專利名稱：平面顯示面板及其修復方法
平面顯示面板及其修復方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示面板以及其修復方法，尤指一種具有修復線結構的平面顯示面板以及斷線的修復方法。
背景技術：
現(xiàn)今消費電子產(chǎn)品普遍采用輕薄的平板顯示器，其中液晶顯示器已經(jīng)逐漸被各種電子設備如電視、移動電話、個人數(shù)字助理、數(shù)碼相機、計算機屏幕或筆記本電腦等所廣泛使用。薄膜晶體管液晶顯示面板由于具有高畫質、空間利用效率佳、消耗功率低、無輻射等優(yōu)越特性，因而已逐漸成為市場的主流。請參閱圖1，圖1為現(xiàn)有技術中液晶顯示面板的局部示意圖。液晶顯示面板包含多個像素電極100、多列數(shù)據(jù)線102和多行掃描線101。如圖所示，一像素電極100透過一薄膜晶體管103連接到一條掃描線101以及一條數(shù)據(jù)線102。 薄膜晶體管103會根據(jù)掃描線101的掃描信號導通或形成斷路當掃描線101傳送的掃描信號為高電平時，薄膜晶體管103導通，使數(shù)據(jù)線102上的數(shù)據(jù)電壓輸出至像素電極100。 而像素電極100與共通線105之間的液晶分子就是依據(jù)像素電極100所接收的數(shù)據(jù)電壓與共通線105提供的公共電壓的電壓差來旋轉進而產(chǎn)生不同的灰階。然而，在形成液晶顯示面板的過程中，數(shù)據(jù)線102有時候會有斷線處G。一般來說，如果是在成盒(Cell)工藝之前檢測數(shù)據(jù)線102發(fā)生斷線，則會采用化學氣相沉積修復 (Chemical vapor deposition Repair, CVD Repair)進行修補。但在成盒工藝后如果還是偵測到會出現(xiàn)數(shù)據(jù)線102斷線不良，目前則采用報廢的方式處理。這會造成較大的浪費，影響產(chǎn)品的良率，提高了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內容因此，本發(fā)明的目的是提供一種具有修復線結構的平面顯示面板以及斷線的修復方法。在成盒工藝之后，對于已斷線的數(shù)據(jù)線可以利用激光連接特定修復線，使得原先無法透過已斷線的數(shù)據(jù)線傳送的信號，得以經(jīng)由所述修復線傳送。所述具有修復線結構的平面顯示面板以及斷線的修復方法可以降低產(chǎn)品報廢的數(shù)量，以解決現(xiàn)有技術的問題。本發(fā)明提供一種平面顯示面板，包含多個像素電極，呈矩陣排列；多行掃描線， 彼此相互平行并朝一第一方向延伸，用來傳輸掃描信號；多列數(shù)據(jù)線，彼此相互平行并朝一第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向，用來傳輸數(shù)據(jù)信號；多個薄膜晶體管， 所述多個薄膜晶體管是一對一耦接于所述像素電極、所述多行掃描線和所述多列數(shù)據(jù)線， 每一薄膜晶體管用來于接收耦接的掃描線傳來的所述掃描信號時，導通耦接的數(shù)據(jù)線傳輸?shù)乃鰯?shù)據(jù)信號給對應的像素電極；以及多條修復線，平行并重疊于所述多列數(shù)據(jù)線，所述多條修復線是一對一設置于所述多個像素電極的一側且彼此不相互連接，且所述多條修復線與所述多行掃描線由同一金屬層構成。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，每一修復線呈I字型。
