專利名稱：一種多維電場模式液晶顯示器的制作方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，特別涉及一種多維電場模式液晶顯示器的制作方法及裝置。
背景技術(shù)：
高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvancedSuper Dimension Switch, AD-SDS,簡稱ADS),其核心技術(shù)特性描述為通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并増大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-ADS液晶顯示器產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開ロ率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。ADS液晶顯示器在特定的顯示畫面下，會(huì)有顔色發(fā)綠的現(xiàn)象發(fā)生，即Greenish現(xiàn)象。這種現(xiàn)象的發(fā)生是因?yàn)?，在一般的顯示畫面下，由數(shù)據(jù)信號引起的公共電極(即Vcom)的電壓的變化會(huì)相互抵消，但是在特定的顯示畫面下，數(shù)據(jù)信號引起的Vcom的電壓的變化不能相互抵消，從而引起緑色像素的亮度增加，導(dǎo)致Greenish現(xiàn)象的發(fā)生。對于尺寸較大的液晶面板，不同區(qū)域的Vcom電壓的變化情況是不同的，如圖I所示，與PCB (Printedcircuit board,印刷線路板)距離較近區(qū)域的Vcom的電壓的變化較小,如圖I中的B點(diǎn)所示，與PCB距離較遠(yuǎn)區(qū)域的Vcom的電壓的變化較大，如圖I中的C點(diǎn)所示，因此，與PCB距離較遠(yuǎn)區(qū)域的Greenish現(xiàn)象更加嚴(yán)重。目前，避免Greenish現(xiàn)象發(fā)生的方法有如下幾種⑴設(shè)置Vcom的電壓的反饋，對變化的Vcom的電壓進(jìn)行補(bǔ)償。該方法的缺點(diǎn)是，由于Vcom的電壓的變化程度具有區(qū)域性，即有些區(qū)域的Vcom的電壓變化較大，有些區(qū)域的Vcom的電壓變化較小。若使用統(tǒng)ー補(bǔ)償值對整個(gè)ADS液晶顯示器進(jìn)行補(bǔ)償，會(huì)造成ADS液晶顯示器的某些區(qū)域補(bǔ)償過度，進(jìn)而使ADS液晶顯示器顯示異常。若對ADS液晶顯示器進(jìn)行分區(qū)域補(bǔ)償，由于Vcom的電壓的反饋點(diǎn)較多，但是ADS液晶顯示器面板的布線區(qū)域是有限的，因此實(shí)際設(shè)置的反饋點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于所需要的反饋點(diǎn)，進(jìn)而也就無法解決Greenish現(xiàn)象的發(fā)生。⑵在陣列基板上設(shè)計(jì)濾波電容，對Vcom的波形進(jìn)行優(yōu)化，從而避免Greenish現(xiàn)象的發(fā)生，該方法的缺點(diǎn)是，由于陣列基板的空間是有限的，若再在陣列基板上加載濾波電容，會(huì)造成電容過小以及靜電擊穿現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種多維電場模式液晶顯示器的制作方法，用以解決Greenish現(xiàn)象的發(fā)生，并且在解決Greenish現(xiàn)象發(fā)生時(shí)不會(huì)產(chǎn)生靜電擊穿的現(xiàn)象。ー種邊緣場效應(yīng)開關(guān)多維電場模式液晶顯示器的制作方法，包括制作彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板上面向所述陣列基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層，所述陣列基板上面向所述彩膜基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層、有效像素層與公共電極； 制作ー濾波電容，將所述陣列基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第一電極，并將所述第一電極的與所述公共電極相連；將所述彩膜基板上的透明導(dǎo)電層作為所述濾波電容的第二電極，并將第二電極與印刷電路板PCB相連。ー種邊緣場效應(yīng)開關(guān)多維電場模式液晶顯示器的制作裝置，包括彩膜彩膜基板所述彩膜基板至少包括透明導(dǎo)電層；薄膜陣列基板所述陣列基板至少包括透明導(dǎo)電層、有效像素層與公共電極；濾波電容所述濾波電容的第一電極為所述陣列基板上的透明導(dǎo)電層，及所述第ー電極與所述公共電極相連；濾波電容的第二電極，為所述彩膜基板上的透明導(dǎo)電層，與印刷電路板PCB相連。