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      光纖和制造其耦合裝置的方法

      文檔序號(hào):2793980閱讀:111來源:國知局
      專利名稱:光纖和制造其耦合裝置的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及光學(xué)元件,以及更具體地涉及能夠?qū)⒐怦詈系搅硪粋€(gè)光學(xué)器件或從另一個(gè)光學(xué)器件耦合光的光學(xué)元件。
      背景技術(shù)
      在光通信系統(tǒng)中,由光頻率的載波來傳輸信息,上述光頻率由諸如激光或發(fā)光二極管的來源產(chǎn)生。與傳統(tǒng)的通信系統(tǒng)相比,由于光通信系統(tǒng)大大提高了信道數(shù)量,并且具有使用除了昂貴的銅電纜之外的其他材料傳遞消息的能力,所以光通信系統(tǒng)是可取的。用于傳導(dǎo)或引導(dǎo)光學(xué)頻率的波從一個(gè)位置到另一個(gè)位置的常見設(shè)備是“光波導(dǎo)”。光波導(dǎo)的一個(gè)常見例子是光纖。光學(xué)頻率的載波在傳輸?shù)耐瑫r(shí),被局限于波導(dǎo)中的一個(gè)特定區(qū)域內(nèi)??捎玫墓獠▽?dǎo)器件必須具備,例如低的光纖傳輸損耗、低的光吸收性、便于制造、可控的折射率比、以及高的耐熱性?!す獠▽?dǎo)通常耦合到光源以便將光從光源傳輸?shù)狡渌鈱W(xué)器件。在光波導(dǎo)和光源之間的耦合中,需要考慮以盡量減少散射損耗和吸收損耗。透鏡光纖是用于在光纖和光源(例如激光半導(dǎo)體芯片)之間進(jìn)行光耦合的一種方法。當(dāng)來自透鏡光纖與來自激光源的模式尺寸完全匹配時(shí)產(chǎn)生最佳耦合。但是,在實(shí)踐中設(shè)計(jì)一種與給定激光相匹配的特定光纖是困難的,而且光纖通常與激光很差地相匹配。材外,從激光半導(dǎo)體芯片發(fā)射的激光可從光纖的端部被反射,而反射的激光會(huì)產(chǎn)生問題,包括對(duì)激光半導(dǎo)體芯片造成損害。

      發(fā)明內(nèi)容
      鑒于上述背景技術(shù),本發(fā)明的目的是提供一種可選的光波導(dǎo)以及用于制造其耦合器件的方法。上述目的通過獨(dú)立權(quán)利要求中記載的特征的組合來達(dá)到。從屬權(quán)利要求披露本發(fā)明的進(jìn)一步有利的實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將從下面的說明獲得本發(fā)明的其他目的。因此,上述聲明的目的不是詳盡的,且僅僅是起到為了說明本發(fā)明許多目的中的一些目的的作用。因此,本發(fā)明的一方面涉及用于耦合到光學(xué)器件的光纖。該光纖包括芯部及尖端部分。芯部用于接收從所述光源發(fā)出的沿著光軸導(dǎo)向的光,其中該芯部在接近所述光纖一端處被擴(kuò)張,而該擴(kuò)張了的芯部具有大于其它沒有被擴(kuò)張的芯部部分的直徑。光纖的所述一端上的尖端部分還包括最末端的端面,該最末端的端面不垂直于所述光軸。在本發(fā)明的另一方面,披露了包括光纖和光學(xué)器件的稱合系統(tǒng)。該光纖包括芯部及尖端部分。芯部用于接收從所述光源發(fā)出的沿著光軸導(dǎo)向的光,其中該芯部在接近所述光纖一端處被擴(kuò)張,而該擴(kuò)張了的芯部具有大于其它沒有被擴(kuò)張的芯部部分的直徑。光纖的所述一端上的尖端部分還包括最末端的端面,該最末端的端面不垂直于所述光軸。在本發(fā)明的另一個(gè)方面,制造適于耦合到光學(xué)器件的光纖耦合裝置的方法包括下述步驟將光纖的芯部在接近光纖一端的部分進(jìn)行擴(kuò)張,芯部能夠接收從光源發(fā)出的沿著光軸導(dǎo)向的光;該擴(kuò)張了的芯部在擴(kuò)張之后具有大于其它沒有被擴(kuò)張的芯部部分的直徑;以及形成光纖的一端上的尖端部分,其中尖端部分還包括最末端的端面,該最末端的端面不垂直于所述光軸。