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      矩陣電路基板、顯示裝置及矩陣電路基板的制造方法

      文檔序號:8360331閱讀:708來源:國知局
      矩陣電路基板、顯示裝置及矩陣電路基板的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種矩陣電路基板。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著科技的進步,各種信息設(shè)備不斷地推陳出新,尤其是各種類型的顯示裝置或觸控式的顯示裝置,其應(yīng)用于各種電子裝置,例如手機、平板計算機、超輕薄筆電、電子書等。而不論是顯示裝置或是觸控層的部分,都是由矩陣電路基板(matrix circuitsubstrate)所組成。
      [0003]一般而言,矩陣電路基板具有交錯排列分布的電極,并通過軟性電路板(FlexiblePrint Circuit, FPC)與驅(qū)動電路板電性連接,并與外部的控制芯片連接。以顯示裝置而言,通過軟式電路板與外部的控制芯片連接,可控制顯示面板的各個像素的發(fā)光以顯示畫面。另外,以觸控式的顯示裝置而言,除了顯示面板的矩陣電路基板需通過軟性電路板以與驅(qū)動電路電性連接之外,觸控層的矩陣電路基板同樣需要再與另外一個軟性電路板電性連接,同樣通過軟性電路板與外部的控制芯片連接,以觸控電極層的電極動作。
      [0004]然而,驅(qū)動電路板具有一定的體積,其配置方式是影響顯示裝置及顯示面板的體積大小的主要原因。公知技術(shù)將驅(qū)動電路板設(shè)置于顯示面板的背面,并以軟性電路板電性連接電極及驅(qū)動電路板,以節(jié)省顯示裝置整體的空間。但在公知技術(shù)中,在矩陣電路基板的周緣必須預(yù)留供外引腳接合(Outer Lead Bonding, 0LB)的空間,也就是位于矩陣電路基板上交錯的電極分別延伸并集中至供外引腳接合的空間中,以與軟性電路板電性連接。
      [0005]但矩陣電路基板的周緣所預(yù)留的供外引腳接合的空間,進而使顯示裝置的邊框?qū)挾仍黾?,在視覺官感上就使得顯示裝置不夠輕巧、美觀,且顯示面板和觸控面板分別需要一個軟性電路板,因此會造成觸控顯示裝置的體積增加。而目前使用者對于顯示裝置或觸控式顯示裝置的需求卻是越趨于輕薄。
      [0006]因此,如何提供一種矩陣電路基板及顯示裝置,可通過其結(jié)構(gòu)上新穎的設(shè)計可具有較窄邊框區(qū),并形成更輕薄的結(jié)構(gòu),已成為重要課題之一。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0007]本發(fā)明的目的是提供一種矩陣電路基板、顯示裝置及矩陣電路基板的制造方法,可通過其結(jié)構(gòu)上新穎的設(shè)計可具有較窄邊框區(qū),并形成更輕薄的結(jié)構(gòu)。
      [0008]本發(fā)明提出一種矩陣電路基板,包括基板本體、復(fù)數(shù)個電極以及至少一個第一導(dǎo)電材料?;灞倔w具有相對的第一表面及第二表面,以及至少一個側(cè)壁,側(cè)壁位于第一表面及第二表面之間,側(cè)壁具有至少一個凹部。這些電極交錯設(shè)置于第一表面。第一導(dǎo)電材料對應(yīng)至少其中一個電極而設(shè)置于凹部,且第一導(dǎo)電材料與電極電性連接。
      [0009]在本發(fā)明的一個實施例中,凹部在側(cè)壁的截面積大于電極的截面積。
      [0010]在本發(fā)明的一個實施例中,其中矩陣電路基板還包括電性連接件,電性連接于第一導(dǎo)電材料。
      [0011]在本發(fā)明的一個實施例中,其中矩陣電路基板還包括第二導(dǎo)電材料,設(shè)置于側(cè)壁,并設(shè)置于電性連接件與第一導(dǎo)電材料之間,以將第一導(dǎo)電材料電性連接于電性連接件。
      [0012]在本發(fā)明的一個實施例中,其中矩陣電路基板還包括控制電路,電性連接電性連接件。
      [0013]在本發(fā)明的一個實施例中,凹部延伸至第一表面。
      [0014]在本發(fā)明的一個實施例中,凹部還延伸至第二表面。
      [0015]在本發(fā)明的一個實施例中,其中至少一個電極延伸至凹部與第一表面的交界處,以電性連接第一導(dǎo)電材料。
      [0016]在本發(fā)明的一個實施例,凹部在側(cè)壁的截面積小于凹部在平行側(cè)壁方向的最大截面積。
      [0017]本發(fā)明還提出一種顯示裝置,包括矩陣電路基板以及顯示介質(zhì)。矩陣電路基板包括基板本體、復(fù)數(shù)個電極及至少一個第一導(dǎo)電材料?;灞倔w具有相對的第一表面及第二表面,以及至少一個側(cè)壁,側(cè)壁位于第一表面及第二表面之間,側(cè)壁具有至少一個第一凹部。這些電極交錯設(shè)置于第一表面。第一導(dǎo)電材料對應(yīng)這些電極至少其中一個而設(shè)置于第一凹部,且第一導(dǎo)電材料與電極電性連接。矩陣電路基板驅(qū)動顯示介質(zhì)。
      [0018]在本發(fā)明的一個實施例中,第一凹部在側(cè)壁的截面積大于電極的截面積。
