本實用新型涉及包含通過高頻信號進行驅(qū)動的光元件的光模塊。

背景技術(shù)：

為了滿足近年來的互聯(lián)網(wǎng)流量的增大，在長距離光通信中開始數(shù)字相干通信的導入，通信的大容量化不斷進展。數(shù)字相干通信的下一目標是中距離的光通信，作為光收發(fā)器件，強烈地要求小型化、低消耗電力化。

作為當前的數(shù)字相干通信用發(fā)送機的調(diào)制器，主要使用LN(鈮酸鋰)調(diào)制器。當前的數(shù)字相干用的收發(fā)模塊的尺寸為5英寸×7英寸，是足以放入LN調(diào)制器的大小。然而，將來，研討向中距離光通信的導入的CFP2規(guī)格的尺寸是當前的大約1/7的80mm×40mm，作為發(fā)送模塊，其一半的80mm×20mm左右成為標準。實際上，由于存在控制基板或光纖的回引，因此發(fā)送模塊的尺寸要求抑制成25mm×20mm左右。因此，向CFP2尺寸的收發(fā)模塊無法裝入以單體計具有幾cm級的尺寸的 LN調(diào)制器。

從這樣的背景出發(fā)，作為發(fā)送模塊使用的調(diào)制器，研討了比LN 調(diào)制器容易小型化的半導體調(diào)制器的使用。例如，開始了采用半導體調(diào)制器作為100Gbit/sec用光組件并將收發(fā)包的尺寸收納于CFP2規(guī)格內(nèi)的嘗試。

【在先技術(shù)文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2005-128440號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

【實用新型要解決的課題】

另一方面，在包含半導體調(diào)制器那樣的由高頻信號進行驅(qū)動的光元件(以下，稱為“高頻光元件”)的光模塊中，終端基板不可或缺。然而，終端基板包括電容器、終端電阻、偏壓電極等電子部件，需要～10mm×5mm左右的大小，因此在CFP2規(guī)格、甚至更小的規(guī)格的發(fā)送模塊中，終端基板可能會成為阻礙發(fā)送模塊的尺寸縮小的主要原因。而且，不僅是上述那樣的發(fā)送模塊，在內(nèi)置高頻光元件的各種光模塊中，在小型化時都存在同樣的課題。

本實用新型的目的是關(guān)于包含高頻光元件的光模塊，提供一種小型化及向內(nèi)置的終端基板的連接容易的光模塊。

【用于解決課題的方案】

根據(jù)本實用新型的一觀點，提供一種光模塊，其特征在于，具有：光元件，以高頻進行驅(qū)動；電路基板，配置在與所述光元件不同的高度；及配線用次基臺，包含用于將所述光元件與所述電路基板電連接的配線，即一端部的連接面的高度與另一端部的連接面的高度不同的所述配線。

【實用新型效果】

根據(jù)本實用新型，使用沿高度方向引出配線的配線用次基臺，將配線引出至與光調(diào)制器的安裝面不同的高度，因此能夠?qū)⒔K端基板等電路基板配置在與光元件不同的高度的空間。由此，能夠提高電路基板的配置的自由度，能夠?qū)崿F(xiàn)光模塊的小型化。

附圖說明

圖1是表示本實用新型的第一實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2是表示本實用新型的第一實施方式的光模塊的光調(diào)制器與終端基板之間的連接的俯視圖。

圖3是表示本實用新型的第一實施方式的光模塊的光調(diào)制器與終端基板之間的連接的概略剖視圖。

圖4(a)和圖4(b)是表示本實用新型的第一實施方式的光模塊使用的配線用次基臺的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖，其中，圖4(a)是沿著圖2的A-A′線剖面的配線用次基臺34的剖視圖，圖4(b)是沿著圖2的B-B′線剖面的配線用次基臺34的剖視圖。

圖5(a)、圖5(b)、圖5(c)、圖5(d)是表示本實用新型的第一實施方式的光模塊使用的配線基板的結(jié)構(gòu)的俯視圖及剖視圖，其中，圖5(a) 是形成有接地配線72G的表面的俯視圖，圖5(b)是形成有信號配線72S 的表面的俯視圖，圖5(c)是圖5(b)的A-A′線剖視圖，圖5(d)是圖5(b) 的C-C′線剖視圖。

圖6是表示本實用新型的第二實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖7是表示本實用新型的第三實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖8是表示本實用新型的第四實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖9是表示本實用新型的第五實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖10是表示本實用新型的第六實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。