本發(fā)明具有許多優(yōu)勢(shì)。一個(gè)優(yōu)勢(shì)是,如本發(fā)明所述的具有成角度的最末端的表面和擴(kuò)張芯部的光纖能夠獲得適于激光半導(dǎo)體芯片的高稱合效率和低激光反射。由于存在光纖的成角度尖端,反射的激光被迫在相對(duì)于光軸方向成一定傾斜角度的方向上行進(jìn),而激光半導(dǎo)體芯片發(fā)出的激光沿光軸行進(jìn),這樣反射激光將不會(huì)沿著與激光向前傳輸?shù)南嗤窂叫羞M(jìn)。通過這種方式,可避免對(duì)產(chǎn)生激光的半導(dǎo)體芯片造成損害,因而可延長芯片的使用壽命。此外,根據(jù)本發(fā)明的單模光纖具有極大靈活性,可以用來匹配的不同激光器,因此沒有必要為了例如激光二極管的每一種激光設(shè)備來制備特定的光纖。根據(jù)特定激光二極管的特性,通過相應(yīng)調(diào)整光纖的芯部擴(kuò)張部分可以獲得所需的耦合效率。


      通過僅僅結(jié)合附圖的實(shí)例提供的優(yōu)選實(shí)施例的下述描述,將明了本發(fā)明前述的特征和另外的特征,其中圖Ia是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有成角度尖端的光纖的正視圖;圖Ib是圖Ia中所示光纖的左視圖;圖Ic是圖Ia中所示光纖的頂視圖;圖2示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的包括光纖和激光源的耦合系統(tǒng);圖3是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光纖制造過程步驟的流程圖;圖4a到4c分別示出原始光纖的正視圖,左視圖和頂視圖,其中光纖要經(jīng)歷如圖3所示的制造過程;圖5a至5c分別示出經(jīng)歷熱擴(kuò)張過程之后的圖4a到4c所示光纖的正視圖,左視圖和頂視圖;圖6a至6c分別示出經(jīng)歷第一拋光過程之后的圖5a至5c所示光纖的正視圖,左視圖和頂視圖;圖7a至7c分別示出經(jīng)歷第二拋光過程之后的圖6a至6c所示光纖的正視圖,左視圖和頂視圖;圖8a至Sc分別示出經(jīng)歷火焰熔化過程之后的圖7a至7c所示光纖的正視圖,左視圖和頂視圖。
      具體實(shí)施例方式在本發(fā)明的前述說明中及其隨后的權(quán)利要求書中,除了由于語言表達(dá)或必然含意而使得上下文需要另有所指之外,詞語“包括”(“comprise”或諸如“comprises”或“comprising”的變型)采用的是一個(gè)包括性的含義,即明確所述特征的存在,但并不排除存在或增加本發(fā)明各種實(shí)施例中的另外特征。如在此和權(quán)利要求書中所使用的那樣,“耦合”或“連接”是指經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)光學(xué)手段直接或間接地耦合或連接,除非另有說明。
      現(xiàn)在參考圖la,Ib和lc,本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例披露光波導(dǎo)的一部分,其為包括尖端部分36和主干部分34的光纖20。主干部分34作為光纖20的一部分,允許激光信號(hào)在其中傳播,以及行進(jìn)所需的地理距離而到達(dá)目的地。尖端部分36指的是靠近光纖20兩端之一的光纖20的一部分。在主干部分34中,有一個(gè)沿光纖長度延伸的玻璃或塑料圓柱體,也被稱為光纖20的芯部22。芯部22具有在其整個(gè)長度上基本恒定的芯部直徑。如圖la、Ib和Ic中所示的那樣,還存在一個(gè)在芯部22和光纖20的端部之間延伸的芯部端部部分
