相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2016年4月20日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0048117號(hào)的優(yōu)選權(quán)和權(quán)益，在此為了所有目的通過引用將該韓國(guó)專利申請(qǐng)并入本文，如同在本文中充分地闡述一樣。

本發(fā)明通常涉及一種顯示裝置，并且更具體地，涉及一種具有鄰近的時(shí)鐘信號(hào)線的顯示裝置。

背景技術(shù)：
討論

諸如液晶顯示器和有機(jī)發(fā)光裝置的顯示裝置包括驅(qū)動(dòng)裝置，諸如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器。柵極驅(qū)動(dòng)器可與顯示面板集成。當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器與顯示面板集成時(shí)，不需要制造額外的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，因此減低了制造成本，并且防止了在安裝柵極驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)可能出現(xiàn)的缺陷。

集成到顯示面板的柵極驅(qū)動(dòng)器包括用于生成包括柵極導(dǎo)通電壓和柵極關(guān)斷電壓的柵極信號(hào)的多個(gè)級(jí)，并且可根據(jù)輸入到相應(yīng)級(jí)的時(shí)鐘信號(hào)和進(jìn)位信號(hào)生成具有各種類型的波形的柵極信號(hào)。

時(shí)鐘信號(hào)通過時(shí)鐘信號(hào)線被傳輸至柵極驅(qū)動(dòng)器的級(jí)，并且可能因時(shí)鐘信號(hào)線之間或者與時(shí)鐘信號(hào)線相鄰的信號(hào)線之間的寄生電容而生成時(shí)鐘信號(hào)的rc(電阻-電容)延遲。

在此背景部分公開的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，并且因而其可能包含那些不構(gòu)成該國(guó)相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

申請(qǐng)人發(fā)現(xiàn)，液晶面板上時(shí)鐘信號(hào)的延遲可能降低像素的充電率。隨著液晶面板的分辨率或尺寸變大，時(shí)鐘信號(hào)的延遲變?yōu)槌潆娐式档偷闹饕蛩亍．?dāng)充電率降低時(shí)，可能產(chǎn)生圖像質(zhì)量缺陷，諸如混色或串?dāng)_。

根據(jù)本發(fā)明的原理構(gòu)造的顯示裝置通過減小一個(gè)或多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)線的電阻而改善顯示質(zhì)量。時(shí)鐘信號(hào)線電阻的減小又引起時(shí)鐘信號(hào)線之間或者與時(shí)鐘信號(hào)線相鄰的信號(hào)線之間的寄生電容的降低。而且，寄生電容的降低減少或消除了時(shí)鐘信號(hào)中的任意不期望的延遲，使得能更快速地輸送時(shí)鐘信號(hào)。更快地輸送時(shí)鐘信號(hào)改善了在顯示器上形成圖像的響應(yīng)時(shí)間。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，時(shí)鐘信號(hào)線可通過使用形成在顯示區(qū)域中的導(dǎo)電層來提供為雙層，以因此減小時(shí)鐘信號(hào)線的電阻并且改善時(shí)鐘信號(hào)的rc延遲。

根據(jù)本發(fā)明的原理，通過經(jīng)由減小時(shí)鐘信號(hào)線的電阻而降低時(shí)鐘信號(hào)的延遲，可改善充電率的裕量。當(dāng)充電率的裕量增加時(shí)，像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線或柵極線的寬度可減小，由此改善透光率。根據(jù)本發(fā)明的雙層結(jié)構(gòu)，可在減小時(shí)鐘信號(hào)線的寬度的同時(shí)維持或減小時(shí)鐘信號(hào)線的電阻，因此除了降低rc延遲之外，還可減少時(shí)鐘信號(hào)線所占據(jù)的顯示面板的外圍區(qū)域，由此減少顯示裝置的邊框?qū)挾取?/p>

其他方面將在隨后的詳細(xì)描述中闡述，并且將部分地因本公開而顯而易見，或者可通過本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種顯示裝置包括：基底；柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)置在基底上并且包括多個(gè)級(jí)；時(shí)鐘信號(hào)線，設(shè)置在基底上并且將時(shí)鐘信號(hào)傳輸至所述級(jí)中的至少一個(gè)級(jí)；晶體管，設(shè)置在基底上；以及遮光層，設(shè)置在基底與晶體管之間并且與晶體管重疊。時(shí)鐘信號(hào)線包括第一導(dǎo)線和與第一導(dǎo)線重疊的第二導(dǎo)線，并且第一導(dǎo)線與遮光層設(shè)置在同一層。

時(shí)鐘信號(hào)線可通過連接器連接至至少一個(gè)級(jí)，并且第一導(dǎo)線可通過連接器電連接至第二導(dǎo)線。

第二導(dǎo)線可包括與第一導(dǎo)線重疊的切口，并且連接器可通過切口連接至第一導(dǎo)線。

顯示裝置可進(jìn)一步包括：設(shè)置在第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線之間的第一絕緣層，以及設(shè)置在第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線上的第二絕緣層。連接器可通過形成在第二絕緣層中的第一接觸孔連接至第二導(dǎo)線，并且可通過形成在第一絕緣層和第二絕緣層中的第二接觸孔連接至第一導(dǎo)線。

顯示裝置可進(jìn)一步包括：設(shè)置在第一絕緣層與第二導(dǎo)線之間的絕緣體。絕緣體可具有與第二導(dǎo)線的平坦形狀大致相同的平坦形狀。

第一導(dǎo)線可包括第一開口，并且第二導(dǎo)線可包括與第一開口重疊的第二開口。

晶體管可包括柵電極、源電極、漏電極和半導(dǎo)體，并且第二導(dǎo)線可與晶體管的柵電極設(shè)置在同一層。

連接器可與晶體管的源電極和漏電極設(shè)置在同一層。

半導(dǎo)體可設(shè)置在遮光層與柵電極之間。

源電極可電連接至遮光層。

顯示裝置可進(jìn)一步包括：連接至晶體管的像素電極，其中連接器可與像素電極設(shè)置在同一層。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種顯示裝置的制造方法，包括以下步驟：在基底上沉積導(dǎo)電材料并且圖案化沉積層，以形成遮光層和時(shí)鐘信號(hào)線的第一導(dǎo)線；在遮光層和第一導(dǎo)線上沉積絕緣材料，以形成第一絕緣層；在第一絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料并且圖案化沉積的半導(dǎo)體材料，以形成與遮光層重疊的半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上沉積絕緣材料，以形成第二絕緣層；在第二絕緣層上沉積導(dǎo)電材料，以形成柵極導(dǎo)電層；并且在柵極導(dǎo)電層上形成光敏薄膜圖案；用光敏薄膜圖案作為掩模蝕刻?hào)艠O導(dǎo)電層以形成柵電極和時(shí)鐘信號(hào)線的第二導(dǎo)線；以及蝕刻第二絕緣層，以形成分別與柵電極和第二導(dǎo)線重疊的第三絕緣層和第四絕緣層。

