印刷材料及照相材料的制作方法
【專利摘要】一種印刷材料，其包括具有表面的印刷材料體，以及布置在印刷材料體的表面上的光學元件。該光學元件包括以不長于可見光的波長的節(jié)距形成的多個結構體。該結構體具有0.6以上且5.0以下的長寬比。
【專利說明】印刷材料及照相材料
【技術領域】
[0001]本技術涉及印刷材料與照相材料。具體地，本技術涉及能夠提高可視性的印刷材料與照相材料。
【背景技術】
[0002]例如，在照相紙的情況下，為了使黑色部分更黑，盡可能將照相紙的表面制成平滑表面，以免漫射外部光的反射從而突出黑暗。然而，當漫反射減少，單向反射增加時，以及當在印刷材料上的反射角在視覺上辨別諸如熒光燈的光源時，視覺上可直接辨別光源，從而使得幾乎不可能辨別出印刷圖像。
[0003]當涉及由單向反射形成的光源圖像等時，照相紙的表面被相反地處理成無光澤等以漫射外部光的成分并且減少單向反射成分(例如，參見專利文獻I)。然而，當漫射成分增加時，外部光的漫反射成分被添加到黑色部分，從而突出作為結果的黑色。如上所述，比較難以實現(xiàn)光源的單向反射成分與漫射成分之間的減少平衡。因此，期望提高照相紙的可視性。
[0004]引用列表
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:日本專利申請公開2006-182012號
【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明解決的問題
[0008]因此，本技術的目的是提供能夠提高可視性的印刷材料與照相材料。問題解決方
案
[0009]為了解決上述問題，本技術的第一方面是印刷材料，其包括:
[0010]具有表面的印刷材料體；以及
[0011]設置在印刷材料體的表面上的光學層；
[0012]光學層包括以不長于可見光的波長的節(jié)距形成的多個結構體，以及
[0013]該結構體具有0.6以上且5.0以下的長寬比。
[0014]本技術的第二方面是照相材料，其包括:
[0015]具有表面的照相材料體；以及
[0016]設置在照相材料體的表面上的光學兀件；
[0017]光學元件包括以不長于可見光的波長的節(jié)距形成的多個結構體；以及該結構體具有0.6以上并且5.0以下的長寬比。
[0018]在本技術中，諸如橢圓形、圓形(標準圓)、球體、以及橢圓體等形狀不僅包括數(shù)學定義的完美的橢圓形、圓形、球體、以及橢圓體，而且還包括諸如稍微不標準的橢圓形、圓形、球體、以及橢圓體等形狀。
[0019]在本技術中，具有凸形或者凹形的結構體優(yōu)選地被布置成預定網(wǎng)格形式。關于網(wǎng)格形式，優(yōu)選地使用四方網(wǎng)格圖案或者準四方網(wǎng)格圖案或者六方網(wǎng)格形式或者準六方網(wǎng)格形式。
[0020]在本技術中，在同一軌跡中的結構體間的布置節(jié)距Pl優(yōu)選地長于在兩個鄰近的軌跡的結構體間的布置節(jié)距P2。該布置能夠改進具有橢圓錐面或者橢圓錐面梯形的形狀的結構體的填充比，并因此提高抗反射特性。
[0021]在本技術中，當每個結構體在基體表面形成六方網(wǎng)格圖案或者準六方網(wǎng)格圖案時，比P1/P2優(yōu)選地滿足關系:1.00 ( P1/P2 ( 1.1或者1.00<P1/P2 ( 1.1，其中，在同一軌跡中的結構體的布置節(jié)距與在兩個鄰近軌跡間的結構體的布置節(jié)距分別由Pl和P2表示。這個數(shù)字范圍能夠提高具有橢圓錐面或者橢圓錐面梯形形狀的結構體的填充比，并從而提聞抗反射特性。
[0022]在本技術中，當各個結構在基體表面上形成六方網(wǎng)格圖案或者準六方網(wǎng)格圖案時，每個結構均優(yōu)選地具有橢圓錐面或者橢圓錐面梯形的形狀，該形狀具有在軌跡的延伸方向上的長軸方向并且具有形成比頂端和底部的斜坡更陡峭的中部斜坡。該形狀能夠提高抗反射特性和透射特性。
[0023]在本技術中，當每個結構在基體表面形成六方網(wǎng)格圖案或者準六方網(wǎng)格圖案時，結構體在軌跡的延伸方向上的高度或者深度優(yōu)選地小于該結構體在軌跡的行方向上的高度或者深度。如果不滿足該關系，因為需要在軌跡的延伸方向上延長布置節(jié)距，所以該結構體在軌跡的延伸方向上的填充比降低。填充比降低將導致反射特性降低。
[0024]在本技術中，當該結構在基體表面形成四方網(wǎng)格圖案或者準四方網(wǎng)格圖案時，在同一軌跡中的結構的布置節(jié)距Pl優(yōu)選地比在兩個鄰近軌跡之間的結構的布置節(jié)距P2長。該布置能夠提高具有橢圓錐面或者橢圓錐面梯形的形狀的結構的填充比，并因此提高抗反射特性。
[0025]當該結構體在基體表面形成四方網(wǎng)格圖案或者準四方網(wǎng)格圖案時，比P1/P2優(yōu)選地滿足關系:1.4〈P1/P2 ( 1.5，其中，在同一軌跡中的結構體的布置節(jié)距以及在兩個鄰近軌跡之間的結構體的布置節(jié)距分別由Pl和P2表示。這個數(shù)字范圍能夠提高具有橢圓錐面或者橢圓錐面梯形的形狀的結構的填充比，并因此提高抗反射特性。
[0026]當結構體在基體表面上形成四方網(wǎng)格圖案或者準四方網(wǎng)格圖案時，每個結構體優(yōu)選地具有橢圓椎面或者橢圓錐面梯形的形狀，該形狀在軌跡的延伸方向上具有長軸方向并且具有形成比頂端和底部的斜坡更陡峭的中部斜坡。該形狀能夠提高抗反射特性和透射特性。
[0027]當結構體在基體表面上形成四方網(wǎng)格圖案或者準四方網(wǎng)格圖案時，結構體在關于軌跡45度方向或者在約45度方向上的高度或者深度優(yōu)選地小于結構體在軌跡的行方向上的的高度或者深度。當不滿足該關系時，需要在關于軌跡的45度方向或者約45度方向上延長布置節(jié)距，從而在關于軌跡的45度方向或者約45度方向上的結構體的填充比下降。填充比的下降將導致反射特性的下降。
[0028]在本技術中，以基體表面的精細節(jié)距設置的大量結構體優(yōu)選地產(chǎn)生多行軌跡，并且在鄰近三行軌跡之間還產(chǎn)生六方網(wǎng)格圖案、準六方網(wǎng)格圖案、四方網(wǎng)格圖案、或者準四方網(wǎng)格圖案。因此，在表面上的結構體的填充密度增加，從而提高防止可見光反射的效率，并且實現(xiàn)了抗反射特性卓越并且傳播性高的光學元件。[0029]在本技術中，優(yōu)選地使用用于制備光盤母盤的工藝與蝕刻工藝的融合來制備光學元件。該方法能夠在短時間段內有效地生產(chǎn)用于制備光學元件的母盤，并且還處理基體尺寸的增加，從而提高光學元件的生產(chǎn)力。此外，當結構體的精密布置不僅被設置在光入射面而且還被設置在光出射面處時，能進一步提高透射特性。
[0030]因為多個結構體以不長于可見光的波長的精細節(jié)距配置，所以本技術能夠抑制可見光的反射。因此，能夠改進印刷材料的印刷圖像或者照相材料的照相圖像的對比度。此外，因為結構體具有被調整到0.6以上的長寬比，所以能夠抑制反射特性與傳播性的下降，但是，因為結構體具有被調整到5以上的長寬比，所以能夠抑制結構體的可轉印性的下降。
[0031]本發(fā)明的效果
[0032]如上所述，能夠提高印刷材料與照相材料的可視性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1是示出了根據(jù)本技術的第一實施方式的印刷材料的結構的實例的截面視圖。
[0034]圖2A至圖2C是示出了光學元件的形狀實例的圖案圖。
[0035]圖3A是示出了根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的結構的實例的平面圖。圖3B是示出了圖3A中所示的光學元件的放大部分的平面圖。圖3C是示出了沿著圖3B中所示的軌跡Tl、T3...的截面視圖。圖3D是示出了沿著圖3B中所示的軌跡T2、T4...的截面視圖。
[0036]圖4Α是示出了光學元件的結構的形狀實例的透視圖。圖4Β是示出了光學元件的結構的形狀實例的透視圖。圖4C是示出了光學元件的結構的形狀實例的透視圖。圖4D是示出了光學元件的結構的形狀實例的透視圖。
[0037]圖5Α是示出了輥子母盤的結構的實例的透視圖。圖5Β是示出了圖4Α中所示的輥子母盤的放大部分的平面圖。圖5C是沿著圖5Β中所示的軌跡Τ1、Τ3…的截面視圖。圖5D是沿著圖5Β中所示的軌跡Τ2、Τ4…的截面視圖。
[0038]圖6是示出了輥子母盤曝光裝置的結構的實例的示意圖。
[0039]圖7Α是用于解釋用于產(chǎn)生根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的方法的實例的步驟圖。圖7Β是用于解釋用于產(chǎn)生根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的方法的實例的步驟圖。圖7C是用于解釋用于產(chǎn)生根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的方法的實例的步驟圖。圖7D是用于解釋針對產(chǎn)生根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的方法的實例的步驟圖。