      24。芯部端部部分24優(yōu)選具有逐漸變細(xì)的形狀。芯部端部部分24具有大于芯部22的芯部直徑的更大直徑。隨后將參照?qǐng)D2,對(duì)該操作進(jìn)行更具體的描述。在圖Ia至Ic的實(shí)施例中,尖端部分36還包括處于光纖20端部上最遠(yuǎn)位置處的最末端的端面26。如圖Ib所示,最末端的端面26與光纖20的直徑不平行,而是具有相對(duì)于光纖20直徑所成的頂端角38。換句話說,最末端的端面26不垂直于光軸(未顯示),而來自外部光學(xué)器件的光沿該光軸被導(dǎo)向到尖端部分36。在圖Ia至Ic所示的實(shí)施例中,光軸是光纖20的芯部22的縱軸(未顯示)。頂端角38根據(jù)譬如激光模式的尺寸、來自外部·光學(xué)器件(諸如激光二極管)的入射光角度、以及激光二極管的發(fā)射功率來確定。尖端部分36進(jìn)一步包括透鏡32,其形成于與尖端部分36最末端的端面26的至少一部分重疊的區(qū)域上。在優(yōu)選實(shí)施例中,透鏡32占據(jù)最末端端面26的整個(gè)面積。透鏡32的寬度根據(jù)所需的激光模式尺寸來變化,而激光模式的尺寸反過來是根據(jù)激光芯片的激光源發(fā)射的激光特性所決定的。如在圖Ia的頂視圖中所看到的那樣,透鏡32具有大體上橢圓的形狀,其由火焰熔化過程所致,火焰熔化過程的更多細(xì)節(jié)將在稍后進(jìn)行描述。圖Ia至Ic中的光纖20的尖端部分36進(jìn)一步包括兩個(gè)側(cè)面部分30,每個(gè)側(cè)面部分30進(jìn)一步包括從光纖20的外周邊朝向最末端的端面26延伸的表面。這從圖Ia可以最佳地觀察到。每個(gè)側(cè)面部分30的表面具有朝向尖端部分36的最末端的端面26延伸的邊緣,以及側(cè)面部分30的邊緣與最末端的端面26相接觸。優(yōu)選的,尖端部分36大體上為楔形形狀,以及側(cè)面部分30的表面是關(guān)于透鏡32的最末端端面26對(duì)稱的。楔形的角度,即由側(cè)面部分30的兩個(gè)表面形成的角度,依賴于激光模式的尺寸。光纖20的尖端部分36進(jìn)一步包括布置在最末端端面26的相對(duì)的兩端部附近的兩個(gè)倒角部分28。倒角部分28被配置成促成光纖被耦合到光學(xué)器件內(nèi)的適當(dāng)耦合操作,從而在正確的方向上進(jìn)行耦合,且例如將不會(huì)對(duì)如光學(xué)器件中的激光芯片造成損害。倒角部分28的角度根據(jù)具體光學(xué)器件(諸如激光半導(dǎo)體芯片)來確定。在圖Ia至Ic的實(shí)施例中所示的光纖20是與G07 980納米的泵浦激光二極管最佳匹配的單模光纖。光纖20具有約125 μ m的直徑。優(yōu)選的,頂端角38大約為6度,或者換句話說,在垂直于最末端的端面的最末端的端面的正交線(未顯示)與光軸之間的角度大約為6度。楔形角度、頂端角以及倒角部分都可以進(jìn)行不同的設(shè)計(jì),以滿足光纖與其耦合的不同光器件的要求。圖2顯示了如圖Ia至Ic中所示的光纖20,其與諸如激光半導(dǎo)體二極管的光學(xué)器件18耦合。光學(xué)器件18和光纖20從而組成耦合系統(tǒng)。在本發(fā)明實(shí)施例中的光纖20具有尖端部分,尖端部分大體上為楔形。由于該原因,當(dāng)單模光纖與980納米的泵浦激光二極管耦合時(shí),該楔形可獲得最理想的耦合效率。根據(jù)對(duì)不同激光二極管的使用,也可以相應(yīng)地改變楔形。具有擴(kuò)張芯部的芯部端部部分可以進(jìn)一步幫助減少由于光纖和其他光學(xué)器件之間的不完全耦合而造成的插入損耗。另一方面,在光纖耦合到諸如激光半導(dǎo)體芯片的光學(xué)器件時(shí),具有頂端角的成角度透鏡的使用實(shí)現(xiàn)了返回到光學(xué)器件的低激光反射。由于成角度透鏡的存在,在激光進(jìn)入到光纖尖端部分的同時(shí),將迫使反射回的激光在不同的方向上行進(jìn),該不同的方向相對(duì)于激光沿其進(jìn)入尖端部分的光軸具有一定的傾斜角度。反射回的激光將不會(huì)沿著激光射入光纖所沿的相同直線路徑行進(jìn)返回。