專利名稱：像素電極上鈍化層的制作方法、液晶顯示器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電極上鈍化層的制作方法、液晶顯示器及其制作方法。
背景技術(shù)：
如圖1-圖3所示，TFT產(chǎn)品的制作過程中，在像素ITO薄膜01完成之后，需要先利用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，在所述像素ITO薄膜01表面形成鈍化層02 ;再利用干法刻蝕在所述鈍化層02內(nèi)形成過孔03 ;最后在所述鈍化層02表面形成頂層IT004 ;其中，所述頂層IT004與所述像素ITO薄膜01電連接。但是，傳統(tǒng)TFT產(chǎn)品的制作工藝?yán)?，在形成過孔03的過程中，會在所述鈍化層02的內(nèi)的過孔03處形成底切，又稱逆角或倒角，造成頂層IT004與像素ITO薄膜01之間接觸跨斷，導(dǎo)致該TFT產(chǎn)品顯示異常或無法顯示，降低TFT產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種液晶顯示器及其像素電極上鈍化層的制作方法，以解決由于頂層ITO與像素ITO薄膜之間接觸跨斷，導(dǎo)致該TFT產(chǎn)品顯示異常或無法顯示的問題，提高TFT產(chǎn)品的良率。為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案:一種像素電極上鈍化層的制作方法，包括:在第一功率下，利用第一流量的工藝氣體，在像素電極表面形成第一厚度的鈍化層；在第二功率下，利用第二流量的工藝氣體，在所述第一厚度的鈍化層表面形成第二厚度的鈍化層；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。優(yōu)選的，第一功率為第二功率的50%。優(yōu)選的，第一流量為第二流量的20%_40%，包括端點值。優(yōu)選的，所述第一厚度為第二厚度的10%_15%，包括端點值。優(yōu)選的，所述第一厚度的范圍為丨00人-200人，包括端點值。 優(yōu)選的，所述鈍化層為氮化硅層。優(yōu)選的，所述鈍化層制作過程中的工藝氣體包括SiH4和NH3。一種液晶顯示器的制作方法，包括:采用上述任一項制作方法，在像素電極表面依次形成第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層；在所述鈍化層內(nèi)形成過孔，所述過孔完全貫穿所述第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層；在具有過孔的鈍化層表面形成頂層電極。一種上述制作方法制作的液晶顯示器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案，采用先在第一功率下，利用第一流量的工藝氣體，在像素電極表面形成第一厚度的鈍化層；再在第二功率下，利用第二流量的工藝氣體，在所述第一厚度的鈍化層表面形成第二厚度的鈍化層的方法，來完成像素電極表面鈍化層的制作，其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。由于第一厚度的鈍化層制作過程中的功率和氣體流量較小，其H+自由基的濃度較低，對像素電極中氧的俘獲能力較弱，從而使得所述第一厚度的鈍化層的制作過程中H+的損失減少，制作的鈍化層較為致密，且第一厚度的鈍化層阻斷了后續(xù)第二厚度的鈍化層制作過程中H+自由基與像素電極的接觸，+使得第二厚度的鈍化層制作過程中H+不會損失，形成的第二厚度的鈍化層也較為致密，進(jìn)而使得在所述鈍化層內(nèi)形成過孔的過程中，不會出現(xiàn)底切，保證了位于所述鈍化層表面的頂層電極與像素電極之間的良好電接觸，解決了由于頂層ITO與像素ITO薄膜之間接觸跨斷，導(dǎo)致該TFT產(chǎn)品顯示異?；驘o法顯示的問題，提高TFT產(chǎn)品的良率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1-3為現(xiàn)有技術(shù)中TFT產(chǎn)品制作工藝?yán)?，像素電極上鈍化層的制作方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4-6為本發(fā)明實施例所提供的液晶顯示器的制作方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式正如背景技術(shù)部分所述，如圖3所示，傳統(tǒng)TFT產(chǎn)品的制作工藝?yán)铮谛纬蛇^孔03的過程中，會在所述鈍化層02內(nèi)的過孔03處形成底切，造成頂層IT004與像素ITO薄膜01之間接觸跨斷，導(dǎo)致TFT產(chǎn)品顯示異?；驘o法顯示，降低TFT產(chǎn)品的良率。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，這主要是由于在形成鈍化層02的過程中，需要工藝氣體SiH4、NH3在高頻RF電源的作用下電離，從而產(chǎn)生濃度非常高的H+自由基，而高濃度的H+自由基又可俘獲像素ITO薄膜01中的氧，從而使得H+減少，導(dǎo)致剛開始形成的氮化硅鈍化層02非常疏松，進(jìn)而導(dǎo)致在利用干法刻蝕在所述鈍化層02內(nèi)形成過孔03的過程中，鈍化層02底部的刻蝕速率加快，大于所述鈍化層02中部的刻蝕速率，形成底切，使得在所述鈍化層02表面形成頂層IT004后，頂層IT004與像素ITO薄膜01之間接觸跨斷，導(dǎo)致TFT產(chǎn)品顯示異常或無法顯示，降低TFT產(chǎn)品的良率?