本發(fā)明實(shí)施例中，制作多維電場模式液晶顯示器時(shí)，先制作彩膜基板和陣列基板，彩膜基板上面向陣列基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層，陣列基板上面向彩膜基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層、有效像素層與公共電極；再制作ー濾波電容，將陣列基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第一電極，并將上述第一電極與公共電極相連；然后將彩膜基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第二電極，并將第二電極與PCB相連，從而解決了 Greenish現(xiàn)象的發(fā)生，并且在解決Greenish現(xiàn)象發(fā)生時(shí)不會(huì)產(chǎn)生靜電擊穿的現(xiàn)象。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中，陣列基板上的不同區(qū)域的公共電極的電壓變化示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中制作多維電場模式液晶顯示器的詳細(xì)流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中多維電場模式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例中彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了避免Greenish現(xiàn)象的發(fā)生,并且在解決Greenish現(xiàn)象發(fā)生時(shí)不會(huì)產(chǎn)生靜電擊穿的現(xiàn)象，本發(fā)明實(shí)施例中，在制作ADS液晶顯示器時(shí)，先制作彩膜基板和陣列基板，彩膜基板上面向陣列基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層，陣列基板上面向彩膜基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層、有效像素層與公共電極；再制作ー濾波電容，將陣列基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第一電極，并將上述第一電極與公共電極相連；然后將彩膜基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第二電極，并將第二電極與PCB相連，從而解決了 Greenish現(xiàn)象的發(fā)生，并且在解決Greenish現(xiàn)象發(fā)生時(shí)不會(huì)產(chǎn)生靜電擊穿的現(xiàn)象。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。參閱圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例中，制作ADS液晶顯示器的詳細(xì)流程如下步驟200 :制作彩膜基板和陣列基板，在彩膜基板上面向陣列基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層，在陣列基板上面向所述彩膜基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層、有效像素層與公共電極。
參閱圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例中，ADS液晶顯示器至少包括彩膜基板I、陣列基板2，其中，彩膜基板I為上基板，陣列基板2為下基板。由于彩膜基板I及陣列基板2的制作エ藝在現(xiàn)有技術(shù)中比較成熟，因此，在此不再鰲述。參閱圖4所示，陣列基板2至少包括透明導(dǎo)電層40、有效像素層41與公共電極42。其中，有效像素層41由柵極行和數(shù)據(jù)行成直 角交叉而形成，由此形成単元像素區(qū)域，有效像素層中包括透明像素電極。在實(shí)際應(yīng)用中，透明像素電極可以為平板形狀，也可以為條縫形狀，且平板形狀的透明像素電極的作用效果優(yōu)于其他形狀的透明像素電極的作用效果。但是，由于本發(fā)明實(shí)施例中的液晶顯示器為ADS液晶顯示器，而ADS液晶顯示器的透明像素電極為條縫形狀，因此，本發(fā)明實(shí)施例中的透明像素電極為條縫形狀。參閱圖5所示，彩膜基板I至少包括透明導(dǎo)電層50與黑矩陣51。