換句話說,反射回的激光會(huì)發(fā)生偏斜。通過該種方式,激光(至少是其主要的部分)將不會(huì)返回?fù)糁屑す獍雽?dǎo)體芯片(其產(chǎn)生激光)的表面,從而可避免對(duì)激光半導(dǎo)體芯片造成的可能損害。在本發(fā)明的另一個(gè)方面,披露了制造適于耦合到諸如光源的另一光學(xué)器件的光纖的方法。在一個(gè)實(shí)施例中,該方法包括幾個(gè)步驟,諸如使得光纖芯部熱擴(kuò)張,拋光光纖以便形成尖端部分和透鏡的所需形狀,以及對(duì)光纖進(jìn)行火焰熔化以便形成如圖3所示的最終形狀。該實(shí)施例中的步驟的細(xì)節(jié)在下面參照?qǐng)D4a至圖Sc進(jìn)行描述。圖4a至圖4c示出了在尚未用本發(fā)明方法處理的步驟100的原始光纖20。光纖20具有圓柱形形狀,以及在光纖20的內(nèi)部具有芯部22,芯部22沿著光纖20的縱軸位于光纖20內(nèi)。光纖20首先要經(jīng)歷熱擴(kuò)張過程102以便擴(kuò)張芯部22的一部分,從而在光纖內(nèi)形 成處于芯部22和光纖20端部之間的芯部端部部分24。芯部端部部分24具有比芯部22大的更大直徑。圖5a至圖5c示出經(jīng)過熱擴(kuò)張過程之后的光纖20。優(yōu)選的,為了與980納米的激光半導(dǎo)體芯片相匹配,光纖20的加熱時(shí)間在4分鐘到5分鐘的范圍內(nèi)。在優(yōu)選的實(shí)施例中,光纖20的加熱時(shí)間大約為4分鐘,從而使得光纖芯部被擴(kuò)張至具有大約7. I μ m的光纖模場(chǎng)直徑(MFD)。然后光纖20將經(jīng)歷拋光過程以便形成楔形形狀、成角度的透鏡和倒角。拋光過程進(jìn)一步包括第一拋光過程104和第二拋光過程106。在第一拋光過程104中,如果將圖5a中所示的光纖以正視圖看的話,光纖的尖端部分36在其兩側(cè)上進(jìn)行拋光。優(yōu)選的,尖端部分36的兩側(cè)被相等地拋光,從而如圖6b所示在經(jīng)歷第一拋光過程之后形成的兩個(gè)側(cè)面部分30兩者具有相同的表面積,以及上述表面具有關(guān)于光纖20軸向的相同角度。兩個(gè)側(cè)面部分30的此種構(gòu)造也被稱為楔形。與此同時(shí),由于兩個(gè)側(cè)面部分30經(jīng)歷了拋光,形成了跨越光纖尖端部分中心的最末端的端面26。此時(shí)最末端的端面26為尖銳邊緣的形狀。另一方面,在第一拋光過程102中,以一定的角度對(duì)兩個(gè)側(cè)面部分30進(jìn)行拋光,這樣最末端的端面26與光纖20的直徑不平行,而是具有相對(duì)于光纖直徑的一個(gè)傾角。換句話說,最末端的端面26不垂直于光軸(未顯不),而來自外部光學(xué)器件的光沿著該光軸導(dǎo)向到尖端部分36。這可以通過例如在尖端部分36的前端進(jìn)行拋光比在尖端部分的后端拋光掉更多的部分來得以實(shí)現(xiàn)。尖端部分36的前端和后端指的是在圖6a至圖6c的視圖中確立的方向。如上所述,頂端角,即最末端的端面26和光纖直徑之間的角度,或垂直于最末端的端面的最末端的端面的正交線(未顯示)與光軸之間的角度約為6度。在第二拋光過程106中,尖端部分36被進(jìn)一步從垂直于第一拋光過程104中方向的兩個(gè)其它方向進(jìn)行拋光。具體的,對(duì)尖端部分36的前端和后端進(jìn)行拋光以便形成兩個(gè)倒角28。根據(jù)激光半導(dǎo)體芯片的要求,倒角可具有同樣的角度或不同的角度,而這可以通過控制第二拋光過程106中的拋光角度來實(shí)現(xiàn)。在最后的火焰熔化過程108中,在尖端部分(即最末端的端面26附近的區(qū)域)中的光纖通過使用電極的電弧加熱單元可融接。由電弧產(chǎn)生的熱將燒掉光纖中覆蓋光纖芯部的塑料,并導(dǎo)致玻璃熔化。這樣一來,本發(fā)明實(shí)施例中的火焰熔化過程108由于玻璃在光纖尖端融化而導(dǎo)致原本尖銳的最末端的端面26成為相對(duì)平坦但凹凸不平的表面。