù)一些示例性實施例的顯示器件。制造第二基板200的步驟 和制造液晶層300的步驟分別與在圖3D和圖3E中所述的步驟基本相同，因而，以下將省略 任何重復(fù)的詳細描述。根據(jù)在實例6中對顯示器件的描述，可增加像素區(qū)P的開口率，且可提高視角。此 外，可改善制造工藝的可靠性，且可簡化制造工藝，從而可提高顯示器件的生產(chǎn)率。實例 7圖18是示出根據(jù)本發(fā)明一些示例性實施例的顯示器件的平面圖。圖19A是沿圖18的線VI-VI，提取的截面圖，圖19B是沿圖18的線VII-VII，提 取的截面圖。參考圖18、圖19A和圖19B，顯示器件可包括第一基板100、第二基板200和液晶層 300。第一基板100可包括第一底板110、第一柵極線GL1和第二柵極線GL2、存儲線 STL、底電極BE、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2、可以是開關(guān)元件的TFT SW、鈍化層140、域形成層150、像素電極PE和第一配向?qū)覣L1。第一柵極線GL1和第二柵極線GL2可沿第一方向D1在第一底板110上延伸。在 某些情形下，第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2可沿不同于第一方向D1的第二方向D2布
置。第二方向D2可基本垂直于第一方向D1。存儲線STL可設(shè)置在第一柵極線GL1與第二柵極線GL2之間以沿第一方向D1延 伸。底電極BE可直接接觸部分存儲線STL。底電極BE可形成在第一底板110的像素區(qū)P 中。柵極絕緣層120可形成在第一底板110上以覆蓋第一柵極線GL1和第二柵極線 GL2、存儲線STL以及底電極BE。第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2可沿第二方向D2在柵極絕緣層120上延伸。第 一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2可與第一柵極線GL1和第二柵極線GL2以及存儲線STL交叉。TFT SW可包括第一柵極電極GE、有源圖案AP、源極電極SE、漏極電極DE和接觸 電極CNT。第一柵極電極GE可連接到第一柵極線GL1。有源圖案AP可形成在鄰近第一柵 極電極GE的柵極絕緣層120上。源極電極SE可連接到第一數(shù)據(jù)線DL1以交疊有源圖案 AP。漏極電極DE可與源極電極SE分隔開以交疊有源圖案AP。接觸電極CNT可從漏極電 極DE延伸到像素區(qū)P。接觸電極CNT可從漏極電極DE延伸以交疊部分存儲線STL。接觸 電極CNT可具有大尺寸，且可形成在鄰近第一柵極線GL1的區(qū)域中。域形成層150可形成在鈍化層140上。域形成層150可平坦化第一基板100。域 形成層150可具有暴露接觸電極CNT的接觸孔154。形成在域形成層150上的像素電極PE可通過接觸孔154接觸接觸電極CNT，從而像素電極PE可電連接到TFT SW。像素電極PE可形成在像素區(qū)P的域形成層150上。像素電極PE可包括透光且導(dǎo) 電的材料。像素電極PE可具有形成在像素區(qū)P中的點形開口圖案162。點形可以是圓形、 多邊形形狀或線形。應(yīng)該理解的是，任何適當(dāng)?shù)男螤疃伎梢杂糜陂_口圖案162。液晶層300 的液晶分子310可朝第二基板200中相應(yīng)于形成開口圖案162的區(qū)域的位置會聚。液晶分 子310還可位于接觸孔154和/或像素電極PE周圍。開口圖案162可形成像素區(qū)P的液 晶域。此外，液晶層300中的電場的方向可在鄰近像素電極PE的另一像素電極的端部與公 共電極250之間彎曲。因此，鄰近像素電極PE的液晶分子310會朝公共電極250的不同位 置散布，從而可在相鄰的像素區(qū)P之間劃分液晶域。在某些情形下，可在包括像素電極PE的第一底板110的整個表面上形成第一配向 層 AL1。第二基板200可包括第二底板210、黑矩陣圖案220、第一濾色器232、第二濾色器 234、第三濾色器236、覆蓋層240、公共電極250和第二配向?qū)覣L2。液晶層300可包括液晶 分子310和RM固化材料320。第二基板200和液晶層300與參考圖2A和圖2B所述的第二 基板和液晶層基本相同，以下將省略任何重復(fù)的詳細解釋。以下文中，可參考圖19A和圖19B描述根據(jù)一些示例性實施例的第一基板100和 第二基板200的制造方法。參考圖19A和圖19B，柵極金屬層(未示出)可形成在第一底板110上，柵極金屬 層可被圖案化以形成包括第一柵極線GL1、第二柵極線GL2、柵極電極GE和存儲線STL的柵 極圖案。