本申請(qǐng)要求于2016年1月6日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10‐2016‐0001635號(hào)的優(yōu)先權(quán)及其衍生的所有權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。

本公開(kāi)涉及液晶顯示(“l(fā)cd”)設(shè)備。

背景技術(shù)：

由于液晶顯示設(shè)備的很多期望特征，例如，諸如低操作電壓、低功耗、便攜性等等，液晶顯示(“l(fā)cd”)設(shè)備已廣泛用于各種設(shè)備(諸如筆記本電腦、監(jiān)控器、飛機(jī)和宇宙飛船)中作為其顯示器。

通常，lcd設(shè)備包括：陣列基板，通過(guò)控制液晶分子的透射率顯示圖像；相對(duì)基板，面向陣列基板；以及光組件，為陣列基板和相對(duì)基板提供光。lcd設(shè)備通常包括像素，像素可以渲染不同的顏色，并且可以使用通過(guò)像素渲染的顏色的組合顯示任意顏色。像素可以顯示紅(r)色、綠(g)色以及藍(lán)(b)色，并且可以使用r、g、b顏色的組合顯示各種顏色。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在液晶顯示器(“l(fā)cd”)中，像素電極分別設(shè)置在像素中，并且lcd設(shè)備的顯示質(zhì)量可以取決于像素電極的結(jié)構(gòu)。因此，期望一種能夠改善lcd設(shè)備的顯示質(zhì)量的像素電極結(jié)構(gòu)。

本公開(kāi)的示例性實(shí)施方式提供一種lcd設(shè)備，具有能夠改善顯示質(zhì)量的像素電極結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施方式，一種lcd設(shè)備包括：第一基板；第二基板，被布置為與第一基板相對(duì)；液晶層，介于第一基板與第二基板之間；第一電極，布置在第一基板上并且具有平面形狀；以及第二電極，布置在第一基板上并且包括多個(gè)像素電極，像素電極與第一電極重疊。在這樣的實(shí)施方式中，像素電極中的每一個(gè)包括布置為彼此平行的多個(gè)微分支，以及連接微分支的連接分支。在這樣的實(shí)施方式中，微分支分為在其一側(cè)限定的邊緣區(qū)域，以及由微分支的剩余區(qū)域限定的主要區(qū)域，連接分支交替地布置在邊緣區(qū)域的外側(cè)和主要區(qū)域的外側(cè)上，并且由邊緣區(qū)域中的微分支相對(duì)于第一方向形成的第一角度大于由主要區(qū)域中的微分支相對(duì)于第一方向形成的第二角度。

根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施方式，一種lcd設(shè)備包括：第一基板；第二基板，被布置為與第一基板相對(duì)；液晶層，介于第一基板與第二基板之間；第一電極，布置在第一基板上并且具有平面形狀；以及第二電極，布置在第一基板上并且包括多個(gè)像素電極，像素電極與第一電極重疊。在這樣的實(shí)施方式中，像素電極中的每一個(gè)分為第一域區(qū)和第二域區(qū)，第一域區(qū)和第二域區(qū)關(guān)于沿第一方向延伸的假想線對(duì)稱。在這樣的實(shí)施方式中，像素電極中的每一個(gè)包括：多個(gè)第一微分支，在第一域區(qū)中并布置為彼此平行；第一連接分支，在第一域區(qū)中并且連接第一微分支；多個(gè)第二微分支，在第二域區(qū)中并布置為彼此平行；以及第二連接分支，在第二域區(qū)中并連接第二微分支。在這樣的實(shí)施方式中，第一微分支和第二微分支中的每一個(gè)分為在其一側(cè)上限定的邊緣區(qū)域，以及由其剩余區(qū)域限定的主要區(qū)域，并且第一連接分支交替地布置在第一域區(qū)的邊緣區(qū)域的外側(cè)和第一域區(qū)的主要區(qū)域的外側(cè)上，第二連接分支交替地布置在第二域區(qū)的邊緣區(qū)域的外側(cè)和第二域區(qū)的主要區(qū)域的外側(cè)上。在這樣的實(shí)施方式中，由第一域區(qū)的邊緣區(qū)域中的第一微分支相對(duì)于第一方向形成的第一角度大于由第一域區(qū)的主要區(qū)域中的第一微分支相對(duì)于第一方向形成的第二角度，由第二域區(qū)的邊緣區(qū)域中的第二微分支相對(duì)于第一方向形成的第三角度與第一角度相對(duì)于第一方向?qū)ΨQ，以及由第二域區(qū)的主要區(qū)域中的第二微分支相對(duì)于第一方向形成的第四角度與第二角度相對(duì)于第一方向?qū)ΨQ。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，一種lcd設(shè)備具有能夠改善顯示質(zhì)量的像素電極結(jié)構(gòu)。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，本公開(kāi)的上述特征以及其他特征將變得更為顯而易見(jiàn)，其中：

圖1是根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施方式的液晶顯示(“l(fā)cd”)設(shè)備的像素的平面圖；

圖2是沿著圖1的線i‐i'截取的截面圖；

圖3是根據(jù)本公開(kāi)的替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素的平面圖；

圖4是根據(jù)本公開(kāi)的另一替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素的平面圖；

圖5是圖4的像素電極的平面圖；

圖6是根據(jù)本公開(kāi)的另一替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素的平面圖；

圖7是根據(jù)本公開(kāi)的另一替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素的平面圖；

圖8是根據(jù)本公開(kāi)的另一替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的一些像素的平面圖；

圖9是沿著圖8的線ii‐ii'截取的截面圖；

圖10是根據(jù)本公開(kāi)的另一替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的一些像素的平面圖；以及

圖11是沿著圖10的線iii‐iii'截取的截面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖在下文中更加全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以以不同的形式體現(xiàn)并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于本文所闡述的實(shí)施方式。而是，提供這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)將詳盡和完整，并且將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。貫穿說(shuō)明書(shū)，相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同的部件。在附圖中，為清晰起見(jiàn)，將層和區(qū)域的厚度放大。