圖11是表示本實用新型的第七實施方式的光模塊使用的配線用次基臺的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖(其1)。

圖12是表示本實用新型的第七實施方式的光模塊使用的配線用次基臺的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖(其2)。

圖13是表示本實用新型的第七實施方式的光模塊使用的配線用次基臺的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖(其3)。

圖14是表示本實用新型的第七實施方式的光模塊使用的配線用次基臺的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖(其4)。

具體實施方式

[第一實施方式]

關(guān)于本實用新型的第一實施方式的光模塊，使用圖1至圖5進行說明。

圖1是表示本實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是表示本實施方式的光模塊的光調(diào)制器與終端基板之間的連接的俯視圖。圖3 是表示本實施方式的光模塊的光調(diào)制器與終端基板之間的連接的概略剖視圖。圖4是表示本實施方式的光模塊使用的配線用次基臺 (sub-mount)的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。圖5是表示本實施方式的光模塊使用的配線基板的結(jié)構(gòu)的俯視圖及剖視圖。

如圖1所示，本實施方式的光模塊100在殼體10內(nèi)具有激光光源 12、波長鎖定器14、光調(diào)制器16、偏振合成器18、終端基板40。在圖1中，為了明示激光光源12、波長鎖定器14、光調(diào)制器16及偏振合成器18(以下，有時將它們總括地稱為“光元件”)的光學的連接關(guān)系而利用虛線表示配置在與這些光元件不同的高度的終端基板40及用于將光調(diào)制器16與終端基板40電連接的配線基板38。

激光光源12用于生成作為輸出信號光的源的種子光L1。波長鎖定器14用于監(jiān)控從激光光源12發(fā)出的種子光L1的輸出、波長，且與激光光源12的光輸出部相鄰配置。激光光源12具有射出種子光L1的激光二極管、用于進行激光二極管的溫度調(diào)整的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)(例如，珀耳帖元件等熱電元件(TEC：Thermo-Electric Cooler))。種子光L1的波長由波長鎖定器14監(jiān)控，以使來自激光二極管的輸出光成為所希望的波長的方式，根據(jù)監(jiān)控的種子光L1的波長，通過熱電元件進行溫度調(diào)整。需要說明的是，波長鎖定器14可以具備與激光光源12不同的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)(例如，TEC)，也可以使用波長鎖定器14的熱電元件以使來自激光二極管的輸出光成為所希望的波長的方式進行微調(diào)。

光調(diào)制器16用于對經(jīng)由波長鎖定器14輸入的種子光L1進行調(diào)制而輸出，且與波長鎖定器14的光輸出部相鄰地配置。光調(diào)制器16輸出通過改變種子光L1的光相位而調(diào)制的2個信號光L2a、L2b、及從種子光L1分支的在光接收機中為了解調(diào)而使用的局部激振光(LO 光)L3。例如，在將信號光L2a及信號光L2b的相位分別以4值進行調(diào)制并進行了光偏振復(fù)用的情況下，信號光L2a及信號光L2b合起來表示8值的狀態(tài)。這樣的調(diào)制方式稱為雙偏振正交相移鍵控(DP-QPSK： Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying)調(diào)制。在圖1值，假定光的入射端部和出射端部具有處于同一端面的U字狀的光導波路的光調(diào)制器16，從與種子光L1的入射端面相同的端面射出信號光L2a、信號光L2b及LO光L3。

在此，波長鎖定器14未必非要配置在激光光源12與光調(diào)制器16 之間，例如，在使用激光光源12的后方光的情況下，可以按照波長鎖定器14、激光光源12、光調(diào)制器16的順序配置。

本實施方式的光模塊使用的光調(diào)制器16是半導體調(diào)制器，可以是將半導體光放大器(SOA：Semiconductor Optical Amplifier)集成于單片的結(jié)構(gòu)。光調(diào)制器16為了得到規(guī)定的調(diào)制特性而與激光光源12同樣地具有用于進行半導體調(diào)制器的溫度調(diào)整的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)。經(jīng)由配線基板28向光調(diào)制器16的輸入側(cè)輸入調(diào)制用的高頻信號，在光調(diào)制器 16的終端側(cè)經(jīng)由通過層疊基板形成的配線用次基臺34及配線基板38 來連接終端基板40。