依據(jù)本發(fā)明的一實施例，另包含多個連接件，每一連接件的兩端分別重疊兩條位于同一列的修復線的一端，其中，當其中一列數(shù)據(jù)線已斷線導致其中之一的像素電極無法接收所述數(shù)據(jù)信號時，在重疊于所述已斷線的數(shù)據(jù)線的多條修復線中選取兩條修復線，所述選取的兩條修復線是位在所述已斷線數(shù)據(jù)線的斷線位置的兩側并重疊于其中一連接件， 所述選取的兩條修復線電性連接所述已斷線的數(shù)據(jù)線及所述連接件。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，另包含一絕緣層以及一保護層，所述絕緣層位于所述多條修復線與所述數(shù)據(jù)線之間，所述保護層位于所述多個連接件與所述數(shù)據(jù)線之間。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，當其中一條數(shù)據(jù)線已斷線導致一像素電極無法接收所述數(shù)據(jù)信號時，所述已斷線的數(shù)據(jù)線在斷線處的兩端是電性連接重疊于所述已斷線數(shù)據(jù)線的修復線。本發(fā)明又提供一種修復平面顯示面板的方法，包含提供一玻璃基板；形成一第一金屬層于所述玻璃基板上；蝕刻所述第一金屬層，以形成多個薄膜晶體管的柵極、多條修復線以及多條掃描線；在所述多個薄膜晶體管的柵極、所述多條修復線以及所述多條掃描線上形成一絕緣層；形成一半導體層于所述絕緣層上；蝕刻所述半導體層，以形成所述多個薄膜晶體管的通道區(qū)域；以及形成一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以形成所述多個薄膜晶體管的源極和漏極以及多條數(shù)據(jù)線。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，如果其中一條數(shù)據(jù)線已斷線，且所述數(shù)據(jù)線的斷線位置重疊于其中一條修復線，選取與所述已斷線的數(shù)據(jù)線的斷線位置重疊的修復線，并將所述選取的修復線與所述已斷線的數(shù)據(jù)線電性連接；在所述多條數(shù)據(jù)線、所述多個薄膜晶體管的源極和漏極上形成一保護層；形成一透明導電層于所述保護層之上。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，如果其中一條數(shù)據(jù)線已斷線，且所述數(shù)據(jù)線的斷線位置不重疊于所述多條修復線，選取兩條修復線與所述已斷線的數(shù)據(jù)線電性連接，所述選取的兩條修復線是重疊于所述已斷線的數(shù)據(jù)線，且分別位于所述已斷線的數(shù)據(jù)線的斷線位置的兩端；在所述多條數(shù)據(jù)線、所述多個薄膜晶體管的源極和漏極上形成一保護層；形成一透明導電層于所述保護層之上；蝕刻所述透明導電層以在所述選取的兩條修復線的上方形成一連接件，所述連接件重疊于所述選取的兩條修復線；以及電性所述連接件和所述已斷線的數(shù)據(jù)線。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，所述電性連接的步驟是以激光熔斷所述選取的兩條修復線與所述已斷線的數(shù)據(jù)線重疊之處，以熔接所述選取的兩條修復線與所述已斷線的數(shù)據(jù)線，并以激光熔斷所述選取的兩條修復線與所述連接件重疊之處，以熔接所述選取的兩條修復線與所述連接件。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，在形成所述保護層的步驟之后，所述方法另包含蝕刻所述保護層，以在所述漏極的上方形成一連接孔；以及蝕刻所述透明導電層以形成一像素電極。相較于現(xiàn)有技術，本發(fā)明提供一種具有修復線結構的平面顯示面板以及斷線的修復方法。利用激光連接特定修復線和連接件，使得原先無法透過已斷線的數(shù)據(jù)線傳送的數(shù)據(jù)信號，得以經(jīng)由所述修復線和連接件形成的電性回路繞過已斷線的數(shù)據(jù)線而維持傳送。 所以本發(fā)明具有修復線結構的平面顯示面板以及斷線的修復方法可以降低產(chǎn)品報廢的數(shù)量。
為讓本發(fā)明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下