然而,平的表面仍可被視為尖端部分的脊部。因此由該平的表面形成的透鏡32在光纖的尖端部分上形成。透鏡32具有由玻璃在光纖尖端融化導(dǎo)致的橢圓形,直到達(dá)到尖端部分的以前形成的楔形形狀和倒角部分的邊界。雖然在附圖和前面描述中已經(jīng)詳細(xì)地說明和描述了本發(fā)明,但是同樣上述是說明性的,而在性質(zhì)上沒有限制,應(yīng)該理解僅僅示出和描述了示例性實(shí)施例,但是并不以任何方式限制本發(fā)明的范圍。可以認(rèn)識(shí)到在此描述的任意特征可用于任何實(shí)施例。示例性的實(shí)施例并不互相排斥或并不排斥在此引用的其他實(shí)施例。因此,本發(fā)明還提供了包括一個(gè)或多個(gè)上述示例性實(shí)施例組合的實(shí)施方案??梢栽诓幻撾x本發(fā)明的精神和范圍的情況下對(duì)如在此提出的本發(fā)明進(jìn)行變型和變化,因此本發(fā)明的范圍僅僅由所附權(quán)利要求指示的那樣進(jìn)行限制。 應(yīng)該理解,在澳大利亞或其他任何國家,如果任何公開的現(xiàn)有技術(shù)在此進(jìn)行參考,上述參考不認(rèn)為公開構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)中公知常識(shí)的一部分。雖然在對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的上面描述中,單模光纖被用作光波導(dǎo)的一個(gè)實(shí)例,但是本領(lǐng)域的那些技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到本發(fā)明的教導(dǎo)還可以用在經(jīng)過變型的任意其它類型的光波導(dǎo)上,并且仍落入本發(fā)明的發(fā)明性理念之內(nèi)。其它光波導(dǎo)的實(shí)例包括但不限于平面波導(dǎo)、條形波導(dǎo)和多模波導(dǎo)。如上所述的光纖的尖端部分具有適于與980納米的激光半導(dǎo)體芯片耦合的基本楔形。然而,尖端部分并不一定需要是楔形。根據(jù)光纖耦合到其的光學(xué)器件的幾何尺寸,光纖尖端部分的形狀可以相應(yīng)改變,只要它可以適配到光學(xué)器件且不會(huì)損害耦合效率即可。例如,在某些情況下,尖端部分可具有不止兩個(gè)側(cè)面部分。它可具有三個(gè)或甚至更多的側(cè)面部分,諸如多邊形。在上述的具體實(shí)施例中,在尖端部分形成的最末端的端面的頂端角約為6度。然而,本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到這并不是為了限制本發(fā)明。根據(jù)激光半導(dǎo)體芯片的類型和規(guī)格,特別是其發(fā)光角度,在尖端部分形成脊部的頂端角也可以被改變,以滿足特定的要求。 在描述制備具有上述成角度尖端的光纖的本發(fā)明實(shí)施例中,使用了拋光過程來形成尖端部分的所需形狀,以及還用于形成頂端角和倒角部分。然而,本領(lǐng)域的那些技術(shù)人員會(huì)意識(shí)到可用除了拋光之外的在行業(yè)內(nèi)可得到的許多其他方法來切割/處理光纖。這些方法包括但不限于劈開、燒灼、或侵蝕等。
      權(quán)利要求
      1.用于耦合到光源的光纖,包括 芯部,其用于接收從所述光源發(fā)出的沿著光軸導(dǎo)向的光,其中該芯部在接近所述光纖一端處被擴(kuò)張,而該擴(kuò)張了的芯部具有大于其它沒有被擴(kuò)張的芯部部分的直徑;以及 所述光纖的所述一端上的尖端部分,其中所述尖端部分還包括最末端的端面,所述最末端的端面不垂直于所述光軸。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光纖,其中所述尖端部分還包括透鏡,從而由所述光源傳輸?shù)剿龉饫w的所述光通過所述透鏡。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光纖,其中所述透鏡形成在與所述最末端的端面的至少一部分重疊的區(qū)域上。