偏振合成器18是用于將從光調(diào)制器16輸出的信號光L2a與信號光L2b合成(偏振合成)而得到信號光L4的結(jié)構(gòu)，與光調(diào)制器16的調(diào)制光輸出部相鄰地配置。在偏振合成器18中，使用1/2波長板使通過光調(diào)制器16調(diào)制及輸出的信號光L2a及信號光L2b中的一方的偏振波發(fā)生偏光，將它們合成而輸出1個信號光L4。

此外，可以從光調(diào)制器16輸出偏振波不同的信號光(例如，作為 TM模式光的信號光L2a和作為TE模式光的信號光L2b)，在偏振合成器18中將這些信號光進行偏振合成。

偏振合成器18的光輸出部與設(shè)于殼體10的信號光輸出端口20進行光學耦合，能夠?qū)⑿盘柟釲4向外部輸出。而且，光調(diào)制器16的LO 光輸出部與設(shè)于殼體10的LO光輸出端口22進行光學耦合，能夠?qū)?LO光L3向外部輸出。

通過將從激光光源12至輸出端口20、22的光路配置成圖1所示的U字狀，能夠?qū)崿F(xiàn)光模塊整體的小型化。

在激光光源12、波長鎖定器14、配線基板28及終端基板40上連接未圖示的控制部及電源。電源根據(jù)各部件的種類而包含高頻電源、直流電源或交流電源，至少一部分可以由蓄電池構(gòu)成?？刂撇堪凑帐褂谜邔刂撇康牟僮骰蛘哳A(yù)先存儲于控制部的程序，控制從電源對各部件的電力供給。

圖2是從圖1所示的本實施方式的光模塊中抽出成為高頻信號的傳播路徑的一部分的構(gòu)成部分的圖。圖3是圖2的A-A′線剖視圖。需要說明的是，高頻信號可以使用作為光調(diào)制器16的調(diào)制信號。

如圖2所示，在光調(diào)制器16設(shè)有未圖示的調(diào)制用高頻配線的一端部即輸入側(cè)電極24和調(diào)制用高頻配線的另一端部即終端側(cè)電極30。終端側(cè)電極30配置在光調(diào)制器16的光輸入輸出端面?zhèn)?在附圖中為左側(cè)) 的端部上，輸入側(cè)電極24配置在與光輸入輸出端面相對的端部上。

光調(diào)制器16的輸入側(cè)電極24經(jīng)由金屬線26而與配線基板28連接。由此，能夠?qū)⒆鳛檎{(diào)制信號的高頻信號經(jīng)由配線基板28向光調(diào)制器16輸入。而且，光調(diào)制器16的終端側(cè)電極30經(jīng)由金屬線32而與配線用次基臺34的配線36的一端部36a連接。配線用次基臺34的配線36的另一端部36b經(jīng)由配線基板38而與終端基板40的電極42連接。由此，光調(diào)制器16的調(diào)制用高頻配線的終端側(cè)電極30與終端基板40電連接。

終端基板40包含電容器、終端電阻、偏壓電極等電子部件。圖2 及圖3僅示出這些電子部件之一的電容器56。終端基板40通過由陶瓷等絕緣性材料構(gòu)成的支柱44來支承。

在此，將光調(diào)制器16與終端基板40連接的配線用次基臺34如圖 3所示，配線36的一端部36a的連接面的高度具有與光調(diào)制器16的終端側(cè)電極30的連接面的高度大致相等的第一高度h₁。而且，配線用次基臺34的配線36的另一端部36b的連接面的高度具有比第一高度h₁高的第二高度h₂。而且，配線用次基臺34的配置有配線36的另一端部36b的部分的厚度比配置有配線36的一端部36a的部分的厚度厚。并且，終端基板40通過支柱44而配置成其電極42的表面高度與第二高度h₂大致相等。配線用次基臺34在功能上來說也可以稱為將與光調(diào)制器16的終端側(cè)電極30連接的配線沿高度方向引出的引出配線。

圖4是表示配線用次基臺34的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。圖4(a)是沿著圖2的A-A′線剖面的配線用次基臺34的剖視圖，圖4(b)是沿著圖2的B-B′線剖面的配線用次基臺34的剖視圖。

例如圖4(a)及圖4(b)所示，配線用次基臺34內(nèi)的配線36以將一端部36a與另一端部36b連接的方式從第一高度h₁至第二高度h₂形成。配線用次基臺34內(nèi)的配線36的布局可以根據(jù)終端側(cè)電極30的配置等而適當決定。例如在圖4的例子中，將信號配線36S與接地配線36G 交替地平行配置。也可以將2根信號配線36S與1根接地配線36G交替地平行配置。