圖1為現(xiàn)有技術中液晶顯示面板的局部示意圖。圖2為本發(fā)明具有修復線結構的第一實施例的平面顯示面板在修補數(shù)據(jù)線斷線前的局部示意圖。圖3至圖7為修補本發(fā)明平面顯示面板的第一實施例的方法示意圖。圖8為本發(fā)明具有修復線結構的第二實施例的平面顯示面板在修補數(shù)據(jù)線斷線前的局部示意圖。圖9至圖13為修補本發(fā)明平面顯示面板的第二實施例的方法示意圖。圖14是本發(fā)明具有修復線結構的第三實施例的平面顯示面板在修補數(shù)據(jù)線斷線前的局部示意圖。
具體實施方式
以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施之特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“頂”、“底”、“水平”、
“垂直”等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。請參閱圖2，圖2為本發(fā)明具有修復線結構的第一實施例的平面顯示面板在修補數(shù)據(jù)線斷線前的局部示意圖。平面顯示面板包含多個像素電極和數(shù)百條的掃描線、數(shù)據(jù)線和修復線，為簡化圖式以及便于說明，以下的實施例說明僅繪示部分平面顯示面板。平面顯示面板包含多個呈矩陣排列的像素電極300a、300b和300c、多條彼此相互平行并朝一第一方向X延伸的掃描線301a、301b和301c、多條彼此相互平行并朝一第二方向Y延伸的數(shù)據(jù)線30加、30沘和302c、多個薄膜晶體管303a、30;3b和303c、和平行于數(shù)據(jù)線30 的修復線 307a、307b和307c，第二方向Y垂直于第一方向X。薄膜晶體管303a的柵極耦接至掃描線 301a，源極耦接至數(shù)據(jù)線30 ，漏極耦接至像素電極300a，薄膜晶體管30 和303c的結構與連接關系與薄膜晶體管303a相同，在此不另贅述。當薄膜晶體管303a接收耦接的掃描線301a傳來的掃描信號時，會導通耦接的數(shù)據(jù)線30 傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號給對應的像素電極 300a。像素電極300a對應的液晶分子是依據(jù)施加于像素電極300a的數(shù)據(jù)電壓來旋轉，以顯示不同的灰階。在成盒工藝中，會利用同一掩膜的顯影制程(Photo Etching Process, PEP)蝕刻一第一金屬層(未圖示)以一并形成多行掃描線301a、301b和301c和多條修復線307a、 307b和307c，多條修復線307a、307b和307c是一對一設置于像素電極300a、300b和300c 的一側。接著會利用另一掩膜的顯影制程蝕刻一第二金屬層(未圖示)以形成多列數(shù)據(jù)線 302a,302b和302c。由該第一金屬層形成的掃描線301a、301b和301c和修復線307a、307b 和307c，與由該第二金屬層形成的數(shù)據(jù)線30h、302b和302c之間至少設置一絕緣層(未圖示)，用來避免掃描線、修復線和數(shù)據(jù)線直接電性連接。較佳地，對應于同一列的像素電極的修復線皆重疊于一列數(shù)據(jù)線，例如數(shù)據(jù)線30 重疊于修復線307a、307b之上。