      4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光纖,其中所述尖端部分還包括至少兩個(gè)側(cè)面部分,每一個(gè)所述側(cè)面部分還包括從所述光纖的外周邊朝向所述尖端部分的所述最末端的端面延伸的表面。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光纖,其中每一個(gè)所述側(cè)面部分的所述表面具有與所述尖端部分的所述最末端的端面對(duì)齊的邊緣,由此所述側(cè)面部分的所述邊緣與所述最末端的端面相接觸。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光纖,其中所述側(cè)面部分的所述表面關(guān)于所述尖端部分的所述最末端的端面對(duì)稱,以及所述尖端部分大體上為楔形。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖,其中所述尖端部分還包括在所述楔形的第一端部處配置的第一倒角部分。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光纖,其中所述尖端部分還包括在所述楔形的與所述第一端部相對(duì)的第二端部處配置的第二倒角部分。
      9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光纖,其中所述尖端部分的所述最末端的端面還包括凹凸不平的表面。
      10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光纖,其中所述光纖的所述直徑為125μ m。
      11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光纖,其中所述光纖為單模光纖。
      12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光纖,其中在所述最末端的端面的正交線與所述光軸之間的角度約為6度。
      13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光纖,其中所述擴(kuò)張了的芯部具有從所述光纖的所述一端到所述芯部逐漸變細(xì)的形狀。
      14.一種稱合系統(tǒng),包括 用于產(chǎn)生光信號(hào)的光學(xué)器件;以及 耦合到所述光學(xué)器件的光纖,其中該光纖進(jìn)一步包括 芯部,其用于接收從所述光源發(fā)出的沿著光軸導(dǎo)向的光,其中該芯部在接近所述光纖一端處被擴(kuò)張,而該擴(kuò)張了的芯部具有大于其它沒有被擴(kuò)張的芯部部分的直徑;以及 所述光纖的所述一端上的尖端部分,其中所述尖端部分還包括最末端的端面,所述最末端的端面不垂直于所述光軸。
      15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的耦合系統(tǒng),其中所述光學(xué)器件是激光半導(dǎo)體芯片。
      16.一種制造適于耦合到光源的光纖耦合裝置的方法,包括下述步驟 將所述光纖的芯部在接近所述光纖一端的部分進(jìn)行擴(kuò)張,所述芯部能夠接收從所述光源發(fā)出的沿著光軸導(dǎo)向的光;該擴(kuò)張了的芯部在擴(kuò)張之后具有大于其它沒有被擴(kuò)張的芯部部分的直徑;以及 形成所述光纖的所述一端上的尖端部分,其中所述尖端部分還包括最末端的端面,所述最末端的端面不垂直于所述光軸。
      17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中所述形成步驟進(jìn)一步包括 拋光所述尖端部分以便形成所述尖端部分上的至少兩個(gè)側(cè)面部分,每一個(gè)所述側(cè)面部分還包括從所述光纖的外周邊朝向所述尖端部分的所述最末端的端面延伸的表面。