該方法可進(jìn)一步包括：在柵電極和時(shí)鐘信號(hào)線上沉積絕緣材料，以形成第五絕緣層；并且在第一絕緣層和第五絕緣層中形成第一接觸孔和第二接觸孔；并且沉積導(dǎo)電材料以形成數(shù)據(jù)導(dǎo)電層；并且蝕刻數(shù)據(jù)導(dǎo)電層，以形成與半導(dǎo)體層的源極區(qū)和遮光層連接的源電極、與半導(dǎo)體的漏極區(qū)連接的漏電極以及與第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線連接的連接器。

形成第二導(dǎo)線的步驟可包括：在第二導(dǎo)線中形成切口，其中切口與第一導(dǎo)線重疊。

在第一絕緣層和第五絕緣層中形成第一接觸孔和第二接觸孔的步驟可包括：形成第一接觸孔，第一接觸孔通過第五絕緣層暴露第二導(dǎo)線；以及形成第二接觸孔，第二接觸孔在與第一絕緣層和第五絕緣層中的第二導(dǎo)線的切口重疊的區(qū)域中暴露第一導(dǎo)線。

沉積導(dǎo)電材料以形成連接器的步驟可包括：將連接器通過第一接觸孔連接至第二導(dǎo)線，并且可包括：將連接器通過第二接觸孔連接至第一導(dǎo)線。

該方法可進(jìn)一步包括：在形成半導(dǎo)體層之后，使半導(dǎo)體層的一部分充當(dāng)導(dǎo)體，以形成源極區(qū)和漏極區(qū)。

用光敏薄膜圖案作為掩模蝕刻?hào)艠O導(dǎo)電層以形成第二導(dǎo)線的步驟可包括：形成與第一導(dǎo)線重疊的第二導(dǎo)線。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種顯示裝置，包括：基底；柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)置在基底上并且包括多個(gè)級(jí)；時(shí)鐘信號(hào)線，設(shè)置在基底上并且將時(shí)鐘信號(hào)傳輸至所述級(jí)中的至少一個(gè)級(jí)；以及晶體管，設(shè)置在基底上。時(shí)鐘信號(hào)線包括：第一導(dǎo)線和與第一導(dǎo)線重疊的第二導(dǎo)線。

顯示裝置可進(jìn)一步包括：遮光層，設(shè)置在基底與晶體管之間并且與晶體管重疊；并且第一導(dǎo)線可與遮光層設(shè)置在同一層。

前述一般描述以及下述詳細(xì)描述是示例性的和說明性的，并且旨在提供對(duì)本發(fā)明的主題的進(jìn)一步解釋。

附圖說明

所包含的附圖提供對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，并且并入到說明書中且構(gòu)成說明書的一部分，附圖圖示本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的原理構(gòu)造的顯示裝置的俯視示意圖。

圖2是圖1的區(qū)域a的放大視圖。

圖3是圖2的時(shí)鐘信號(hào)線的第一導(dǎo)線的一部分的分解頂視圖。

圖4是圖2的時(shí)鐘信號(hào)線的第二導(dǎo)線的一部分的分解頂視圖。

圖5是沿圖2的v-v’線截取的剖視圖，圖示根據(jù)本發(fā)明的原理構(gòu)造的柵極驅(qū)動(dòng)器的第一實(shí)施例。

圖6是沿圖2的vi-vi’線截取的柵極驅(qū)動(dòng)器的第一實(shí)施例的剖視圖。

圖7是沿圖2的v-v’線截取的剖視圖，圖示根據(jù)本發(fā)明的原理構(gòu)造的柵極驅(qū)動(dòng)器的第二實(shí)施例。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的原理構(gòu)造的柵極驅(qū)動(dòng)器的晶體管的剖視圖。

圖9至圖15是根據(jù)本發(fā)明的原理的用于制造顯示裝置的示例性方法的各步驟中各連續(xù)級(jí)的分解剖視圖。

圖16是根據(jù)本發(fā)明的原理構(gòu)造的顯示裝置的像素區(qū)域的分解俯視圖。

圖17是沿圖16的xvii-xvii’線截取的像素區(qū)域的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在以下描述中，為了解釋的目的，闡述了大量具體細(xì)節(jié)，從而提供對(duì)各種示例性實(shí)施例的深入理解。然而很明顯，各種示例性實(shí)施例可在不具有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施，或者可通過一個(gè)或多個(gè)等同設(shè)置實(shí)施。在其他示例中，以框圖形式示出了眾所周知的結(jié)構(gòu)和裝置，從而避免使各種示例性實(shí)施例不必要地難以理解。

在附圖中，為了清楚和描述的目的，各層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對(duì)尺寸可被放大。而且，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q為位于另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可直接位于另一元件或?qū)由?、直接連接到或直接聯(lián)接到另一元件或?qū)?，或者可能存在中間元件或中間層。然而，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。為了此公開的目的，“x、y和z中的至少一個(gè)”以及“選自由x、y和z構(gòu)成的組中的至少一個(gè)”可被解讀為僅有x、僅有y、僅有z，或者x、y和z中兩個(gè)或多個(gè)的任意組合，比如xyz、xyy、yz和zz。貫穿全文，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)聯(lián)地列出的項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)中的任意或者所有組合。

雖然本文可使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受到這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層和/或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層和/或部分可稱作第二元件、部件、區(qū)域、層和/或部分。

為了描述的目的，本文使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，諸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等，并且由此，用來描述如附圖中所圖示的一個(gè)元件或特征相對(duì)于另一(些)元件或特征的關(guān)系。除了附圖中描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含使用中、運(yùn)行中和/或制造中的設(shè)備的不同方位。例如，如果附圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為位于其他元件或特征“下方”或“之下”的元件會(huì)定位為位于其他元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“下方”可包含“上方”的方位和“下方”的方位兩者。而且，設(shè)備還可具有其他方位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或者處于其他方位)，并且可由此相應(yīng)地解讀本文使用的空間相對(duì)描述符。