[0040]圖8Α是用于解釋針對產(chǎn)生根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的方法的實例的步驟圖。圖8Β是用于解釋針對產(chǎn)生根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的方法的實例的步驟圖。圖8C是用于解釋針對產(chǎn)生根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的方法的實例的步驟圖。圖8D是用于解釋用于產(chǎn)生根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的方法的實例的步驟圖。
[0041]圖9Α是示出了根據(jù)本技術的第二實施方式的光學元件的結構的實例的平面圖。圖9Β是示出了圖9Α中所示的光學元件的放大部分的平面圖。圖9C是沿著圖9Β中所示的軌跡Tl、Τ3…的截面視圖。圖9D是沿著圖9Β中所示的軌跡Τ2、Τ4…的截面視圖。
[0042]圖1OA是示出了根據(jù)本技術的第三實施方式的光學元件的結構的實例的平面圖。圖1OB是示出了圖1OA中所示的光學元件的放大部分的平面圖。圖1OC是沿著圖1OA中所示的直線A-A的截面視圖。
[0043]圖1lA是示出了根據(jù)本技術的第四實施方式的光學元件的結構的實例的平面圖。圖1lB是示出了圖1lA中所示的光學元件的放大部分的平面圖。圖1lC是沿著圖1lB中所示的軌跡Tl、T3…的截面視圖。圖1lD是沿著圖1lB中所示的軌跡T2、T4…的截面視圖。
[0044]圖12Α是示出了根據(jù)實例I和比較例I的印刷紙的反射率的圖表。圖12Β是示出了根據(jù)實例2和比較例2的照相紙的IZaVi顏色空間的圖表。
[0045]圖13是示出了用于根據(jù)測試例16-1的MOTH-EYE結構體的表面的反射光譜的圖表。
[0046]圖14Α是根據(jù) 測試例21的分析模型的示意圖。圖14Β是用于說明凹狀卷曲(concave curl)的卷曲量的圖案圖。圖14C是用于說明凸狀卷曲(convex curl)的卷曲量的圖案圖。
[0047]圖15A是示出了作為根據(jù)測試例21的分析模型的印刷紙的層結構的圖案圖。圖15B是示出了作為根據(jù)測試例23的分析模型的印刷紙的層結構的圖案圖。
[0048]圖16A是用于說明在粘附到光學元件的表面的情況下將污染物移除的示意性圖解視圖。圖16B是用于說明在粘附到光學元件的表面的情況下將污染物移除的示意性圖解視圖。圖16C是用于說明在在粘附到光學元件的表面的情況下將污染物移除的示意性圖解視圖。
[0049]圖17是針對普通常見紫外線固化樹脂的存儲可撓性模量和溫度之間的相關圖。
[0050]圖18是繪制了實例中用于樣本I至12的交聯(lián)密度和交聯(lián)間平均分子量的圖表。
【具體實施方式】
[0051]將參照附圖按照下列順序描述本技術的實施方式。
[0052]1.第一實施方式(包括具有布置成(準)六方網(wǎng)格形式的凸狀結構的光學元件的印刷材料的實例)。
[0053]2.第二實施方式(包括具有布置成(準)四邊形網(wǎng)格形式的凸狀結構的光學元件的印刷材料的實例)。
[0054]3.第三實施方式(包括具有以隨機方式布置的凸狀結構的光學元件的印刷材料的實例)。
[0055]4.第四實施方式(包括具有布置成(準)六方網(wǎng)格形式的凸狀結構的光學元件的印刷材料的實例)。
[0056]5.第五實施方式(具有特定交聯(lián)密度的實例)
[0057]〈1.第一實施方式>
[0058]【印刷材料的結構】
[0059]圖1是示出了根據(jù)本技術的第一實施方式的印刷材料的結構的實例的截面圖。如圖1所示，印刷材料10包括:具有表面的印刷材料體6 ；以及設置在印刷材料體6的表面上的光學元件I。印刷材料10進一步包括貼合層5，以便在將貼合層插入期間使得印刷材料體6與光學元件I彼此依附。例如，諸如丙烯酸、橡膠、以及硅壓敏粘結劑等粘合劑可以用作貼合層5的材料，并且丙烯酸壓敏粘結劑在透明性方面是優(yōu)選的。印刷材料體6的表面例如是具有印刷圖像的印刷圖像表面。在下文中，關于印刷材料10的兩個主面，設置有光學元件I的主面被稱之為“表面”，然而，與其相對的主面被稱之為“后表面”。
[0060]圖2A至圖2C是示出了根據(jù)本技術的第一實施方式的印刷材料的形狀實例的圖案圖。如圖2A所示，印刷材料10優(yōu)選地被彎曲為使得突出表面，并且該彎曲具體地優(yōu)選表面的中部作為彎曲的頂部。這是因為該彎曲能夠提供美觀的外形。
[0061]印刷材料10優(yōu)選地具有平坦的外周緣(圖2B)或者彎曲的外周緣(圖2C)。本文中的曲面具有向與光學元件I相反的方向上彎曲的外周緣，如圖2C所示。因此，突出后表面的曲率被抑制以保持美觀的外形。
[0062]光學元件I的線性膨脹系數(shù)優(yōu)選地高于印刷材料體6的線性膨脹系數(shù)。這是因為抑制突出后表面的曲率能在高溫和/或高濕度環(huán)境下保持美觀的外形。在這種情況下，當印刷材料體6具有由多層構成的堆疊結構時，印刷材料體6的線性膨脹系數(shù)是指在構成印刷材料體6的多層中具有最高線性膨脹系數(shù)的層的線性膨脹系數(shù)。
[0063]【光學元件的結構】
[0064]圖3A是示出了根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件的結構的實例的平面圖。 圖3B是示出了圖3A中所示的光學元件的放大部分的平面圖。圖3C是示出了沿著圖3B中所示的軌跡T1、T3…的截面視圖。圖3D是沿著圖3B中所示的T2、T4…的截面視圖。在下文中，在光學元件I的主面的平面內彼此正交的兩個方向分別被稱之為X軸方向與Y軸方向，并且垂直于主面的方向被稱之為Z軸方向。光學兀件I包括具有主面的基體2、以及布置在基體2的主面上的多個結構體3。結構體3和基體2單獨形成或者整體地形成。當結構體3和基體2單獨形成時，基底層4可包含于結構體3與基體2之間(如需要)?；讓? 是在結構體3的底側與結構體3整體地形成的層，并且是通過對類似于結構體3的能量線固化樹脂成分等進行固化來獲得的層。光學元件I優(yōu)選具有可撓性。這是因為光學元件I 能夠輕易地貼附到印刷材料體6。光學元件I根據(jù)可撓性優(yōu)選地為光學薄片。
[0065]下面將繼續(xù)描述包含在光學元件I中的基體2和結構體3。
[0066](基體)
[0067]例如，基體2是透明基`體。例如，盡管用于基體2的材料包括諸如聚碳酸酯(PC)和聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等透明合成樹脂以及包含玻璃等作為主要成分的無機材料，但基體2不被視為具體地局限于這些材料。盡管基體2的實例可包括例如，薄片、薄板、以及塊，但基體2并不被視為具體地局限于這些實例。本文中的薄片被定義為包括薄膜。盡管基體2的形狀并不被視為具體地限制，然而優(yōu)選適當?shù)剡x擇形狀，從而符合應用于光學元件的印刷材料體6等的表面形狀。
[0068](結構體)
[0069]作為重要的研究結果，工程師已經(jīng)發(fā)現(xiàn)當形成結構體的材料具有彈性時，結構體會變形從而以擦拭方式擠出滲透在結構體之間的污染物，并且該變形允許靜水擦拭污染物。
[0070]為了通過結構體的變形擠壓出滲透在結構體之間的污染物，需要使得鄰近的結構體體彼此接近。為了使結構體變形并消除結構體間的間隔，形成結構體的材料的彈性模數(shù)與結構體的長寬比對其是重要的。此外，接觸角在水擦拭時是重要的。因此，作為通過實驗獲得的重要結果，工程師已經(jīng)發(fā)現(xiàn)只要彈性模數(shù)、長寬比、以及接觸角落在預定范圍內，就能夠容易地將污染物移除。
[0071]當認為需要使結構體變形時，只要將用于擦拭的壓力逐漸增加，即使在具有高彈性模數(shù)的材料的情況下，擦拭在原理上視為可以。然而，在不是可撓性材料的情況下，在使該結構體變形的壓力的擦拭將結構體拉斷或者產(chǎn)生可撓性形變。結果，擦拭之后的反射率高于附著指紋之前的反射率。
[0072]“干擦拭和水擦拭可用”意味著當用普通的擦拭方式移除污染物時，在污染物(諸如，指紋)附著之前的反射率與擦除指紋等之后的反射率一致或通常一致。
[0073]結構體3具有相對于基體2的表面的凸狀。形成結構體3的材料的彈性模數(shù)優(yōu)選為IMPa以上且1200MPa以下，以及優(yōu)選為5MPa以上且1200MPa以下。小于IMPa的彈性模數(shù)以移動步驟方式將鄰近的結構體彼此附著，使得結構體3產(chǎn)生不同于期望形狀的形狀， 從而使得不能實現(xiàn)期望的反射特性。超過1200MPa的彈性模數(shù)使得鄰近的結構體不可能以擦拭方式彼此接觸，從而不能夠擠壓出滲透在結構體之間的污染物等。
[0074]具有形成 在其上的多個結構體3的基體表面的動摩擦系數(shù)優(yōu)選為0.85以下。0.85 以下的動摩擦系數(shù)能夠抑制表面的粘著性并且防止鄰近的結構體彼此粘合。因此，能夠抑制反射特性下降。