在成盒工藝的過程之中，會檢測每一條數(shù)據(jù)線是否可以正常地傳遞信號。當數(shù)據(jù)線30 發(fā)生斷線時，如圖2斷線處G所示，數(shù)據(jù)信號將無法傳遞。當偵測到其中一條數(shù)據(jù)線30 有斷線處G后，選取位于該斷線的數(shù)據(jù)線30 下方的修復線307a，并以激光熔化數(shù)據(jù)線30 的斷線處G的兩端點321、322。位于兩端點321、322下方的絕緣層會被激光燒出開孔，使得金屬材質的數(shù)據(jù)線30 熔化后會經(jīng)過該開孔與修復線307a接觸，以達到數(shù)據(jù)線 302a和修復線307a電性連接的效果。如上所述，數(shù)據(jù)線30 和修復線307a會繞過斷線處G而形成一個電性路徑，使得數(shù)據(jù)信號可以經(jīng)過該電性路徑繞過數(shù)據(jù)線30 斷線的位置以繼續(xù)正常的傳遞。在以下的揭露之中，將解說本發(fā)明平面顯示面板300的制程方式。在此請參閱圖 3至圖7，圖3至圖7為修補本發(fā)明平面顯示面板300的第一實施例的方法示意圖。在此請先參閱圖3，首先提供一個玻璃基板350當作下基板，接著進行一金屬薄膜沉積制程，以于玻璃基板350表面形成一第一金屬層(未顯示)，并利用一第一掩膜來進行第一微影蝕刻，以蝕刻得到薄膜晶體管303a的柵極371、修復線307a以及掃描線301a。接著請參閱圖4，接著沉積以氮化硅(SiNx)為材質的絕緣層351而覆蓋柵極371、 修復線307a以及掃描線301a。于絕緣層351上連續(xù)沉積非晶硅(a_Si，Amorphous Si)層以及一高電子摻雜濃度的N+非晶硅層。利用第二掩膜來進行第二微影蝕刻以構成半導體層372。半導體層372包含作為薄膜晶體管303a通道的非晶硅層37 以及用來降低阻抗的歐姆接觸層(Ohmic contact layer) 372b 請參閱圖5，接著在絕緣層351上形成一全面覆蓋的第二金屬層(未繪示于圖中)，并利用第三掩膜來進行第三微影蝕刻以分別定義出薄膜晶體管303a的源極373及漏極374以及數(shù)據(jù)線30加。數(shù)據(jù)線30 是直接連接到源極373。請參閱圖6，接著沉積以氮化硅為材質的保護層(passivation layer) 375，并覆蓋源極373、及漏極374和數(shù)據(jù)線30 ，再利用第四掩膜來進行第四微影蝕刻用以去除漏極 374上方的部份保護層375，直至漏極374表面，以于漏極374上方形成連接孔(Via) 531。請參閱圖7，圖7也是圖2所示的平面顯示面板300沿線段A-A’的剖面圖。在保護層375上形成以氧化銦錫物andium tin oxide, ΙΤ0)為材質的透明導電層，接著利用一第五掩膜蝕刻該透明導電層以形成像素電極300b。像素電極300b透過預先形成的連接孔 531與薄膜晶體管303a的漏極374電性連接。在圖5的第三微影蝕刻制程之后，可以先檢測數(shù)據(jù)線是否斷路。如果發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線 302a出現(xiàn)斷路，選取數(shù)據(jù)線30 的斷線處G的兩端點321、322(繪示于圖2)作為激光的熔斷點。位于兩端點321、322下方的絕緣層351會被激光燒出開孔，使得金屬材質的數(shù)據(jù)線30 熔化后會經(jīng)過該開孔與修復線307a接觸，以達到數(shù)據(jù)線30 和修復線307a電性連接的效果。當此制程完成后，再繼續(xù)圖6、7所示的第四、第五微影蝕刻制程。請參閱圖8，圖8為本發(fā)明具有修復線結構的第二實施例的平面顯示面板在修補數(shù)據(jù)線斷線前的局部示意圖。為了簡化說明，在圖8中凡是與圖2所示的組件具有相同編號者具有相同的功能。不同于圖2所示的平面顯示面板300，平面顯示面板400在同一列的兩修復線307a和307b之間，設有與兩修復線307a和307b的一端重疊的連接件308a。在成盒工藝中，利用同一掩膜的顯影制程蝕刻一第一金屬層(未圖示)以形成的多行掃描線 301a,301b和301c和多條修復線307a,307b和307c。多條修復線307a,307b和307c是一對一設置于像素電極300a、300b和300c的一側。接著會利用另一掩膜的顯影制程蝕刻一第二金屬層(未圖示)以形成多列數(shù)據(jù)線30h、302b和302c。