在實(shí)本發(fā)明實(shí)施例中，彩膜基板I和陣列基板2之間還填充有液晶，也就是說，在彩膜基板I和陣列基板2之間存在LC層4。步驟210 :制作ー濾波電容，將陣列基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第一電極，并將上述第一電極與公共電極相連。濾波電容是安裝在整流電路兩端用以降低交流脈動(dòng)波紋系數(shù)提升高效平滑直流輸出的一種儲(chǔ)能器件。濾波電容具有電極性，我們可也以稱其為電解電容。濾波電容共有兩個(gè)電極，第一電極與第二電極，即正極與負(fù)扱。正極端連接在整流輸出電路的正端，負(fù)極連接在電路的負(fù)端。在所有需要將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的電路中，設(shè)置濾波電容會(huì)使電子電路的工作性能更加穩(wěn)定，同時(shí)也降低了交變脈動(dòng)波紋對電子電路的干擾。濾波電容在電路中的符號一般用“C”表示，電容量越大，濾波性能越好。為了獲得更好的直流穩(wěn)定系數(shù)，電容量一般選擇在數(shù)百微法或數(shù)千微法以上。濾波電容具體選擇什么容值取決于PCB上主要的工作頻率和對系統(tǒng)造成影響的波譜頻率。在實(shí)際應(yīng)用中，有效像素層上有像素電極，由于有效像素層上的像素電極的金屬密度大，刻蝕液濃度低，而有效像素層周圍刻蝕液的濃度相對較高，因此，容易造成有效像素層的像素電極刻蝕過大，進(jìn)而可能造成有效像素區(qū)域的圖像顯示質(zhì)量較差，因此，為了保證像素電極刻蝕的均一性，在陣列基板上制作透明導(dǎo)電層。本發(fā)明實(shí)施例中，參閱圖3所示，濾波電容3的第一電極為上述陣列基板上的透明導(dǎo)電層，同時(shí)作為正扱。參閱圖4所示，陣列基板上的透明導(dǎo)電層在有效像素層的周邊，透明導(dǎo)電層與有效像素層的距離隨陣列基板的面積大小的變化而變化，較佳的距離為l_2mm。本發(fā)明實(shí)施例中，在制作ADS液晶顯示器的過程中，增加制作濾波電容時(shí)，濾波電容的第一電極為陣列基板上已經(jīng)存在的透明導(dǎo)電層，也就是說，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板上的透明導(dǎo)電層不僅具有保證有效像素層的像素電極刻蝕的均一性的作用，還可以起到作為濾波電容的電極的作用。同吋，由于制作濾波電容時(shí)，陣列基板上已經(jīng)存在透明導(dǎo)電層，無需為了保證順利制作濾波電容的第一電極而増加新的涂層，進(jìn)而可以降低ESD(electro-static discharge,靜電擊穿)發(fā)生的風(fēng)險(xiǎn)。步驟220 :將彩膜基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第二電極，并將上述第二電極與PCB相連。本發(fā)明實(shí)施例中，將彩膜基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第二電極，并將上述第二電極與PCB相連。CN 102914919 A
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明
說
4/5頁參閱圖5所示，在實(shí)際應(yīng)用中，彩膜基板至少包括透明導(dǎo)電層50、黑矩陣51。其中，透明導(dǎo)電層50位于黑矩陣51上。透明導(dǎo)電層的材質(zhì)可以采用透明的金屬材料、透明的有機(jī)導(dǎo)電非金屬材料及透明的無機(jī)導(dǎo)電非金屬材料中的任意ー種。本發(fā)明實(shí)施例中，彩膜基板的透明導(dǎo)電層的材質(zhì)既可以采用透明的金屬材料，也可以采用透明的有機(jī)導(dǎo)電非金屬材料或透明的無機(jī)導(dǎo)電非金屬材料，其中，透明導(dǎo)電層的材質(zhì)采用透明的導(dǎo)電非金屬材料時(shí)，可以采用旋涂方法或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法將透明導(dǎo)電層設(shè)置在彩膜基板上。具體為透明導(dǎo)電層的材質(zhì)采用透明的有機(jī)導(dǎo)電非金屬材料時(shí)，采用旋涂方法將有機(jī)非金屬材料沉積在彩膜基板上；透明導(dǎo)電層的材質(zhì)采用透明的無機(jī)導(dǎo)電非金屬材料時(shí)，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法將無機(jī)非金屬材料沉積在彩膜基板上。本發(fā)明實(shí)施例中，在向ADS液晶顯示器上制作濾波電容之前，彩膜基板上不存在透明導(dǎo)電層，也就是說，彩膜基板上的透明導(dǎo)電層是為了在ADS液晶顯示器上制作濾波電容的第二電極而在彩膜基板上設(shè)置了透明導(dǎo)電層，其中，當(dāng)透明導(dǎo)電層的材質(zhì)采用透明的金屬材料時(shí)，透明的金屬材料層可以為氧化銦錫ITO層。