本文使用的術(shù)語(yǔ)是為了描述特定實(shí)施例的目的，并且不旨在限制。如本文所使用的，單數(shù)形式“一”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非在上下文中另外清楚地指明。而且，當(dāng)用于本說明書中時(shí)，術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”指定了所討論的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其的組的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其的組的存在或添加。

本文參照剖視圖描述各種示例性實(shí)施例，這些剖視圖是理想化的示例性實(shí)施例和/或中間結(jié)構(gòu)的示意性的圖示。照此，因例如制造技術(shù)和/或公差而產(chǎn)生的圖示的形狀的變化是可預(yù)料到的。因此，本文公開的示例性實(shí)施例不應(yīng)被解釋為受限于特定圖示的區(qū)域形狀，而是包括因例如制造而產(chǎn)生的形狀上的偏離。例如，圖示為三角形的注入?yún)^(qū)域通常將具有圓的或彎曲的特征，和/或在其邊緣處具有注入濃度的梯度，而不是從注入的區(qū)域到非注入的區(qū)域的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋設(shè)區(qū)域可造成埋設(shè)區(qū)域與進(jìn)行注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖中圖示的區(qū)域事實(shí)上是示意性的，并且，其形狀不旨在圖示裝置區(qū)域的實(shí)際形狀并且不旨在限制。

除非另外定義，本文使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))的含義與本公開所屬領(lǐng)域中普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。除非本文明確定義，否則諸如在通用詞典中定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域上下文中的含義相一致的含義，并且不應(yīng)以理想化或過度正式的意義對(duì)其進(jìn)行解釋。

下面參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例構(gòu)造的顯示裝置。

參照?qǐng)D1，顯示裝置包括顯示面板300、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器460、柵極驅(qū)動(dòng)器500和信號(hào)控制器600。

顯示面板300包括：顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa，顯示區(qū)域da用于顯示圖像，外圍區(qū)域pa圍繞顯示區(qū)域da提供并且包括用于將柵極信號(hào)施加至柵極線g1-gn的柵極驅(qū)動(dòng)器500。

多個(gè)像素px設(shè)置在形成于顯示區(qū)域da中的矩陣中。如果顯示器是液晶顯示器，則像素px包括薄膜晶體管、液晶電容和存儲(chǔ)電容。液晶電容包括液晶層，并且其可在微腔中為每個(gè)或多個(gè)像素區(qū)域充電。如果顯示器是有機(jī)發(fā)光裝置，則像素px包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容和發(fā)光裝置。柵極線g1-gn和數(shù)據(jù)線d1-dm設(shè)置在顯示區(qū)域da中。柵極線g1-gn和數(shù)據(jù)線d1-dm連接至像素px，并且它們?cè)诒舜私^緣的同時(shí)可彼此交叉。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器460可作為集成電路芯片安裝在附接至顯示面板300的焊盤部分的柔性印刷電路板(fpcb)450上，并且可連接至顯示面板300。顯示區(qū)域da的數(shù)據(jù)線d1-dm可從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器460接收數(shù)據(jù)電壓。與附圖中示出的實(shí)施例相反，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器460可作為集成電路芯片安裝在外圍區(qū)域pa中。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器460在圖1中示出為在顯示面板300的上側(cè)，但其可提供在顯示面板300的下側(cè)。

柵極驅(qū)動(dòng)器500集成在顯示面板300的外圍區(qū)域pa中。圖1中，柵極驅(qū)動(dòng)器500提供在顯示面板300的左外圍區(qū)域中，但其可提供在右外圍區(qū)域中，或者提供在左外圍區(qū)域和右外圍區(qū)域兩者中。

柵極驅(qū)動(dòng)器500和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器460由信號(hào)控制器600控制。印刷電路板pcb400可提供在fpcb450外部，以將信號(hào)從信號(hào)控制器600傳輸至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器460和柵極驅(qū)動(dòng)器500。通過信號(hào)控制器600提供至柵極驅(qū)動(dòng)器500的信號(hào)可包括諸如垂直起始信號(hào)或時(shí)鐘信號(hào)的信號(hào)，以及用于提供特定低水平電壓的信號(hào)。

柵極驅(qū)動(dòng)器500接收垂直起始信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)和對(duì)應(yīng)于柵極關(guān)斷電壓的低電壓，生成柵極信號(hào)(柵極導(dǎo)通電壓和柵極關(guān)斷電壓)，并且將柵極信號(hào)施加至柵極線g1-gn。柵極驅(qū)動(dòng)器500包括用于通過使用上述信號(hào)生成并輸出柵極電壓的各個(gè)級(jí)(st1-stn)以及用于將信號(hào)傳輸至各個(gè)級(jí)st1-stn的信號(hào)線sl。

各個(gè)級(jí)st1-stn中的每一級(jí)可包括晶體管和至少一個(gè)電容。晶體管和電容可在用于形成包括在顯示區(qū)域da的像素px中的晶體管的過程期間形成。柵極線g1-gn連接至各個(gè)級(jí)st1-stn的輸出端，并且柵極線g1-gn從各個(gè)級(jí)st1-stn接收柵極信號(hào)。

信號(hào)線sl可比各個(gè)級(jí)st1-stn更遠(yuǎn)離顯示區(qū)域da定位。雖然圖1示出了單個(gè)線，但信號(hào)線sl可組成在數(shù)量上與施加至柵極驅(qū)動(dòng)器500的信號(hào)的數(shù)量相同的多條信號(hào)線，或者可組成比信號(hào)的數(shù)量更少或更多數(shù)量的線。信號(hào)線sl包括用于傳輸時(shí)鐘信號(hào)的多條時(shí)鐘信號(hào)線。

施加至柵極驅(qū)動(dòng)器500的垂直起始信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)和低電壓通過提供在柵極驅(qū)動(dòng)器500附近的fpcb450施加至柵極驅(qū)動(dòng)器500。信號(hào)可通過pcb400從外部或者信號(hào)控制器600傳輸至fpcb450。

前面的描述涉及包括顯示面板300的顯示裝置的配置。以下描述涉及柵極驅(qū)動(dòng)器500和時(shí)鐘信號(hào)線。

圖2對(duì)應(yīng)于圖1的顯示面板300的區(qū)域a，并且示出了形成或提供在基底110上的組成元件。例如，顯示面板300可包括面向基底110的對(duì)置基底，并且可在對(duì)置基底上形成遮光構(gòu)件。