由該第一金屬層形成的掃描線301a、301b和301c和修復線307a、307b和307c，與由該第二金屬層形成的數(shù)據(jù)線30加、 302b和302c之間至少設置一絕緣層(未圖示)，用來避免掃描線、修復線和數(shù)據(jù)線直接電性連接。連接件308a則是利用另一掩膜的顯影制程蝕刻透明導電層(例如氧化銦錫物)所形成。連接件308a與數(shù)據(jù)線30 之間至少設置一保護層(未圖示)，用來避免掃描線、修復線、數(shù)據(jù)線和連接件直接電性連接。較佳地，對應于同一列的像素電極的修復線皆重疊于一列數(shù)據(jù)線，例如數(shù)據(jù)線30 重疊于修復線307a、307b之上。請注意，修復線307a、307b 和307c的寬度需大于與其重疊的數(shù)據(jù)線30h、302b和302c的寬度。連接件308a則不重疊于對應的數(shù)據(jù)線30加。較佳地，修復線307a、307b和307c的外型類似于” I”字型?！?I” 字型的修復線307a、307b的凸出區(qū)域3072與連接件308a重疊，而像素電極30 則可擴展到” I”字型的修復線307a的凹陷區(qū)域3071內。因此像素電極30 的開口率(Aperture rate)不會受到影響。在成盒工藝的過程之中，會檢測每一條數(shù)據(jù)線30 和302b是否可以正常地傳遞信號。當數(shù)據(jù)線30 發(fā)生斷線時，如圖8斷線處G所示，數(shù)據(jù)信號將無法傳遞。當偵測到其中一條數(shù)據(jù)線30 有斷線處G時，選取斷線處G兩端的修復線307a、307b。接著以激光熔化數(shù)據(jù)線30 的斷線處G的兩端點323、324。位于兩端點323、3M下方的絕緣層會被激光燒出開孔，使得金屬材質的數(shù)據(jù)線30 熔化后會經(jīng)過該開孔與修復線307a、307b接觸。 另外，以激光熔化連接件308a的斷線處G的兩端點325、326。位于兩端點325、3沈下方的絕緣層和保護層會被激光燒出開孔，使得透明導電材質的連接件308a熔化后會經(jīng)過該開孔與修復線307a、307b接觸。如此一來，就可以達到數(shù)據(jù)線30 、連接件308a、修復線307a 和307b電性連接的效果。經(jīng)過激光熔斷制程后，連接件308a、修復線307a和307b會形成一個電性路徑，用來繞過斷線處G，使得數(shù)據(jù)信號可以經(jīng)過該電性路徑繞過數(shù)據(jù)線30 斷線的位置以繼續(xù)正常的傳遞。以下將解說本發(fā)明平面顯示面板400的制程方式。在此請參閱圖9至圖13，圖9 至圖13為修補本發(fā)明平面顯示面板400的第二實施例的方法示意圖。在此請先參閱圖9，首先提供一個玻璃基板350當作下基板，接著進行一金屬薄膜沉積制程，以于玻璃基板350表面形成一層第一金屬層(未顯示)，并利用一第一掩膜來進行第一微影蝕刻，以蝕刻得到薄膜晶體管303a的柵極371、修復線307a以及掃描線301a。接著請參閱圖10，接著沉積以氮化硅為材質的絕緣層351而覆蓋柵極371、修復線 307a以及掃描線301a。于絕緣層351上連續(xù)沉積非晶硅層以及一高電子摻雜濃度的N+非晶硅層。利用第二掩膜來進行第二微影蝕刻以構成半導體層372。半導體層372包含作為薄膜晶體管303a通道的非晶硅層37 以及用來降低阻抗的歐姆接觸層372b。請參閱圖11，接著在絕緣層351上形成一全面覆蓋的第二金屬層(未繪示于圖中)，并利用第三掩膜來進行第三微影蝕刻以分別定義出薄膜晶體管303a的源極373及漏極374以及數(shù)據(jù)線30加。數(shù)據(jù)線30 是直接連接到源極373。請參閱圖12，接著沉積以氮化硅為材質的保護層375，并覆蓋源極373、及漏極374 和絕緣層351，再利用第四掩膜來進行第四微影蝕刻用以去除漏極374上方的部份保護層375，直至漏極374表面，以于漏極374上方形成連接孔(Via) 531。請參閱圖13，圖13也是圖8所示的平面顯示面板300沿線段C-C’的剖面圖。