；谏鲜鲅芯康幕A(chǔ)上，本發(fā)明實施例提供了一種像素電極上鈍化層的制作方法，該方法包括以下步驟:在第一功率下，利用第一流量的工藝氣體，在像素電極表面形成第一厚度的鈍化層；在第二功率下，利用第二流量的工藝氣體，在所述第一厚度的鈍化層表面形成第二厚度的鈍化層；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示器及其制作方法，其中，所述液晶顯示器的制作方法包括:采用上述制作方法，在像素電極表面依次形成第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層；在所述鈍化層內(nèi)形成過孔，所述過孔完全貫穿所述第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層；在具有過孔的鈍化層表面形成頂層電極。本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案，采用兩步法，即先在較低的第一功率下，利用較低的第一流量的工藝氣體，在所述像素電極表面形成較薄的第一厚度的鈍化層，然后再使用較高的第二功率和較高的第二流量的工藝氣體，即現(xiàn)有技術(shù)中的常用工藝，在所述第一厚度的鈍化層表面形成第二厚度的鈍化層的方法，來完成所述像素電極表面鈍化層的制作。由于第一厚度的鈍化層制作過程中的功率和氣體流量較小，其H+自由基的濃度較低，對像素電極中氧的俘獲能力較弱，從而使得所述第一厚度的鈍化層的制作過程H+的損失減少，制作的鈍化層較為致密，且第一厚度的鈍化層阻斷了后續(xù)第二厚度的鈍化層制作過程中H+自由基與像素電極的接觸，使得第二厚度的鈍化層制作過程中H+不會損失，形成的第二厚度的鈍化層也較為致密，進(jìn)而使得在所述鈍化層內(nèi)形成過孔的過程中，不會出現(xiàn)底切，保證了位于所述鈍化層表面的頂層電極與像素電極之間的良好電接觸，解決了由于頂層ITO與像素ITO薄膜之間接觸跨斷，導(dǎo)致該TFT產(chǎn)品顯示異?；驘o法顯示的問題，提高了 TFT產(chǎn)品的良率。以上是本申請的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。下面結(jié)合圖4-圖6對本發(fā)明實施例所提供的像素電極上鈍化層的制作方法、液晶顯示器及其制作方法進(jìn)行詳細(xì)描述。實施例一:如圖4所示，本發(fā)明實施例所提供的像素電極上鈍化層的制作方法，包括:在第一功率下，利用第一流量的工藝氣體，在像素電極11表面形成第一厚度的鈍化層12 ;在第二功率下，利用第二流量的工藝氣體，在所述第一厚度的鈍化層12表面形成第二厚度的鈍化層13 ;其中,所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述鈍化層為氮化硅層，其制作過程中的工藝氣體包括SiH4和NH3。下面本發(fā)明實施例以所述鈍化層為氮化硅層為例，對本發(fā)明實施例所提供的制作方法進(jìn)行介紹，但本發(fā)明所提供的制作方法并不僅限于此。優(yōu)選的，在本發(fā)明的一個實施例中，相較于傳統(tǒng)TFT產(chǎn)品工藝中像素電極上鈍化層的制作方法，本發(fā)明實施例所提供的制作方法中，所述第一功率約為第二功率的50%，包括50% ;所述第一流量為第二流量的20%-40%，包括端點值；所述第一厚度為第二厚度的10%-15%，包括端點值。更優(yōu)選的，在本發(fā)明的一個具體實施例中，所述第一厚度的范圍為100人-200人，包括端點值。需要說明的是，本發(fā)明實施例所提供的制作方法中，第一厚度的鈍化層12和第二厚度的鈍化層13制作過程中的具體工藝參數(shù)，視具體的沉積設(shè)備而定，本發(fā)明對此并不做限定。由于利用低功率、低流量的工藝氣體制作鈍化層的過程中，H+自由基對像素電極中氧的俘獲能力較弱，因此，本發(fā)明實施例所提供的制作方法采用兩步法，即先使用較低的第一功率和較低第一流量的工藝氣體，在所述像素電極11表面形成較薄的第一厚度的鈍化層12，然后再使用較高的第二功率和較高的第二流量的工藝氣體，即利用現(xiàn)有技術(shù)中的常用工藝，在所述第一厚度的鈍化層12表面形成剩余厚度，即第二厚度的鈍化層13的方法，來完成所述像素電極表面11鈍化層的制作，從而使得所述第一厚度的鈍化層12的制作過程中，H+的損失減少，制作的鈍化層較為致密，且制作完成后的第一厚度的鈍化層12阻斷了后續(xù)第二厚度的鈍化層13制作過程中，H+自由基與像素電極11的接觸，使得第二厚度的鈍化層13制作過程中H+不會損失，形成的第二厚度的鈍化層13也較為致密，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于高濃度的H+自由基俘獲像素ITO薄膜中的氧，導(dǎo)致剛開始形成的底部鈍化層非常疏松，與頂部鈍化層致密性不一致的問題。