應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然在本文中可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述各種元件，但這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開(kāi)。因此，在不偏離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下文所討論的第一元件可以被稱為第二元件。

在本文中所使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述具體實(shí)施方式的目的，而并非旨在限制。除非上下文中另外明確地指明，如在本文中所使用的單數(shù)形式“一(a)”、“一個(gè)(an)”和“該(the)”旨在還包括復(fù)數(shù)形式，?！盎蛘摺笔侵浮昂?或”。如在本文中所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列舉項(xiàng)的任意和所有組合。將進(jìn)一步理解，當(dāng)用于本說(shuō)明書(shū)中時(shí)，術(shù)語(yǔ)“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”、或“含有(includes)”和/或“含(including)”，指定所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或者附加。

本文中可使用諸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...上方”、“上部”等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)以用于描述的目的，以描述如在圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一元件(多個(gè)元件)或特征(多個(gè)特征)的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相關(guān)術(shù)語(yǔ)旨在包括除圖中所描述的定向之外的使用中或者操作中的設(shè)備的不同的定向。例如，如果將圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其他元件或者特征的“下方”或者“之下”的元件將被定位為“在”其他元件或者特征的“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下方”可包括在上方和在下方兩個(gè)定向。設(shè)備可以被另行定向(旋轉(zhuǎn)90度或者位于其他定向)，并且相應(yīng)地解釋本文中使用的空間相對(duì)描述符。

考慮到所討論的測(cè)量以及與具體量的測(cè)量相關(guān)的誤差(即，測(cè)量系統(tǒng)的限制)，如本文使用的“大約”或“近似”包括在由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員確定的具體值的偏差的可接受范圍內(nèi)的所述值和平均值。例如，“大約”可以指在一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差之內(nèi)或者在所述值的±30％、20％、10％、5％之內(nèi)。

在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。

圖1是根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施方式的液晶顯示(“l(fā)cd”)設(shè)備的像素的平面圖，以及圖2是沿著圖1的線i‐i'截取的截面圖。

參照?qǐng)D1和圖2，lcd設(shè)備的示例性實(shí)施方式包括陣列基板as、相對(duì)基板oas以及液晶層lcl。

陣列基板as是薄膜晶體管(“tft”)陣列基板，用于驅(qū)動(dòng)液晶層lcl中的液晶分子lc的tfttr布置在薄膜晶體管陣列基板上，并且相對(duì)基板oas可以是面向陣列基板as的基板。

在下文中將會(huì)更詳細(xì)地描述陣列基板as。

在示例性實(shí)施方式中，如圖2中所示出的，陣列基板as包括第一基底基板sub1。第一基底基板sub1可以是透明絕緣基板。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，第一基底基板sub1可以是玻璃基板、石英基板或透明樹(shù)脂基板。第一基底基板sub1可以包括具有高耐熱性的聚合物或塑料材料。第一基底基板sub1可以是平板的形狀，但不限于此。可替換地，第一基底基板sub1可以在特定方向上彎曲。第一基底基板sub1可以是在平面圖中具有四個(gè)邊的矩形形狀，但不限于此?？商鎿Q地，第一基底基板sub1可以是多邊形或圓形形狀或者可具有一些曲邊。

在示例性實(shí)施方式中，第一基底基板sub1可以是柔性基板。在這樣的實(shí)施方式中，第一基底基板sub1可通過(guò)卷起、折疊或彎曲變形。

柵極線gl和柵電極ge布置在第一基底基板sub1上。

柵電極ge可以包括鋁(al)基金屬(諸如al或al合金)、銀(ag)基金屬(諸如ag或ag合金)、銅(cu)基金屬(諸如cu或cu合金)、鉬(mo)基金屬(諸如mo或mo合金)、鉻(cr)、鉭(ta)或鈦(ti)。柵極線gl和柵電極ge中的每一個(gè)可具有單層結(jié)構(gòu)或者可具有包括物理性能彼此不同的兩個(gè)導(dǎo)電膜的多層結(jié)構(gòu)。在示例性實(shí)施方式中，其中柵極線gl和柵電極ge中的每一個(gè)具有包括兩個(gè)導(dǎo)電膜的多層結(jié)構(gòu)，兩個(gè)導(dǎo)電膜中的一個(gè)可包括低電阻金屬或可由低電阻金屬形成，例如al基金屬、ag基金屬、或cu基金屬，以減少柵極線gl和柵電極ge中的信號(hào)延遲或電壓降，并且兩個(gè)導(dǎo)電膜中的另一個(gè)可包括或可由相對(duì)于氧化銦錫(“ito”)和氧化銦鋅(“izo”)具有高接觸性能的材料(諸如mo基金屬、cr、ti或ta)形成。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，柵極線gl和柵電極ge中的每一個(gè)的多層結(jié)構(gòu)包括cr下膜和al上膜的組合以及al下膜和mo上膜的組合，但本公開(kāi)不限于此?？商鎿Q地，除了在本文中闡述的那些以外，可以使用各種金屬和導(dǎo)體形成柵極線gl和柵電極ge。

柵極線gl可以傳輸柵極信號(hào)并且可以在第一方向d1上延伸。柵電極ge可以從柵極線gl突出。

第一方向d1可以對(duì)應(yīng)于在其上布置第一基底基板sub1的平面上的從左到右的方向，但本公開(kāi)不限于此。即第一方向d1可以是在布置有第一基底基板sub1的平面上沿任意方向延伸的直線表示的方向。

柵極絕緣層gi布置在柵極線gl和柵電極ge上。柵極絕緣層gi可以包括絕緣材料或由絕緣材料形成。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，柵極絕緣層gi可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或高介電常數(shù)材料或由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或高介電常數(shù)材料形成。柵極絕緣層gi可具有單層結(jié)構(gòu)或可具有包括物理性能彼此不同的兩個(gè)絕緣膜的多層結(jié)構(gòu)。