在保護層375上形成以氧化銦錫物andium tin oxide, ΙΤ0)為材質的透明導電層，接著利用一第五掩膜蝕刻該透明導電層以形成像素電極300b和連接件308a。像素電極300b透過預先形成的連接孔531與薄膜晶體管303a的漏極374電性連接。在圖11的第三微影蝕刻制程之后，可以先檢測數(shù)據(jù)線是否斷路。如果發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線 302a出現(xiàn)斷路，選取數(shù)據(jù)線30 的斷線處G的兩端點323、324(繪示于圖8)做為激光的熔斷點。位于兩端點323、3M下方的絕緣層351會被激光燒出開孔，使得金屬材質的數(shù)據(jù)線30 熔化后會經(jīng)過該開孔與修復線307a、307b接觸，以達到數(shù)據(jù)線30 和修復線307a、 307b電性連接的效果。當此制程完成后，再繼續(xù)圖12、圖13所示的第四、第五微影蝕刻制程。在第五微影蝕刻制程之后，由于數(shù)據(jù)線30 出現(xiàn)斷路，因此選取連接件的兩端點 325、326(繪示于圖8)做為激光的熔斷點。位于兩端點325、326下方的絕緣層351和保護層375會被激光燒出開孔，使得透明導電材質的連接件308a熔化后會經(jīng)過該開孔與修復線 307a,307b接觸，以達到連接件308a和修復線307a、307b電性連接的效果。經(jīng)過激光熔斷制程后，數(shù)據(jù)線30 、連接件308a、修復線307a和307b會形成一個電性路徑，用來繞過斷線處G，使得數(shù)據(jù)信號在數(shù)據(jù)線30 斷線的位置可以經(jīng)過該電性路徑繼續(xù)正常的傳遞。請參閱圖14，圖14是本發(fā)明具有修復線結構的第三實施例的平面顯示面板在修補數(shù)據(jù)線斷線前的局部示意圖。圖8和圖14具有相同標號的組件具有相同的功能，在此不另贅述。不同于圖8所示的修復線307a呈“I”字型，圖14的修復線317a的外型，是將圖 8的“I”字型的修復線307a以縱向軸線作為中心線對折后的形狀。相較于圖8，在圖14中靠近薄膜晶體管303a —側的像素電極300a更可以朝向數(shù)據(jù)線30 方向延伸，而有較大的開口率(Aperture rate)。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，但該較佳實施例并非用以限制本發(fā)明，該領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。
權利要求
1.一種平面顯示面板，包含多個像素電極，呈矩陣排列；多行掃描線，彼此相互平行并朝一第一方向延伸，用來傳輸掃描信號；多列數(shù)據(jù)線，彼此相互平行并朝一第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向， 用來傳輸數(shù)據(jù)信號；多個薄膜晶體管，所述多個薄膜晶體管是一對一耦接于所述像素電極、所述多行掃描線和所述多列數(shù)據(jù)線，每一薄膜晶體管用來于接收耦接的掃描線傳來的所述掃描信號時， 導通耦接的數(shù)據(jù)線傳輸?shù)乃鰯?shù)據(jù)信號給對應的像素電極；以及多條修復線，平行并重疊于所述多列數(shù)據(jù)線，所述多條修復線是一對一設置于所述多個像素電極的一側且彼此不相互連接，且所述多條修復線與所述多行掃描線由同一金屬層構成。
2.根據(jù)權利要求1所述的平面顯示面板，其特征在于，每一修復線呈I字型。
3.根據(jù)權利要求1所述的平面顯示面板，其特征在于，另包含多個連接件，每一連接件的兩端分別重疊兩條位于同一列的修復線的一端，其中，當其中一列數(shù)據(jù)線已斷線導致其中之一的像素電極無法接收所述數(shù)據(jù)信號時，在重疊于所述已斷線的數(shù)據(jù)線的多條修復線中選取兩條修復線，所述選取的兩條修復線是位在所述已斷線數(shù)據(jù)線的斷線位置的兩側并重疊于其中一連接件，所述選取的兩條修復線電性連接所述已斷線的數(shù)據(jù)線及所述連接件。