參照?qǐng)D2以及圖1，示出圖1的柵極驅(qū)動(dòng)器500的若干級(jí)st1-st5以及與其連接的時(shí)鐘信號(hào)線csl。各個(gè)級(jí)st1-st5與圖1一樣被簡(jiǎn)單地示出為框，并且在圖2中更詳細(xì)地示出了時(shí)鐘信號(hào)線csl。除了時(shí)鐘信號(hào)線csl之外，一些信號(hào)線也連接至柵極驅(qū)動(dòng)器500，但為了清楚的目的而未在圖2中示出。

時(shí)鐘信號(hào)線csl包括第一時(shí)鐘信號(hào)線至第六時(shí)鐘信號(hào)線c1-c6，它們彼此平行延伸。第一時(shí)鐘信號(hào)線c1最遠(yuǎn)離各個(gè)級(jí)st1-stn，并且第六時(shí)鐘信號(hào)線c6最靠近各個(gè)級(jí)st1-stn。第一時(shí)鐘信號(hào)線至第六時(shí)鐘信號(hào)線c1-c6的延伸方向可對(duì)應(yīng)于各個(gè)級(jí)st1-stn的布置方向(即，列方向)，并且可對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線d1-dm的延伸方向。第一時(shí)鐘信號(hào)線至第六時(shí)鐘信號(hào)線c1-c6可以以預(yù)定間隔接收順序地相位延遲的時(shí)鐘信號(hào)，該預(yù)定間隔諸如可被稱為1h的一個(gè)水平周期。各個(gè)級(jí)st1-stn可連接至第一時(shí)鐘信號(hào)線至第六時(shí)鐘信號(hào)線c1-c6，以接收用六個(gè)連續(xù)級(jí)作為重復(fù)周期的時(shí)鐘信號(hào)。第一時(shí)鐘信號(hào)線至第六時(shí)鐘信號(hào)線c1-c6連接至對(duì)應(yīng)于連接器179的各個(gè)級(jí)st1-stn。

圖2示出6個(gè)時(shí)鐘信號(hào)線csl，但時(shí)鐘信號(hào)線csl的數(shù)量可多于6個(gè)或少于6個(gè)。例如，時(shí)鐘信號(hào)線csl的數(shù)量可以是2個(gè)、4個(gè)、6個(gè)、8個(gè)或者甚至更多個(gè)。時(shí)鐘信號(hào)線csl的數(shù)量可對(duì)應(yīng)于使用中的時(shí)鐘信號(hào)的數(shù)量，并且各個(gè)級(jí)st1-stn可連接至?xí)r鐘信號(hào)線csl，并且將數(shù)量上對(duì)應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)數(shù)量的連續(xù)級(jí)用作重復(fù)周期。

參照?qǐng)D2至圖6，每個(gè)時(shí)鐘信號(hào)線csl具有雙層結(jié)構(gòu)，其中時(shí)鐘信號(hào)線csl在顯示面板300的厚度方向上彼此重疊，其間具有絕緣層111和絕緣體143，并且因此彼此物理地分離。也就是說，如圖5中最佳示出的，時(shí)鐘信號(hào)線csl包括第一導(dǎo)線113以及與第一導(dǎo)線113重疊的第二導(dǎo)線123。雖然與第二導(dǎo)線123物理地分離，但第一導(dǎo)線113通過連接器179電連接至第二導(dǎo)線123。第一導(dǎo)線113可電連接至第二導(dǎo)線123，所以它們可一起形成用于傳輸同一時(shí)鐘信號(hào)的單個(gè)時(shí)鐘信號(hào)線csl。

第一導(dǎo)線113包括沿第一導(dǎo)線113的中心在縱向(第一導(dǎo)線113的最長(zhǎng)尺寸的延伸方向)上提供的狹縫13。狹縫13不是連續(xù)提供的，因?yàn)槿绻M縫13沿著第一導(dǎo)線113的長(zhǎng)度是連續(xù)的，則第一導(dǎo)線113會(huì)相對(duì)于狹縫13被完全分隔成右部部分和左部部分。第二導(dǎo)線123類似地包括沿著第二導(dǎo)線123的中心在縱向(第二導(dǎo)線123的最長(zhǎng)尺寸的延伸方向)上不連續(xù)地提供的狹縫23。狹縫13和狹縫23總體上彼此重疊。從另一個(gè)角度看，第一導(dǎo)線113和第二導(dǎo)線123可被描述為包括兩個(gè)被狹縫13和狹縫23的寬度分隔開并且彼此平行延伸的半線，并且兩個(gè)“半線”在多個(gè)點(diǎn)處彼此連接以限定狹縫13和狹縫23的長(zhǎng)度。

當(dāng)顯示面板300包括對(duì)置基底時(shí)，基底110和對(duì)置基底可借助于密封膠結(jié)合，并且密封膠可提供在與時(shí)鐘信號(hào)線csl重疊的區(qū)域中。激光束可照射該密封膠，以熔融或固化該密封膠，并且當(dāng)激光束在基底110下方照射時(shí)，激光束中的一些被時(shí)鐘信號(hào)線csl擋住。然而，激光束可通過形成在第一導(dǎo)線113和第二導(dǎo)線123中的狹縫13和狹縫23穿過時(shí)鐘信號(hào)線csl，從而增加到達(dá)密封膠的激光束的量。在其他實(shí)施例中，第一導(dǎo)線113和第二導(dǎo)線123可能不包括狹縫13和狹縫23。

第一導(dǎo)線113和第二導(dǎo)線123可完全彼此重疊，并且在第二導(dǎo)線123中形成切口25(見圖4)。因而，在頂視圖中，第一導(dǎo)線113的位于第二導(dǎo)線123的重疊切口25下方的部分不被第二導(dǎo)線123覆蓋，并且第一導(dǎo)線113的、與第二導(dǎo)線123重疊但不與切口25重疊的另一部分可基本上被第二導(dǎo)線123覆蓋。切口25被形成為將提供在不同層上的第一導(dǎo)線113和第二導(dǎo)線123分別連接至提供在導(dǎo)線113和123之上的連接器179。如所圖示的，切口25可形成為使得大致到第二導(dǎo)線123的中心線右側(cè)的右部部分(即，參照?qǐng)D4，狹縫23的右部部分)可凹入，并且與附圖相反，大致到第二導(dǎo)線123的中心線左側(cè)的左部部分(即，參照?qǐng)D4，狹縫23的左部部分)可凹入，但第二導(dǎo)線123上的此構(gòu)造的位置或形狀不限于前述示例。例如，切口25可形成在第二導(dǎo)線123內(nèi)。