半導(dǎo)體層sm布置在柵極絕緣層gi上。半導(dǎo)體層sm可以布置為至少部分與柵電極ge重疊。半導(dǎo)體層sm可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半導(dǎo)體。

盡管未具體示出，歐姆接觸構(gòu)件可以進(jìn)一步布置在半導(dǎo)體層sm上。歐姆接觸構(gòu)件可以包括摻雜有高濃度的n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅或者硅化物或由摻雜有高濃度的n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅或者硅化物形成。歐姆接觸構(gòu)件可以布置在半導(dǎo)體層sm上，與另一歐姆接觸構(gòu)件配對(duì)。在示例性實(shí)施方式中，其中半導(dǎo)體層sm包括氧化物半導(dǎo)體或由氧化物半導(dǎo)體形成，可以不設(shè)置歐姆接觸構(gòu)件。

數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de布置在半導(dǎo)體層sm和柵極絕緣層gi上。

數(shù)據(jù)線dl可以傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并且可以沿第二方向d2延伸以與柵極線gl交叉。

第二方向d2可以是由相對(duì)于沿第一方向d1延伸的任意線以預(yù)定角度延伸的任意直線表示的方向。即第二方向d2可以是由與沿第一方向d1延伸的任意直線不平行延伸的任意直線表示的方向。在以下的描述中，如圖1所示，假定第二方向d2是由與沿第一方向d1延伸的任意直線交叉的任意直線表示的方向，即由在布置有第一基底基板sub1的平面上從頂部延伸到底部的任意直線表示的方向。

源電極se可以從數(shù)據(jù)線dl分支并突出，并且漏電極de可以與源電極se隔開(kāi)。源電極se和漏電極de可以與半導(dǎo)體層sm部分重疊或接觸，或者可彼此面對(duì)，其間布置半導(dǎo)體層sm。源電極se和漏電極de中的至少一個(gè)可以布置為與柵電極ge至少部分重疊，但本公開(kāi)不限于此。

數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de可以包括al、cu、ag、mo、cr、ti、ta或其合金或由al、cu、ag、mo、cr、ti、ta或其合金形成。數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de中的每一個(gè)可具有包括下膜和低電阻上膜的多層結(jié)構(gòu)，其中下膜包括難熔金屬或由難熔金屬形成，低電阻上膜包括下膜或形成在下膜上，但本公開(kāi)不限于此。

柵電極ge、源電極se和漏電極de可以與半導(dǎo)體層sm一起共同限定tfttr，并且tfttr的溝道可以形成在源電極se與漏電極de之間的半導(dǎo)體層sm中。tfttr可以電連接至柵極線gl和數(shù)據(jù)線dl。

鈍化層pa布置在柵極絕緣層gi和tfttr上。鈍化層pa可以包括無(wú)機(jī)絕緣材料或由無(wú)機(jī)絕緣材料形成，并且可以覆蓋tfttr。

保護(hù)層il布置在鈍化層pa上。保護(hù)層il可以使鈍化層pa的頂部平坦化。保護(hù)層il可以包括有機(jī)材料或由有機(jī)材料形成。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，保護(hù)層il可以包括感光有機(jī)組合物或由感光有機(jī)組合物形成。

通過(guò)保護(hù)層il和鈍化層pa限定或形成暴露tfttr的部分(具體地，漏電極de的部分)的接觸孔cnt。

共用電極ce布置在保護(hù)層il上。共用電極ce可以平面形狀布置在除了限定接觸孔cnt的區(qū)域以及限定接觸孔cnt的區(qū)域的周?chē)酝獾恼麄€(gè)保護(hù)層il上。共用電極ce可以包括透明導(dǎo)電材料或由透明導(dǎo)電材料形成，透明導(dǎo)電材料諸如ito、izo、氧化鋅銦錫(“itzo”)或摻雜鋁的氧化鋅(“azo”)。

共用電極ce可以設(shè)置有共用電壓并且因此可與像素電極pe一起產(chǎn)生電場(chǎng)，這在下文中將詳細(xì)地描述。

像素絕緣層pi布置在共用電極ce上。像素絕緣層pi可以包括無(wú)機(jī)絕緣材料或由無(wú)機(jī)絕緣材料形成。像素絕緣層pi可以使共用電極ce和像素電極pe彼此絕緣，其中共用電極ce布置在像素絕緣層pi下方，像素電極pe布置在像素絕緣層pi上。因此，電場(chǎng)可以形成在共用電極ce與像素電極pe之間。像素電極pe布置在像素絕緣層pi上。像素電極pe的部分可以經(jīng)由接觸孔cnt物理連接至漏電極de，并且因此可以接收來(lái)自漏電極de的電壓。像素電極pe可以包括透明導(dǎo)電材料(諸如ito、izo、itzo、或azo)或由透明導(dǎo)電材料(諸如ito、izo、itzo、或azo)形成。

像素電極pe可以包括多個(gè)微分支mb和多個(gè)連接分支cb。微分支mb基本上沿第一方向d1或與第一方向d1相似的方向延伸。與第一方向d1相似的方向可以是與第一方向具有小于±45°的交叉角度的方向。

微分支mb可以彼此隔開(kāi)預(yù)定距離并且可以彼此平行布置。其中不設(shè)置透明導(dǎo)電材料的狹縫sl限定在微分支mb之間。因此，微分支mb、狹縫sl以及布置在微分支mb和狹縫sl的下方的共用電極ce可以相互作用以產(chǎn)生電場(chǎng)，并且可由電場(chǎng)控制液晶分子lc。

連接分支cb可以基本沿第二方向d2延伸并且可以使微分支mb彼此電連接并物理連接。因此，當(dāng)電壓提供至微分支mb和連接分支cb中的一個(gè)時(shí)，電壓可以傳輸?shù)剿械奈⒎种b和所有的連接分支cb。