      18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中每一個(gè)所述側(cè)面部分的所述表面具有朝向所述尖端部分的所述最末端的端面延伸的邊緣,由此所述側(cè)面部分的所述邊緣與所述最末端的端面相接觸。
      19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其中所述側(cè)面部分的所述表面關(guān)于所述尖端部分的所述最末端的端面對(duì)稱,以及所述尖端部分大體為楔形。
      20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中所述形成步驟進(jìn)一步包括 拋光所述尖端部分以便形成在所述楔形的第一端部處定位的第一倒角部分。
      21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法,其中所述形成步驟進(jìn)一步包括步驟 拋光所述尖端部分以便形成在所述楔形的與所述第一端部相對(duì)的第二端部處定位的第二倒角部分。
      22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中所述方法進(jìn)一步包括步驟 在所述形成步驟之后對(duì)所述光纖的所述尖端部分進(jìn)行火焰熔化,以便在所述尖端部分上提供透鏡。
      23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,其中所述透鏡形成于包圍所述最末端的端面至少一部分的區(qū)域上。
      24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中所述擴(kuò)張步驟是熱擴(kuò)張步驟。
      25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中所述光纖的所述直徑為125μ m。
      26.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中所述光纖是單模光纖。
      27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中在所述最末端的端面的正交線與所述光軸之間的角度約為6度。
      28.根據(jù)權(quán)利要求16的所述方法制備的光纖。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了用于耦合到光源的光纖,該光纖包括芯部和尖端部分。芯部用于接收從光源發(fā)出的沿著光軸導(dǎo)向的光,其中芯部在接近所述光纖一端處被擴(kuò)張,而該擴(kuò)張了的芯部具有大于其它沒有被擴(kuò)張的芯部部分的直徑。尖端部分位于光纖的所述一端上,其中尖端部分還包括最末端的端面,最末端的端面不垂直于所述光軸。還公開了包括這種光纖的耦合系統(tǒng)和制備光纖耦合器件的方法。由本發(fā)明提供的光纖不僅具有適于耦合不同激光模式尺寸的高耦合效率,而且還降低從光纖反射回的激光,否則其會(huì)損害激光半導(dǎo)體芯片。
      文檔編號(hào)G02B6/02GK102914816SQ20111022148
      公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2011年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月3日
      發(fā)明者勞業(yè)奇, 雷謝福, A·楊森, N·扎耶爾 申請(qǐng)人:奧蘭若技術(shù)有限公司
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