關(guān)于提供有時(shí)鐘信號(hào)線csl的區(qū)域的剖面配置，具體參照?qǐng)D5和圖6，時(shí)鐘信號(hào)線csl的第一導(dǎo)線113提供在基底110上，基底110可由諸如玻璃或塑料的絕緣材料制成。第一絕緣層111提供在第一導(dǎo)線113上，并且絕緣體143和第二導(dǎo)線123提供在第一絕緣層111上。第二導(dǎo)線123具有與絕緣體143大致相同的平坦形狀。大致相同的平坦形狀意味著，在頂視圖中，由彼此對(duì)應(yīng)的兩個(gè)組成元件占據(jù)的區(qū)域具有規(guī)則間隔的大致平行的邊緣。當(dāng)兩個(gè)組成元件具有大致相同的平坦形狀時(shí)，這可能是因?yàn)樗鼈兪峭ㄟ^使用一個(gè)掩模形成的。

第二絕緣層160提供在第一絕緣層111和第二導(dǎo)線123上。第一接觸孔81形成在第二絕緣層160上的與第二導(dǎo)線123重疊的區(qū)域中。第二接觸孔82形成在第一絕緣層111和第二絕緣層160上的與第一導(dǎo)線113和切口25重疊的區(qū)域中。連接器179提供在第二絕緣層160上。連接器179通過第一接觸孔81連接至第二導(dǎo)線123，并且通過第二接觸孔82連接至第一導(dǎo)線113。相應(yīng)地，第二導(dǎo)線123電連接至第一導(dǎo)線113。連接器179連接至各個(gè)級(jí)st1-stn中的一個(gè)級(jí)(例如，圖2中的第二級(jí)st2)。連接器179在與柵極線g1-gn的延伸方向大致相同的方向上延伸。然而，為了補(bǔ)償由時(shí)鐘信號(hào)線csl和各個(gè)級(jí)st1-stn之間的距離導(dǎo)致的電阻差異，可包括彎曲部分(例如，時(shí)鐘信號(hào)線c6與各個(gè)級(jí)st1-stn之間的部分)，使得與不同時(shí)鐘信號(hào)線csl連接的各連接器179的長(zhǎng)度可大致相同。

參照?qǐng)D7示出的柵極驅(qū)動(dòng)器的第二實(shí)施例，除了連接器179’，時(shí)鐘信號(hào)線csl的第一導(dǎo)線113和第二導(dǎo)線123對(duì)應(yīng)于圖5的實(shí)施例。也就是，第一導(dǎo)線113提供在基底110上且第一絕緣層111提供在第一導(dǎo)線113上，并且絕緣體143和第二導(dǎo)線123提供在第一絕緣層111上。第二絕緣層160提供在第二導(dǎo)線123上，并且第三絕緣層180提供在第二絕緣層160上。第一接觸孔81形成在第二絕緣層160和第三絕緣層180上的與第二導(dǎo)線123重疊的區(qū)域中，并且第二接觸孔82形成在第一絕緣層111、第二絕緣層160和第三絕緣層180上的與第一導(dǎo)線113和切口25重疊的區(qū)域中。提供在第三絕緣層180上的連接器179’通過第一接觸孔81連接至第二導(dǎo)線123，并且通過第二接觸孔82連接至第一導(dǎo)線113。

當(dāng)與圖5的第一示例性實(shí)施例相比時(shí)，圖7的第二示例性實(shí)施例進(jìn)一步在第二絕緣層160和連接器179’之間形成第三絕緣層180。在圖5的第一示例性實(shí)施例中，連接器179可由金屬制成，并且在圖7的第二示例性實(shí)施例中，連接器179’可由諸如氧化銦錫(ito)或者氧化銦鋅(izo)的透明導(dǎo)電氧化物制成。

通過將時(shí)鐘信號(hào)線csl形成為根據(jù)上述示例性實(shí)施例的雙層，可減小時(shí)鐘信號(hào)線csl的電阻，并且由此可減少時(shí)鐘信號(hào)的rc延遲。例如，液晶面板上時(shí)鐘信號(hào)的延遲可降低像素的充電率。隨著液晶面板的分辨率或尺寸變大，時(shí)鐘信號(hào)的延遲變成充電率降低的主要因素。當(dāng)充電率降低時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生圖像質(zhì)量缺陷，諸如混色或串?dāng)_。根據(jù)本發(fā)明的原理，通過經(jīng)由減小時(shí)鐘信號(hào)線csl的電阻來減少時(shí)鐘信號(hào)的延遲，可改善充電率的裕量。隨著充電率的裕量的增加，像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線或柵極線的寬度可減小，由此改善透光率。根據(jù)該雙層結(jié)構(gòu)，可在減小時(shí)鐘信號(hào)線csl的寬度的同時(shí)維持或減小時(shí)鐘信號(hào)線csl的電阻，因此除了減少rc延遲之外，還可減少被時(shí)鐘信號(hào)線csl占據(jù)的顯示面板300的外圍區(qū)域pa，由此減小顯示裝置的邊框?qū)挾取?/p>

雙層線的構(gòu)造可應(yīng)用于其它信號(hào)線(例如，從顯示面板300的焊盤延伸的信號(hào)線sl)以及時(shí)鐘信號(hào)線csl，雙層線具有提供在基底110與第一絕緣層111之間的導(dǎo)體并且該導(dǎo)體還提供在第一絕緣層111與第二絕緣層160之間。

可在用于在顯示面板300上形成晶體管的過程中一起，形成時(shí)鐘信號(hào)線csl的雙層結(jié)構(gòu)。因而，在制造根據(jù)本發(fā)明的原理的包括具有雙層結(jié)構(gòu)的時(shí)鐘信號(hào)線csl的顯示面板300時(shí)，不需要額外的處理階段或額外的掩模。其原因可從下面參照?qǐng)D8至圖15的描述而清楚明顯。

參照?qǐng)D8描述包括在顯示面板中的晶體管的堆疊結(jié)構(gòu)，并且描述晶體管與上述時(shí)鐘信號(hào)線csl之間的堆疊關(guān)系。

參照?qǐng)D8，示出要包括在柵極驅(qū)動(dòng)器500中的晶體管tr的堆疊結(jié)構(gòu)。具有所圖示的結(jié)構(gòu)的晶體管tr還可包括在每個(gè)像素中。

