專利名稱:液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)及其制造方法，特別是涉及一種通過簡化的制造方法制造的并且通過減少掩模數(shù)量提高LCD的產(chǎn)量和圖像質(zhì)量的LCD。
背景技術(shù)：
最近，隨著用戶對信息顯示的興趣的增長以及對便攜式(移動)信息設(shè)備的需求增加，正在積極地進行輕和薄平板顯示器(FPD)的研究和商業(yè)化以替代現(xiàn)有的顯示器件，即CRT(陰極射線管)。
在FPD當(dāng)中，作為通過利用液晶材料的光學(xué)各向異性顯示圖像的器件的LCD提供優(yōu)秀的分辨率、色彩和圖像質(zhì)量。因此，LCD廣泛用于筆記本型計算機或桌面監(jiān)視器等。
LCD包括濾色片基板(第一基板)、陣列基板(第二基板)以及在濾色片基板和陣列基板之間形成的液晶層。
通常，薄膜晶體管(TFT)用作LCD的開關(guān)元件，并且非晶硅薄膜用作TFT的溝道層。
LCD的制造工序需要多輪掩模工序(即，光刻工序)以制造包括TFT的陣列基板。因此，用于減少掩模工序數(shù)量的方法在生產(chǎn)率方面是必須的。
參照圖1將詳細描述普通LCD的結(jié)構(gòu)。
圖1示出了普通LCD的分解透視圖。
如圖1所示，LCD包括濾色片基板5、陣列基板10以及在濾色片基板5和陣列基板10之間形成的液晶層30。
濾色片基板5包括實現(xiàn)紅、綠和藍顏色的多個子濾色片7，用于分離子濾色片7并阻擋光透射到液晶層30的黑矩陣6，以及用于將電壓施加到液晶層30的透明公共電極8。
陣列基板10包括彼此交叉以限定多個像素區(qū)(P)的多條柵線16和多條數(shù)據(jù)線17，在柵線16和數(shù)據(jù)線17的各交叉處形成的TFT，以及在各像素區(qū)(P)上形成的像素電極18。
濾色片基板5和陣列基板10通過在圖像顯示區(qū)的外邊緣形成的粘結(jié)劑(未示出)而彼此粘接，并且兩塊基板5和10通過在濾色片基板5或陣列基板10上形成的粘接鍵(未示出)被粘接。
圖2A至圖2E示出了圖1中LCD的陣列基板的制造工序的順序截面圖。
如圖2A所示，通過使用光刻工序(第一掩模工序)在基板上形成由導(dǎo)電材料制成的柵極21。
然后，如圖2B所示，第一絕緣膜15A、非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜順序沉積在其上形成有柵極21的基板10的整個表面上，并且通過使用另一光刻工序(第二掩模工序)對非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜選擇性地構(gòu)圖以在柵極21上形成非晶硅薄膜的有源圖案24。
此處，已經(jīng)以與有源圖案24相同的形狀構(gòu)圖的n+非晶硅薄膜圖案25形成在有源圖案24上。
之后，如圖2C所示，導(dǎo)電金屬材料沉積在基板10的整個表面上并且隨后通過使用另一光刻工序(第三掩模工序)被選擇性地構(gòu)圖以在有源圖案24的上部形成源極22和漏極23。此時，通過第三掩模工序去除形成在有源圖案24上的n+非晶硅薄膜圖案的中央部分以在有源圖案24與源極和漏極22和23之間形成歐姆接觸層25’。
隨后，如圖2D所示，第二絕緣膜15B沉積在其上形成有源極22和漏極23的基板10的整個表面上，并且通過另一光刻工序(第四掩模工序)去除第二絕緣膜15B的部分以形成暴露部分漏極23的接觸孔40。
最后，如圖2E所示，透明導(dǎo)電金屬材料沉積在基板10的整個表面上并且隨后通過使用另一光刻工序(第五掩模工序)被選擇性地構(gòu)圖以形成經(jīng)由接觸孔40電連接到漏極23的像素電極18。
如上所述，需要五(5)輪光刻工序來制造包括TFT的陣列基板以對柵極、有源圖案、源極和漏極、接觸孔以及像素電極構(gòu)圖。
光刻工序是將形成在掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到其上沉積有薄膜的基板上以形成期望圖案的工序，其中每輪工序包括例如涂敷感光溶液的工序、曝光工序和顯影工序等。所以，多輪光刻工序可能會降低產(chǎn)量并且增加產(chǎn)生缺陷TFT的概率。
具體地說，因為設(shè)計用來形成圖案的掩模非常昂貴，隨著應(yīng)用于工序的掩模數(shù)量增加，LCD的制造成本成比例地增加。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是制造一種當(dāng)制造薄膜晶體管(TFT)時使用較少掩模的液晶顯示器(LCD)。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，一種LCD包括具有像素部分和焊盤部分的第一基板；彼此交叉以限定像素部分的柵線和數(shù)據(jù)線；鄰近柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處的晶體管，其中晶體管包括柵極、源極和漏極；源極和漏極上方的絕緣層，該絕緣層暴露漏極的橫向側(cè)；與漏極的橫向側(cè)接觸的像素電極；粘接到第一基板的第二基板；以及第一基板和第二基板之間的液晶層。
為了實現(xiàn)上述目的，還提供了一種LCD的制造方法，包括提供具有像素部分和焊盤部分的第一基板并且提供第二基板；通過使用單個第一掩模在第一基板的像素部分形成柵線和晶體管的柵極并且對柵線上方的第一薄膜構(gòu)圖；對構(gòu)圖的第一薄膜構(gòu)圖以形成晶體管的有源層并且形成晶體管的源極、晶體管的漏極以及數(shù)據(jù)線，其中柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素部分；在像素部分形成電連接到漏極的像素電極；以及在第一和第二基板之間形成液晶層。
在本發(fā)明的另一方面，一種LCD的制造方法包括提供具有像素部分和焊盤部分的第一基板并且提供第二基板；在第一基板的像素部分形成柵線和晶體管的柵極并且對柵線上方的第一薄膜構(gòu)圖；通過使用單個第一掩模對構(gòu)圖的第一薄膜構(gòu)圖以形成晶體管的有源層并且形成晶體管的源極、晶體管的漏極以及數(shù)據(jù)線，其中柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素部分；通過使用單個第二掩模在像素部分形成電連接到漏極的像素電極；以及在第一和第二基板之間形成液晶層。