在示例性實(shí)施方式中，如在圖1中示出的，微分支mb可以布置在邊緣區(qū)域ea和主要區(qū)域ma中。邊緣區(qū)域ea和主要區(qū)域ma由沿著第二方向d2跨布置有微分支mb的區(qū)域延伸的假想線劃分，并且邊緣區(qū)域ea在第一方向d1上的寬度可以小于主要區(qū)域ma在第一方向d1上的寬度。在示例性實(shí)施方式中，在邊緣區(qū)域ea中由微分支mb與第一方向d1形成的第一角度θ1可以大于在主要區(qū)域ma中由微分支mb與第一方向d1形成的第二角度θ2。

在這樣的實(shí)施方式中，其中第一角度θ1可以大于第二角度θ2，可以進(jìn)一步改善對(duì)邊緣區(qū)域ea的外側(cè)上的液晶分子lc的控制。因此，可以有效防止邊緣區(qū)域ea中的液晶分子lc取向錯(cuò)位并且可以改善lcd設(shè)備的響應(yīng)速度。然而，由于邊緣區(qū)域ea的透射率可能低于主要區(qū)域ma的透射率，邊緣區(qū)域ea可以布置在主要區(qū)域ma的一側(cè)上而不是兩側(cè)上，從而最小化透射率的減小。

連接分支cb可以交替地布置在邊緣區(qū)域ea的外側(cè)和主要區(qū)域ma的外側(cè)上，并且可以因此連接微分支mb。在示例性實(shí)施方式中，如在圖1中示出的，由于連接分支cb交替地布置在邊緣區(qū)域ea的外側(cè)上和主要區(qū)域ma的外側(cè)上，像素電極pe整體來(lái)看可以是鋸齒形或w形。

在具有這樣布置的連接分支cb的示例性實(shí)施方式中，可以改善lcd設(shè)備的透射率和均勻性。如果連接分支cb形成在邊緣區(qū)域ea的外側(cè)和主要區(qū)域ma的外側(cè)這兩者上，如具有與像素電極pe的長(zhǎng)軸相似長(zhǎng)度的棒，可能減弱對(duì)連接分支cb的外側(cè)上的液晶分子lc的控制，并且因此，lcd設(shè)備的透射率可能減小。如果去除邊緣區(qū)域ea的外側(cè)上的連接分支cb或者去除主要區(qū)域ma的外側(cè)上的連接分支cb，在lcd設(shè)備的兩側(cè)之間對(duì)液晶分子lc的控制可能變得不均勻或不平衡，并且因此，lcd設(shè)備的均勻性可能減小。在示例性實(shí)施方式中，如在圖1中示出的，像素電極pe整體來(lái)看是鋸齒形或w形，可以在改善lcd設(shè)備的透射率的同時(shí)均勻保持像素電極pe對(duì)液晶分子lc的控制。

在示例性實(shí)施方式中，與連接分支cb連續(xù)布置在僅邊緣區(qū)域ea的一側(cè)上以形成具有與像素電極pe的長(zhǎng)軸相似長(zhǎng)度的棒的情況相比，可以改善液晶分子lc的恢復(fù)力。更具體地，即使響應(yīng)施加于lcd設(shè)備的機(jī)械沖擊，液晶分子lc在非預(yù)期的方向上不規(guī)則地取向或取向錯(cuò)位，液晶分子lc可以通過(guò)在每個(gè)像素中形成的電場(chǎng)而在期望方向上重新取向。然而，如果液晶分子lc由于它們的弱恢復(fù)力在預(yù)期方向上花費(fèi)時(shí)間重新取向，用戶可能會(huì)覺(jué)察到這樣不期望的慢速重新取向。

如果連接分支cb連續(xù)布置在邊緣區(qū)域ea的外側(cè)上或主要區(qū)域ma的外側(cè)上，即使微分支mb跨主要區(qū)域ma和邊緣區(qū)域ea布置，液晶分子lc的恢復(fù)力可能較弱。在這種情況下，液晶分子lc不能在1000毫秒(msec)內(nèi)重新取向，并且因此，用戶可能會(huì)看到不期望的殘像。

在示例性實(shí)施方式中，其中微分支mb跨主要區(qū)域ma和邊緣區(qū)域ea布置，并且同時(shí)，連接分支cb交替地布置在邊緣區(qū)域ea的外側(cè)上和主要區(qū)域ma的外側(cè)上，使得液晶分子lc的恢復(fù)力可以相對(duì)加強(qiáng)，并且因此能夠在大約600msec內(nèi)重新取向。因此，可以基本最小化用戶看到由液晶分子lc的取向錯(cuò)位引起的殘像的現(xiàn)象。

邊緣區(qū)域ea在第一方向d1上的寬度可以在大約2微米(μm)至大約5μm的范圍內(nèi)。在這樣的實(shí)施方式中，其中邊緣區(qū)域ea在第一方向d1上的寬度在大約2μm至大約5μm的范圍內(nèi)，可以獲得對(duì)液晶分子lc的控制的實(shí)際改善。

在下文中將詳細(xì)地描述相對(duì)基板oas。

在示例性實(shí)施方式中，如在圖2中示出的，相對(duì)基板oas包括第二基底基板sub2、遮光構(gòu)件bm以及保護(hù)層oc。

相對(duì)基板oas包括第二基底基板sub2。第二基底基板sub2可以是透明的絕緣基板。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，第二基底基板sub2可以是玻璃基板、石英基板或透明樹(shù)脂基板。第二基底基板sub2可以包括具有高耐熱性的聚合物或塑料材料。第二基底基板sub2可以是平板的形狀，但不限于此?？商鎿Q地，第二基底基板sub2可以在特定方向上彎曲。