晶體管tr包括半導(dǎo)體130、柵電極124、源電極173和漏電極175。源極區(qū)133和漏極區(qū)135可通過當(dāng)柵極導(dǎo)通電壓施加至柵電極124時(shí)，流經(jīng)半導(dǎo)體130的溝道區(qū)131的載流子的方向以及從源電極173流向漏電極175的載流子而確定。因而，當(dāng)晶體管tr工作時(shí)，在n-型晶體管中，電子從源電極173流向漏電極175，并且在p-型晶體管中，空穴從源電極173流向漏電極175。

在包括諸如玻璃或塑料的絕緣材料的基底110上提供遮光層115。遮光層115可由諸如金屬的導(dǎo)電材料制成，并且可由單層或多層制成。遮光層115防止外部光到達(dá)半導(dǎo)體130，從而防止半導(dǎo)體130的性能劣化(退化)并且控制晶體管tr的漏電流。遮光層115包括與半導(dǎo)體130重疊的部分以及與半導(dǎo)體130不重疊的部分。參照?qǐng)D5至圖7，時(shí)鐘信號(hào)線csl的第一導(dǎo)線113可與遮光層115提供在同一層上，并且可由與其相同的材料制成。

第一絕緣層111在遮光層115上提供在基底110與半導(dǎo)體130之間。第一絕緣層111可防止來自基底110的雜質(zhì)到達(dá)半導(dǎo)體130，從而保護(hù)半導(dǎo)體130并且改善半導(dǎo)體130的性能特性，并且因此第一絕緣層111可因而被稱為緩沖層。第一絕緣層111可包括無(wú)機(jī)絕緣材料，諸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧化鋁(al2o3)、氧化鉿(hfo3)或者氧化釔(y2o3)。第一絕緣層111可為單層或多層。例如，當(dāng)?shù)谝唤^緣層111具有兩層時(shí)，下層可包括氮化硅(sinx)，而上層可包括氧化硅(siox)。參照?qǐng)D5至圖7，第一絕緣層111還提供在第一導(dǎo)線113上。

半導(dǎo)體130提供在第一絕緣層111上。半導(dǎo)體130包括源極區(qū)133、漏極區(qū)135以及它們之間的溝道區(qū)131。半導(dǎo)體130可包括氧化物半導(dǎo)體。氧化物半導(dǎo)體可包括諸如鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)或鈦(ti)的金屬的氧化物，或者諸如鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)或鈦(ti)的金屬與其氧化物的組合。例如，氧化物半導(dǎo)體可包括以下中的至少一種：氧化鋅(zno)、氧化鋅錫(zto)、氧化鋅銦(zio)、氧化銦(ino)、氧化鈦(tio)、氧化銦鎵鋅(igzo)或者氧化銦鋅錫(izto)。源極區(qū)133和漏極區(qū)135可包括由晶體管tr的溝道區(qū)131包括的氧化物半導(dǎo)體材料還原的材料?？筛鶕?jù)等離子工藝方法，通過將形成半導(dǎo)體130的氧化物半導(dǎo)體充當(dāng)導(dǎo)體來形成源極區(qū)133和漏極區(qū)135。半導(dǎo)體130可包括諸如多晶硅的半導(dǎo)體材料。

絕緣體144提供在半導(dǎo)體130上。絕緣體144可為單層或多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)絕緣體144為單層時(shí)，其可包括絕緣材料，諸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化鋁(al2o3)、氧化鉿(hfo3)或者氧化釔(y2o3)。當(dāng)絕緣體144為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，接觸半導(dǎo)體130的下層可包括絕緣氧化物，諸如氧化硅(siox)、氧化鋁(al2o3)、氧化鉿(hfo3)或者氧化釔(y2o3)，從而改善溝道區(qū)131的界面特性并且防止雜質(zhì)進(jìn)入溝道區(qū)131，而且該下層上提供的至少一層可包括各種不同類型的絕緣材料，諸如氮化硅(sinx)或者氧化硅(siox)。參照?qǐng)D5至圖7，提供在第一絕緣層111上的絕緣體143可使用相同的材料與絕緣體144形成在同一層上。

柵電極124提供在絕緣體144上。例如，柵電極124可包括金屬，諸如銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、鉬(mo)、鉻(cr)、鉭(ta)或鈦(ti)。柵電極124可為單層或者可為由不同材料制成的多層結(jié)構(gòu)。柵電極124具有與絕緣體144大致相同的平坦形狀。柵電極124與溝道區(qū)131重疊，柵電極124與溝道區(qū)131之間具有絕緣體144。溝道區(qū)131的平坦形狀可與絕緣體144的形狀大致相同。參照?qǐng)D5至圖7，第二導(dǎo)線123提供在絕緣體143上。第二導(dǎo)線123可使用相同的材料與柵電極124提供在同一層上。因此，可使用單個(gè)掩模在與柵電極124相同的制造步驟中形成第二導(dǎo)線123。

第二絕緣層160提供在柵電極124上。第二絕緣層160還被稱為中間絕緣層。第二絕緣層160可包括無(wú)機(jī)絕緣材料，諸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)或者氟氧化硅(siof)。第二絕緣層160可為單層或多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)?shù)诙^緣層160為單層時(shí)，第二絕緣層160可包括無(wú)機(jī)絕緣材料，諸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)或者氟氧化硅(siof)。當(dāng)?shù)诙^緣層160包括氮化硅(sinx)和/或氮氧化硅(sion)時(shí)，可通過將氫(h)供給至源極區(qū)133和漏極區(qū)135而減小源極區(qū)133和漏極區(qū)135的電阻。當(dāng)?shù)诙^緣層160為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，最下層可包括氮化硅(sinx)和/或氮氧化硅(sion)，以用于將氫(h)供給至源極區(qū)133和漏極區(qū)135，可在最下層上提供包括例如氧化硅(siox)的層，并且可額外地在最下層上提供包括氮化硅(sinx)和/或氮氧化硅(sion)的層。

第二絕緣層160可包括用于暴露源極區(qū)133的接觸孔163以及用于暴露漏極區(qū)135的接觸孔165。第二絕緣層160和第一絕緣層111可包括用于暴露遮光層115的接觸孔166。取決于晶體管tr的類型，接觸孔163、165和166中的至少一個(gè)可省略。