本發(fā)明的上述和其他目的、特征、方面和優(yōu)點將從與所附附圖一起的本發(fā)明的下面詳細說明中變得明顯。
本申請所包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解，并且包括在該申請中作為本申請的一部分，示出了本發(fā)明的實施方式并且連同說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
附圖中圖1示出了普通液晶顯示器(LCD)的分解透視圖；圖2A至圖2E順序示出了圖1中的LCD的陣列基板的制造工序的截面圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的LCD的陣列基板的部分的平面圖；圖4A至圖4C順序示出了沿圖3中的陣列基板的線IIIa-IIIa’、IIIb-IIIb’和IIIc-IIIc’提取的制造工序的截面圖；圖5A至圖5E示出了圖4A中的第一掩模工序的截面圖；圖6A和圖6B示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的形成側(cè)壁的方法的截面圖；圖7A至圖7E示出了圖4B中的第二掩模工序的截面圖；圖8A至圖8I示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖4C中的第三掩模工序的截面圖；以及圖9A至圖9I示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的圖4C中的第三掩模工序的截面圖。
具體實施方式參照附圖將描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的液晶顯示器(LCD)及其制造方法。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的LCD的陣列基板的部分的平面圖，其中示出了包括柵焊盤部分和數(shù)據(jù)焊盤部分的單個像素。
N條柵線和M條數(shù)據(jù)線形成為彼此交叉以在陣列基板上限定M×N個像素，并且出于簡便僅在附圖中示出了一個像素。
如圖所示，柵線116和數(shù)據(jù)線117彼此交叉以在陣列基板110上限定像素部分。作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)形成在柵線116和數(shù)據(jù)線117的交叉處。與TFT連接以與濾色片基板(未示出)上的公共電極一起驅(qū)動液晶(未示出)的像素電極118形成在像素部分中。
柵焊盤電極126P和數(shù)據(jù)焊盤電極127P形成在陣列基板110的邊緣部分，分別與柵線116和數(shù)據(jù)線117電連接，并且將從外部驅(qū)動電路單元(未示出)施加的掃描信號和數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)綎啪€116和數(shù)據(jù)線117。
即，柵線116和數(shù)據(jù)線117朝向驅(qū)動電路單元延伸以形成柵焊盤線116P和數(shù)據(jù)焊盤線117P，并且柵焊盤線116P和數(shù)據(jù)焊盤西117P通過分別與線116P和117P電連接的柵焊盤電極126P和數(shù)據(jù)焊盤電極127P從驅(qū)動電路單元接收掃描信號和數(shù)據(jù)信號。
TFT包括形成作為柵線116的一部分的柵極121、與數(shù)據(jù)線117連接的源極122、以及與像素電極118連接的漏極123。此外，TFT包括用于使柵極121與源極/漏極122和123絕緣的第一絕緣膜(未示出)以及用于通過提供到柵極121的柵電壓而在源極和漏極123之間形成導(dǎo)電溝道的有源圖案124A”。
按這種方式，在示出的實施方式中，柵極121由其上設(shè)置有有源圖案124A”的柵線116的一部分形成，并且有源圖案124A”以及源極/漏極122和123位于柵極121的上部。
在該實施方式中，源極122的部分與數(shù)據(jù)線117連接，形成數(shù)據(jù)線117的部分，并且漏極123的部分朝向像素電極118延伸從而直接與像素電極118的部分電連接。
柵線116的部分與像素電極118的部分交疊，其間夾有第一絕緣膜，形成存儲電容(Cst)。存儲電容(Cst)均勻地保持施加到液晶電容的電壓。即，陣列基板110的像素電極118與濾色片基板的公共電極形成液晶電容。通常，施加到液晶電容的電壓直到接收到下一信號才被保持，但是會被泄漏。因而，為了保持施加的電壓，存儲電容(Cst)必須與液晶電容連接。
除了信號的保持之外，存儲電容(Cst)具有穩(wěn)定灰度級和最小化殘留圖像的效果。
在陣列基板110中，通過第一掩模工序形成柵極121并且同時確定有源圖案124A”的線寬，通過第二掩模工序形成源極和漏極122和123以及有源圖案124A”，并且通過第三掩模工序選擇性地蝕刻透明導(dǎo)電膜以形成像素電極118以及焊盤部分電極126P和127P。因此，可以通過三(3)輪掩模工序制造陣列基板110，下面將通過LCD的制造工序詳細描述。
圖4A至圖4C順序示出了圖3中陣列基板的制造工序的截面圖，其中左側(cè)示出了像素部分的陣列基板的制造工序并且右側(cè)示出了柵焊盤部分和數(shù)據(jù)焊盤部分的陣列基板的制造工序。
如圖4A至圖4C所示，柵極121和柵線116形成在由例如玻璃的透明絕緣材料制成的基板110的像素部分，并且柵焊盤線116P形成在柵焊盤部分。在該實施方式中，如上所述，柵極121由柵線116的部分形成，并且只為了說明，柵極121由與柵線116不同的附圖標(biāo)記表示。