4.根據(jù)權利要求3所述的平面顯示面板，其特征在于，另包含一絕緣層以及一保護層， 所述絕緣層位于所述多條修復線與所述數(shù)據(jù)線之間，所述保護層位于所述多個連接件與所述數(shù)據(jù)線之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的平面顯示面板，其特征在于，當其中一條數(shù)據(jù)線已斷線導致一像素電極無法接收所述數(shù)據(jù)信號時，所述已斷線的數(shù)據(jù)線在斷線處的兩端是電性連接重疊于所述已斷線數(shù)據(jù)線的修復線。
6.一種修復平面顯示面板的方法，包含提供一玻璃基板；形成一第一金屬層于所述玻璃基板上；蝕刻所述第一金屬層，以形成多個薄膜晶體管的柵極、多條修復線以及多條掃描線；在所述多個薄膜晶體管的柵極、所述多條修復線以及所述多條掃描線上形成一絕緣層；形成一半導體層于所述絕緣層上；蝕刻所述半導體層，以形成所述多個薄膜晶體管的通道區(qū)域；以及形成一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以形成所述多個薄膜晶體管的源極和漏極以及多條數(shù)據(jù)線。
7.根據(jù)權利要求6所述修復平面顯示面板的方法，其特征在于，所述方法另包含如果其中一條數(shù)據(jù)線已斷線，且所述數(shù)據(jù)線的斷線位置重疊于其中一條修復線，選取與所述已斷線的數(shù)據(jù)線的斷線位置重疊的修復線，并將所述選取的修復線與所述已斷線的數(shù)據(jù)線電性連接；在所述多條數(shù)據(jù)線、所述多個薄膜晶體管的源極和漏極上形成一保護層；形成一透明導電層于所述保護層之上。
8.根據(jù)權利要求6所述修復平面顯示面板的方法，其特征在于，所述方法另包含如果其中一條數(shù)據(jù)線已斷線，且所述數(shù)據(jù)線的斷線位置不重疊于所述多條修復線，選取兩條修復線與所述已斷線的數(shù)據(jù)線電性連接，所述選取的兩條修復線是重疊于所述已斷線的數(shù)據(jù)線，且分別位于所述已斷線的數(shù)據(jù)線的斷線位置的兩端；在所述多條數(shù)據(jù)線、所述多個薄膜晶體管的源極和漏極上形成一保護層；形成一透明導電層于所述保護層之上；蝕刻所述透明導電層以在所述選取的兩條修復線的上方形成一連接件，所述連接件重疊于所述選取的兩條修復線；以及電性所述連接件和所述已斷線的數(shù)據(jù)線。
9.根據(jù)權利要求8所述修復平面顯示面板的方法，其特征在于，所述電性連接的步驟是以激光熔斷所述選取的兩條修復線與所述已斷線的數(shù)據(jù)線重疊之處，以熔接所述選取的兩條修復線與所述已斷線的數(shù)據(jù)線，并以激光熔斷所述選取的兩條修復線與所述連接件重疊之處，以熔接所述選取的兩條修復線與所述連接件。
10.根據(jù)權利要求7或8所述修復平面顯示面板的方法，其特征在于，在形成所述保護層的步驟之后，所述方法另包含蝕刻所述保護層，以在所述漏極的上方形成一連接孔；以及蝕刻所述透明導電層以形成一像素電極。
全文摘要
本發(fā)明公開一種平面顯示面板及其修復方法，所述平面顯示面板包含多條平行于數(shù)據(jù)線的修復線，所述多條修復線是一對一設置于像素電極的一側，當其中一條數(shù)據(jù)線已斷線時，利用修復線形成一電性路徑，以繞過所述已斷線數(shù)據(jù)線的斷路之處，使得信號得以經(jīng)過該電性路徑傳遞至像素電極。
文檔編號G02F1/1362GK102508384SQ20111035971
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月14日 優(yōu)先權日2011年11月14日
發(fā)明者張驄瀧, 陳雅惠 申請人:深圳市華星光電技術有限公司