源電極173和漏電極175提供在第二絕緣層160上。漏電極175通過接觸孔165連接至漏極區(qū)135。源電極173通過接觸孔163連接至源極區(qū)133，并且通過接觸孔166連接至遮光層115。由于與半導(dǎo)體130重疊的遮光層115連接至源電極173，遮光層115與半導(dǎo)體130之間具有第一絕緣層111，因此源極電壓(在源電極173處的電壓)可施加至遮光層115。當(dāng)如所述源極電壓施加至遮光層115時(shí)，晶體管tr的電壓-電流特性曲線圖的飽和區(qū)域中的電流變化(斜坡)較小，由此改善了該晶體管tr的輸出飽和特性。

源電極173和漏電極175可由金屬制成，金屬諸如銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、鉬(mo)、鉻(cr)、金(au)、鉑(pt)、鈀(pd)、鉭(ta)、鎢(w)、鉭(ti)或鎳(ni)。源電極173和漏電極175可分別為單層或多層結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D5，通過第一接觸孔81連接至第二導(dǎo)線123并且通過第二接觸孔82連接至第一導(dǎo)線113的連接器179提供在第二絕緣層160上。連接器179可使用相同的材料與源電極173和漏電極175提供在同一層上。

圖9至圖15是用于制造上面描述的顯示裝置的方法中的連續(xù)步驟的剖視圖。在各個(gè)附圖中，具有剖面線v-v’的左部部分表示時(shí)鐘信號(hào)線csl對(duì)應(yīng)于圖5的區(qū)域，而右部部分指示晶體管tr對(duì)應(yīng)于圖8的區(qū)域。

參照?qǐng)D9，通過濺射，在基底110上沉積諸如金屬的導(dǎo)電材料，并且通過使用諸如光刻膠的光敏材料和第一掩模對(duì)導(dǎo)電材料圖案化，以因此在時(shí)鐘信號(hào)線csl的區(qū)域中形成第一導(dǎo)線113，以及在晶體管tr的區(qū)域中形成遮光層115。

參照?qǐng)D10，在其上形成第一導(dǎo)線113和遮光層115的基底110上，通過經(jīng)由化學(xué)氣相沉積(cvd)沉積無(wú)機(jī)絕緣材料形成第一絕緣層111，無(wú)機(jī)絕緣材料諸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧化鋁(al2o3)、氧化鉿(hfo3)或者氧化釔(y2o3)。如上所述，第一絕緣層111在本文中還被稱為緩沖層。

通過化學(xué)氣相沉積在第一絕緣層111上沉積氧化物半導(dǎo)體材料，諸如氧化鋅(zno)、氧化鋅錫(zto)、氧化鋅銦(zio)、氧化銦(ino)、氧化鈦(tio)、氧化銦鎵鋅(igzo)或者氧化銦鋅錫(izto)，并且通過使用第二掩模對(duì)氧化物半導(dǎo)體材料圖案化，由此形成半導(dǎo)體130。

參照?qǐng)D11，在其上形成半導(dǎo)體130的基底110上，通過經(jīng)由化學(xué)氣相沉積沉積無(wú)機(jī)絕緣材料形成柵極絕緣層140，無(wú)機(jī)絕緣材料諸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或者氮氧化硅(sion)。通過經(jīng)由濺射沉積諸如金屬的導(dǎo)電材料，在柵極絕緣層140上形成柵極導(dǎo)電層120。在柵極導(dǎo)電層120上沉積光敏材料，并且使用第三掩模形成光敏薄膜圖案51和52。

參照?qǐng)D12，使用光敏薄膜圖案51和52作為掩模來蝕刻?hào)艠O導(dǎo)電層120，以形成時(shí)鐘信號(hào)線csl的第二導(dǎo)線123和晶體管tr的柵電極124。在此情況下，可通過濕法蝕刻或者干法蝕刻來蝕刻?hào)艠O導(dǎo)電層120。

參照?qǐng)D13，使用光敏薄膜圖案51和52作為掩模來蝕刻?hào)艠O絕緣層140，以形成絕緣體143和144。在此，可通過干法蝕刻來蝕刻?hào)艠O絕緣層140。在此過程中，可對(duì)未被光敏薄膜圖案51和52覆蓋的暴露半導(dǎo)體130以及絕緣體144摻雜諸如sf6的蝕刻氣體，由此可減小半導(dǎo)體130的暴露部分的電阻。相應(yīng)地，由絕緣體144所覆蓋的半導(dǎo)體層部分保留為溝道區(qū)131，并且剩余部分具有導(dǎo)電性從而形成源極區(qū)133和漏極區(qū)135。然而，當(dāng)柵極絕緣層140被圖案化時(shí)，半導(dǎo)體130的大部分可維持作為半導(dǎo)體的特性。通過使用相同的光敏薄膜圖案51和52蝕刻第二導(dǎo)線123和柵電極124，并且還蝕刻絕緣體143和144，因此第二導(dǎo)線123和絕緣體143可具有大致相同的平坦形狀，并且柵電極124和絕緣體144可具有相同的平坦形狀。

未被絕緣體144覆蓋而暴露的半導(dǎo)體130由此被額外地處理，以形成源極區(qū)133和漏極區(qū)135。在此情況下，處理方法可包括還原氣氛中的熱處理以及使用氣體等離子的等離子處理方法，氣體等離子諸如氫(h2)、氦(he)、磷化氫(ph3)、氨(nh3)、硅烷(sih4)、甲烷(ch4)、乙炔(c2h2)、乙硼烷(b2h6)、二氧化碳(co2)、鍺烷(geh4)、硒化氫(h2se)、硫化氫(h2s)、氬(ar)、氮(n2)、氧化氮(n2o)或者三氟甲烷(chf3)。由絕緣體144覆蓋的半導(dǎo)體130大部分維持作為半導(dǎo)體的特性，以因此變成溝道區(qū)131。

參照?qǐng)D14，在其上形成柵電極124的基底110上，經(jīng)由化學(xué)氣相沉積沉積諸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)和氮氧化硅(sion)的無(wú)機(jī)絕緣材料，以形成具有單層或多層結(jié)構(gòu)的第二絕緣層160。對(duì)具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體130或者源極區(qū)133和漏極區(qū)135摻雜用于第二絕緣層160的成膜過程的、包括在氣體化合物中的諸如氫的成分，氣體化合物諸如sih4或nh3，使得除溝道區(qū)131之外的部分可具有低電阻。在第二絕緣層160成膜之后，由第二絕緣層160包括的諸如氫的成分可擴(kuò)散至源極區(qū)133和漏極區(qū)135，以具有低電阻。