柵絕緣膜115A’、非晶硅薄膜圖案124A’和n+非晶硅薄膜圖案125A’形成在柵極121和柵線116的上部。非晶硅薄膜圖案124A’和n+非晶硅薄膜圖案125A’具有比柵極121窄的線寬并且通過使用在形成柵極121和柵線116的工序中相同的掩模來形成。通過繼續(xù)(follow-up)工序用有源圖案對以一定寬度形成的非晶硅薄膜圖案124A’進行構(gòu)圖。
按照該方式，在示出的實施方式中，通過使用衍射曝光(狹縫曝光)的單輪掩模工序(第一掩模工序)同時形成柵極121和柵線116，并且同時確定有源圖案的線寬。參照附圖將詳細描述第一掩模工序。
圖5A至圖5E示出了圖4A中的第一掩模工序的截面圖，并且圖6A和圖6B示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的形成側(cè)壁的方法的截面圖。
如圖5A所示，第一導(dǎo)電膜120、第一絕緣膜115A、非晶硅薄膜124和n+非晶硅薄膜125沉積在基板110的整個表面上。
在此，可以使用例如鋁(Al)、Al合金、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鉬(Mo)等的低阻不透明導(dǎo)電材料作為第一導(dǎo)電膜120。
之后，由例如光刻膠的感光材料制成的感光膜170形成在基板110的整個表面上，光通過狹縫掩模180選擇性地照射到基板110上。
在該實施方式中，狹縫掩模180包括用于全部透射照射光的透射區(qū)(I)，具有用于部分透射光和遮蔽部分光的狹縫圖案的狹縫區(qū)(II)，以及用于全部遮蔽照射光的遮蔽區(qū)(III)。僅僅透射通過狹縫掩模180的光可以照射到感光膜170上。
隨后，當(dāng)對已經(jīng)通過狹縫掩模180曝光的感光膜170進行顯影時，如圖5B所示，具有一定厚度的感光膜圖案170A～170C保留在通過遮蔽區(qū)(III)和狹縫區(qū)(II)光被全部遮蔽或部分遮蔽的區(qū)域，并且在全部透射光的透射區(qū)(I)的感光膜被全部去除以暴露n+非晶硅薄膜125的表面。
在該實施方式中，形成在遮蔽區(qū)(III)的第一和第二感光膜圖案170A和170B比形成在狹縫區(qū)(II)的第三感光膜圖案170C厚。此外，在光完全透射通過透射區(qū)(I)的區(qū)域的感光膜被完全去除，這是由于使用了正光刻膠。然而在該方面，本發(fā)明不限于此并且也可以使用負光刻膠。
然后，如圖5C所示，通過使用感光膜圖案170A～170C作為掩模選擇性地去除第一導(dǎo)電膜、第一絕緣膜、非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜，以在基板110的像素部分處形成由第一導(dǎo)電膜形成的柵極121和柵線116并且在柵焊盤部分處形成由第一導(dǎo)電膜形成的柵焊盤線116P。
在該實施方式中，在柵極121和柵線116的上部，保留有由第一絕緣膜形成的柵絕緣膜115A’、第一非晶硅薄膜圖案124A和第一n+非晶硅薄膜圖案125A。以與柵極121和柵線116相同的形式對非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜構(gòu)圖。此外，在柵焊盤線116P的上部，保留有由第一絕緣膜形成的柵焊盤絕緣膜115A”、第二非晶硅薄膜圖案124B和第二n+非晶硅薄膜圖案125B。以與柵焊盤線116P相同的形式對非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜構(gòu)圖。
之后，如圖5D所示，當(dāng)進行灰化工序以去除感光膜圖案170A～170C的部分時，柵焊盤線116P上部的第三感光膜圖案，即應(yīng)用狹縫曝光的狹縫區(qū)(II)的第三感光膜圖案被完全去除以暴露第二n+非晶硅薄膜圖案125B的表面。
在該實施方式中，第一和第二感光膜圖案170A和170B分別保留作為第四感光膜圖案170A’和第五感光膜圖案170B’，并且具有通過部分去除對應(yīng)于遮蔽區(qū)(III)的柵極121和柵線116上部的第三感光膜圖案而獲得的厚度。在該實施方式中，如圖5D所示，第四和第五感光膜圖案170A’和170B’可以具有其側(cè)邊通過灰化工序被部分去除的形狀。
之后，如圖5E所示，通過使用保留的第四和第五感光膜圖案170A’和170B’作為掩模去除在柵極121和柵線116上部的第一非晶硅薄膜圖案和第一n+非晶硅薄膜圖案的部分。即，像素部分的第一非晶硅薄膜圖案和第一n+非晶硅薄膜圖案的側(cè)邊的部分被去除以保留作為在柵極121和柵線116上部的第三非晶硅薄膜圖案124A’和第三n+非晶硅薄膜圖案125A’。
在該實施方式中，柵焊盤部分的第二非晶硅薄膜圖案124B和第二n+非晶硅薄膜圖案125B被完全去除以暴露柵焊盤絕緣膜115A”的表面。
如圖6A和圖6B所示，一定的有機膜115B涂敷在其上形成有柵極121、柵線116和柵焊盤線116P的基板110的整個表面上，并且隨后通過灰化工序被部分去除以形成用于保護柵極121、柵線116和柵焊盤線116P的側(cè)邊的第一和第二側(cè)壁115B’和115B”。即，第一和第二側(cè)壁115B’和115B”保護柵線(柵極121、柵線116和柵焊盤線116P)的側(cè)邊，避免柵線的側(cè)邊被暴露，從而當(dāng)形成數(shù)據(jù)線(源極和漏極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤線)(后面將進行描述)時，柵極線121、116和116P以及數(shù)據(jù)線不會短路。
下面，如圖4B所示，通過單輪掩模工序(第二掩模工序)，源極和漏極122和123形成在柵極121的上部，并且通過對第三非晶硅薄膜圖案構(gòu)圖形成有源圖案124A“作為在源極和漏極122和123之間的導(dǎo)電溝道。
通過第二掩模工序?qū)Φ谌齨+非晶硅薄膜圖案構(gòu)圖以形成用于將源極和漏極122和123與有源圖案124A”歐姆接觸的歐姆接觸層125A”。此外，由用于源極和漏極122和123的由導(dǎo)電材料制成的數(shù)據(jù)焊盤線117P形成在基板110的數(shù)據(jù)焊盤部分處。
按照該方式，在示出的實施方式中，通過使用狹縫曝光的第二掩模工序在形成有源圖案124A”的同時形成源極和漏極122和123以及數(shù)據(jù)焊盤線117P。下面將詳細描述第二掩模工序。