需要說明的是，在本說明書中，具有一端部的連接面與另一端部的連接面具有互不相同的規(guī)定的高度的配線且設(shè)有配線的一端部的部分的厚度與設(shè)有配線的另一端部的部分的厚度不同的配線基板稱為“配線用次基臺”。在一實施方式中，配線用次基臺34例如圖4(a)所示，配線36的一端部36a的連接面與另一端部36b的連接面向配線用次基臺34的相同面?zhèn)?在圖4中為上側(cè))露出。

通過使用這樣的配線用次基臺34，在狹窄的基底面積內(nèi)，能夠使配線36的一端部36a的連接面的高度和另一端部36b的連接面的高度較大地變化。因此，使用配線用次基臺34將光調(diào)制器16與終端基板 40連接，由此能夠?qū)⒔K端基板40配置成與光元件的安裝面(殼體10的底面)不同的高度。由此，相比較于將終端基板40布局在與光元件相同的安裝面上的情況，能夠提高終端基板40的配置的自由度。而且，通過將終端基板40配置成與光元件重疊，能夠抑制終端基板40的尺寸對光模塊整體的尺寸造成的影響，光模塊的小型化變得容易。從這些觀點出發(fā)，第二高度h₂優(yōu)選比光元件的高度高。

在光調(diào)制器16與終端基板40的連接中，也可以考慮取代配線用次基臺34而使用柔性配線基板。然而，在高頻信號的傳播用中使用的配線的膜厚較厚，而且，將光調(diào)制器16與終端基板40連接的配線數(shù)多，因此即便在光調(diào)制器16與終端基板40的連接中使用柔性配線基板，也難以使其自由地彎曲。因此，柔性配線基板難以增大彎曲率而安裝于狹窄的空間，不適合使用于小型化的目的。

使配線用次基臺34的配線36的一端部36a的表面高度與光調(diào)制器16的終端側(cè)電極30的表面高度為大致相等的第一高度h₁的話，具有能夠使基于引線接合的一端部36a與終端側(cè)電極30的連接容易等的優(yōu)點。但是，配線36的一端部36a的表面高度和終端側(cè)電極30的表面高度未必非要相同，也可以為不同的高度。配線36的一端部36a的表面高度和終端側(cè)電極30的表面高度可以考慮金屬線32的連接的容易性或高頻傳播特性等而適當設(shè)定。

另外，通過將配線用次基臺34的配線36的另一端部36b的表面高度和終端基板40的電極42的表面高度設(shè)為大致相等的第二高度h₂，而這些電極間的連接變得容易，而且，這些電極間的連接可以使用平坦的配線基板。需要說明的是，在此所謂大致相等的高度包含容許基于配線基板的配線36的另一端部36b與終端基板40的電極42的連接的公差。而且，在此所說的平坦的配線基板是在平坦面上形成有高頻配線的配線基板。

配線用次基臺34與終端基板40之間的電連接所使用的配線基板沒有特別限定，但是可以適用例如圖5所示的配線基板38。圖5所示的配線基板38通過包含形成在平坦的基板70的一方的表面上的接地配線72G和形成在另一方的表面上的信號配線72S的微帶線構(gòu)成高頻配線。圖5(a)是形成有接地配線72G的表面的俯視圖，圖5(b)是形成有信號配線72S的表面的俯視圖。圖5(b)所示的表面成為與配線用次基臺34及終端基板40連接的面。而且，圖5(c)相當于圖5(b)的A-A′線剖視圖，圖5(d)相當于圖5(b)的C-C′線剖面。

在配線基板38的與配線用次基臺34連接的連接部及與終端基板 40連接的連接部上分別設(shè)有根據(jù)配線用次基臺34的配線36及終端基板40的電極42的布局而排列的規(guī)定的連接用電極74。在此，作為一例，示出交替地配置有與接地配線36G連接的連接用電極74G和與信號配線36S連接的連接用電極74S的例子作為與圖4所示的配線用次基臺34連接的配線基板38。連接用電極74G、74S如圖5(b)、(c)、(d) 所示設(shè)置在基板70的形成有信號配線72S的表面上。連接用電極74S 與信號配線72S的兩端部連接而分別設(shè)置。如圖5(d)所示，連接用電極74G經(jīng)由形成在基板70內(nèi)的通孔76而與設(shè)置在相對的表面上的接地配線72G連接。需要說明的是，在圖5中示出在形成有信號配線72S 的表面上未形成接地配線的例子，但是也可以在該表面上交替地設(shè)置信號配線和接地配線。