      [0019]在本發(fā)明的一個實施例中,矩陣電路基板還包括電性連接件,電性連接于第一導(dǎo)電材料。
      [0020]在本發(fā)明的一個實施例中,矩陣電路基板還包括第二導(dǎo)電材料,設(shè)置于側(cè)壁,并設(shè)置于電性連接件與第一導(dǎo)電材料之間,以將第一導(dǎo)電材料電性連接于電性連接件。
      [0021]在本發(fā)明的一個實施例中,矩陣電路基板還包括控制電路,電性連接電性連接件。
      [0022]在本發(fā)明的一個實施例中,第一凹部延伸至第一表面。
      [0023]在本發(fā)明的一個實施例中,第一凹部還延伸至第二表面。
      [0024]在本發(fā)明的一個實施例中,其中至少一個電極延伸至凹部與第一表面的交界處,以電性連接第一導(dǎo)電材料。
      [0025]在本發(fā)明的一個實施例中,其中顯示裝置還包括與矩陣電路基板相對設(shè)置的對向基板。
      [0026]在本發(fā)明的一個實施例中,對向基板的一個側(cè)壁具有至少一個第二凹部,第一導(dǎo)電材料也設(shè)置于第二凹部。
      [0027]在本發(fā)明的一個實施例中,對向基板還包含第三導(dǎo)電材料,對向基板的一個側(cè)壁還具有至少一個第二凹部,第三導(dǎo)電材料設(shè)置于第二凹部。
      [0028]在本發(fā)明的一個實施例中,第一導(dǎo)電材料與對向基板的一個電路電性連接。
      [0029]本發(fā)明還提出一種顯示裝置,包括矩陣電路基板、對向基板、至少一個第一導(dǎo)電材料以及顯示介質(zhì)。矩陣電路基板具有交錯設(shè)置的復(fù)數(shù)個電極。對向基板與矩陣電路基板相對設(shè)置,對向基板的一個側(cè)壁具有至少一個凹部。第一導(dǎo)電材料對應(yīng)其中至少一個電極而設(shè)置于對向基板的凹部,且第一導(dǎo)電材料與電極電性連接。矩陣電路基板驅(qū)動顯示介質(zhì)。
      [0030]在本發(fā)明的一個實施例中,凹部在側(cè)壁的截面積大于電極的截面積。
      [0031]本發(fā)明還提出一種矩陣電路基板的制造方法,包括以下步驟:在母基板鉆孔形成至少一個孔洞,其中母基板具有交錯配置的復(fù)數(shù)個電極;填充第一導(dǎo)電材料至孔洞,其中至少一個電極與第一導(dǎo)電材料電性連接;切割母基板,以形成至少一個基板本體,各基板本體具有相對的第一表面及第二表面,以及至少一個側(cè)壁,側(cè)壁位于第一表面及第二表面之間;以及研磨側(cè)壁至孔洞,使孔洞在側(cè)壁形成凹部,并使第一導(dǎo)電材料外露于側(cè)壁。
      [0032]在本發(fā)明的一個實施例中,其中矩陣電路基板的制造方法還包括以下步驟:固化填充至孔洞的第一導(dǎo)電材料。
      [0033]在本發(fā)明的一個實施例中,其中矩陣電路基板的制造方法還包括以下步驟:接合電性連接件至側(cè)壁,使電性連接件電性連接于第一導(dǎo)電材料。
      [0034]在本發(fā)明的一個實施例中,研磨側(cè)壁的步驟包括研磨至孔洞形成凹部,且凹部在側(cè)壁的截面積大于該電極的截面積。
      [0035]承上所述,在本發(fā)明的矩陣電路基板及顯示裝置中,通過在矩陣電路基板的側(cè)壁形成凹部,并在凹部填充第一導(dǎo)電材料,使得電性連接件可以與側(cè)壁平行的方向電性連接于第一導(dǎo)電材料,換言之,電性連接件可通過與第一導(dǎo)電材料電性連接而直接設(shè)置于側(cè)壁。故相比公知技術(shù)的電性連接件設(shè)置于基板本體的第一表面,本發(fā)明的矩陣電路基板將第一導(dǎo)電材料設(shè)置于側(cè)壁的設(shè)計,更可達到減少空間的使用并具有較窄邊框區(qū)的功效。
      【附圖說明】
      [0036]圖1A為本發(fā)明第一實施例的一種矩陣電路基板的部分不意圖。
      [0037]圖1B為圖1A所示的基板本體、電極及第一導(dǎo)電材料的另一視角的示意圖。
      [0038]圖2為本發(fā)明的一個實施例的矩陣電路基板的制造方法的流程示意圖。
      [0039]圖3A為圖2所示的步驟SlO的示意圖。
      [0040]圖3B為圖2所示的步驟S20的示意圖。
      [0041]圖3C為圖2所示的步驟S30的示意圖。
      [0042]圖3D為圖3C所示的基板本體的部分放大示意圖。
      [0043]圖3E為圖2所示的步驟S40的示意圖。
      [0044]圖3F為圖3E所示的基板本體的部分放大示意圖。
      [0045]圖4為圖1B所示的凹部在平行側(cè)壁方向的最大截面積的示意圖。
      [0046]圖5為本發(fā)明第二實施例的一種矩陣電路基板的部分示意圖。
      [0047]圖6為本發(fā)明第三實施例的一種矩陣電路基板的部分示意圖。
      [0048]圖7為本發(fā)明第四實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
      [0049]圖8為本發(fā)明第五實施例的一種顯
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