透射電極層(未示出)可形成在第一底板110和柵極圖案上。透射電極層可被圖 案化以形成底電極，其可直接接觸存儲線STL的第一端部。在像素區(qū)P中，底電極BE可直 接接觸第一底板110。有源圖案AP可形成在其上形成有底電極BE的第一底板110上。源極金屬層(未 示出)可形成在包括有源圖案AP的第一底板110上。源極金屬層可被圖案化以形成包括 第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、源極電極SE、漏極電極DE和接觸電極CNT的源極圖案。鈍化層140和域形成層150可依次形成在源極圖案上，像素電極PE和第一配向?qū)?AL1可依次形成在域形成層150上。因而，可制造根據(jù)一些示例性實施例的第一基板?？芍圃烀鎸Φ谝换?00的第二基板200，液晶層300可以在第一基板100和第二 基板200之間，從而可制造根據(jù)實例7的顯示器件。用于制造第二基板200的步驟可與參 考圖3D所述的步驟基本相同，因而，以下將省略任何重復(fù)的詳細解釋。以下文中，可參考圖 20詳細解釋用于形成液晶層300的步驟。圖20是示出圖19B的顯示器件的制造方法的流程圖。參考圖19B和圖20，第一基板100和第二基板200可彼此裝配在一起，液晶組合 物材料可設(shè)置在第一基板100與第二基板200之間。液晶組合物材料可包括多個液晶分子 310和多個RM單體330 (參見圖3E)。當(dāng)液晶組合物材料設(shè)置在第一基板100與第二基板200之間時，第一電壓Vcom可 被施加到公共電極250 (步驟S12)，第二電壓Vbl可被施加到底電極BE (步驟S14)。在某些情形下，第一電壓Vcom可以是大約0V。第二電壓Vbl可以高于第一電壓Vcom.在某些情形下，第二電壓Vbl可以在大約7V至大約16V的范圍內(nèi)。底電極BE可通過 存儲線STL接收第二電壓Vbl。由于所施加的第一電壓Vcom和第二電壓Vbl，電場可產(chǎn)生 于第一基板100與第二基板200之間。由于電場，液晶分子310的長軸可沿垂直方向(例 如，垂直于電場)布置。然后，第三電壓Vdata可施加到像素電極PE (步驟S16)。第三電壓Vdata可高于 第一電壓Vcom，且可低于第二電壓Vb 1。第三電壓Vdata可以是正極性電壓或負極性電壓。 例如，第三電壓Vdata可以是大約5V。當(dāng)液晶分子310通過使用第一至第三電壓Vcom、Vbl和Vdata而預(yù)傾斜時，UV光 照射到第一基板100和第二基板200上(步驟S50)。RM單體330可與UV光反應(yīng)，且可被 聚合?？尚纬删酆虾蟮膬怨袒牧?20 (參考圖19B)，液晶分子310可相鄰于像素電極PE 和/或公共電極250被固定，液晶分子310可通過RM固化材料320預(yù)傾斜。如上所述，第二電壓Vbl可以高于施加到像素電極PE的第三電壓Vdata，且可被提 供到底電極BE，從而可利用強電場穩(wěn)定地布置設(shè)置在鄰近開口圖案162的區(qū)域中的液晶分 子310。因此，可形成根據(jù)實例7的液晶層300。根據(jù)在實例6中對顯示器件的描述，可增加像素區(qū)P的開口率，且可改善視角。此 外，可改善制造工藝的可靠性，且可簡化制造工藝，從而可提高顯示器件的生產(chǎn)率。在以下文中，可參考圖19A、圖19B和圖21詳細解釋根據(jù)當(dāng)前實施例的顯示器件的 另一制造方法。用于制造根據(jù)一些示例性實施例的第一基板100和第二基板200的步驟可 分別與根據(jù)實例7的用于制造第一基板和第二基板的步驟基本相同，因而在以下文中將省 略任何重復(fù)的詳細解釋。參考圖19A、圖19B和圖21，第一基板100和第二基板200可被分別制造且被彼此 裝配在一起。液晶組合物材料可設(shè)置在第一基板100與第二基板200之間。液晶組合物材 料可包括多個液晶分子310和多個RM單體330 (參見圖3E)。圖21是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示器件的制造方法的流程圖。參見圖21，當(dāng)液晶組合物材料設(shè)置在第一基板100與第二基板20之間時，第一電 壓Vcom可被施加到公共電極250 (步驟S22)，第二電壓Vbl可被施加到底電極BE (步驟 S24)。第二電壓Vbl可高于第一電壓Vcom。第二電壓Vbl可通過存儲線STL提供到底電極 BE。電場可由于所施加的第一電壓Vcom和第二電壓Vbl而產(chǎn)生在第一基板100與第 二基板200之間。由于電場，液晶分子310的長軸可沿垂直方向(例如，垂直于電場)布置。