[0075]結構體3優(yōu)選包含硅樹脂和聚氨酯。具體地，基體3優(yōu)選由包含硅樹脂丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯的能量線固化樹脂成分的共聚物構成。包含在結構體3中的硅樹脂能夠降低鄰近的MOTH-EYE附著以及動摩擦系數(shù)。包含在結構體3中的聚氨酯實現(xiàn)可撓性的結構體3，從而使得材料設計處于IMPa到1200MPa的范圍內。
[0076]多個結構體3具有在基體2的表面上形成多行軌跡Tl、T2、T3、…(以下還被統(tǒng)稱為“軌跡T”)的布置。在本技術中，軌跡指一系列結構體3的行。作為軌跡T的形狀，可以使用線性形狀、弧形形狀等，并且這些形狀中的軌跡T可以擺動(蜿蜒)。這些擺動的軌跡 T能夠抑制產(chǎn)生不均勻性的外形。
[0077]在擺動軌跡T的情況下，基體2上各個軌跡T的擺動優(yōu)選為同步。更具體地，擺動優(yōu)選為同步擺動。擺動的的同步能夠保持六方網(wǎng)格或者準六方網(wǎng)格的單位網(wǎng)格形狀，并且保持高填充比。擺動軌跡T的波形包括例如正弦波和三角形。擺動軌跡T的波形不被視為限制于周期性的波形，并且可以是非周期性波形。例如，按照±10 的順序選擇擺動軌跡 T的擺動幅度。
[0078]例如，結構體3定位在偏移了兩個鄰近軌跡T之間的節(jié)距的一半的位置中。具體地，在兩個鄰近軌跡T之間，針對一個軌跡(例如，T2)的結構體3被布置在針對另一軌跡(例如，Tl)布置的結構體3的中間位置中(偏移了半個節(jié)距的位置)。結果，如圖3B所示，結構體3被布置成使得具有定位在al至a7的相應點上的結構體3的中心的六方網(wǎng)格圖案或者準六方網(wǎng)格圖案沿著三個鄰近的軌跡行(Tl至T3)形成。
[0079]本文中六方網(wǎng)格指等邊六方網(wǎng)格。準六方網(wǎng)格指不同于等邊六方網(wǎng)格的變形了的等邊六方網(wǎng)格。例如，當結構體3被布置在直線上時，準六方網(wǎng)格指通過在線性布置的方向上(軌跡方向)拉長等邊六方而發(fā)生變形的六方網(wǎng)格。當結構體3以蜿蜒形式被布置時，準六方網(wǎng)格指通過使用結構體3的蜿蜒布置使等邊六方網(wǎng)格變形，或者通過在線性布置方向 (軌跡方向)上拉伸等邊六方網(wǎng)格并且使用結構體3的蜿蜒布置來變形六方網(wǎng)格從而獲得六方網(wǎng)格。[0080]當結構體3被布置成使得形成準六方網(wǎng)格圖案時，在同一軌跡(例如，Tl)中的結 構體3的布置節(jié)距Pl (例如，al與a2之間的距離)優(yōu)選為大于在兩個鄰近軌跡(例如，Tl 與T2)之間的結構體3的布置節(jié)距，S卩，如圖3B所示，在相對于軌跡的延伸方向土 0方向 上的結構體3的布置節(jié)距P2 (例如，al至a7或者a2至a7之間的距離)。結構體3中的這 種布置允許進一步提高結構體3的填充密度。
[0081]盡管結構體3的特定形狀包括例如錐面形狀、柱狀、針狀、半球形狀、半橢圓形狀、 以及多角形狀，然而結構體3并不被視為局限于這些形狀，并且可以采用其他形狀。盡管錐 面形狀包括具有尖頂?shù)腻F面形狀、具有平頂?shù)腻F面形狀、具有包括凸狀或者凹狀表面的頂 部的錐面形狀，然而結構體3并不被視為局限于這些形狀。在頂部具有凸起曲面的錐面形 狀的實例包括諸如具有拋物面表面的形狀的二維曲面的形狀。此外，頂部形狀的錐面可以 彎曲成凹狀形狀或者凸狀形狀。在使用后面即將描述的輥子母盤曝光裝置制備輥子母盤 的情況下(見圖6)，作為結構體3的形狀，優(yōu)選地采用在頂部具有凸曲面的橢圓錐面形狀或 者具有平頂?shù)臋E圓錐面梯形，并且使形成底部的橢圓形的長軸方向與軌跡T的延伸方向一 致。
[0082]從提高反射特性的方面而言，如圖4A所示，圓錐形狀優(yōu)選為在頂部具有平緩斜面 并且從中部到底部具有逐漸陡峭的斜面。此外，從提高反射特性與透射特性的角度而言，如 圖4B所示，優(yōu)選為在中部具有比底部和頂部的斜面更陡峭的斜面的錐面形狀，或者如圖4C 所示的平頂?shù)腻F面形狀。當結構體3具有橢圓錐面形狀或者橢圓錐面梯形形狀時，位于底 部的長軸的方向優(yōu)選為平行于軌跡延伸的方向。
[0083]如圖4A和圖4C所示，結構體3優(yōu)選為在底部的外周緣具有在從頂部朝向底部的 方向上緩慢降低高度的曲面3a。這是因為在生產(chǎn)光學元件I的過程中可以容易地將光學元 件I從母盤等中分離。應當注意，盡管結構體3的外周緣僅是部分地設置有曲面3a，然而從 分離性的提高方面而言，優(yōu)選為在結構體3的整體外周緣上設置有曲面3a。
[0084]結構體3的外周優(yōu)選地部分地或者全部地設置有突出5。這是因為即使在結構體 3的填充比低時也能夠保持低反射率。如圖4A至圖4C所示，在易于成形方面，突出5優(yōu)選 地設置在鄰近的結構體3之間?？商娲兀鐖D4D所示，伸長的突出5可整體地或者部分 地設置在結構體3的外周上。例如，盡管該伸長的突出5能夠在從結構體3的頂部朝向其 底部的方向上延伸，然而，突出5并不被視為具體地局限于該延伸。盡管突出5的形狀的實 例包括在截面上為三角形狀和在截面上為矩形形狀，然而，該形狀并不被視為具體地局限 于這些形狀，并且基于易于成形等選擇。此外，表面在結構體3的外周可以部分或者整體地 被粗糙化以形成精密的粗糙。具體地，例如，鄰近結構體3之間的表面可是粗糙的以形成精 細的粗糙。此外，例如，結構體3的頂部的表面可以具有形成在其中的微孔。
[0085]應當注意，盡管各個結構體3均具有圖3A至圖4D中相同尺寸、形狀、以及高度，然 而，結構體3的形狀并不被視為限于此，并且具有兩種或者兩種以上類型的尺寸、形狀以及 高度的結構體3可以形成在基體的表面上。
[0086]例如，出于降低反射率的目的，結構體3規(guī)則(周期的)地以不長于光的波段的布置 節(jié)距二維地布置。多個結構體3的二維布置可以在基體2的表面上形成二維波陣面。本文 中的布置節(jié)距指的是布置節(jié)距Pl和布置節(jié)距P2。例如，出于降低反射率的目的，光的波段 是紫外光的波段、可見光的波段或者紅外光的波段。在這種情況下，紫外光的波段指IOnm到360nm的波段，可見光的波段指360nm到830nm的波段，以及紅外光的波段指830nm到 Imm的波段。具體地，布置節(jié)距優(yōu)選為175nm以上且350nm以下。175nm以下的布置節(jié)距具有比較難以制備結構體3的趨勢。另一方面，超過350nm的布置節(jié)距具有致使衍射可見光的趨勢。
[0087]結構體3在軌跡的延伸方向上的高度Hl優(yōu)選地小于結構體3在行方向上的高度 H2。具體地，結構體3的高度Hl和H2優(yōu)選地滿足H1〈H2關系。這是因為:當結構體3被布置成使得滿足HIS H2關系時，需要在軌跡的延伸方向上延長布置節(jié)距P1，從而降低結構體 3在軌跡的延伸方向上的填充比。填充比的降低將導致反射特性降低。
[0088]結構體3的高度不受具體地限制，而是依據(jù)透射光的波長范圍適當?shù)脑O定，并且設定在例如236nm以上并且450nm以下的范圍內，優(yōu)選地為415nm以上并且421nm以下。
[0089]結構體3的長寬比(高度H/布置節(jié)距P)優(yōu)選落在0.6以上且5以下的范圍內，更優(yōu)選為0.6以上且4以下，并最優(yōu)選為0.6以上并且1.5以下。小于0.6的長寬比具有降低反射特性和透射特性的趨勢。另一方面，超過5的長寬比具有降低可轉印性的趨勢，即使在通過將氟涂在母盤或者將諸如基于硅樹脂的添加劑材料或者基于氟的添加劑材料添加到轉印樹脂來應用用于改進脫模性的處理。此外，當長寬比超過4時，光反射比不再有大的變化，因此，基于提高光反射比和易于脫模兩方面，長寬比優(yōu)選為小于等于4。當不應用如上所述的用于提高脫模性的處理時，超過1.5的長寬比具有降低轉印性的趨勢。
[0090]此外，基于進一步提高反射特性，結構體3的長寬比優(yōu)選設定在0.94以上且1.46 以下的范圍內。此外，基于進一步提高透射特性，結構體3的長寬比優(yōu)選設定在0.81以上且1.28以下的范圍內。
[0091]應當注意，結構體3的長寬比并不限于結構體3均相同的情況，并且相應的結構體 3被構造成使得具有特定的高度分布(例如，在長寬比方面，在0.83至1.46的順序的范圍內)。通過提供具有該高度分布的結構體3來減小反射特性的波長相關性。因此，可以實現(xiàn)具有卓越的抗反射特性的光學元件I。
[0092]本文中的高度分布指的是具有兩種以上類型的高度的結構體3被設置在基體2的表面上。例如，具有參考高度的結構體3與具有不同于結構體3的參考高度的高度的結構體3均設置在基體2的表面上。例如，在這種情況下，具有不同于參考高度的高度的結構體 3以周期性或者非周期性(隨機)方式設置在例如基體2的表面上。例如，周期性的方向的實例包括軌跡的延伸方向與行方向。
[0093]應當注意，長寬比由本技術中的下列公式(I)定義。
[0094]長寬比=H/P(I)
[0095]其中，H:結構高度，P:平均布置節(jié)距(平均周期)
[0096]本文中的平均布置節(jié)距P由下列公式(2)定義。
[0097]平均布置節(jié)距P= (P1+P2+P2) /3(2)