通過使用第四掩模對(duì)第二絕緣層160圖案化，以形成用于暴露第一導(dǎo)線113的接觸孔82、用于暴露第二導(dǎo)線123的接觸孔81、用于暴露源極區(qū)133的接觸孔163、用于暴露漏極區(qū)135的接觸孔165以及用于暴露遮光層115的接觸孔166。在使用第四掩模的同一圖案化過程期間，暴露第一導(dǎo)線113的接觸孔82連同形成在第二絕緣層160中的接觸孔82，以及暴露遮光層115的接觸孔166連同形成在第二絕緣層中的接觸孔166一起，形成在第一絕緣層111中。取決于晶體管tr的類型，可不形成接觸孔163、165和166中的至少一個(gè)。

參照針對(duì)最終結(jié)構(gòu)的圖15，諸如金屬的導(dǎo)電材料然后通過濺射，沉積在第二絕緣層160上，并且通過使用第五掩模對(duì)導(dǎo)電材料圖案化以形成包括連接器179、源電極173和漏電極175的多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體。在此情況下，第一導(dǎo)線113通過連接器179電連接至第二導(dǎo)線123，并且遮光層115通過源電極173電連接至源極區(qū)133。

如所描述的，可使用在形成晶體管tr時(shí)使用的相同掩模與晶體管tr一起，形成時(shí)鐘信號(hào)線csl的導(dǎo)線113和123、接觸孔81和82、以及用于通過接觸孔81和82連接導(dǎo)線113和123的連接器179。因而，為了形成本文描述的時(shí)鐘信號(hào)線csl的雙層結(jié)構(gòu)，不需要增加掩?；蛘呷魏晤~外的處理步驟。

下面描述顯示裝置的像素區(qū)域。

下面描述的示例性顯示裝置是液晶顯示器，并且下面將簡(jiǎn)化或省略前述組成元件的重復(fù)描述以避免冗余。

圖16示出了多個(gè)像素區(qū)域中的一個(gè)，并且各像素區(qū)域從上到下、從左到右布置在液晶面板上。參照?qǐng)D16和圖17，在基底110上提供遮光層115和存儲(chǔ)電極線117。存儲(chǔ)電極線117可在行方向上延伸以穿過像素區(qū)域，并且可在列方向上延伸以與像素電極191重疊。存儲(chǔ)電極線117接收諸如公共電壓的預(yù)定電壓。存儲(chǔ)電極線117連接至遮光層115。因而，與柵極驅(qū)動(dòng)器的晶體管的情況相反，像素區(qū)域中的晶體管的源電極173不連接至遮光層115?？商鎿Q地，遮光層115可不與存儲(chǔ)電極線117連接、但可連接至源電極173，或者可不與存儲(chǔ)電極線117和源電極173中的任一個(gè)連接。存儲(chǔ)電極線117可提供在與遮光層115不同的層(例如，與柵極線121相同的層)上。

第一絕緣層111提供在遮光層115和存儲(chǔ)電極線117上，并且包括溝道區(qū)131、源極區(qū)133和漏極區(qū)135的半導(dǎo)體130提供在其上。

絕緣體144和柵電極124提供在半導(dǎo)體130上，并且連接至柵電極124的柵極線121提供在第一絕緣層111上。柵極線121可使用相同的材料與柵電極124形成在同一層上。柵極線121可大體在行方向上延伸。與柵極線121具有大致相同的平坦形狀的絕緣體可提供在柵極線121與第一絕緣層111之間。

第二絕緣層160提供在柵電極124和柵極線121上，并且分別通過形成在第二絕緣層160中的接觸孔163和165連接至源極區(qū)133和漏極區(qū)135的源電極173和漏電極175提供在第二絕緣層160上。主要在列方向上延伸的數(shù)據(jù)線171提供在第二絕緣層160上，并且源電極173可以是數(shù)據(jù)線171的與源極區(qū)133重疊的一部分。

第三絕緣層180提供在源電極173、漏電極175和數(shù)據(jù)線171上。第三絕緣層180可包括有機(jī)絕緣材料和/或無(wú)機(jī)絕緣材料，并且可以是單層或多層結(jié)構(gòu)。第三絕緣層180的上側(cè)可為大致平坦的。

包括水平主干192、豎直主干193和細(xì)分支194的像素電極191提供在第三絕緣層180上。像素電極191通過提供在第三絕緣層180中的接觸孔181連接至漏電極175。像素電極191可由透明導(dǎo)電材料制成，透明導(dǎo)電材料諸如ito或izo。參照?qǐng)D7，提供在第三絕緣層180上、并且連接第一導(dǎo)線113和第二導(dǎo)線123的連接器179’可使用相同的材料與像素電極191提供在同一層上。

當(dāng)通過經(jīng)由柵極線121施加的柵極導(dǎo)通電壓導(dǎo)通晶體管時(shí)，像素電極191接收經(jīng)由數(shù)據(jù)線171施加的數(shù)據(jù)電壓，并且使用該數(shù)據(jù)電壓對(duì)像素充電。根據(jù)本發(fā)明的原理，充電時(shí)長(zhǎng)可隨著時(shí)鐘信號(hào)線csl的電阻的減小而縮短，從而因此對(duì)顯示器的高分辨率、快速驅(qū)動(dòng)響應(yīng)更快，并且可減小顯示面板的尺寸、數(shù)據(jù)線171和/或柵極線121的寬度，由此改善透光率。

絕緣層210提供在像素電極191上，絕緣層210與像素電極191之間具有包括液晶31的液晶層3。絕緣層210可以是基底。

公共電極270提供在絕緣層210上方或下方，用于與像素電極191一起對(duì)液晶層3生成電場(chǎng)并且控制液晶31的布置方向。公共電極270可提供在基底110與液晶層3之間。公共電極270可由透明導(dǎo)電材料制成，透明導(dǎo)電材料諸如ito或izo。

取向?qū)?1提供在像素電極191和液晶層3之間，并且取向?qū)?1提供在公共電極270和液晶層3之間。當(dāng)未對(duì)液晶層3生成電場(chǎng)時(shí)，取向?qū)?1和取向?qū)?1可控制液晶31的初始取向。

雖然本文已描述了某些示例性實(shí)施例和實(shí)施方式，但根據(jù)該描述，其他實(shí)施例和修改將是明顯的。相應(yīng)地，本發(fā)明構(gòu)思不限于這些實(shí)施例，而是由提出的權(quán)利要求的更廣泛的范圍和各種顯而易見的修改以及等同設(shè)置限定。