然后，第三電壓Vdata可被施加到像素電極PE (步驟S26)。第三電壓Vdata可高 于第一電壓Vcom，且可低于第二電壓Vbl。即使第三電壓Vdata被施加到像素電極PE，但 強電場也可鄰近開口圖案162形成，因此與僅施加第一電壓Vcom和第二電壓Vb 1的情況下 的布置相比，鄰近開口圖案162設(shè)置的液晶分子310的布置不會改變。在某些情形下，第一 電壓Vcom、第二電壓Vbl和第三電壓Vdata可采用正極性電壓或負極性電壓。在某些情形 下，第一至第三電壓Vcom、Vbl和Vdata可采用DC電壓或AC電壓。第四電壓Vb2可被施加到底電極BE (步驟S28)。第四電壓Vb2可高于第一電壓 Vcom、第二電壓Vbl和第三電壓Vdata。第四電壓Vb2可以是例如大約25V。因而，當(dāng)施加 第四電壓Vb2時，強電場形成在公共電極250與底電極BE之間，由于形成在公共電極250與底電極BE之間的電場，液晶分子310的長軸可垂直于電場方向。當(dāng)液晶分子310利用第一至第四電壓Vcom、VbUVdata和Vb2而預(yù)傾斜時，UV光 可照射到第一基板100和第二基板200上(步驟S50)。由于UV光，RM單體330可與光反 應(yīng)，并且可被聚合。因而，可形成聚合后的RM固化材料320 (參考圖19B)，液晶分子310可 以以液晶分子310通過RM固化材料320預(yù)傾斜的狀態(tài)而固定于像素電極PE和/或公共電 極250附近。如上所述，第二電壓Vbl和第四電壓Vb2可被供應(yīng)到底電極BE，使得設(shè)置在開口圖 案162附近的區(qū)域中的液晶分子310可被穩(wěn)定地布置在強電場中。在第四電壓Vb2被施加 到底電極BE之前，第三電壓Vdata可被施加到底電極BE，因此可防止液晶分子310的快速 移動。因此，設(shè)置在開口圖案162附近的區(qū)域中的液晶分子310可被穩(wěn)定地布置在強電場中。雖然在圖21中沒有示出，但是在第四電壓Vb2施加到底電極BE之前，可進一步執(zhí) 行將UV光照射到第一基板100和第二基板200。在第四電壓Vb2施加到底電極BE之前， UV光可被照射到第一基板100和第二基板200以與RM單體330部分地反應(yīng)并聚合RM單體 330。在第四電壓Vb2施加到底電極BE之后，UV光可再次被照射到第一基板100和第二基 板200，從而可完全聚合RM單體330。根據(jù)在實例7中對顯示器件的描述，可增加像素區(qū)P的開口率，且可提高視角。例 如，可穩(wěn)定地預(yù)傾斜液晶層300的液晶分子310。因而，可改善制造工藝的可靠性，且可簡化 制造工藝，從而可提高顯示器件的生產(chǎn)率。實例8圖22是示出根據(jù)本發(fā)明一些示例性實施例的顯示器件的截面圖。 在圖22中，顯示器件可與參考圖18、圖19A和圖19B所述的顯示器件基本相同，除 了在域形成層150中的凹陷圖案152之外，因而將省略任何重復(fù)的詳細解釋。參考圖22，顯示器件可包括第一基板100、第二基板200和液晶層300。第一基板100可包括底電極BE、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線 DL2、鈍化層140、域形成層150、像素電極PE和第一配向?qū)覣L1。域形成層150可包括形成在像素區(qū)P中的具有點形狀的凹陷圖案152。域形成層 150可被去除預(yù)定厚度，從而可形成凹陷圖案152。凹陷圖案152可在像素區(qū)P中形成液晶 域。像素電極PE可包括具有點形狀的開口圖案162。開口圖案162可形成在相應(yīng)于凹 陷圖案152的區(qū)域中。第一配向?qū)覣L1可形成在像素電極PE上，且可通過開口圖案162接 觸凹陷圖案152。開口圖案162和凹陷圖案152可在像素區(qū)P上形成液晶域。第二基板200和液晶層300可與在圖18、圖19A和圖19B中所述的第二基板和液 晶層基本相同，因而，以下將省略任何重復(fù)的詳細解釋。根據(jù)實例8的顯示器件可使用與參考實例7所述的相同的制造方法被制造，除了 在域形成層150上形成凹陷圖案152之外。根據(jù)在實例8中對顯示器件的描述，可增加像素區(qū)P的開口率，可增加視角。例如， 可穩(wěn)定地預(yù)傾斜液晶層300的液晶分子310。因而，可改善制造工藝的可靠性，且可簡化制 造工藝，從而可提高顯示器件的生產(chǎn)率。