[0098]然而，Pl:在軌跡的延伸方向上的布置節(jié)距(在軌跡的延伸方向上周期)；P2:在相對于軌跡的延伸方向的±9 (其中，0=60° - 8 ； 6優(yōu)選為0°≤6≤11°，更優(yōu)選地， 3°≤ 8 ≤6° )方向(0-方向周期)上的布置節(jié)距。
[0099]此外，結構體3的高度H被視為結構體3在行方向上的高度。結構體3在軌跡延伸方向(X方向)上的高度小于結構體3在行方向(Y方向)上的高度，此外，結構體3在不同于軌跡延伸方向上的高度基本等于在行方向上的高度，因此，子波長結構體的高度以行方向上的高度表示。然而，當結構體3為凹狀時，上述公式(I)中的結構體的高度H被視為結構體的深度H。
[0100]比P1/P2 優(yōu)選滿足關系:1.00 ( P1/P2 ( 1.1 或者 1.00〈P1/P2 ( 1.1，其中，在相同軌跡中的結構體3的布置節(jié)距與在兩個鄰近的軌跡之間的結構體3的布置節(jié)距分別以Pl 和P2表示。該數(shù)字范圍能夠提高具有橢圓椎面或者橢圓錐面梯形的形狀的結構體3的填充比，從而提高抗反射特性。
[0101]以100%為上限的基體表面上的結構體3的填充比落在65%以上的范圍內，優(yōu)選為 73%以上，并更優(yōu)選地86%以上。該范圍內的填充比能夠提高抗反射特性。為了提高填充 t匕，優(yōu)選地將鄰近結構體3的底部彼此連結或者重疊?；蛘邇?yōu)選地通過調整結構體的底部的橢圓率提供具有變形的結構體3。
[0102]在這種情況下，結構體3的填充比(平均填充比)是以下列方式獲得的值。
[0103]首先，使用掃描電子顯微鏡(SEM:掃描電子顯微鏡)從頂部拍攝光學兀件I的表面。然后，從拍攝的SEM照片隨機截取單元格Uc，并且針對單元格Uc測量布置節(jié)距Pl和軌跡節(jié)距Tp (見圖3B)。此外，通過圖像處理測量定位在單元格Uc的中心處的結構體3的底面積S。然后，使用測量的布置節(jié)距P1、軌跡節(jié)距Tp、以及底部面積S從下列公式(3)中計算出填充比。
[0104]填充比=(S(六方)/S(單元))X100(3)。
[0105]單元格面積:S (單元)=PlX 2Tp
[0106]單元格中結構體的底部面積:S(六方)=2S
[0107]從拍攝的SEM照片中隨即截取的10點單元格符合用于計算填充比的上述處理。然后，平均(算數(shù)平均)測量值簡單地計算出用于填充比的平均比，并且該平均比被視為在基體表面上的結構體3的填充比。
[0108]當結構體3彼此重疊時，或者當具有諸如結構體3之間的突出5的子結構時，通過其中由對應于結構體3的高度的5%的部分作為閾值確定的面積比的方法計算出填充比。
[0109]結構體3優(yōu)選地以其底部彼此重疊的方式連接。具體地，鄰近關系上的結構體3 的底部優(yōu)選部分地或者整體地彼此重疊，并且優(yōu)選在軌跡方向、9方向或者兩個方向上彼此重疊。如上所述，彼此重疊的結構體3的底部能夠提高結構體3的填充比。在具有考慮到折射率的光程長度的使用環(huán)境下，結構體優(yōu)選地以小于等于光波段中的最大值的1/4彼此重疊。這是因為能夠實現(xiàn)卓越的抗反射特性。
[0110]徑向長度2r與布置節(jié)距Pl的比((2r/Pl) X100)為85%以上，優(yōu)選為90%以上， 并且更優(yōu)選地為95%以上。這是因為該范圍能夠提高結構體3的填充比從而提高抗反射特性。如果比((2r/Pl) X100)增加超過結構體3之間的重疊的增加時，則存在減少抗反射特性的趨勢。因此，在基于折射率的光學距離的使用環(huán)境下，比((2r/Pl)X100)的上限優(yōu)選地設定成使得結構體以小于等于光波段的最大值的1/4彼此連接。在這種情況下，布置節(jié)距Pl指結構體3在如圖3B中所示的軌跡方向上的布置節(jié)距，其中，徑向長度2r指如圖3B 中所示結構體的底部在軌跡方向上的的徑向長度。應當注意，徑向長度2r在結構體的底部為圓形時用作直徑，而徑向長度2i 在結構體的底部為橢圓形時用作長軸。
[0111]光學元件I與貼合層5之間的折射率的差異優(yōu)選為小于等于0.1。這是因為能夠抑制接觸面上的費涅反射以提高可視性。在結構體3與基體2之間的折射率差異以及在基體2與貼合層5之間的折射率差異優(yōu)選為小于等于0.1。這是因為能夠抑制接觸面上的菲涅耳反射以改進可視性。光學元件I的表面粗糙度Rz優(yōu)選為小于等于1.7 Pm。這是因為能夠獲得美觀的外形。
[0112]基體2的后表面優(yōu)選滿足關系:L*≥95 ；|b*| ( 0.53以及在LW系統(tǒng)的傳播色調中|a*|≤0.05。這是因為能夠抑制光學元件I的色彩，由此改進印刷材料表面的可視性。光學元件I的后表面優(yōu)選滿足關系O 96 ; I b* I ( 1.9以及在LWn系統(tǒng)的傳播色調中Ial <0.7。這是因為能夠抑制光學元件I的色彩，由此改進印刷材料表面的可視性。
[0113]【輥子母盤配置】
[0114]圖5A是示出了輥子母盤的結構的實例的透視圖。圖5B是示出了圖5A中所示輥子母盤的放大部分的平面圖。圖5C是示出了沿著圖5B中軌跡T1、T3、…的截面視圖。圖
是示出了沿著圖5B中軌跡T2、T4…的截面視圖。輥子母盤11是用于在上述基體表面上形成多個結構體3的母盤。輥子母盤11具有例如柱狀或者圓柱狀，并且柱表面或者圓柱表面用作用于在基體表面上形成多個結構體3的成形表面。多個結構體12在該成形表面上二維布置。例如，結構體12相對于成形表面具有凹形。例如，盡管玻璃能夠被用作輥子母盤11的材料，然而材料并不視為具體地局限于該玻璃材料。
[0115]布置在輥子母盤11的成形表面上的多個結構體12以及布置在基體2的表面上的多個結構體3具有凹狀和凸狀的倒置關系。具體地，輥子母盤11上的結構體12具有與基體2上的結構體3相同的形狀、布置、以及布置節(jié)距。
[0116]【曝光裝置的結構】
[0117]圖6是示出了用于制備輥子母盤的輥子母盤曝光裝置的構造的實例的示意圖。輥子母盤曝光裝置具有基于光盤記錄裝置的構造。
[0118]激光光源21是用于曝光堆積在母盤滾筒11的表面作為記錄介質的抗蝕膜的光源，并且旨在發(fā)射例如波長X=266nm的記錄激光14。從激光光源21發(fā)出的激光14作為校準束直接傳播，并且進入電光元件(E0M:電子光學調節(jié)器)22。通過電光元件22傳播的激光14由反射鏡23反射，并且引導進入調制光學系統(tǒng)25。
[0119]反射鏡23由偏振分束器組成,偏振分束器具有反射一個偏振分量并且傳播另一偏振分量的功能。偏振分量通過反射鏡23傳播由光電二極管24接收，基于接收信號控制電光兀件22以調制激光14的相位。
[0120]在調制光學系統(tǒng)25中，激光14由聚光透鏡26聚光到由玻璃(二氧化硅)等組成的聲光元件(A0M:聲光調制器)27。激光14經(jīng)過強度調制以由聲音光學元件27漫射，然后由透鏡28校準。從調制光學系統(tǒng)25出射的激光14由反射鏡31反射，并且水平地、平行引導進入移動光學平臺32。[0121]移動光學平臺32包括光束擴展器33和物鏡34。引導進入移動光學平臺32的激光14由光束擴展器33成形到期望的光束形狀，然后經(jīng)過物鏡34照射輥子母盤11上的抗蝕劑層。輥子母盤11放置在連接到主軸電機35的轉臺36上。然后，通過使用激光14間歇地照射抗蝕劑層的同時轉動輥子母盤11并在輥子母盤11的高度方向上移動激光14實施曝光抗蝕劑層的步驟。形成的潛像在圓周方向上具有帶長軸的基本橢圓形狀。通過在箭頭R方向上移動光學平臺32的移動來移動激光14。[0122]曝光裝置包括用于在抗蝕劑層上形成對應于圖2B中所示的六方網(wǎng)格或者準六方網(wǎng)格的二維圖案的潛像的控制機構37?？刂茩C構37包括格式器29和驅動器30。格式器 29包括極性反向單元，并且該極性反向單元控制使用激光14照射抗蝕劑層的定時。驅動器 30響應于極性反向單元的輸出控制聲光元件27。
[0123]在輥子母盤曝光裝置中，為了空間地鏈接二維圖案，極性反向格式器信號與旋轉控制器同步以產(chǎn)生用于各個軌跡的信號，并且該信號由聲光元件27調制強度。通過CAV) 圖案化為適當?shù)霓D數(shù)、適當?shù)恼{制頻率以及適當?shù)墓?jié)距以恒定角速度記錄六方網(wǎng)格或者準六方網(wǎng)格圖案。
[0124]【用于生產(chǎn)印刷材料的方法】
[0125]然后，將參照附圖7A至圖SC描述用于生產(chǎn)根據(jù)本技術的第一實施方式的光學元件I的方法。
[0126](抗蝕劑沉積步驟)
[0127]首先，如圖7A所示，制備柱形或者圓柱形輥子母盤U。例如，輥子母盤11是玻璃母盤。然后，如圖7B所示，抗蝕劑層13形成在輥子母盤11的表面上。例如，任何有機抗蝕劑和無機抗蝕劑均可用作抗蝕劑層13的材料。例如，酚醛樹脂清漆抗蝕劑和化學放大抗蝕劑可用作有機抗蝕劑。此外，一種、或者兩種或者兩種以上金屬化合物用作無機抗蝕劑。
[0128](曝光步驟)