在示例性實(shí)施方式中，第二基底基板sub2可具有柔性。在這樣的實(shí)施方式中，第二基底基板sub2可以是可通過(guò)卷起、折疊或彎曲變形的基板。

遮光構(gòu)件bm布置在第二基底基板sub2上(例如，在圖2中示出的第二基底基板sub2的下表面上)。遮光構(gòu)件bm可以布置為與每個(gè)像素的tfttr、數(shù)據(jù)線dl及柵極線gl重疊，并且因此可有效地防止由液晶分子lc的取向錯(cuò)位引起的光泄漏。

濾色器cf布置在第二基底基板sub2和遮光構(gòu)件bm上。濾色器cf可以允許從第一基底基板sub1的外側(cè)入射到其上的光的特定波長(zhǎng)帶分量的透射，同時(shí)阻擋其他波長(zhǎng)帶分量的透射，并且因而可以允許發(fā)射至第二基底基板sub2的外側(cè)的光用特定顏色著色。

在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，紅色濾色器rcf是如下類(lèi)型的濾色器cf，其使紅色可見(jiàn)，透射穿過(guò)其中的大約580nm至大約780nm的波長(zhǎng)帶的光，并且吸收(和/或反射)其他波長(zhǎng)帶的光；綠色濾色器gcf是另一種類(lèi)型的濾色器cf，其使綠色可見(jiàn)，透射穿過(guò)其中的大約450nm至大約650nm的波長(zhǎng)帶的光，并且吸收其他波長(zhǎng)帶的光；并且藍(lán)色濾色器bcf是另一種類(lèi)型的濾色器cf，其使藍(lán)色可見(jiàn)，透射穿過(guò)其中的大約380nm至大約560nm的波長(zhǎng)帶的光，并且吸收其他波長(zhǎng)帶的光。在示例性實(shí)施方式中，紅色濾色器rcf可以包括渲染紅色的顏料或光敏有機(jī)材料或可以由渲染紅色的顏料或光敏有機(jī)材料形成，綠色濾色器gcf可以包括渲染綠色的顏料或光敏有機(jī)材料或可以由渲染綠色的顏料或光敏有機(jī)材料形成，以及藍(lán)色濾色器bcf可以包括渲染藍(lán)色的顏料或光敏有機(jī)材料或可以由渲染藍(lán)色的顏料或光敏有機(jī)材料形成。

保護(hù)層oc布置在遮光構(gòu)件bm和濾色器cf上。保護(hù)層oc平坦化或減小遮光構(gòu)件bm的表面與濾色器cf的表面之間的任何高度差?？商鎿Q地，可以不設(shè)置保護(hù)層oc。

將在下文中描述液晶層lcl。

液晶層lcl包括具有介電各向異性的多個(gè)液晶分子lc。液晶分子lc可以是相對(duì)于陣列基板as和相對(duì)基板oas沿著水平方向排列在陣列基板as與相對(duì)基板oas之間的水平取向類(lèi)型的液晶分子lc。響應(yīng)于施加在陣列基板as與相對(duì)基板oas之間的電場(chǎng)，液晶分子lc可以在陣列基板as與相對(duì)基板oas之間沿特定方向旋轉(zhuǎn)并且因此可以阻擋或允許光的透射。

可以另外設(shè)置反應(yīng)性介晶層(rm1和rm2)以預(yù)先傾斜液晶層lcl的液晶分子lc。反應(yīng)性介晶層(rm1和rm2)可以包括布置在像素電極pe與液晶層lcl之間的第一反應(yīng)性介晶層rm1以及布置在保護(hù)層oc與液晶層lcl之間的第二反應(yīng)性介晶層rm2。

圖3是根據(jù)本公開(kāi)的替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素的平面圖。

圖3中的lcd設(shè)備與圖1中示出的lcd設(shè)備基本相同，除了像素電極pe。圖3中示出的相同或者相似元件由以上用于描述在圖1中示出的lcd設(shè)備的示例性實(shí)施方式所使用的相同參考字符標(biāo)記，并且在下文中將省去或簡(jiǎn)化任何其重復(fù)性細(xì)節(jié)描述。

在示例性實(shí)施方式中，如在圖1中示出的，邊緣區(qū)域ea沿第一方向d1布置在主要區(qū)域ma的第一側(cè)(例如右側(cè))上。在可替換的示例性實(shí)施方式中，參照?qǐng)D3，邊緣區(qū)域ea可以沿第一方向d1布置在主要區(qū)域ma的第二側(cè)上(例如主要區(qū)域ma的左側(cè))。在這樣的實(shí)施方式中，每個(gè)像素中包括的像素電極pe的邊緣區(qū)域ea可以沿第一方向d1設(shè)置在主要區(qū)域ma的第一側(cè)或第二側(cè)上。

圖4是根據(jù)本公開(kāi)的另一替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素的平面圖，以及圖5是圖4的像素電極的平面圖。

參照?qǐng)D4和圖5，在示例性實(shí)施方式中，在邊緣區(qū)域ea中，多個(gè)微分支mb中的一些與第一方向d1形成第一角度θ1，并且在邊緣區(qū)域ea中，其他的微分支mb與第一方向d1形成第三角度θ3。在這樣的實(shí)施方式中，在主要區(qū)域ma中，微分支mb中的一些與第一方向d1形成第二角度θ2，并且在主要區(qū)域ma中，其他微分支mb與第一方向d1形成第四角度θ4。第一角度θ1可以大于第二角度θ2，并且第三角度θ3可以大于第四角度θ4。