而且，本發(fā)明實施例所提供的制作方法中，所述鈍化層的整體厚度，即第一厚度與第二厚度之和，與現(xiàn)有技術(shù)中制作的鈍化層的厚度相同，且第一厚度的鈍化層12和第二厚度的鈍化層13可以實現(xiàn)連續(xù)制作，從而不會影響到所述鈍化層的制作時間，進(jìn)而既對后續(xù)制程沒有影響，又不會增加生產(chǎn)成本。本發(fā)明實施例還提供了一種液晶顯示器的制作方法，包括:如圖4所示，采用上述制作方法，在像素電極11表面依次形成第一厚度的鈍化層12和第二厚度的鈍化層13 ；如圖5所示，在所述鈍化層內(nèi)形成過孔14，所述過孔14完全貫穿所述第一厚度的鈍化層12和第二厚度的鈍化層13 ；如圖6所示，在具有過孔14的鈍化層表面形成頂層電極15。此外，本發(fā)明實施例還提供了一種利用上述液晶顯示器的制作方法制作的液晶顯示器。由于本發(fā)明實施例所提供的液晶顯示器的制作方法中，所述第一厚度的鈍化層12和第二厚度的鈍化層13均較為致密，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于高濃度的H+自由基俘獲像素ITO薄膜中的氧，導(dǎo)致剛開始形成的鈍化層非常疏松的問題，從而使得在所述鈍化層內(nèi)形成過孔13的過程中，不會出現(xiàn)底切，保證了位于所述鈍化層表面的頂層電極15與像素電極11之間的良好電接觸，解決了由于頂層ITO與像素ITO薄膜之間接觸跨斷，導(dǎo)致該TFT產(chǎn)品顯示異?；驘o法顯示的問題，提高了 TFT產(chǎn)品的良率。
而且，由于本發(fā)明實施例所提供制作方法里，所述第一厚度的鈍化層12的制作過程中，功率較小，且工藝氣體的流量較小，使得H+自由基對像素電極11的侵蝕作用較小，從而改善了所述頂層電極15與像素電極11之間的接觸界面，進(jìn)而改善了所述頂層電極15與像素電極11之間的接觸電阻。本說明書中各個部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個部分重點說明的都是與其他部分的不同之處，各個部分之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素電極上鈍化層的制作方法，其特征在于，包括: 在第一功率下，利用第一流量的工藝氣體，在像素電極表面形成第一厚度的鈍化層； 在第二功率下，利用第二流量的工藝氣體，在所述第一厚度的鈍化層表面形成第二厚度的鈍化層； 其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，第一功率為第二功率的50%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，第一流量為第二流量的20%-40%，包括端點值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一厚度為第二厚度的10%-15%，包括端點值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一厚度的范圍為丨00A-200A，包括端點值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述鈍化層為氮化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述鈍化層制作過程中的工藝氣體包括SiH4和NH30
8.一種液晶顯示器的制作方法，其特征在于，包括: 采用權(quán)利要求1-7任一項所述的制作方法，在像素電極表面依次形成第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層； 在所述鈍化層內(nèi)形成過孔，所述過孔完全貫穿所述第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層； 在具有過孔的鈍化層表面形成頂層電極。
9.一種采用權(quán)利要求8所述制作方法制作的液晶顯示器。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種像素電極上鈍化層的制作方法、液晶顯示器及其制作方法。所述像素電極上鈍化層的制作方法包括在第一功率下，利用第一流量的工藝氣體，在像素電極表面形成第一厚度的鈍化層；在第二功率下，利用第二流量的工藝氣體，在第一厚度的鈍化層表面形成第二厚度的鈍化層；其中，第一功率小于第二功率；第一流量小于第二流量；第一厚度小于第二厚度，從而使得第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層均較為致密，進(jìn)而使得在鈍化層內(nèi)形成過孔的過程中，不會出現(xiàn)底切，保證了頂層電極與像素電極之間的良好電接觸，解決了由于頂層ITO與像素ITO薄膜之間接觸跨斷，導(dǎo)致該TFT產(chǎn)品顯示異?；驘o法顯示的問題，提高TFT產(chǎn)品的良率。
文檔編號G02F1/136GK103117249SQ201310035128
公開日2013年5月22日 申請日期2013年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月29日
發(fā)明者阮文中, 陳建榮, 任思雨, 于春崎, 胡君文, 何基強 申請人:信利半導(dǎo)體有限公司