[0129]然后，如圖7C所示，形成在輥子母盤11的表面上的抗蝕劑層13經(jīng)過激光(曝光光束)14照射。具體地，當放置在圖6中所示的輥子母盤曝光裝置的轉臺36上的輥子母盤11 旋轉時，使用激光(曝光光束)14照射抗蝕劑層13。在這種情況下，通過在輥子母盤11的高度方向(在平行于柱形或者圓柱形輥子母盤11的中心軸的方向上)上移動激光14同時使用激光14間歇照射抗蝕劑層13來暴露整個表面。因此，潛像15根據(jù)激光14的軌線諸如以與可見光波長相比的節(jié)距形成在抗蝕劑層13的整個表面上。
[0130]例如，潛像15被布置成使`得在輥子母盤表面的表面上產(chǎn)生多行軌跡，并且形成六方網(wǎng)格圖案或者準六方網(wǎng)格圖案。例如，潛像15具有在軌跡的延伸方向上為長軸方向的橢圓形狀。
[0131](顯影步驟)
[0132]然后，在旋轉輥子母盤11的同時，通過滴落到抗蝕劑層13來傳送顯影劑使得抗蝕劑層13顯影。因此，如圖7D所示，多個開口形成在抗蝕劑層13上。因為與非曝光部分相比較，在用激光14曝光的曝光部分中的顯影劑的溶解速率增強，所以由正性抗蝕劑形成抗蝕劑層13時，對應于潛像(曝光部分)16的圖案形成在如圖7D所示的抗蝕劑層13上。開口的圖案為預定網(wǎng)格圖案，諸如，六方網(wǎng)格圖案或者準六方網(wǎng)格圖案。
[0133](蝕刻步驟)
[0134]然后，使用形成在輥子母盤11上的抗蝕劑層13 (抗蝕劑圖案)的圖案作為掩膜蝕刻輥子母盤11的表面。因此，如圖8A所示，凹狀部分，即，獲得具有長軸方向在軌跡的延伸方向上的橢圓錐面形狀或者橢圓錐面梯形的結構體12。如同蝕刻，可以使用干蝕刻和濕浸蝕。在這種情況下，錐面結構體12的圖案由交替地實施蝕刻和灰化來形成。
[0135]如上所述，獲得目的輥子母盤11。
[0136](轉印步驟)[0137]然后，如圖SB所示，在緊密地將輥子母盤11附著到應用于基體2的轉印材料16 之后，由諸如來自能量線源17的紫外光能量線照射轉印材料16以固化轉印材料16，然后分離與固化的轉印材料16耦合的基體2。因此，如圖SC所示，制備具有位于基體表面上的多個結構體3的光學元件I。
[0138]只要可以使得能量線源17發(fā)射諸如電子束、紫外光、紅外光、激光光束、可見光、 電離輻射(X-射線、a-射線、￠-射線、Y-射線等)、微波、或者高頻波的能量線，能量線源17就不被視為特別受限制。
[0139]優(yōu)選為使用能量線固化樹脂成分作為轉印材料16。優(yōu)選為使用紫外線固化樹脂成分作為能量線固化樹脂成分。能量線固化樹脂成分可根據(jù)需要包含填充劑或者功能添加劑。
[0140]能量線固化樹脂成分優(yōu)選包含硅樹脂丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、其它聚合低聚物、單官能單體、雙官能單體、多官能單體、以及引發(fā)劑。在一個分子中的側鏈、末端或者側鏈和末端具有兩種或者兩種以上的丙烯酸酯聚合不飽和基團的丙烯酸酯可以用作硅樹脂丙烯酸酯。一種或者多種(甲基)丙烯酸酯基團和(甲基)丙烯?；鶊F可以用作丙烯酸酯聚合不飽和基團。然而，術語(甲基)丙烯酸酯基團用于指丙烯酸酯基團和甲丙烯?；鶊F。
[0141]例如，硅樹脂丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的實例包括具有有機變形的丙烯酸基團的聚二甲硅氧烷。有機變形的實例包括聚醚變形、聚酯變形、二十烷變形、以及聚醚/聚酯變形。具體實例包括來自智索公司的SILAPLANE FM7725、來自DAICEL-CYTEC有限責任公司的的 EB350 和 EB1360、以及來自德固賽的 EG0Rad2100、TEG0Rad2200N、TEG0Rad2250、 TEG0Rad2300、TEG0Rad2500、以及 TEG0Rad2700。
[0142]在一個分子中的側鏈、末端或其二者具有兩種或者兩種以上的聚合不飽和基團的丙烯酸酯可以用作聚氨酯丙烯酸酯。一種或者多種(甲基)丙烯?；鶊F和(甲基)丙烯酰基團可以用作丙烯酸酯聚合不飽和基團。然而，術語(甲基)丙烯?；鶊F可以用于指丙烯酸基團和甲基丙烯酸基團。
[0143]例如，聚氨酯丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯聚氨酯、脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、脂肪族聚氨酯甲基丙烯酸酯、芳香族聚氨酯丙烯酸酯、芳香族聚氨酯甲基丙烯酸酯，例如，來自沙多瑪股份有限公司的等功能的聚氨酯丙烯酸酯寡聚體CN系列:CN980、CN965、CN962可以用作聚氨酯丙烯酸酯。
[0144]已知的低聚物可用作其他的聚合低聚物，并且包括諸如聚酯丙烯酸酯低聚物、聚聚氨酯丙烯酸酯低聚物、以及環(huán)氧丙烯酸酯低聚物。
[0145]例如，單官能單體的實例可包括羧酸(丙烯酸)、羥基丙烯酸酯(2-羥乙基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、4-羥丁基丙烯酸酯)、烷基、脂環(huán)丙烯酸酯(丙烯酸酸異丁酯、t-丙烯酸丁酯、異辛基丙烯酸酯、十二醇丙烯酸酯、十八酰丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯、環(huán)己基丙烯酸酯)，其它功能單體(2-甲乙基丙烯酸酯、甲乙基乙烯乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧乙烷丙烯酸酯、氫糠丙烯酸酯、丙烯酸芐酯、乙烷基卡必醇丙烯酸酯、苯氧乙烷丙烯酸酯、N，N-丙烯酸二甲氨基乙酯、N，N- 二甲基氨丙烷丙烯酰胺、N，N- 二甲基丙烯酰胺丙烯酰嗎啉、N- 二甲基丙烯酰胺、N，N- 二乙基丙烯酸酯、N-乙烯吡咯烷酮、2-( —氟辛基)丙烯酸乙酯、3- — 氟己基-2-羥丙基丙烯酸酯、3- —氟辛基-2-羥丙烷基丙烯酸酯、2-( —氟乙酸)丙烯酸乙酯、2-(—氟-3-甲丁基)丙烯酸乙酯、2，4，6-三溴酚甲基丙烯酸酯、2-(2，4，6-三溴酚)丙烯酸乙酯、以及2-丙烯酸乙基己酯酯。
[0146]例如，雙官能單體的實例包括三個(丙二醇)二丙烯酸酯、三甲氧基二烯丙基醚、并且聚氨酯丙烯酸酯。
[0147]例如，多官能單體的實例包括例如三甲基色胺酸、一縮二季戊四醇五-和六亞甲基四胺-丙烯酸酯、以及一縮二季戊四醇四丙烯酸酯。
[0148]轉印材料優(yōu)選包含親水材料。親水單體的實例包括丙烯酰胺及其衍生物、乙烯吡咯烷酮、以及丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物、以及包含作為主要成分的水溶性單體的共聚物。例如，實例包括，但不限于N-甲基丙烯酰胺、N、N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉、2-羥乙基丙烯酸酯、N、N-丙烯酸二甲氨基乙酯、乙烯吡咯烷酮、2-異丁烯酰乙烷基磷酸膽堿、2-異丁烯酰乙烷基-D-葡萄糖苷、2-異丁烯酰乙烷基-D-甘露糖苷、以及乙烯基?甲基醚乙烯基?甲基醚。此外，通過使用如氨基、羧基、以及羥基代表的具有高的極性官能團可實現(xiàn)類似的效果。
[0149]此外，盡管親水聚合物不受具體地限制，然而，親水聚合物的優(yōu)選主鏈結構的實例包括丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、聚氨酯樹脂、聚亞安酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚脂樹脂、合成橡膠、以及天然橡膠，具體 地，丙烯酸類樹脂與甲基丙烯酸樹脂為優(yōu)選，因為其卓越地粘合到通用樹脂，并且鑒于固化等丙烯酸類樹脂更為優(yōu)選。親水聚合物可以是共聚物。
[0150]親水聚合物的特定實例包括已知的親水樹脂，并且優(yōu)選為諸如包含羥基的丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯或者在骨架中包含乙二醇的重復單元的丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯。 親水聚合物的更多具體實例包括甲氧基聚乙二醇單甲碘化丙烯酸酯、乙氧基化甲基丙烯酸羥乙酯、聚丙二醇單甲碘化丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A 二甲基丙烯酸酯以及乙氧基化三甲基丙烷三丙烯酸酯。
[0151]引發(fā)劑的實例可包括例如，2，2-甲氧基-1，2-聯(lián)苯乙烷-1-在上、1-羥基-環(huán)己苯基酮以及2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1- 一個。
[0152]例如，任何無機微粒和有機微粒均可用作填充劑。例如,無機微粒包括諸如二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化錫、三氧化二鋁的金屬氧化物微粒。
[0153]例如，功能添加劑的實例可包括均化劑、表面調整劑、以及防沫劑。