使用圖5所示那樣的通過微帶線構(gòu)成高頻配線的配線基板38時，接地被強化而在高頻特性上有利。尤其是接地配線72G的距配線基板 38的配線方向的端部的距離配置成等于或大于連接用電極74G、74S 的距配線基板38的端部的距離時(參照圖5(b))，能抑制信號的反射，因此優(yōu)選。需要說明的是，配線方向的端部是位于信號配線72S的延長線上的配線基板38的端部。俯視觀察的連接用電極74G、74S與接地配線72G的重疊越小，則抑制信號的反射的效果越大。而且，由此，接地配線72G與形成在配線用次基臺34及終端基板40上的配線的俯視觀察的重疊減小，成為能夠進一步抑制信號的反射的結(jié)構(gòu)。

配線用次基臺34與配線基板38未必非要為不同的構(gòu)件，可以是例如通過建起工藝連續(xù)制造的一體結(jié)構(gòu)的層疊基板。同樣，可以將配線基板38及終端基板40形成為一體結(jié)構(gòu)的層疊基板，也可以將配線用次基臺34、配線基板38及終端基板40形成為一體結(jié)構(gòu)的層疊基板。形成為一體結(jié)構(gòu)具有抑制這些構(gòu)件間的連接部的信號的反射的效果。

需要說明的是，從將終端基板40配置在與光元件不同的高度這樣的觀點出發(fā)，也可考慮在比光元件靠下層處設(shè)置終端基板40的情況。在光元件的下層具有能夠收容終端基板40的空間的情況下，可以采用這樣的配置。但是，光元件用的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)例如圖3所示的光調(diào)制器16用的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)46那樣設(shè)置在殼體與光元件之間且具有沿殼體方向使熱量逃散的結(jié)構(gòu)的情況下，若在比終端基板40靠下層側(cè)處設(shè)置光元件，則能夠進一步小型化，因此優(yōu)選。

這樣，根據(jù)本實施方式，使用沿高度方向引出配線的配線用次基臺，將配線引出至與光調(diào)制器的安裝面不同的高度，因此能夠?qū)⒔K端基板配置在與光元件不同的高度的空間。由此，能夠提高終端基板的配置的自由度，能夠?qū)崿F(xiàn)光模塊的小型化。而且，向相對于配線用次基臺的其他的部件的連接能夠以大致相等的高度進行，因此能夠容易進行各部件的電連接。

[第二實施方式]

關(guān)于本實用新型的第二實施方式的光模塊，使用圖6進行說明。對于與圖1至圖5所示的第一實施方式的光模塊相同的構(gòu)成要素標注相同符號而省略或簡化說明。

圖6是表示本實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

在第一實施方式的光模塊中，以使光調(diào)制器16的設(shè)有終端側(cè)電極 30一側(cè)的側(cè)面與終端基板40的設(shè)有電極42的一側(cè)的側(cè)面相對的方式配置光調(diào)制器16和終端基板40，并將它們通過配線用次基臺34及配線基板38連接，但是光調(diào)制器16與終端基板40的位置關(guān)系沒有限定于此。

在本實施方式的光模塊中，如圖6所示，以使光調(diào)制器16的設(shè)有終端側(cè)電極30的一側(cè)的側(cè)面與終端基板40的設(shè)有電極42的一側(cè)的側(cè)面成為90度的角度的方式配置終端基板40。即使在這樣配置光調(diào)制器 16和終端基板40的情況下，經(jīng)由配線用次基臺34及配線基板38也能夠?qū)⒐庹{(diào)制器16的終端側(cè)電極30與終端基板40的電極42電連接。將配線用次基臺34與電極42連接的配線基板38的高頻配線考慮高頻特性(避免反射，避免信號的定時錯開等)而適當配置。

[第三實施方式]

關(guān)于本實用新型的第三實施方式的光模塊，使用圖7進行說明。對于與圖1至圖6所示的第一及第二實施方式的光模塊相同的構(gòu)成要素，標注同一符號而省略或簡化說明。

圖7是表示本實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

本實施方式的光模塊與第二實施方式的光模塊的情況同樣，將光調(diào)制器16和終端基板40配置成與第一實施方式的光模塊不同的位置關(guān)系。

即，在本實施方式的光模塊中，如圖7所示，以使光調(diào)制器16的設(shè)有終端側(cè)電極30的一側(cè)的側(cè)面與終端基板40的設(shè)有電極42的一側(cè)的側(cè)面朝向相同方向的方式配置終端基板40。作為一例，如圖7所示，通過在光調(diào)制器16上配置終端基板40，能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的位置關(guān)系。即使將光調(diào)制器16和終端基板40這樣配置的情況下，經(jīng)由配線用次基臺34及配線基板38也能夠?qū)⒐庹{(diào)制器16的終端側(cè)電極30與終端基板40的電極42電連接。將配線用次基臺34與電極42連接的配線基板38的高頻配線考慮高頻特性(避免反射，避免信號的定時錯開等)而適當配置。

需要說明的是，從提高光調(diào)制器16的溫度控制性的觀點出發(fā)，與將包含發(fā)熱的電阻元件的終端基板40配置在光調(diào)制器16上的本實施方式的結(jié)構(gòu)相比，優(yōu)選如第一實施方式及第二實施方式那樣從光調(diào)制器16分離地配置終端基板40的結(jié)構(gòu)。

[第四實施方式]

關(guān)于本實用新型的第四實施方式的光模塊，使用圖8進行說明。對于與圖1至圖7所示的第一至第三實施方式的光模塊相同的構(gòu)成要素，標注相同的符號而省略或簡化說明。

圖8是表示本實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

在第一至第三實施方式的光模塊中，設(shè)有1個終端基板40，但是終端基板40未必非要為1個。即，可以將終端基板40分割成2個或3 個以上地配置。

在本實施方式的光模塊中，如圖8所示，設(shè)置2個終端基板40A、 40B，并將它們經(jīng)由配線基板38及配線用次基臺34而與光調(diào)制器16 電連接。配線用次基臺34與終端基板40A、40B的連接使用配線基板 38，該配線基板38具有將配線36的一部分與終端基板40A的電極42A 連接的高頻配線、將配線36的另一部分與終端基板40B的電極42B連接的高頻配線。通過將終端基板40分割成多個塊，能夠進一步提高終端基板40的配置的自由度。

終端基板40A、40B的配置沒有限定為圖8所示的結(jié)構(gòu)，根據(jù)其他的構(gòu)成部件的配置等能夠適當選擇。而且，終端基板40A、40B可以通過不同的配線用次基臺34及/或不同的配線基板38連接。而且，可以將終端基板40分割成3個以上的塊。將配線用次基臺34與電極42A、 42B連接的配線基板38的高頻配線考慮高頻特性(避免反射，避免信號的定時錯開等)而適當配置。

[第五實施方式]

關(guān)于本實用新型的第五實施方式的光模塊，使用圖9進行說明。對于與圖1至圖8所示的第一至第四實施方式的光模塊相同的構(gòu)成要素，標注同一符號而省略或簡化說明。

圖9是表示本實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

本實施方式的光模塊除了光元件的配置即從激光光源12至輸出端口20、22的光路不同之外，與第一至第四實施方式的光模塊相同。

在本實施方式的光模塊中，與第一實施方式的情況同樣，將激光光源12、波長鎖定器14、光調(diào)制器16及偏振合成器18以使通過它們形成的光路描繪U字狀的方式配置。但是，在本實施方式的光模塊中，種子光L1在光調(diào)制器16內(nèi)分支時，使成為信號光L2a、L2b的種子光 L1和成為LO光L3的種子光L1在光調(diào)制器16內(nèi)向不同的方向彎曲。即，成為信號光L2a、L2b的種子光L1在光調(diào)制器16內(nèi)，以在附圖中逆時針地描繪U字狀的方式在光導波路中傳播，在此期間調(diào)制成信號光L2a、L2b。而且，成為LO光L3的種子光L1在光調(diào)制器16內(nèi)，以在附圖中順時針地描繪U字狀的方式在光導波路中傳播，作為LO光 L3而輸出。

將從激光光源12至輸出端口20的光路與從激光光源12至輸出端口22的光路以描繪圖9所示那樣的不同U字狀的方式配置，由此也與第一實施方式的情況同樣地能夠?qū)崿F(xiàn)光模塊整體的小型化。

[第六實施方式]