圖7A至圖7E示出了圖4B中的第二掩模工序的截面圖。
如圖7A所示，第二導(dǎo)電膜130和感光膜270形成在基板110的整個表面上，并且光通過狹縫掩模280選擇性地照射在感光膜270上。
在該實施方式中，狹縫掩模280包括用于全部透射照射光的透射區(qū)(I)，具有用于部分透射光和遮蔽部分光的狹縫圖案的狹縫區(qū)(II)，以及用于全部遮蔽照射光的遮蔽區(qū)(III)。僅透射通過狹縫掩模280的光可以照射到感光膜270上。
隨后，當(dāng)將已經(jīng)通過狹縫掩模曝光的感光膜270進行顯影時，如圖7B所示，具有一定厚度的感光膜圖案270A～270D保留在通過遮蔽區(qū)(III)和狹縫區(qū)(II)光被全部遮蔽或部分遮蔽的區(qū)域，并且在全部透射光的透射區(qū)(I)的感光膜被全部去除以暴露第二導(dǎo)電膜130的表面。
在該實施方式中，形成在遮蔽區(qū)(III)的第一、第二和第三感光膜圖案270A、270B和270C比通過狹縫區(qū)(II)形成的第四感光膜圖案270D厚。此外，在光完全透射通過透射區(qū)(I)的區(qū)域的感光膜被完全去除，這是由于使用了正光刻膠。然而在該方面，本發(fā)明不限于此并且也可以使用負光刻膠。
然后，如圖7C所示，通過使用感光膜圖案270A～270D作為掩模選擇性地去除第二導(dǎo)電膜、第三非晶硅薄膜圖案和第三n+非晶硅薄膜圖案，以在柵極121的上部同時形成由第二導(dǎo)電膜形成的像素部分第二導(dǎo)電膜圖案130A并且同時形成由第二導(dǎo)電膜制成的焊盤部分第二導(dǎo)電膜圖案130B。
在該實施方式中，在像素部分的第二導(dǎo)電膜圖案130A的下部，保留有由第三非晶硅薄膜圖案制成的有源圖案124A”和第四n+非晶硅薄膜圖案，并且以與像素部分的第二導(dǎo)電圖案130A相同的形式對第三n+非晶硅薄膜圖案構(gòu)圖。
之后，如圖7D所示，當(dāng)進行灰化工序以去除感光膜圖案270A～270D的部分時，有源圖案124A”的中央?yún)^(qū)域的上部，即應(yīng)用狹縫曝光的狹縫區(qū)(II)的第四感光膜圖案被完全去除以暴露像素部分的第二導(dǎo)電膜圖案130A的表面。
在該實施方式中，第一至第三感光膜圖案270A至270C分別保留作為第五至第七感光膜圖案270A’至270C’，并且具有通過部分去除對應(yīng)于遮蔽區(qū)(III)的有源圖案124A”和第二導(dǎo)電膜圖案130B的中央?yún)^(qū)域(源區(qū)和漏區(qū))上部的第四感光膜圖案而獲得的厚度。在該實施方式中，如圖7D所示，第五至第七感光膜圖案270A’至270C’可以具有其側(cè)邊通過灰化工序被部分去除的形狀。
之后，如圖7E所示，通過使用保留的第五至第七感光膜圖案270A’至270C’作為掩模蝕刻在有源圖案124A”上部的第四n+非晶硅薄膜圖案和第二導(dǎo)電膜圖案的部分并且同時蝕刻數(shù)據(jù)焊盤部分的第二導(dǎo)電膜圖案的部分。即，根據(jù)第五和第六感光膜圖案270A’和270B’的形狀對像素部分的第二導(dǎo)電膜圖案構(gòu)圖以形成源極和漏極122和123，并且根據(jù)第七感光膜圖案270C’的形狀對焊盤部分的第二導(dǎo)電膜圖案構(gòu)圖以形成數(shù)據(jù)焊盤線117P。
在該實施方式中，根據(jù)源極和漏極122和123的形狀對像素部分的第四n+非晶硅薄膜圖案構(gòu)圖以形成歐姆接觸層125A”，從而使源極和漏極122和123以及有源圖案124A”的源區(qū)和漏區(qū)形成歐姆接觸。
如圖4C所示，通過單輪掩模工序(第三掩模工序)形成電連接的漏極123和像素電極118，并且同時暴露與柵焊盤線116P和數(shù)據(jù)焊盤線117P電連接的柵焊盤電極126P和數(shù)據(jù)焊盤電極127P。
在此，在第三掩模工序中，當(dāng)對第二絕緣膜構(gòu)圖時，感光膜在像素部分保持很薄，其中要在像素部分中通過使用利用半色調(diào)或狹縫的狹縫曝光來形成像素電極118。之后，進行焊盤部分開口以暴露部分柵焊盤線116P和數(shù)據(jù)焊盤線117P，并且通過灰化工序去除像素部分的感光膜以去除像素部分的第二絕緣膜。
像素電極118形成在具有透明導(dǎo)電材料的像素部分，并且與柵焊盤線116P和數(shù)據(jù)焊盤線117P電連接的柵焊盤電極126P和數(shù)據(jù)焊盤電極127P形成在焊盤部分。在該實施方式中，可以通過感光膜的表面處理和通過使用例如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電材料的選擇性結(jié)晶而不進行額外的掩模工序來形成像素電極118、柵焊盤電極126P和數(shù)據(jù)焊盤電極127P。參照附圖將詳細描述第三掩模工序。
圖8A至圖8I示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖4C中的第三掩模工序的截面圖。
如圖8A所示，第二絕緣膜115C和由感光材料制成的第一感光膜370形成在其上形成有有源圖案124”、源極122和漏極123的基板110的整個表面上，并且光通過狹縫掩模380選擇性地照射在第一感光膜370上。
在該實施方式中，狹縫掩模380包括用于全部透射照射光的透射區(qū)(I)，具有用于部分透射光和遮蔽部分光的狹縫圖案的狹縫區(qū)(II)，以及用于全部遮蔽照射光的遮蔽區(qū)(III)。僅僅透射通過狹縫掩模380的光可以照射到感光膜370上。
隨后，當(dāng)對已經(jīng)通過狹縫掩模曝光的感光膜370進行顯影時，如圖8B所示，具有一定厚度的感光膜圖案370A～370E保留在通過遮蔽區(qū)(III)和狹縫區(qū)(II)光被全部遮蔽或部分遮蔽的區(qū)域，并且在全部透射光的透射區(qū)(I)的感光膜被全部去除以暴露第二絕緣膜115C的表面。