在彩膜基板上沉積ITO層時(shí)，エ藝參數(shù)可以為功率為40KW-80KW，溫度為20°C -100°C，氣壓為O. 4Pa_l. 0Pa，IT0層的相關(guān)參數(shù)可以為沉積度為500 A-1500 /I,透明導(dǎo)電層的折射率為1.5-2. 3。在彩膜基板上沉積HO層時(shí)的相關(guān)エ藝參數(shù)及沉積的HO層的相關(guān)參數(shù)也可以為其他參數(shù)，在此不再鰲述。本發(fā)明實(shí)施例中，彩膜基板上的透明導(dǎo)電層與陣列基板上的透明導(dǎo)電層的面積尺寸是一致的，即制作彩膜基板上的透明導(dǎo)電層時(shí)與陣列基板上的透明導(dǎo)電層時(shí)，令彩膜基板上的透明導(dǎo)電層與陣列基板上的透明導(dǎo)電層面積相同。例如陣列基板上的透明導(dǎo)電層的面積尺寸為580mm2時(shí)，彩膜基板上的透明導(dǎo)電層的面積尺寸也為580mm2。較佳的，為了降低濾波電容的第二電極對有效像素層的圖像顯示質(zhì)量的影響，制作彩膜基板上的透明導(dǎo)電層時(shí)，令彩膜基板上的透明導(dǎo)電層與陣列基板上的透明導(dǎo)電層對齊。本發(fā)明實(shí)施例中，在完成濾波電容的制作后，再將陣列基板和彩膜基板成盒，即先在彩膜基板與陣列基板表面分別涂敷聚酰亞胺膜，并通過摩擦エ藝形成可誘導(dǎo)分子按要求排列的取向膜，再在陣列基板周邊布好密封膠材料，并在基板上噴灑襯墊，同時(shí)，在彩膜基板的透明電極末端涂布銀漿，然后將彩膜基板與陣列基板對位粘接，使彩膜基板的圖案與陣列基板的像素圖案一一對正，再經(jīng)熱處理使密封材料固化。將陣列基板和彩膜基板成盒后，濾波電容的結(jié)構(gòu)便形成了。由于濾波電容的第一電極與第二電極之間存在電勢差時(shí)，濾波電容才可以正常工作，因此，為了保證濾波電容正常工作，本發(fā)明實(shí)施例中，將濾波電容的的第二電極的電勢設(shè)置為0，即在TFT基板和彩膜基板成盒后，將作為濾波電容的第二電極的彩膜基板上的透明導(dǎo)電層同時(shí)也與PCB上的GND點(diǎn)相連，使濾波電容的第一電極與第ニ電極之間存在電勢差，其中，GND點(diǎn)與地面相連，因此，GND點(diǎn)的電勢為O。本發(fā)明實(shí)施例還提供了ー種ADS液晶顯示器的裝置，如圖3所示，包括彩膜基板I :上述彩膜基板至少包括透明導(dǎo)電層50 ；陣列基板2 :上述陣列基板至少包括透明導(dǎo)電層40、有效像素層41與公共電極42 ；
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濾波電容3:上述濾波電容的第一電極為上述陣列基板上的透明導(dǎo)電層40，上述第一電極與上述公共電極42相連；濾波電容的第二電極，為上述彩膜基板上的透明導(dǎo)電層50，上述第二電極與PCB相連。
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綜上所述，為了解決Greenish現(xiàn)象的發(fā)生，并且避免在解決Greenish現(xiàn)象發(fā)生時(shí)產(chǎn)生靜電擊穿的現(xiàn)象，本發(fā)明實(shí)施例中，制作ADS液晶顯示器時(shí)，先制作彩膜基板和陣列基板，彩膜基板上面向陣列基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層，陣列基板上面向彩膜基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層、有效像素層與公共電極；再制作ー濾波電容，將陣列基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第一電極，并將上述第一電極與公共電極相連；然后將彩膜基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第二電極，并將第二電極與PCB相連，從而降低了解決Greenish現(xiàn)象發(fā)生所采用的方法的復(fù)雜度，并且在解決Greenish現(xiàn)象發(fā)生時(shí)不會(huì)產(chǎn)生靜電擊穿的現(xiàn)象。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多維電場模式液晶顯示器的制作方法，其特征在于，包括 制作彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板上面向所述陣列基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層，所述陣列基板上面向所述彩膜基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層、有效像素層與公共電極； 制作ー濾波電容，將所述陣列基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第一電極，并將所述第一電極的與所述公共電極相連； 將所述彩膜基板上的透明導(dǎo)電層作為所述濾波電容的第二電極，并將第二電極與印刷電路板PCB相連。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，制作所述彩膜基板時(shí)，在所述彩膜基板上面向所述陣列基板的ー側(cè)沉積采用透明的金屬材料、透明的有機(jī)導(dǎo)電非金屬材料及透明的無機(jī)導(dǎo)電非金屬材料中的任意一種材質(zhì)的透明導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的材質(zhì)采用透明的金屬材料時(shí)，所述透明金屬層為氧化銦錫ITO層。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在干，若透明導(dǎo)電層的材質(zhì)采用透明的有機(jī)導(dǎo)電非金屬材料，則采用旋涂方法將所述有機(jī)非金屬材料沉積在彩膜基板上；若透明導(dǎo)電層的材質(zhì)采用透明的無機(jī)導(dǎo)電非金屬材料，則采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法將無機(jī)非金屬材料沉積在彩膜基板上。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，制作所述彩膜基板上的透明導(dǎo)電層時(shí)與所述陣列基板上的透明導(dǎo)電層時(shí)，令所述彩膜基板上的透明導(dǎo)電層與所述陣列基板上的透明導(dǎo)電層面積相同且位置對齊。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，制作所述陣列基板上的透明導(dǎo)電層時(shí)，令所述透明導(dǎo)電層距離所述有效像素層邊緣1_2_。
7.—種多維電場模式液晶顯示器，其特征在于，包括 彩膜彩膜基板所述彩膜基板至少包括透明導(dǎo)電層； 薄膜陣列基板所述陣列基板至少包括透明導(dǎo)電層、有效像素層與公共電極； 濾波電容所述濾波電容的第一電極為所述陣列基板上的透明導(dǎo)電層，及所述第一電極與所述公共電極相連； 濾波電容的第二電極，為所述彩膜基板上的透明導(dǎo)電層，與印刷電路板PCB相連。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其特征在于，所述彩膜基板上的透明導(dǎo)電層的材質(zhì)采用透明的金屬材料、透明的有機(jī)導(dǎo)電非金屬材料及透明的無機(jī)導(dǎo)電非金屬材料中的任意ー種。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的材質(zhì)采用透明的金屬材料時(shí)，所述透明金屬層為氧化銦錫ITO層。
10.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其特征在于，所述彩膜基板上的透明導(dǎo)電層與所述陣列基板上的透明導(dǎo)電層面積相同且位置對齊。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其特征在于，所述陣列基板上的透明導(dǎo)電層與所述有效像素層邊緣的距離為l-2mm。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，公開了一種多維電場模式液晶顯示器的制作方法及裝置，用于解決Greenish現(xiàn)象的發(fā)生。該方法為先制作彩膜基板和陣列基板，彩膜基板上面向陣列基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層，陣列基板上面向彩膜基板的一側(cè)覆蓋有透明導(dǎo)電層、有效像素層與公共電極；再制作一濾波電容，將陣列基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第一電極，并將上述第一電極與公共電極相連；然后將彩膜基板上的透明導(dǎo)電層作為濾波電容的第二電極，并將第二電極與PCB相連，從而解決了Greenish現(xiàn)象的發(fā)生。
文檔編號G02F1/1333GK102914919SQ20121030345
公開日2013年2月6日 申請日期2012年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月23日
發(fā)明者高玉杰 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司