實例9圖23是示出根據(jù)本發(fā)明一些示例性實施例的顯示器件的截面圖。 在圖23中，顯示器件可以與參考圖22所述的顯示器件基本相同，除了在第一基板 100中的光阻擋圖案BL之外。在以下文中，將省略任何重復(fù)的詳細描述。參考圖23，顯示器件可包括第一基板100、第二基板200和液晶層300。第一基板100可包括光阻擋圖案BL、底電極BE、柵極絕緣層120、第一數(shù)據(jù)線DL1 和第二數(shù)據(jù)線DL2、鈍化層140、域形成層150、像素電極PE和第一配向?qū)覣L1。光阻擋圖案BL可通過圖案化柵極金屬層形成，該柵極金屬層可以與形成第一柵 極線GL1和第二柵極線GL2的金屬層相同。光阻擋圖案BL可防止可由于域形成層150的 凹陷圖案152和像素電極PE的開口圖案162而產(chǎn)生的光泄露。光阻擋圖案BL可形成在相 應(yīng)于凹陷圖案152和開口圖案162的區(qū)域中。第二基板200和液晶層300可與參考圖18、圖19A和圖19B所述的第二基板和液 晶層基本相同，因而以下將省略任何重復(fù)的詳細解釋。根據(jù)實例9的顯示器件可使用與根據(jù)實例7的制造顯示器件的所述方法相同的制 造方法被制造，除了在域形成層150上形成凹陷圖案152之外。在圖23中，光阻擋圖案BL可由柵極金屬層形成；然而，光阻擋圖案BL可通過圖案 化形成第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2的源極金屬層而形成在柵極絕緣層120上。在某 些情形下，光阻擋圖案BL可由與形成在第二基板200上的黑矩陣圖案220相同的層形成。根據(jù)在實例9中對顯示器件的描述，可增加像素區(qū)P的開口率，可提高視角。例如， 可穩(wěn)定地預(yù)傾斜液晶層300的液晶分子310。因而，可改善制造工藝的可靠性，且可簡化制 造工藝，從而可提高顯示器件的生產(chǎn)率。如上所詳細描述的，由于可不需要在公共電極上的分離圖案而形成液晶域，所以 可制造具有改善的開口率和增加的視角的顯示器件。此外，由于分離的圖案沒有形成在公 共電極上，所以原則上可排除第一基板和第二基板的不對準(zhǔn)，從而顯示器件的制造工藝可 具有改善的可靠性。另外，由于省略了圖案化公共電極的分離的圖案化工藝，所以可簡化顯 示器件的制造工藝。因此，可制造具有提高的生產(chǎn)率和顯示品質(zhì)的顯示器件。前述是對本 發(fā)明的說明，而不應(yīng)理解為本發(fā)明限制于此。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的數(shù)個示例性實施例， 但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解在本質(zhì)上不脫離本發(fā)明的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點的前提下，示例 性實施例可以有多個變型。因此，所有這些變型都旨在包括于由權(quán)利要求書所限定的本發(fā) 明的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求書中，裝置加功能句子旨在覆蓋在此被描述為執(zhí)行所述功能的結(jié) 構(gòu)并且不僅覆蓋結(jié)構(gòu)上的等效物而且也覆蓋等效結(jié)構(gòu)。因此，將理解前述僅是對本發(fā)明的 說明，并不應(yīng)理解為限制于所公開的特定示例性實施例，所公開的示例性實施例的變型以 及其它示例性實施例旨在被包括在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種顯示器件，包括第一基板，包括像素電極和域形成層，所述域形成層包括凹陷圖案，所述凹陷圖案在像素區(qū)中提供液晶域；第二基板，面對所述第一基板，所述第二基板包括公共電極；以及液晶層，設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間，所述液晶層包括活性液晶元以將液晶分子固定在所述液晶域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中所述第一基板包括開關(guān)元件，所述開關(guān)元件 包括電連接到所述像素電極的接觸電極，并且其中所述凹陷圖案暴露所述接觸電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件，其中所述第一基板還包括與所述接觸電極交疊的 存儲線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其中所述第一基板還包括形成在所述像素區(qū)的所 述域形成層下方的底電極，所述底電極直接接觸所述存儲線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器件，其中所述底電極由透射電極層形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中所述域形成層包括至少一個濾色器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件，其中所述域形成層包括形成在所述至少一個濾色 器上的圖案層，所述圖案層包括所述凹陷圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中所述第一基板包括開關(guān)元件，所述開關(guān)元件 包括電連接到所述像素電極的接觸電極，并且其中所述域形成層還包括暴露所述接觸電極的接觸孔，所述接觸電極接觸所述像素電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中所述第二基板還包括突起，該突起形成在與 所述凹陷圖案相應(yīng)的區(qū)域中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中至少兩個凹陷圖案形成在所述第一基板的 所述像素區(qū)中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器件，其中所述第一基板還包括形成在部分所述像素 區(qū)的反射電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中所述第一基板還包括底電極，形成在所述像素區(qū)的所述域形成層下方；以及存儲線，直接接觸所述底電極的端部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中所述像素電極包括與所述凹陷圖案相應(yīng)的 開口圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中所述第一基板還包括形成在與所述凹陷圖 案相應(yīng)的區(qū)域中的光阻擋圖案，所述光阻擋圖案由一金屬層形成，該金屬層還用于形成電 連接到所述像素電極的開關(guān)元件。
15.一種顯示器件，包括第一基板，包括像素電極，該像素電極具有開口圖案以在像素區(qū)中形成液晶域；第二基板，面對所述第一基板，所述第二基板包括公共電極；以及液晶層，設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間，所述液晶層包括活性液晶元以將液晶分子固定在所述液晶域中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其中所述第一基板還包括 底電極，形成在所述像素區(qū)中；以及存儲線，直接接觸所述底電極的端部。
17.—種制造顯示器件的方法，該方法包括在第一基板上形成包括凹陷圖案的域形成層，所述凹陷圖案在像素區(qū)中提供液晶域； 在所述域形成層上形成像素電極； 在第二基板的整個表面上形成公共電極；在所述第一基板與所述第二基板之間設(shè)置液晶組合物材料，所述液晶組合物材料包括 液晶分子和活性液晶元單體；以及通過施加光到設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間的所述液晶分子和所述活性 液晶元單體而形成液晶層，其中在施加所述光時第一電壓施加到所述公共電極并且第二電 壓施加到所述像素電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中形成所述液晶層包括 照射光到所述第一基板和所述第二基板，并且其中所述第二電壓小于所述第一電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示器件及其制造方法。該顯示器件可包括第一基板、第二基板和液晶層。該第一基板可包括域形成層和形成在域形成層上的像素電極，該域形成層包括用于在像素區(qū)中形成液晶域的凹陷圖案。第二基板可面對第一基板。第二基板可包括形成在其整個表面上的公共電極。液晶層可設(shè)置在第一基板與第二基板之間。液晶層可包括固定形成在液晶域中的液晶分子的活性液晶元(RM)。由于不需要公共電極上的分離圖案而形成液晶域，所以可制造具有改善的開口率和增加的視角的顯示器件。
文檔編號G02F1/1343GK101799597SQ20101011700
公開日2010年8月11日 申請日期2010年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月9日
發(fā)明者張龍圭, 李圣俊, 李宰瑛, 李毅 申請人:三星電子株式會社