在示例性實(shí)施方式中，第一角度θ1和第三角度θ3可以彼此相等，并且第二角度θ2和第四角度θ4可以彼此相等。微分支mb和多個(gè)連接分支cb可以關(guān)于在像素電極的中心部分處沿第一方向d1延伸的假想中心線對(duì)稱排列，并且其中微分支mb與第一方向d1形成第一角度θ1或第二角度θ2的區(qū)域可以限定為第一域區(qū)r1，并且其中微分支mb與第一方向d1形成第三角度θ3或第四角度θ4的區(qū)域可以限定為第二域區(qū)r2。布置于第一域區(qū)r1和第二域區(qū)r2并橫跨第一域區(qū)r1和第二域區(qū)r2的微分支mb和連接分支cb可以關(guān)于第一域區(qū)r1與第二域區(qū)r2之間的邊界對(duì)稱，從而與沿第一方向d1延伸的假想中心線重疊。在示例性實(shí)施方式中，其中設(shè)置在主要區(qū)域ma和邊緣區(qū)域ea中的微分支mb布置于多個(gè)域區(qū)并橫跨多個(gè)域區(qū)，lcd設(shè)備的水平可見(jiàn)度和垂直可見(jiàn)度可以變得進(jìn)一步均勻。

在示例性實(shí)施方式中，如在圖4和圖5中示出的，第一域區(qū)r1中的微分支mb和連接分支cb與第二域區(qū)r2中的微分支mb和連接分支cb可以關(guān)于沿第一方向d1延伸的假想中心直線對(duì)稱，但不限于此?？商鎿Q地，第一域區(qū)r1和第二域區(qū)r2可以不通過(guò)基準(zhǔn)線而通過(guò)沿微分支mb延伸的方向上的假想線彼此區(qū)分開(kāi)，其中第一域區(qū)r1和第二域區(qū)r2關(guān)于基準(zhǔn)線彼此對(duì)稱。在這樣的實(shí)施方式中，微分支mb的數(shù)量和連接分支cb的數(shù)量從第一域區(qū)r1至第二域區(qū)r2可以不同，并且橫跨第一域區(qū)r1和第二域區(qū)r2布置的像素電極pe可以不關(guān)于沿第一方向d1延伸的假想中心線對(duì)稱。在這樣的實(shí)施方式中，第一域區(qū)r1中的微分支mb可以彼此全部沿相同的方向延伸，第二域區(qū)r2中的微分支mb可以彼此全部沿相同的方向延伸，并且第一域區(qū)r1中的微分支mb可以沿與第二域區(qū)r2中的微分支mb不同的方向延伸。

圖6是根據(jù)本公開(kāi)的另一替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素的平面圖。

參照?qǐng)D6，在示例性實(shí)施方式中，邊緣區(qū)域ea沿第一方向d1布置在主要區(qū)域ma的第二側(cè)(例如左側(cè))上。在這樣的實(shí)施方式中，每個(gè)像素中包括的像素電極pe的邊緣區(qū)域ea可以沿第一方向d1設(shè)置在主要區(qū)域的第一側(cè)或第二側(cè)上。

圖7是根據(jù)本公開(kāi)的另一替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素的平面圖。

在示例性實(shí)施方式中，如在圖1和圖3至圖6中所示出的，像素電極pe的長(zhǎng)軸沿第二方向d2延伸。參照?qǐng)D7，在替代示例性實(shí)施方式中，像素電極pe的長(zhǎng)軸沿第一方向d1延伸。

在這樣的實(shí)施方式中，即使像素電極pe的長(zhǎng)軸沿第一方向d1延伸，像素電極pe的多個(gè)微分支mb中的每一個(gè)可基本沿第一方向d1延伸，并且多個(gè)連接分支cb可以布置為連接微分支mb。

在這樣的實(shí)施方式中，如上所述，其中布置微分支mb的區(qū)域可以通過(guò)在第二方向d2上延伸的假想線分為邊緣區(qū)域ea和主要區(qū)域ma。在邊緣區(qū)域ea中，微分支mb可以與第一方向d1形成第五角度θ5，并且在主要區(qū)域ma中，可以與第一方向d1形成第六角度θ6。

在這樣的實(shí)施方式中，第五角度θ5可以大于第六角度θ6，并且連接分支cb可以交替布置在邊緣區(qū)域ea的外側(cè)和主要區(qū)域ma的外側(cè)上。

在示例性實(shí)施方式中，其中像素電極pe包括多個(gè)域區(qū)，在主要區(qū)域ma中，微分支mb還可以與第一方向d1形成第七角度θ7。在這樣的實(shí)施方式中，第七角度θ7可以與第六角度θ6相同。然而，在這樣的實(shí)施方式中，微分支mb中的每一個(gè)可以橫跨兩個(gè)域區(qū)布置。在這樣的實(shí)施方式中，如在圖7中示出的，微分支mb中的每一個(gè)可以橫跨第三域區(qū)r3和第四域區(qū)r4布置，并且微分支mb可以在主要區(qū)域ma中關(guān)于第三域區(qū)r3和第四域區(qū)r4之間的邊界對(duì)稱。

圖8是根據(jù)本公開(kāi)的另一替代示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的一些像素的平面圖。

圖8示出了沿第一方向d1連續(xù)排列的三個(gè)相鄰像素，并且三個(gè)像素在下文中將稱為第一像素px1至第三像素px3。

參照?qǐng)D8，紅色濾色器rcf布置在第一像素電極pe1上，第一像素電極pe1是第一像素px1的像素電極，綠色濾色器gcf布置在第二像素電極pe2上，第二像素電極pe2是第二像素px2的像素電極，并且藍(lán)色濾色器bcf布置在第三像素電極pe3上，第三像素電極pe3是第三像素px3的像素電極。因此，透射由第一像素電極pe1控制的液晶分子lc的光可以穿過(guò)紅色濾色器rcf，并且因此可以被用戶的眼睛看到為紅色，透射由第二像素電極pe2控制的液晶分子lc的光可以穿過(guò)綠色濾色器gcf，并且因此可以被用戶的眼睛看到為綠色，以及透射由第三像素電極pe3控制的液晶分子lc的光可以穿過(guò)藍(lán)色濾色器bcf，并且因此可以被用戶的眼睛看到為藍(lán)色。