在該實施方式中，形成在遮蔽區(qū)(III)的第一至第四感光膜圖案370A至370D比通過狹縫區(qū)(II)形成的第五感光膜圖案370E厚。此外，在光完全透射通過透射區(qū)(I)的區(qū)域的第一感光膜被完全去除，這是由于使用了正光刻膠。然而在該方面，本發(fā)明不限于此并且也可以使用負光刻膠。
然后，如圖8C所示，通過使用感光膜圖案370A～370E作為掩模選擇性地去除在焊盤部分的柵焊盤絕緣膜115A”和第二絕緣膜，以形成暴露焊盤部分的柵焊盤線116P和數(shù)據(jù)焊盤線117P的部分的第一和第二接觸孔160A和160B。在該實施方式中，對第二絕緣膜構(gòu)圖以在像素部分形成像素部分第二絕緣膜115C’并在焊盤部分形成焊盤部分第二絕緣膜圖案115C”。
之后，如圖8D所示，當(dāng)進行灰化工序以去除感光膜圖案370A～370D的部分時，一定區(qū)域，即應(yīng)用狹縫曝光的狹縫區(qū)(II)的第五感光膜圖案被完全去除以暴露像素部分的第二絕緣膜115C’的表面。
在該實施方式中，第一至第四感光膜圖案370A至370D分別保留作為第六至第九感光膜圖案370A’至370D’，并且具有通過將僅在對應(yīng)于遮蔽區(qū)(III)的部分去除第五感光膜圖案370E的厚度而獲得的厚度。
之后，如圖8E所示，通過使用保留的第六至第九感光膜圖案370A’至370D’作為掩模部分去除像素部分的像素部分第二絕緣膜115C’。此時，對像素部分的像素部分第二絕緣膜115C’構(gòu)圖以去除在漏極123的一個上部的像素部分的像素部分第二絕緣膜的部分，從而暴露漏極123的部分。
如圖8F所示，使用透明導(dǎo)電材料在基板110的整個表面上形成第三導(dǎo)電膜140，所述基板110的整個表面上形成有第六至第九感光膜圖案370A’至370D’。
在該實施方式中，第三導(dǎo)電膜140包括例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的具有良好透射率的透明導(dǎo)電材料以形成像素電極和焊盤部分電極。在該實施方式中，在沉積第三導(dǎo)電膜140之前，可以進行等離子或熱處理以進行用于使第六至第九感光膜圖案370A’至370D’的表面疏水的工序。這是因為第三導(dǎo)電膜140的表面是疏水的。因此，與第六至第九感光膜圖案370A’至370D’的接觸狀態(tài)需要變差以選擇性地去除形成在第六至第九感光膜圖案370A’至370D’上的第三導(dǎo)電膜140。
之后，由感光材料制成的第二感光膜470形成在其上形成有第三導(dǎo)電膜140的基板110的整個表面上。
并且如圖8G所示，進行用于去除第二感光膜470的部分的灰化工序以暴露在除了第一和第二接觸孔區(qū)域之外的區(qū)域的第三導(dǎo)電膜140。此時，通過灰化工序部分去除了厚度的第十至第十二感光膜圖案470A至470C可以僅保留在像素部分和焊盤部分的第一和第二接觸孔區(qū)域的上部。
之后，當(dāng)通過進行溫度約100℃至200℃的熱處理來使第三導(dǎo)電膜140結(jié)晶時，在除了在第三導(dǎo)電膜140的下部或側(cè)邊形成的第六至第九感光膜圖案370A’至370C’的區(qū)域之外的區(qū)域的第三導(dǎo)電膜140可以被選擇性地結(jié)晶。這是因為形成有第六至第九感光膜圖案370A’至370C’的第三導(dǎo)電膜140的部分的結(jié)晶受到存在于第六至第九感光膜圖案370A’至370C’的內(nèi)部作為有機膜的例如碳的元素的干擾。
如圖8H和8I所示，當(dāng)只選擇性地去除在暴露的無定形狀態(tài)中的第三導(dǎo)電膜140時，像素電極118形成在像素部分并且同時柵焊盤電極126P和數(shù)據(jù)焊盤電極127P形成在焊盤部分的第一和第二接觸孔區(qū)域。
在該實施方式中，柵焊盤電極126P與下柵焊盤線116P電連接并且數(shù)據(jù)焊盤電極127P與下數(shù)據(jù)焊盤線117P電連接。
此外，像素電極118與下漏極123的部分電連接，并且漏極123不通過接觸孔而直接與上像素電極118電連接。
像素電極118的部分與柵線116的部分層疊以與柵線116一起形成存儲電容(Cst)(參照圖3)，在像素電極和柵線之間夾有像素部分的第一絕緣膜115A’。
圖9A至圖9I示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的圖4C中的第三掩模工序的截面圖。圖9A至圖9I中所示的第三掩模工序與圖8A至圖8I中所示的第三掩模工序相似。然而，與圖8A至圖8I中所示的實施方式不同，狹縫掩模580具有用于部分透射光的對應(yīng)于數(shù)據(jù)焊盤線117P的狹縫區(qū)(II)從而當(dāng)對通過狹縫掩模曝光的感光膜570進行顯影時，如圖9A和圖9B所示，保留了具有一定厚度的感光膜圖案570F。通過該方式，當(dāng)柵焊盤線116P上面的焊盤部分第二絕緣膜圖案115C”如圖9C所示時，數(shù)據(jù)焊盤線117P上方的焊盤部分第二絕緣膜圖案115C”仍然被感光膜圖案570F保護。
隨后，如圖9D所示，通過灰化工序去除感光膜圖案570F以暴露數(shù)據(jù)焊盤線117P上方的焊盤部分第二絕緣膜圖案115C”，并且在圖9E中，通過去除數(shù)據(jù)焊盤線117P上方的焊盤部分第二絕緣膜圖案115C”來暴露數(shù)據(jù)焊盤線117P。換句話說，如圖9E所示，數(shù)據(jù)焊盤線117P上面的焊盤部分第二絕緣膜圖案115C”和像素部分第二絕緣膜圖案115C’會被同時去除。因此，與圖8D和圖8E所示的實施方式不同，可以保護數(shù)據(jù)焊盤線117P不被過度蝕刻。具體地說，如圖8D和圖8E所示，在去除像素部分第二絕緣膜圖案115C’之前蝕刻數(shù)據(jù)焊盤線117P上面的焊盤部分第二絕緣膜圖案115C”。然而，當(dāng)去除像素部分第二絕緣膜圖案115C’時，暴露的數(shù)據(jù)焊盤線117P將經(jīng)受蝕刻工序。通過形成感光膜圖案570F，可以保護數(shù)據(jù)焊盤線117P不被過度蝕刻。
為了進一步保護數(shù)據(jù)焊盤線117P不被過度蝕刻，在一個實施方式中，鉬(Mo)可以用作第二導(dǎo)電膜130，因而數(shù)據(jù)焊盤線117P(以及源極和漏極)由Mo制成。