[0154]例如，用于基體2的材料包括甲基丙烯酸甲酯(鈷)聚合體、聚碳酸酯、苯乙烯 (鈷)聚合體、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纖維素二醋酸酯、三乙酸纖維素、乙丁纖維素、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚乙烯砜、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯戊烯、聚氯乙烯、 聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯鈦酸酯、芳族聚酰胺、聚乙烯、聚丙烯酸酯、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、尿素甲醛樹脂、諸如聚聚氨酯、三聚氰胺樹脂、聚碳酸酯聚合體、以及聚碳酸酯共聚物等聚氨酯樹脂。用于基體2的材料包括無機材料形式的石英、藍寶石、玻璃、以及粘土膜。
[0155]當聚合物材料用作基體2的材料時，基體2的厚度在產(chǎn)量方面優(yōu)選為3 iim到 500 Pm。但是并不被視為具體地局限于該范圍。
[0156]例如,表面調整劑的實例可包括表面潤滑劑。表面潤滑劑的實例可包括已知的潤滑劑，例如，優(yōu)選為二甲基硅樹脂、氟基添加劑、酯潤滑劑、以及酰胺添加劑。在給予親水性的情況下，優(yōu)選為聚醚變形的二甲基硅樹脂。[0157]用于形成基體2的方法不具體地限制，并且基體2可以是注射模制品、擠壓模制品或者澆鑄模制品。如果需要，基體表面可以被經(jīng)過諸如電暈處理等表面處理。
[0158]應當注意，在制備高長寬比結構體3的情況下(例如，制備具有大于等于1.5并且小于等于5的長寬比的結構體3)，優(yōu)選為將諸如硅樹脂基脫模劑或者氟基脫模劑等脫模劑應用到諸如輥子母盤11的母盤的表面，以改進諸如輥子母盤11的母盤的脫模性。此外，優(yōu)選為將諸如氣基添加劑材料或者娃樹脂基添加劑材料等添加劑添加到轉印材料16中。
[0159](貼合步驟)
[0160]然后，如圖8D所示，利用貼合層將制備的光學元件I附著到印刷材料體6的表面， 貼合層5插入到光學元件I與印刷材料體6之間。該附著提供目的印刷材料10。應當注意，貼合層5可以預先形成在光學元件I的后表面上。在這種情況下，優(yōu)選為在貼合層5表面進一步提供用于保護貼合層5的保護層，分離出保護層從而將貼合層5附著到印刷材料體6的表面。在采用預先形成在如上所述的光學元件I的后表面上情況下，貼合層5的情況下，貼合層5優(yōu)選包含作為其主要成分的粘合劑。
[0161]根據(jù)第一實施方式，因為包括設置在不長于可見光的波長的精細節(jié)距的多個結構體3的光學元件I被附著到印刷材料體6，所以能夠抑制印刷材料10的表面上的反射。因此，能夠改進印刷材料10的印刷圖像的對比度。此外，結構體3具有調整到大于等于0.6 并且小于等于5的長寬比，因此能夠抑制反射特性和傳播性的降低，并且能夠進一步抑制結構體3的可轉印性降低。
[0162]當結構體3的彈性模數(shù)被調整到大于等于IMPa并且小于等于1200MPa時，優(yōu)選為大于等于5MPa并且小于等于1200MPa，能夠抑制由鄰近的結構體彼此粘合而導致的反射特性降低，并且擠出和擦拭掉滲透在結構體3之間的污染物。此外，當設置有多個結構體3的光學元件的表面具有被調整到小于等于0.85的動摩擦系數(shù)時，能夠抑制由于鄰近的結構體彼此粘合而導致的反射特性降低。
[0163]現(xiàn)在將描述在以上述方式產(chǎn)生的粘合到光學元件I的表面上的情況下污染物的移除。圖16A至圖16C是用于說明在粘合到光學元件I的表面的情況下移除污染物的示意性簡圖。如圖16A所示，當手觸摸到光學元件I的表面時，指紋的污染物就粘合到結構體3 之間。如圖16B所示，當外力施加到這種狀態(tài)下的光學元件I的表面上時，由于結構體3具有可撓性，結構體3的可撓性形變使得鄰近結構體`3彼此接觸。因此，粘合在結構體3之間的污染物被擠出到外部，指紋的污染物能夠因此被移除。可替代地，在水擦拭的情況下，該變形易于允許水滲透，因此將污染物移除。然后，如圖16C所示，在擦拭之后，可撓性力使得結構體3的形狀恢復到原狀態(tài)。
[0164]〈2.第二實施方式〉
[0165]【光學元件的結構】
[0166]圖9A是示出了根據(jù)本技術的第二實施方式的光學元件的結構的實例的平面圖。 圖9B是示出了圖9A中所示的光學元件的放大部分的平面圖。圖9C是沿著圖9B中的軌跡 Tl、T3…的截面視圖。圖9D是沿著圖9B中所示的軌跡T2、T4…的截面視圖。
[0167]根據(jù)第二實施方式的光學元件I與根據(jù)第一實施方式的光學元件I的不同在于多個結構體3在鄰近三行軌跡T之間產(chǎn)生四方網(wǎng)格圖案或者準四方網(wǎng)格圖案。
[0168]本文中的四方網(wǎng)格指等邊四角形網(wǎng)格。準四方網(wǎng)格指經(jīng)過變形的等邊四角形網(wǎng)格，不同于等邊四角形網(wǎng)格。例如，當結構體3布置成一條線時，準四方網(wǎng)格指通過在線性布置方向(軌跡方向)上拉動等邊四角形網(wǎng)格變形的四方網(wǎng)格。當結構體3布置成蜿蜒形式時，準四方網(wǎng)格指通過使用結構體3的蜿蜒布置來變形等邊四角形網(wǎng)格而獲得的正四方形網(wǎng)格?？商娲?，準四方網(wǎng)格指通過在線性布置方向(軌跡方向)上拉動等邊梯形網(wǎng)格而變形的四方形網(wǎng)格，以及利用結構體3的蜿蜒布置變形網(wǎng)格。
[0169]在同一軌跡中的結構體3在的布置節(jié)距Pl優(yōu)選為長于在兩個鄰近軌跡之間的結構體3的布置節(jié)距P2。此外，P1/P2優(yōu)選滿足關系:1.4〈1外2 1.5，其中，在同一軌跡中的結構體3的布置節(jié)距與在兩個鄰近軌跡之間的結構體3的布置節(jié)距分別以Pl和P2表示。 該數(shù)字范圍能夠提高具有橢圓椎面或者橢圓錐面梯形的形狀的結構體3的填充比，并由此提高抗反射特性。此外，結構體3在相對于軌跡的45度方向或者約45度方向上的高度或者深度優(yōu)選為比結構體3在軌跡的延伸方向上的高度或者深度小。
[0170]結構體3在關于軌跡的延伸方向偏斜的布置方向(0方向)上的高度H2優(yōu)選為小于結構體3在軌跡的延伸方向上的高度Hl。更具體地，結構體3的高度Hl和H2優(yōu)選滿足關系:H1>H2。
[0171]當結構體3形成四方網(wǎng)格或者準四方網(wǎng)格圖案時，結構底部的橢圓率e優(yōu)選為 150% ( e ( 180%。該范圍能夠提高結構體3的填充比，并且實現(xiàn)卓越的抗反射特性。
[0172]在基體表面上結構體3的填充比落在大于等于65%的范圍(將100%作為上限)內， 優(yōu)選為大于等于73%，并且更優(yōu)選為大于等于86%。該范圍中的填充比能夠提高抗反射特性。
[0173]在這種情況下，結構體3的填充比(平均填充比)是以下列方式獲得的值。
[0174]首先，使用掃描電子顯微鏡(SEM:掃描電子顯微鏡)從頂部拍攝光學兀件I的表面。然后，從拍攝的SEM照片中隨機繪制單元格Uc，并且測量針對單元格Uc的布置節(jié)距Pl 和軌跡節(jié)距Tp (見圖9B)。此外，通過圖像處理測量包含在單元格Uc中的任何四個結構體 3的底部面積S。然后，使用測量的布置節(jié)距P1、軌跡節(jié)距Tp、以及底部面積S從以下公式 (4)中計算出填充比。
[0175]填充比=(S四變形)/S (單元))X 100 (4)
[0176]單元格面積:S(單元)=2X ((PlXTp) X (1/2)) =Pl X Tp
[0177]單元格中的底部面積:S(四邊形)=S
[0178]從拍攝的SEM照片中隨即繪制的10點的單元格符合用于計算填充比的上述處理。 然后，平均(算數(shù)平均)測量值簡單的計算出用于填充比的平均比，即用于填充比的平均比， 并且該平均比被視為在基體表面上的結構體3的填充比。
[0179]徑向長度2r與布置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X100)為大于等于64%，優(yōu)選為大于等于69%，并且更優(yōu)選為大于等于73%。這是因為該范圍能夠提高結構體3的填充比從而提高抗反射特性。在這種情況下，布置節(jié)距Pl指結構體3在軌跡方向上的布置節(jié)距，其中，徑向長度2r指結構體的底部在軌跡方向上的徑向長度。應當注意，徑向長度2r用作在結構體的底部是圓形時的直徑，但在結構體的底部是橢圓形時，徑向長度2i 用作長軸。
[0180]根據(jù)第二實施方式，可以實現(xiàn)如同在第一實施方式中的相同效果。
[0181]〈第三實施方式〉
[0182]圖1OA是示出了根據(jù)本技術的第三實施方式的光學元件的結構的實例的平面圖。圖1OB是示出了圖1OA中所示的光學元件的放大部分的平面圖。圖1OC是沿著圖1OA中所示線A-A的截面視圖。
[0183]根據(jù)第三實施方式的光學兀件I與根據(jù)第一實施方式的光學兀件I的不同在于多個結構體3是以隨機(不規(guī)則)方式二維布置。此外，結構體21在形狀、尺寸、以及高度中至少一個方面可以進一步以隨機方式改變。
[0184]除了上述情況，適用于第一實施方式的情況同樣適用第三實施方式，。
[0185]關于制備光學元件I的母盤，例如，可以使用其中鋁基體的表面經(jīng)過陽極處理的方法，但是該實施方式并不被視為局限于該方法。
[0186]因為在第三實施方式中多個結構體3以隨機方式二維布置，所以能夠抑制在外形上產(chǎn)生的不均勻性。
[0187]〈4.第四實施方式〉
[0188]圖1lA是示出了根據(jù)本技術的第四實施方式的光學元件的結構的實例的平面圖。 圖1lB是示出了圖1lA中所示的光學元件的放大部件的平面圖。圖1lC是沿著圖1lB中軌跡Tl、T3…的截面視圖。圖1lD是沿著圖1lB中軌跡T2、T4…的截面視圖。
[0189]根據(jù)第四實施方式的光學元件I與根據(jù)第一實施方式的光學元件I的不同在于大量的凹狀結構體3布置在基體表面上。結構體3的形狀為通過將根據(jù)第一實施方式的結構體3的凸狀形狀翻轉獲得的凹狀形狀。應當注意，當結構體3具有如上所述的凹狀形狀時， 凹狀結構體3的開口(凹狀部分的凹狀入口)被定義為底部，其中，基體2在深度方向的最底部分(凹狀部分的最深部分)被定義為頂端。具體地，頂部和底部由結構體3定義為非獨立存在的空間。此外，在第四實施方式中，因為結構體3為凹狀，所以結構體3的在公式(I)中的高度等對應于結構體3的深度H。
[0190]如第一實施方式一樣的應用于第三實施方式，但上述情況除外。
[0191]在第四實施方式中，因為在第一實施方式中凸狀結構體3的形狀翻轉以提供凹狀形狀，所以能夠實現(xiàn)類似于在第一實施方式中的效果。
[0192]〈5.第五實施方式〉
[0193]除了形成結構體3的樹脂材料的彈性模數(shù)的數(shù)字范圍，或者代替形成結構體3的樹脂材料的彈性模數(shù)的數(shù)字范圍之外，根據(jù)第五實施方式的光學元件與根據(jù)第一實施方式的光學元件的不同在于指定了包含在結構體3中的樹脂材料的交聯(lián)密度的數(shù)字范圍。
[0194]包含在結構體3中的樹脂材料的交聯(lián)密度落在5.lmol/L以下的范圍內，優(yōu)選為 0.8mol/L以上且5.lmol/L以下。5.lmol/L以下的交聯(lián)密度使得交聯(lián)間距離更長，并且提供具有可撓性的樹脂材料。因此，可以排出并且擦拭掉諸如指紋等污染物。應當注意，因為交聯(lián)密度的相互作用對應于交聯(lián)間分子量，在交聯(lián)密度降低時(即，交聯(lián)密度的的相互作用降低)，所以交聯(lián)間距離變得更長。另一方面，小于等于0.8mol/L的交聯(lián)密度顯著降低涂膜的抗磨損性，由此涉及由于擦拭產(chǎn)生的刮擦。盡管交聯(lián)包括化學交聯(lián)和物理交聯(lián)，然而優(yōu)選地使用化學交聯(lián)。
[0195]此外，光學元件I的表面優(yōu)選地被制成進一步親水。這是因為親水性使得可以擦拭掉由于排出效果和通過用含水織品例如一次或者兩次摩擦以水分代替產(chǎn)生的污染物。在光學元件I的親水性表面上的水接觸角優(yōu)選為110度以下，具體地，30度以下。
[0196]現(xiàn)在，將參照圖17描述用于計算結構體3的交聯(lián)密度的方法。樹脂材料的交聯(lián)密度具有如圖17所示的溫度關系。樹脂材料的交聯(lián)密度與樹脂材料的條件相關聯(lián)，并且基于溫度范圍將交聯(lián)密度劃分成四個區(qū)域:玻璃區(qū)域、過度區(qū)域、橡膠區(qū)域、以及流動區(qū)域。在這些區(qū)域之中，橡膠區(qū)域中的交聯(lián)密度由以下公式表示。
[0197]N=E，/3RT
[0198](在公式中，n表示交聯(lián)密度(mol/L)，E’表示存儲彈性模數(shù)(Pa)，R表示氣體常數(shù) (Pa ? L/K ? mol)，并且T表示絕對溫度⑷。)
[0199]因此，使用上述公式能夠根據(jù)存儲彈性模數(shù)E’和絕對溫度計算出交聯(lián)密度。
[0200]當包含在結構體3中的樹脂材料的交聯(lián)密度落在上述數(shù)字范圍內時，包含在結構體3中的樹脂材料的交聯(lián)間平均分子量優(yōu)選落在400與60000之間的范圍內，更優(yōu)選為在 500與10000之間，進一步優(yōu)選為在700與1500之間。與僅限制交聯(lián)密度的數(shù)字范圍為小于等于5.lmol/L的情況相比較，小于等于5.lmol/L的交聯(lián)密度與大于等于400的交聯(lián)間平均分子量能夠進一步提高擦拭能力。另一方面，大于等于0.8mol/L的交聯(lián)密度和小于等于60000的交聯(lián)間密度平均分子量能夠提高擦拭能力，并且抑制刮擦涂膜。在這種情況下， 當有關聚合反應中的樹脂原材料為三種官能或三種官能以上時，包含在結構體3中的樹脂材料的交聯(lián)間平均分子量指通過對包含在聚合反應中的樹脂原材料(例如，諸如低聚物)的平均分子量按照平均數(shù)量的功能基團進行劃分而獲得的值。當有關聚合反應中的樹脂原材料為雙官能時，樹脂原材料的平均分子量被視為交聯(lián)間平均分子量。然而，有關聚合反應中的樹脂原材料被視為不包括單官能的樹脂原材料。
[0201]結構體3優(yōu)選包含作為其主要成分的直鏈型聚合物。這是因為能夠提高擦拭能力。例如，直鏈型聚合物是以一維鏈式形式存在的具有帶有兩個(甲基)丙烯酸酯基團的化合物的鏈聚合物。該化合物優(yōu)選為具有兩個(甲基)丙烯酸酯基團的低聚物。本文中(甲基) 丙烯酸酯基團指任何丙烯酸酯基團和甲基丙烯酸酯基團。
[0202]例如，結構體3通過對紫外線固化樹脂進行固化而獲得。包含在紫外線固化樹脂中的樹脂成分優(yōu)選包含作為其主要成分的具有兩個(甲基)丙烯酸酯基團的低聚物以及具有三個(甲基)丙烯酸酯基團的低聚物中的至少一種，更優(yōu)選包含作為其主要成分的具有兩個(甲基)丙烯酸酯基團的低聚物。當成分包含作為其主要成分的具有兩個(甲基)丙烯酸酯基團的低聚物以及具有三個(甲基)丙烯酸酯基團的低聚物中的至少一種時，交聯(lián)間平均分子量被調整到大于等于400。包含作為其主要成分的具有兩個(甲基)丙烯酸酯基團的低聚物的成分能夠實現(xiàn)大于等于400的交聯(lián)間平均分子量，并且抑制作為轉印材料的紫外線固化樹脂的粘性的增加`，以提高作為轉印材料的紫外線固化樹脂的可轉印性。本文中低聚物指具有大于等于400并且小于等于60000的分子量的分子。
[0203]為了調整結構體3的彈性模數(shù)，紫外線固化樹脂進一步包含具有(甲基)丙烯酸酯基團的化合物(例如，單體和/或低聚物)和/或不包含在聚合反應中的樹脂材料(例如，單體和/或低聚物)。
[0204]【實例】
[0205]盡管下面將參照實例具體描述本技術，然而，本技術并不被視為僅限制于這些實例。
[0206]在下列實例和比較例中，紫外線固化樹脂合成物A至F指以下的混合組成。
[0207](紫外線固化樹脂成分A)[0208]光固化樹脂 97%質量
[0209]光化聚合引發(fā)劑 3%質量
[0210](紫外線固化樹脂成分B)
[0211 ] 聚氨酯丙烯酸酯混合物 92%質量
[0212]光化聚合引發(fā)劑 3%質量
[0213]吸水的涂層材料 5%質量
[0214](紫外線固化樹脂成分C)
[0215]光固化樹脂
[0216]第一光化聚合引發(fā)劑
[0217]第二光化聚合引發(fā)劑
[0218](紫外線固化樹脂成分D)
[0219]聚氨脂丙烯酸酯混合物
[0220]第一光化聚合引發(fā)劑
[0221]第二光化聚合引發(fā)劑
[0222]吸水的涂層材料 5%質量
[0223](紅外線固化樹脂成分E)
[0224]光固化樹脂 97%質量
[0225]光化聚合引發(fā)劑 3%質量
[0226](紫外線固化樹脂成分F)
[0227]聚氨酯丙烯酸酯混合物 92%質量
[0228]光化聚合引發(fā)劑 3%質量
[0229]吸水的涂層材料 5%質量
[0230]將按照下列研究順序描述實例、比較例、以及測試例。
[0231]1.亮度與對比度(實例1，比較例I)
[0232]2顏色空間(實例2，比較例2)
[0233]3耐用性(實例3，比較例3)
[0234]4表面粗糙度(實例4和5，比較例4和5)
[0235]5.使用聚合引發(fā)劑的L*a*b*染色性的變化(測試例I至6)
[0236]6.用于薄膜的L*a*b*染色性(測試例7至15)
[0237]7.折射率中的差異(測試例16-1至20-3)
[0238]8.膨脹系數(shù)(測試例21至23)
[0239]9.擦拭能力(測試例24至35)
[0240]〈I亮度并且對比度〉
[0241](實例I)
[0242]首先，制備外直徑是126mm的玻璃輥子母盤，并且抗蝕劑膜以下列方式設置在玻 璃母盤的表面上。具體地，光致抗蝕劑稀釋劑稀釋到1/10，并且稀釋的抗蝕劑通過浸潰到玻 璃輥子母盤的圓柱形表面來以大約130nm的厚度應用于沉積抗蝕劑薄膜。然后，作為記錄 介質的玻璃母盤被傳輸?shù)綀D6所示的輥子母盤曝光裝置，并且曝光抗蝕劑以獲得圖案化在 抗蝕劑中的潛像，潛像布置成螺旋形并且在三個鄰近軌跡之間呈現(xiàn)準六方網(wǎng)格圖案。[0243]具體地，具有即將形成的準六方網(wǎng)格圖案的區(qū)域經(jīng)過用于暴露玻璃輥子母盤的表面的功率是0.50mW/m激光照射從而形成凹狀的準六方網(wǎng)格圖案。應當注意，抗蝕劑厚度在軌跡行的行方向上大約是120nm，而抗蝕劑厚度在軌跡的延伸方向上大約為lOOnm。
[0244]然后，玻璃輥子母盤上的抗蝕劑經(jīng)過顯影處理以將抗蝕劑溶解于顯影的暴光區(qū)域中。具體地，未顯影的玻璃輥子母盤放置在顯影機器的轉臺上(未示出)，并且當旋轉整個轉臺，通過滴落到玻璃輥子母盤的表面上交付顯影劑以在表面上顯影抗蝕劑。因此，使用泄露在準六方網(wǎng)格圖案打中的抗蝕劑獲得抗蝕劑玻璃母盤。
[0245]然后，通過干蝕刻交替地實施蝕刻工藝和灰化工藝以在頂部具有凸彎曲面的橢圓錐面形狀中獲得凹狀。在該情況下的圖案中的蝕刻量(深依)跟據(jù)蝕刻時間變化。最后， 通過氧氣灰化完全地將光致抗蝕劑移除以獲得凹狀的準六方網(wǎng)格圖案的MOTH-EYE玻璃輥子母盤。在行方向上的凹狀深度比在軌跡的延伸方向上的凹狀深度大。
[0246]然后，制備紫外線固化樹脂成分B。然后，制備作為基體的具有75 y m厚度的丙烯酸薄膜(來自 Sumitomo Chemical C0.，Ltd?,商標名稱:TEKUN0R0I S001)。然后，將幾 u m 厚度的紫外線固化樹脂成分B應用到丙烯酸薄膜中，然后，將MOTH-EYE玻璃輥子母盤緊密地附著到應用表面，并在通過紫外線照射來固化成分B時分離出MOTH-EYE玻璃滾筒母，從而制備MOTH-EYE薄膜。在這種情況下，基底層通過調整位于應用表面上的MOTH-EYE玻璃輥子母盤的壓力，來形成在結構體與丙烯酸酯薄膜之間。
[0247]然后，在原子力顯微鏡(AFM:原子力顯微鏡)下觀察制備的MOTH-EYE薄膜的表面。 然后，根據(jù)在AFM下的截面圖計算出結構體的節(jié)距和長寬比。結果，節(jié)距為250nm并且長寬比為1.0。
[0248]然后，制備印刷紙，并且經(jīng)過印刷以形成白色區(qū)域和黑色區(qū)域。
[0249]然后，制備的MOTH-EYE薄膜附著到具有粘合薄片的印刷紙的印刷圖像表面(來自 Sony Chemical&Information Device Corporation)。因此，獲得根據(jù)實例 I 的目的印刷紙。
[0250](比較例I)
[0251]然后，制備印刷紙， 并且使用其本身作為根據(jù)比較例I的印刷紙。
[0252](反射率)
[0253]使用可見紫外分光光度計(來自JASCO Corporation,商標號:V-500)測量根據(jù)實例I和比較例I的用于印刷紙表面的反射光譜。圖12A示出了 550nm波長的反射率。
[0254](亮度)
[0255]評估根據(jù)實例I和比較例I的印刷紙的白色亮度和黑色亮度。結果如表I所示。
[0256](對比度)
[0257]評估根據(jù)實例I和比較例I的印刷紙的對比度。結果如表I所示。
[0258]表I示出了根據(jù)實例I和比較例I的對印刷紙的亮度和對比度的評估結果。
[0259]【表I】
[0260]
[IiSI白色亮度-I黑色亮度-I對比度
實例 I印刷紙、MOTH-EYE 薄膜79.940-9584.34
比較例I 印刷紙81.065.3915.04[0261]從圖12A中確定以下結論。
[0262]與不附著MOTH-EYE薄膜的比較例I比較，附著MOTH-EYE薄膜的實例I能夠充分降低反射率。因此，將MOTH-EYE薄膜附著到照相紙能夠充分改進照相紙的可視性。
[0263]從表I中確定以下結論。
[0264]當在附著MOTH-EYE薄膜的實例I與不附著M0TH-EYE薄膜的比較例I之間比較評估結果時，兩者均具有幾乎相同的白色亮度，但是，黑色亮度基本不同。結果，實例I中的對比度與比較例I中的對比度的比率(對比度比率)接近5.6。具體地，與比較例I相比，實例 I中的印刷圖像具有增強的可視性。
[0265]〈2.顏色空間>
[0266](實例2) [0267]首先，制備印刷紙，在該印刷紙上印刷RGB (紅色、綠色、以及藍色)。然后，使用粘合薄片(來自 Sony Chemi cal&Informat ion Device Corporation)以實例 I 中的相同方式將制備的MOTH-EYE薄膜附著到經(jīng)過印刷的印刷紙的表面。因此，獲得根據(jù)實例2的目的印刷紙。
[0268](比較例2)
[0269]然后，制備印刷紙，并且將其本身用作根據(jù)比較例2的印刷紙。
[0270](顏色空間的評估)
[0271]評估根據(jù)實例2和比較例2的印刷紙的L*a*b*顏色空間。結果如圖12B所示。
[0272]從圖12B中確定以下結論。
[0273]與不附著MOTH-EYE薄膜的實例I比較，在附著MOTH-EYE薄膜的實例2中的顏色坐標區(qū)域更大。因此，將MOTH-EYE薄膜附著到照相紙能夠放大照相紙的顏色空間。
[0274]<3.耐用性〉
[0275](實例3)
[0276]首先，以上述實例I中的相同方式制備MOTH-EYE薄膜。然后，制備晶體印刷照片， 并且使用粘合薄片(來自 Sony Chemi cal&Informat ion Device Corporation)將 M0TH-EYE 薄膜附著到照片的表面上。因此，獲得根據(jù)實例3的目的照片。
[0277](比較例3)
[0278]制備晶體印刷照片，并且使用其本身作為根據(jù)比較例3的照片。
[0279](干擦拭)
[0280]根據(jù)實例3與比較例3的印刷紙經(jīng)過干燥擦拭測試。結果如表2所示。
[0281]冰擦拭)
[0282]根據(jù)實例3與比較例3的印刷紙經(jīng)過水擦拭測試。結果如表2所示。
[0283](鉛筆硬度)
[0284]根據(jù)實例3與比較例3的印刷紙經(jīng)過鉛筆硬度測試。結果如表2所示。
[0285]表2示出了針對根據(jù)實例3和比較例3的印刷紙的干擦拭測試和水擦拭測試的結果以及鉛筆硬度測量的結果。
[0286]【表2】
[0287]
【權利要求】
1.一種印刷材料，包括: 具有表面的印刷材料體；以及 光學元件，被設置在所述印刷材料體的所述表面上； 其中，所述光學元件包括以小于可見光的波長的節(jié)距形成的多個結構體；以及 所述結構體具有0.6以上且5.0以下的長寬比。
2.根據(jù)權利要求1所述的印刷材料，其中，所述光學元件的線性膨脹系數(shù)高于所述印刷材料體的線性膨脹系數(shù)。
3.根據(jù)權利要求1所述的印刷材料，其中，所述光學元件側的所述表面被彎曲為使得向外突出。
4.根據(jù)權利要求1所述的印刷材料，其中，所述印刷材料具有平面形狀或曲面形狀的外周緣；以及 所述曲面形狀是在與所述光學元件相反的方向上彎曲所述外周緣獲得的。
5.根據(jù)權利要求1所述的印刷材料，其中，所述光學元件進一步包括具有表面的基體； 所述多個結構體形成在所述基體的所述表面上；并且 所述基體滿足如下關系:在LW系統(tǒng)的透射色調中，L*≥95 ；|a*| ≤ 0.05并且b*| ≤ 0.53。
6.根據(jù)權利要求1所述的印刷材料，其中，所述光學元件滿足如下關系:在CaVi系統(tǒng)的透射色調中，L*≥96;|a*| <0.7并且b* ≤1.9。
7.根據(jù)權利要求1所述的印刷材料，還包括在所述光學元件與所述印刷材料體之間的貼合層； 其中，所述光學元件與所述貼合層之間的折射率的差為0.1以下。
8.根據(jù)權利要求7所述的印刷材料，其中，所述光學元件進一步包括具有表面的基體； 所述多個結構體形成在所述基體的所述表面上；并且 所述結構體與所述基體之間的折射率的差以及所述基體與所述貼合層之間的折射率的差均為0.1以下。
9.根據(jù)權利要求1所述的印刷材料，其中，所述光學元件具有1.7μπι以下的表面粗糙度Rz。
10.根據(jù)權利要求1所述的印刷材料，其中，所述結構體具有0.8mol/L以上且5.1mol/L以下的交聯(lián)密度。
11.根據(jù)權利要求10所述的印刷材料，其中，所述結構體具有400以上且10000以下的范圍內的交聯(lián)間平均分子量。
12.根據(jù)權利要求11所述的印刷材料，其中，所述結構體具有700以上且1500以下的范圍內的交聯(lián)間平均分子量。
13.根據(jù)權利要求11所述的印刷材料，其中，所述結構體包含具有兩個(甲基)丙烯?；鶊F的低聚物以及具有三個(甲基)丙烯?；鶊F的低聚物中的至少一種作為主要組成成分。
14.根據(jù)權利要求13所述的印刷材料，其中，所述結構體包含具有兩個(甲基)丙烯?；鶊F的低聚物作為主要組成成分。
15.根據(jù)權利要求11所述的印刷材料，其中，所述結構體包含直鏈型聚合物作為主要組成成分。
16.—種照相材料,包括:具有表面的照相材料體；以及設置在所述照相材料體的所述表面上的光學元件；其中，所述光學元件包括在以小于可見光的波長的節(jié)距形成的多個結構體；以及所述結構體具有0.6以上且 5.0以下的長寬比。
【文檔編號】G02B1/11GK103460077SQ201280014419
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年3月30日 優(yōu)先權日:2011年3月31日
【發(fā)明者】福田智男, 有馬光雄, 李成吉, 野村優(yōu), 木曾弘之, 飯?zhí)镂膹? 申請人:索尼公司