第一像素電極pe1的邊緣區(qū)域ea布置在第一像素電極pe1的主要區(qū)域ma的第一側(cè)(例如右側(cè))上，第二像素電極pe2的邊緣區(qū)域ea布置在第二像素電極pe2的主要區(qū)域ma的第二側(cè)(例如左側(cè))上，以及在第三像素px3中，第三像素電極pe3的邊緣區(qū)域ea布置在第三像素電極pe3的主要區(qū)域ma的第二側(cè)(例如左側(cè))上。在這樣的實(shí)施方式中，其中布置有多個(gè)微分支mb和橫跨布置有多個(gè)微分支mb的主要區(qū)域ma和邊緣區(qū)域ea的排列從第一像素電極pe1至第二像素電極pe2至第三像素電極pe3可以稍微不同，并且這是為了最小化相鄰像素之間的光的混合，并且在下文中將會(huì)參照?qǐng)D9詳細(xì)地描述。

圖9是沿著圖8的線ii‐ii'截取的截面圖。

參照?qǐng)D9，光從第一基底基板sub1的底部入射。入射光向著第二基底基板sub2傳播，第二基底基板布置為面向第一基底基板sub1，例如，沿著垂直光路llv傳播的入射光的分量可以穿過(guò)紅色濾色器rcf并且因此可以被用戶的眼睛看到為紅色。

然而，由于入射光不僅包括相對(duì)于第一基底基板sub1在垂直方向上傳播的分量，而且也包括在其他方向上傳播的分量，入射光可以包括沿著第一光路ll1至第四光路ll4傳播的入射光的分量。沿著第一光路ll1傳播的分量穿過(guò)由第二像素電極pe2控制的液晶分子lc，但是可以穿過(guò)布置為與第一像素電極pe1重疊的紅色濾色器rcf，而不是布置為與第二像素電極pe2重疊的綠色濾色器gcf。因此，當(dāng)?shù)谝幌袼豴x1斷開(kāi)并且第二像素px2導(dǎo)通時(shí)，應(yīng)該僅穿過(guò)綠色濾色器gcf的光能夠被用戶的眼睛看到。然而，可能出現(xiàn)還可以看到穿過(guò)紅色濾色器rcf的光的色彩混合現(xiàn)象，并且因此可能降低lcd設(shè)備的顯示質(zhì)量。色彩混合現(xiàn)象還可能由沿著第二光路ll2至第四光路ll4傳播的分量引起。

在其中第一像素px1至第三像素px3中的每一個(gè)的主要區(qū)域ma和邊緣區(qū)域ea如圖8所示排列的示例性實(shí)施方式中，可以最小化色彩混合引起的lcd設(shè)備的顯示質(zhì)量的劣化。通常，可以根據(jù)濾色器cf的類(lèi)型改變?yōu)V色器cf對(duì)于白光的透射率。即對(duì)于相同的白光，綠色濾色器gcf通常具有最高的透射率，并且紅色濾色器rcf通常具有比綠色濾色器gcf低的透射率，但具有比藍(lán)色濾色器bcf高的透射率。因此，即使光沿第一光路ll1至第四光路ll4入射，沿著第二光路ll2和第三光路ll3穿過(guò)綠色濾色器gcf的光的色彩混合最顯著，沿著第一光路ll1穿過(guò)紅色濾色器rcf的光不那么顯著，并且沿著第四光路ll4穿過(guò)藍(lán)色濾色器bcf的光最不顯著。因此，在示例性實(shí)施方式中，與其中布置綠色濾色器gcf的像素相鄰的像素的邊緣區(qū)域ea可以布置為鄰近于其中布置綠色濾色器gcf的像素，以減少沿著第二光路ll2和第三光路ll3傳播的光的分量，并且因此可以基本最小化色彩混合。

在這樣的實(shí)施方式中，與主要區(qū)域ma相比，邊緣區(qū)域ea對(duì)液晶分子lc可具有更強(qiáng)的控制但是更低的透射率。因此，第一像素電極pe1和第三像素電極pe3的邊緣區(qū)域ea布置為鄰近于第二像素px2，其中第一像素電極pe1和第三像素電極pe3是與第二像素px2相鄰的第一像素px1和第三像素px3的像素電極，并且第一像素電極pe1和第三像素電極pe3的主要區(qū)域ma布置為不與第二像素px2相鄰，并且因此，可以最小化可能由光路ll2和ll3引起的色彩混合現(xiàn)象。

由沿著第四光路ll4穿過(guò)藍(lán)色濾色器bcf的光引起的色彩混合比由沿著第一光路ll1穿過(guò)紅色濾色器rcf的光引起的色彩混合更顯著。因此，在其中布置了綠色濾色器gcf的第二像素px2中，第二像素電極pe2的邊緣區(qū)域ea布置為鄰近于其中布置了紅色濾色器rcf的第一像素px1，并且第二像素電極pe2的主要區(qū)域ma布置為鄰近于其中布置了藍(lán)色濾色器bcf的第三像素px3，并且因此，可以基本上最小化色彩混合。

在示例性實(shí)施方式中，如在圖8和圖9中示出的，分別顯示紅色、綠色和藍(lán)色的像素按照紅色、綠色和藍(lán)色的順序依次排列，但本公開(kāi)不限于此。在替代示例性實(shí)施方式中，可以基于相鄰像素的顏色來(lái)確定每個(gè)像素中包括的像素電極pe的主要區(qū)域ma和邊緣區(qū)域ea的排列。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，依次排列分別顯示藍(lán)色、紅色和綠色的像素，顯示紅色的像素的邊緣區(qū)域ea可以布置為鄰近于顯示綠色的像素，并且顯示紅色的像素的主要區(qū)域ma可以布置為鄰近于顯示藍(lán)色的像素。在一個(gè)替代示例性實(shí)施方式中，例如，依次排列分別顯示綠色、藍(lán)色和紅色的像素，顯示藍(lán)色的像素的邊緣區(qū)域ea可以布置為鄰近于顯示綠色的像素，并且顯示藍(lán)色的像素的主要區(qū)域ma可以布置為鄰近于顯示紅色的像素。