由于圖9F-9I所示的工序與圖8F-8I所示的工序相似，在此將不重復(fù)詳細的說明。
在示出的實施方式中，以使用非晶硅薄膜作為溝道層的非晶硅TFT作為例子。然而，本發(fā)明不限于此并且也可以使用多晶硅薄膜作為溝道層的多晶硅TFT。
此外，本發(fā)明也可以應(yīng)用于具有TFT的不同顯示器件，例如，如同應(yīng)用于LCD一樣，本發(fā)明可以應(yīng)用于有機發(fā)光二極管(OLED)與不同驅(qū)動晶體管連接的OLED顯示器。
另外，雖然示出的實施方式在三輪掩模工序的每輪中使用單個掩模，應(yīng)當(dāng)注意，在三輪掩模工序的一輪中使用單個掩模以及在三輪掩模工序的其他輪中使用多個掩模也將落入本發(fā)明的范圍。
很明顯，本領(lǐng)域技術(shù)人員可在不背離本發(fā)明精神或范圍的基礎(chǔ)上對本發(fā)明做出修改和變化。因此，本發(fā)明意欲覆蓋落入本發(fā)明權(quán)利要求
及其等效范圍內(nèi)的各種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器的制造方法，包括提供具有像素部分和焊盤部分的第一基板并且提供第二基板；使用單個第一掩模，在第一基板的像素部分形成柵線和晶體管的柵極并且形成柵線上方的第一薄膜；對第一薄膜構(gòu)圖以形成晶體管的有源層并且形成晶體管的源極、晶體管的漏極以及數(shù)據(jù)線，其中柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素部分；在像素部分形成電連接到漏極的像素電極；以及在第一和第二基板之間形成液晶層。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于，形成源極和漏極的步驟包括形成具有比柵線窄的寬度的源極和漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于，還包括通過使用所述單個第一掩模并通過使用形成柵極的導(dǎo)電材料而在第一基板的焊盤部分形成柵焊盤線。
4.根據(jù)權(quán)利要求
3所述的方法，其特征在于，還包括形成覆蓋柵極、柵線和柵焊盤線的橫向側(cè)的絕緣側(cè)壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于，還包括通過使用所述單個第一掩模對第一薄膜上方的第二薄膜構(gòu)圖。
6.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的方法，其特征在于，所述使用單個第一掩模的步驟包括通過使用單個第一掩模在像素部分形成具有第一厚度的第一感光膜圖案并且在焊盤部分形成具有第二厚度的第二感光膜圖案；通過使用第一感光膜圖案和第二感光膜圖案作為掩模對導(dǎo)電層構(gòu)圖并且對第一薄膜和第二薄膜構(gòu)圖而在第一基板的焊盤部分形成柵線、柵極和柵焊盤線；基本上去除柵焊盤線上方的整個第二感光膜圖案以及第一感光膜圖案的局部以形成第三厚度的第三感光膜圖案；以及通過使用第三感光膜圖案作為掩模而去除在柵焊盤線的上部的第一和第二薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的方法，其特征在于，所述去除第一感光膜圖案的局部的步驟包括通過使用第三感光膜圖案作為掩模而暴露柵絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的方法，其特征在于，所述第一厚度大于第二厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的方法，其特征在于，所述單個第一掩模是具有對應(yīng)于第一感光膜圖案的第一區(qū)域、對應(yīng)于第二感光膜圖案的第二區(qū)域以及對應(yīng)于第一基板的剩余部分的第三區(qū)域的狹縫掩模，第二區(qū)域的光透射率低于第一和第三區(qū)域之一的光透射率，并且高于第一和第三區(qū)域中另一個的光透射率。
10.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于，通過使用單個第二掩模來進行對第一薄膜構(gòu)圖以形成有源層的步驟和形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的步驟，并且通過使用單個第三掩模來進行形成像素電極的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求
10所述的方法，其特征在于，還包括通過使用所述單個第二掩模并通過使用形成源極和漏極的導(dǎo)電材料而在第一基板的焊盤部分形成數(shù)據(jù)焊盤線。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11所述的方法，其特征在于，還包括通過使用所述單個第三掩模并通過使用形成像素電極的導(dǎo)電材料而形成與在第一基板的焊盤部分的柵焊盤線電連接的柵焊盤電極并且形成與數(shù)據(jù)焊盤線電連接的數(shù)據(jù)焊盤電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求
10所述的方法，其特征在于，還包括通過使用所述單個第一掩模而形成第一薄膜上方的第二薄膜；以及通過使用所述單個第二掩模而對第二薄膜構(gòu)圖以形成有源層與各源極和漏極之間的歐姆接觸層。
14.根據(jù)權(quán)利要求
13所述的方法，其特征在于，所述使用單個第二掩模的步驟包括通過使用單個第二掩模而形成具有在柵極上方的像素部分的第一區(qū)域的第一厚度和在柵極上方的像素部分的第二區(qū)域的第二厚度的第一感光膜圖案，并且在焊盤部分形成第二感光膜圖案；通過使用第一感光膜圖案作為掩模并通過對第一薄膜構(gòu)圖、對第二薄膜構(gòu)圖以及對像素部分的導(dǎo)電層構(gòu)圖而形成有源層；通過使用第二感光膜圖案作為掩模并通過對焊盤部分的導(dǎo)電層構(gòu)圖而在焊盤部分形成數(shù)據(jù)焊盤線；去除在柵極上方的第二區(qū)域的第一感光膜圖案和在柵極上方的第一區(qū)域的第一感光膜圖案的局部以形成第三感光膜圖案并且暴露像素部分的構(gòu)圖的導(dǎo)電層；以及通過使用第三感光膜圖案作為掩模并通過去除構(gòu)圖過的導(dǎo)電層的暴露部分而形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