關(guān)于本實用新型的第六實施方式的光模塊，使用圖10進行說明。對于與圖1至圖9所示的第一至第五實施方式的光模塊相同的構(gòu)成要素，標注相同的符號而省略或簡化說明。

圖10是表示本實施方式的光模塊的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。

在第一至第五實施方式的光模塊中，將配線用次基臺34與終端基板40經(jīng)由配線基板38進行電連接，但是配線用次基臺34與終端基板 40未必非要通過配線基板38進行電連接。

在本實施方式的光模塊中，如圖10所示，將配線用次基臺34與終端基板40通過金屬線48進行電連接。在如圖10那樣將配線用次基臺34與終端基板40接近配置等情況下，不用大幅降低高頻傳播特性，通過引線接合等簡便的手法能夠?qū)⑴渚€用次基臺34與終端基板40電連接。

[第七實施方式]

關(guān)于本實用新型的第七實施方式的光模塊，使用圖11至圖14進行說明。對于與圖1至圖10所示的第一至第六實施方式的光模塊相同的構(gòu)成要素，標注相同的符號而省略或簡化說明。

圖11至圖14是表示本實施方式的光模塊的配線用次基臺的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。

第一至第六實施方式的光模塊所使用的配線用次基臺34未必非要限定為圖4所示的結(jié)構(gòu)。作為配線用次基臺34的其他的例子，可列舉例如圖11至圖14所示的結(jié)構(gòu)。

圖11所示的配線用次基臺34在配線用次基臺34內(nèi)的配線36的彎曲部50形成具有圓角的曲面。使配線36的彎曲部50具有圓角而平緩，由此能夠抑制彎曲部50的高頻信號的反射。

圖12所示的配線用次基臺34通過交替地層疊有焊盤部52和通孔部54的層疊基板來形成配線36。也可想到由于配線用次基臺34的高度而難以一下子挖通陶瓷的基體的情況。通過交替地層疊焊盤部52和通孔部54而形成配線36，具有高度的配線用次基臺34也能夠容易地制造。需要說明的是，圖12的焊盤部52與通孔部54的層疊數(shù)是一例，根據(jù)配線用次基臺34所需的高度可以適當增減。

圖13所示的配線用次基臺34是具有第一基板60和第二基板64 的層疊基板，該第一基板60埋入有沿著與光元件的安裝面平行的方向延伸的第一配線部62，該第二基板64埋入有沿著與光元件的安裝面交叉的方向延伸的第二配線部66。在第一基板60上以連接第一配線部 62和第二配線部66的方式接合第二基板64，由此能夠制造配線用次基臺34。

圖14所示的配線用次基臺34在具有高度不同的2個上表面82、 84的基板80的表面上以從上表面82至上表面84的方式形成有配線 36。在從上表面82朝向上表面84垂直地上升的部分的基板80的角部、從上表面84朝向上表面82垂直地下降的部分的基板80的角部可以與圖11同樣地設(shè)置彎曲部。

[變形實施方式]

本實用新型并不局限于上述實施方式，能夠進行各種變形。

例如，在上述實施方式中，作為包含高頻光元件的光模塊的一例，說明了能夠利用于數(shù)字相干通信用的光收發(fā)模塊的發(fā)送模塊，但是包含高頻光元件的光模塊沒有限定于此。能夠廣泛地適用于包含高頻光元件的全部光模塊。例如，作為包含高頻光元件的其他的光模塊，可列舉由激光光源和光調(diào)制器構(gòu)成的光模塊。

另外，在上述實施方式中，將激光光源和光調(diào)制器設(shè)為不同的部件，但也可以使用一體形成有激光光源和光調(diào)制器的光半導體元件。

另外，在上述實施方式中，說明了在與光元件的安裝面不同的高度配置有終端基板40的光模塊，但是配置在與光元件的安裝面不同的高度的基板沒有限定為終端基板40。例如，可以將終端基板以外的電路基板例如包含光元件驅(qū)動用的驅(qū)動電路的控制基板配置在與光元件的安裝面不同的高度?？梢詫K端基板40的多個種類的電路基板配置在與光元件的安裝面不同的高度。即使在這種情況下，配置于不同高度的基板間的連接也可以使用與配線用次基臺34同樣的配線用次基臺。

【標號說明】

10…殼體

12…激光光源

14…波長鎖定器

16…光調(diào)制器

18…偏振合成器

34…配線用次基臺

36…配線

36a…配線的一端部

36b…配線的另一端部

38…配線基板

40…終端基板