圖10是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的一些像素的平面圖，以及圖11是沿著圖10的線iii‐iii'截取的截面圖。

圖10示出了沿第一方向d1依次排列的三個(gè)相鄰像素。

參照?qǐng)D10和圖11，在示例性實(shí)施方式中，遮光構(gòu)件bm布置為與數(shù)據(jù)線dl重疊，數(shù)據(jù)線在第二方向d2上延伸。在這樣的實(shí)施方式中，遮光構(gòu)件bm在與數(shù)據(jù)線dl重疊的區(qū)域中的第一方向d1上的寬度大于數(shù)據(jù)線dl在第一方向d1上的寬度。

在這樣的實(shí)施方式中，如在上述的示例性實(shí)施方式中，遮光構(gòu)件bm可以布置為不僅與數(shù)據(jù)線dl重疊，而且還與像素的tft和柵極線gl重疊。在這樣的實(shí)施方式中，如在上述的示例性實(shí)施方式中，遮光構(gòu)件bm可以有效地防止可能由液晶分子lc的取向錯(cuò)位引起的光泄漏。

在示例性實(shí)施方式中，與數(shù)據(jù)線dl重疊的遮光構(gòu)件bm中的每一個(gè)由沿著相應(yīng)數(shù)據(jù)線dl延伸的線分為兩部分。在這樣的實(shí)施方式中，與數(shù)據(jù)線dl重疊的遮光構(gòu)件bm中的每一個(gè)相對(duì)于沿著相應(yīng)數(shù)據(jù)線dl的中心延伸的假想線分為假想線的第一側(cè)(例如右側(cè))上的第一遮光區(qū)域bma1和假想線的第二側(cè)(例如左側(cè))上的第二遮光區(qū)域bma2。在這樣的實(shí)施方式中，第一遮光區(qū)域bma1在第一方向d1上的寬度可以與第二遮光區(qū)域bma2在第一方向d1上的寬度不同，并且因此可以改善lcd設(shè)備的透射率同時(shí)最小化色彩混合。

在示例性實(shí)施方式中，在第一遮光區(qū)域bma1在第一方向d1上的第二側(cè)上的相鄰像素的像素電極pe的邊緣區(qū)域ea布置為比相應(yīng)像素電極pe的主要區(qū)域ma更靠近第一遮光區(qū)域bma1，并且第一遮光區(qū)域bma1在第一方向d1上具有第一寬度bw1。在這樣的實(shí)施方式中，相鄰像素的像素電極pe的主要區(qū)域ma布置為比相應(yīng)像素電極pe的邊緣區(qū)域ea更靠近第一遮光區(qū)域bma1，并且第一遮光區(qū)域bma1在第一方向d1上具有第二寬度bw2。第一寬度bw1可以小于第二寬度bw2。

在根據(jù)第一遮光區(qū)域bma1在第一方向d1上的第二側(cè)上的相鄰像素的像素電極排列，第一遮光區(qū)域bma1具有第一寬度bw1或第二寬度bw2的這樣的實(shí)施方式中，如上所述，可以改善lcd設(shè)備的透射率同時(shí)最小化色彩混合。在這樣的實(shí)施方式中，如上所述，與主要區(qū)域ma相比，邊緣區(qū)域ea對(duì)液晶分子lc可具有更強(qiáng)的控制但是更低的透射率。因此，在第一遮光區(qū)域bma1在第一方向d1上的第二側(cè)上的相鄰像素的像素電極pe的邊緣區(qū)域ea布置為比相應(yīng)像素電極pe的主要區(qū)域ma更靠近第一遮光區(qū)域bma1的這樣的實(shí)施方式中，由于邊緣區(qū)域ea中的相對(duì)低的透射率，即使第一遮光區(qū)域bma1的寬度減小，也不太可能發(fā)生色彩混合。在第一遮光區(qū)域bma1可具有相對(duì)小的寬度的這樣的實(shí)施方式中，透射率增大。

在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，沿著第五光路ll5傳播的光穿過(guò)像素電極pe的主要區(qū)域ma，并且因此由于其中的高強(qiáng)度可能發(fā)生色彩混合現(xiàn)象。因此，在這樣的實(shí)施方式中，第二遮光區(qū)域bma2在第一方向d1上可具有第二寬度bw2以阻擋沿著第五光路ll5傳播的光。在這樣的實(shí)施方式中，沿著第六光路ll6傳播的光穿過(guò)像素電極pe的邊緣區(qū)域ea，并且因此引起較少的色彩混合。因此，即使用于阻擋沿著第六光路ll6傳播的光的第一遮光區(qū)域bma1具有第一寬度bw1，其中第一寬度小于第二寬度bw2，也可以有效防止色彩混合。

在第二遮光區(qū)域bma2在第一方向d1上的第一側(cè)上的相鄰像素的像素電極pe的邊緣區(qū)域ea布置為比相應(yīng)像素電極pe的主要區(qū)域ma更靠近第二遮光區(qū)域bma2的示例性實(shí)施方式中，第二遮光區(qū)域bma2在第一方向d1上具有第一寬度bw1。在相鄰像素的像素電極pe的主要區(qū)域ma布置為比相應(yīng)像素電極pe的邊緣區(qū)域ea更靠近第二遮光區(qū)域bma2的這樣的實(shí)施方式中，第二遮光區(qū)域bma2在第一方向d1上具有第二寬度bw2。在這樣的實(shí)施方式中，第一寬度bw1可以小于第二寬度bw2。

盡管已經(jīng)為了說(shuō)明的目的描述了本發(fā)明的一些示例性實(shí)施方式，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不偏離所附權(quán)利要求中公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可以進(jìn)行各種修改、增加和替換。