15.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的方法，其特征在于，所述使用單個第二掩模的步驟還包括通過使用第三感光膜圖案作為掩模并通過在去除構(gòu)圖的導(dǎo)電層的暴露部分之后去除第二薄膜的暴露部分而形成歐姆接觸層。
16.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的方法，其特征在于，所述第一厚度大于第二厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的方法，其特征在于，所述單個第二掩模是具有對應(yīng)于在柵極上方的第一區(qū)域的第一感光膜圖案和第二感光膜圖案的第一區(qū)域、對應(yīng)于在柵極上方的第二區(qū)域的第一感光膜圖案的第二區(qū)域、以及對應(yīng)于第一基板的剩余部分的第三區(qū)域的狹縫掩模，第二區(qū)域的光透射率低于第一和第三區(qū)域之一的光透射率，并且高于第一和第三區(qū)域中另一個的光透射率。
18.根據(jù)權(quán)利要求
12所述的方法，其特征在于，所述使用單個第三掩模的步驟包括通過使用單個第三掩模而形成具有在像素部分的第一區(qū)域的第一厚度和在像素部分的第二區(qū)域的第二厚度的第一感光膜圖案，并且在焊盤部分形成第二感光膜圖案，其中像素部分的第二區(qū)域直接位于漏極的局部和像素部分的上方；通過使用第二感光膜圖案作為掩模而暴露焊盤部分的柵焊盤線和數(shù)據(jù)焊盤線；去除在像素部分的第二區(qū)域的第一感光膜圖案以形成第三感光膜圖案；通過使用第三感光膜圖案作為掩模而暴露像素部分的漏極和基板；以及在暴露的漏極、像素部分的暴露的基板以及暴露的柵焊盤線和數(shù)據(jù)焊盤線上形成導(dǎo)電層。
19.根據(jù)權(quán)利要求
18所述的方法，其特征在于，所述第一厚度大于第二厚度。
20.根據(jù)權(quán)利要求
18所述的方法，其特征在于，所述形成第三感光膜圖案的步驟還包括去除在像素部分的第一區(qū)域的第一感光膜圖案的局部和第二感光膜圖案的局部；處理第三感光膜圖案以使其表面具有疏水特性；以及在所述處理步驟之后形成覆蓋第三感光膜圖案的導(dǎo)電層。
21.根據(jù)權(quán)利要求
20所述的方法，其特征在于，所述處理步驟包括在第三感光膜圖案的表面進行等離子處理或熱處理。
22.根據(jù)權(quán)利要求
20所述的方法，其特征在于，所述使用單個第三掩模的步驟還包括使不與所述第三感光膜圖案接觸的導(dǎo)電層結(jié)晶；以及去除所述導(dǎo)電層的非結(jié)晶部分。
23.根據(jù)權(quán)利要求
20所述的方法，其特征在于，所述結(jié)晶步驟包括在約100℃至200℃的溫度下熱處理導(dǎo)電層。
24.一種液晶顯示器，包括具有像素部分和焊盤部分的第一基板；彼此交叉以限定像素部分的柵線和數(shù)據(jù)線；鄰近柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處的晶體管，其中晶體管包括柵極、源極和漏極；源極和漏極上方的絕緣層，其中該絕緣層暴露漏極的橫向側(cè)；與漏極的橫向側(cè)邊接觸的像素電極；粘接到第一基板的第二基板；以及第一基板和第二基板之間的液晶層。
25.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的液晶顯示器，其特征在于，所述像素電極與第一基板接觸。
26.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括在柵極與各源極和漏極之間的柵絕緣層，其中像素電極與柵絕緣層接觸。
27.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的液晶顯示器，其特征在于，所述絕緣層和像素電極分別與漏極的頂部接觸，并且漏極頂部上的絕緣層和像素電極基本上共平面。
28.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的液晶顯示器，其特征在于，所述晶體管還包括在柵極與各源極和漏極之間的有源層，其中像素電極與有源層接觸。
29.根據(jù)權(quán)利要求
28所述的液晶顯示器，其特征在于，所述晶體管還包括在有源層與各源極和漏極之間的歐姆接觸層，其中像素電極與歐姆接觸層接觸。
30.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括覆蓋所述柵極和柵線的橫向側(cè)而不向像素部分延伸的橫向絕緣側(cè)壁。
31.根據(jù)權(quán)利要求
30所述的液晶顯示器，其特征在于，所述像素電極與橫向絕緣側(cè)壁接觸。
32.根據(jù)權(quán)利要求
30所述的液晶顯示器，其特征在于，所述橫向絕緣側(cè)壁為有機膜。
33.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的液晶顯示器，其特征在于，所述各源極和漏極具有比柵線窄的寬度。
34.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的液晶顯示器，其特征在于，所述像素電極為基本上結(jié)晶的氧化銦錫薄膜。
35.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括在第一基板的焊盤部分上的柵焊盤線；在柵焊盤線上的柵焊盤絕緣層；連接到柵焊盤線的柵焊盤電極；以及在焊盤部分上的焊盤部分絕緣層，其中焊盤部分絕緣層位于柵焊盤絕緣層上方并且與柵焊盤絕緣層和柵焊盤電極接觸。
36.根據(jù)權(quán)利要求
35所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括覆蓋所述柵焊盤線的橫向側(cè)的柵焊盤橫向絕緣側(cè)壁，其中所述焊盤部分絕緣層與柵焊盤橫向絕緣側(cè)壁接觸。
37.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括在第一基板的焊盤部分上的數(shù)據(jù)焊盤線；在數(shù)據(jù)焊盤線上的焊盤部分絕緣層；以及連接到數(shù)據(jù)焊盤線的數(shù)據(jù)焊盤電極；其中數(shù)據(jù)焊盤線上方的焊盤部分絕緣層以及數(shù)據(jù)焊盤線上方的數(shù)據(jù)焊盤電極基本上共平面。
38.根據(jù)權(quán)利要求
37所述的液晶顯示器，其特征在于，所述數(shù)據(jù)焊盤線與第一基板接觸。
39.根據(jù)權(quán)利要求
38所述的液晶顯示器，其特征在于，所述數(shù)據(jù)焊盤線不與所述柵絕緣層接觸。
40.一種液晶顯示器的制造方法，包括提供具有像素部分和焊盤部分的第一基板并且提供第二基板；在第一基板的像素部分形成柵線和晶體管的柵極并且在柵線上方形成第一薄膜；通過使用單個第一掩模對第一薄膜構(gòu)圖以形成晶體管的有源層并且形成晶體管的源極、晶體管的漏極以及數(shù)據(jù)線，其中柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素部分；通過使用單個第二掩模在像素部分形成電連接到漏極的像素電極；以及在第一和第二基板之間形成液晶層。
41.根據(jù)權(quán)利要求
40所述的方法，其特征在于，還包括通過使用單個第一掩模并通過使用形成源極和漏極的導(dǎo)電材料而第一基板的焊盤部分形成數(shù)據(jù)焊盤線。
42.根據(jù)權(quán)利要求
41所述的方法，其特征在于，還包括通過使用單個第二掩模并通過使用形成像素電極的導(dǎo)電材料而形成與第一基板的焊盤部分的柵焊盤線電連接的柵焊盤電極并且形成與數(shù)據(jù)焊盤線電連接的數(shù)據(jù)焊盤電極。
43.根據(jù)權(quán)利要求
40所述的方法，其特征在于，還包括形成第一薄膜上方的第二薄膜；以及通過使用單個第一掩模而對第二薄膜構(gòu)圖以形成有源層與各源極和漏極之間的歐姆接觸層。
44.根據(jù)權(quán)利要求
43所述的方法，其特征在于，所述使用單個第一掩模的步驟包括通過使用單個第一掩模而形成具有在柵極上方的像素部分的第一區(qū)域的第一厚度和在柵極上方的像素部分的第二區(qū)域的第二厚度的第一感光膜圖案，并且在焊盤部分形成第二感光膜圖案；通過使用第一感光膜圖案作為掩模并通過對第一薄膜構(gòu)圖、對第二薄膜構(gòu)圖以及對像素部分的導(dǎo)電層構(gòu)圖而形成有源層；通過使用第二感光膜圖案作為掩模并通過對焊盤部分的導(dǎo)電層構(gòu)圖而在焊盤部分形成數(shù)據(jù)焊盤線；去除在柵極上方的第二區(qū)域的第一感光膜圖案和在柵極上方的第二區(qū)域的第一感光膜圖案的局部以形成第三感光膜圖案并且暴露像素部分的構(gòu)圖的導(dǎo)電層；以及通過使用第三感光膜圖案作為掩模并通過去除構(gòu)圖的導(dǎo)電層的暴露部分而形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
45.根據(jù)權(quán)利要求
44所述的方法，其特征在于，所述使用單個第一掩模的步驟還包括通過使用第三感光膜圖案作為掩模并通過在去除構(gòu)圖的導(dǎo)電層的暴露部分之后去除第二薄膜的暴露部分而形成歐姆接觸層。
46.根據(jù)權(quán)利要求
43所述的方法，其特征在于，所述使用單個第二掩模的步驟包括通過使用單個第二掩模而形成具有在像素部分的第一區(qū)域的第一厚度和在像素部分的第二區(qū)域的第二厚度的第一感光膜圖案，并且在焊盤部分形成第二感光膜圖案，其中像素部分的第二區(qū)域直接位于漏極的局部和像素部分的上方；通過使用第二感光膜圖案作為掩模而暴露焊盤部分的柵焊盤線和數(shù)據(jù)焊盤線；去除像素部分的第二區(qū)域的第一感光膜圖案以形成第三感光膜圖案；通過使用第三感光膜圖案作為掩模而暴露像素部分的漏極和基板；以及在暴露的漏極、像素部分的暴露的基板以及暴露的柵焊盤線和數(shù)據(jù)焊盤線上形成導(dǎo)電層。
47.根據(jù)權(quán)利要求
46所述的方法，其特征在于，所述形成第三感光膜圖案的步驟還包括去除像素部分的第一區(qū)域的第一感光膜圖案的局部和第二感光膜圖案的局部；處理第三感光膜圖案以使其表面具有疏水特性；以及在處理步驟之后形成覆蓋第三感光膜圖案的導(dǎo)電層。
48.根據(jù)權(quán)利要求
47所述的方法，其特征在于，所述處理步驟包括在第三感光膜圖案的表面進行等離子處理或熱處理。
49.根據(jù)權(quán)利要求
48所述的方法，其特征在于，所述使用單個第二掩模的步驟還包括使不與第三感光膜圖案接觸的導(dǎo)電層結(jié)晶；以及去除導(dǎo)電層的非結(jié)晶部分。
專利摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器及其制造方法。該液晶顯示器包括具有像素部分和焊盤部分的第一基板；彼此交叉以在像素部分限定像素部分的柵線和數(shù)據(jù)線；鄰近柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處的晶體管，其中該晶體管包括柵極、源極和漏極；源極和漏極上方的絕緣層，該絕緣層暴露漏極的橫向側(cè)；與漏極的橫向側(cè)接觸的像素電極；粘接到第一基板的第二基板；以及第一基板和第二基板之間的液晶層。
文檔編號G03F7/00GK1991456SQ200610145214
公開日2007年7月4日 申請日期2006年11月17日
發(fā)明者梁埈榮, 李正一 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan